RU1256616C - Биполярный планарный мощный свч-транзистор - Google Patents
Биполярный планарный мощный свч-транзистор Download PDFInfo
- Publication number
- RU1256616C RU1256616C SU3828272A RU1256616C RU 1256616 C RU1256616 C RU 1256616C SU 3828272 A SU3828272 A SU 3828272A RU 1256616 C RU1256616 C RU 1256616C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- pairs
- cells
- distance
- row
- power microwave
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и направлено на создание мощных СВЧ-транзисторов.
Цель изобретения - улучшение энергетических характеристик.
На чертеже схематично изображен предлагаемый транзистор.
Транзистор состоит из базовой 1 и эмиттерной 2 металлизаций, контактных окон 3 к базовой области, контактных окон 4 к эмиттерной области, ячеек 5, пар 6 ячеек.
Расстояние между ячейками в предлагаемом транзисторе составляет 1,4 мкм, расстояние между соседними парами в горизонтальном ряду 2,8 мкм, базовая и эмиттерные металлизации выполнены толщиной 1,5 мкм. Выходная импульсная мощность предлагаемого транзистора 80 Вт, что на 25% превышает мощность известного транзистора. (56) Патент США N 3434019, кл. 357-36, 1969.
Патент Великобритании N 1112094, кл. Н 1 К, 1968.
Claims (1)
- БИПОЛЯРНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР с сетчатой структурой эмиттерной области, включающей вертикальные и горизонтальные ряды, содержащей идентичные ячейки и контактные окна к эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик, в каждом горизонтальном ряду образованы пары ячеек, расстояние между ячейками пары равно расстоянию между соседними рядами, а расстояние между соседними парами в одном ряду в 2-5 раз больше, чем расстояние между соседними рядами, причем пары в соседних рядах расположены одна относительно другой так, что середина зазора между парами одного ряда совпадает с серединой зазора между ячейками в паре соседнего ряда, а контактные окна к эмиттерной области расположены между парами ячеек.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3828272 RU1256616C (ru) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Биполярный планарный мощный свч-транзистор |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3828272 RU1256616C (ru) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Биполярный планарный мощный свч-транзистор |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU1256616C true RU1256616C (ru) | 1994-04-30 |
Family
ID=30440189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU3828272 RU1256616C (ru) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Биполярный планарный мощный свч-транзистор |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU1256616C (ru) |
-
1984
- 1984-12-19 RU SU3828272 patent/RU1256616C/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900008648B1 (ko) | 반도체집적회로장치 | |
| US5406104A (en) | MOSFET circuit with separate and common electrodes | |
| EP0214307A4 (en) | SEMICONDUCTOR CIRCUIT ARRANGEMENT. | |
| US4775879A (en) | FET structure arrangement having low on resistance | |
| RU1256616C (ru) | Биполярный планарный мощный свч-транзистор | |
| KR890013793A (ko) | 고전력 gto 싸이리스터 및 그 제조방법 | |
| US4825273A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS6439069A (en) | Field-effect transistor | |
| EP0404095A3 (en) | Integratable power transistor with optimization of direct secondary breakdown phenomena | |
| GB1487764A (en) | Semiconductor devices | |
| JPS6467972A (en) | Power mosfet | |
| IT1191188B (it) | Cella elementare per reti di porte logiche a circuito integrato | |
| ATE330331T1 (de) | Vertikal igbt mit einer soi-struktur | |
| JPS6461084A (en) | Semiconductor laser | |
| EP0157207A3 (en) | Gate turn-off thyristor | |
| ES2030742T3 (es) | Metodo para fabricar un transistor de efecto de campo con puerta autoalineada. | |
| KR920005391A (ko) | 바이폴라 트랜지스터 · 절연 게이트형 트랜지스터 혼재 반도체장치 | |
| JPH07123165B2 (ja) | 縦型ｍｏｓ電界効果トランジスタ | |
| JPS6489537A (en) | Lsi | |
| GB1451960A (en) | Power transistors | |
| JPS5613768A (en) | Thyristor | |
| JPS6174369A (ja) | 半導体装置 | |
| US4931666A (en) | Darlington-connected semiconductor device | |
| JPS6380545A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2599757B2 (ja) | 半導体装置 |