PT1548845E - Processo para tratar partículas de pó - Google Patents
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Description
Descrição
Processo para tratar partículas de põ A invenção refere-se a um processo para tratamento cie partículas de pó. 0 processo é particularmente adequado ao tratamento de partículas de pó constituídas por um composto de Cu(In.Ga)Se2.
Estes pós são adequados ao fabrico de membranas de mono partículas, utilizadas em células solares. A utilização do pó numa célula solar é conhecida de Altosaar e tal "Monograin layer solar cells" em Thin Solid Films 431-432 (2003) 466-469. A invenção pretende um processo para melhorar as características de um pó Cu(In-Ga)Se3 relativamente à utilização deste pó numa célula solar. A invenção pretende ainda disponibilizar uma célula solar de membrana de mono partículas com o maior rendimento possível.
Relativamente ao processo, esta tarefa é resolvida, em conformidade com a invenção, por um processo para tratamento de partículas de pó constituídas por um composto Cu{In.Ga)Se2, em que são introduzidas as partículas de pó e enxofre para dentro de um vaso e o conteúdo do vaso, composto pelas partículas de pó e pelo enxofre, aquece e mantém-se a uma temperatura constante depois do aquecimento, A utilização do processo em conformidade com a invenção conclui surpreendentemente que as células solares, nas quais foi utilizado o pó tratado através do 7 processo, apresentam um rendimento significativamente superior do que células solares, onde foi utilizado um pó não tratado de acordo com o processo em conformidade com a invenção.
Uma possível explicação para o evidente aperfeiçoamento das características fotovoltaícas das partículas de pó poderia ser a seguinte:
Existe a possibilidade de nas partículas constituídas por compostos Cu(In,Ga}Se2 existirem áreas com um teor de Se estequiometricamente inferior. Nestas áreas pode suceder uma separação de uma fase exterior composta por Cu, Ga ou In de uma fase de Cu (In.Ga) estequiométrica, sendo que as fases exteriores se alojam preferencialmente à superfície das partículas de pó.
Devido ao carácter metálico da fase exterior pode suceder, por exemplo, um curto-circuito no contacto pn da célula solar,
No processo em conformidade com a invenção, foi efectuada uma sulfuração, em que provavelmente as fases externas que se encontram â superfície das partículas de pó são convertidas em Cu(In.Ga)S2, um composto também utilizado em células solares.
Esta explicação é apoiada pelo facto de, em células solares, onde foi utilizado pó tratado pelo processo em conformidade com a invenção, ter sido medida uma tensão de marcha em vazio signifÍcativamente superior.
Numa versão privilegiada do processo, as partículas de põ são vertidas para uma ampola de duas zonas, em que as partículas de põ são introduzidas numa das zonas e o enxofre na outra zona.
As partículas de pó são então preferencialmente aquecidas a uma temperatura entre 400°C e 600°C. 0 enxofre é preferencialmente aquecido a uma temperatura de aprox. 1Q0°C.
As partículas de pó e o enxofre mantêm-se â respectiva temperatura por um período entre uma e 50 horas.
Numa versão igualmente privilegiada do processo, é vertida uma mistura para uma ampola, mistura que é composta por partículas de pó e enxofre. A mistura é então aquecida a uma temperatura entre os 300°C e os 600°C e assim mantida por um período que vai desde os 5 minutos e as 4 horas. Uma faixa de temperatura particularmente vantajosa é a que se encontra entre os 380°C e os 410°C.
No âmbito da invenção é também obtida uma vantajosa célula solar de membrana de mono partículas, que se destaca pelo elevado rendimento relativamente a outras células solares de membrana de mono partículas. A célula solar contém um contacto de retorno, uma membrana de mono partículas, pelo menos uma camada semicondutora e um contacto frontal e destaca-se pelo facto da membrana de mono partículas conter as partículas de pó tratadas em conformidade com a invenção.
Esta célula solar apresenta um elevado rendimento devido às características vantajosas das partículas tratadas em conformidade com a invenção.
Passamos a explicar em pormenor as versões preferidas do processo em conformidade com a invenção:
Numa versão do processo, as partículas de pó e o enxofre, constituídos por um composto Cu(In-Ga)Se3, são 4 vertidos para uma denominada ampola de duas zonas, em que as partículas de pó são introduzidas numa zona e o enxofre na outra zona da ampola de duas zonas.
Uma ampola de duas zonas é composta por um tubo de ensaio fechado dos dois lados ou que pode ser fechado e que estreita no meio, Δ forma da ampola assemelha-se, assim, â forma de um relógio ovoide. A ampola de duas zonas ê utilizada deitada na horizontal no processo e devia ser de um material que não reaja com os materiais enchidos. Deve ser, provavelmente, de vidro de cristal.
Uma quantidade típica de enchimento é composta por lOg de partículas de pó e 2g de enxofre. A ampola de duas zonas é evacuada e o enxofre que se encontra numa das zonas é aquecido a uma temperatura de aprox. 100°C. Consequentemente forma-se S2 gaseiforme, que se espalha por toda a ampola.
As partículas de pó que se encontram na outra zona da ampola de duas zonas são aquecidas a uma temperatura entre 400°C e 600°C. A pressão do vapor sulfuroso na zona da ampola que contém as partículas de pó pode variar através de uma alteração da temperatura nesta zona. Devia encontrar-se entre 0,13 Pa e 133 Pa.
As partículas de pó e o enxofre são mantidos a respectiva temperatura por um período que vai desde uma a 50 horas, Neste período de tempo são convertidas, como foi inicialmente mencionado, as fases externas compostas por Cu. In e Ga e que eventualmente se encontram à superfície das partículas de pó, num composto Cu(In,Ga)S2. 3
Decorrido o tempo, a ampola é arrefecida e as partículas de pó sulfatadas podem ser retiradas.
Foi possível obter resultados muito bons relativamente a um melhoramento das característícas fotovoltaicas das partículas de pó, através de um tratamento em que as partículas de pó foram aquecidas a 530°C e o enxofre a 107°C. A estas temperaturas formou-se, na zona com partículas de pó da ampola de duas zonas, uma pressão de vapor sulfuroso de 1,33 Pa. O tempo de tratamento foi de 18 horas.
Noutra versão do processo, uma mistura composta pelas partículas de pó e pelo enxofre, é vertida para uma ampola, que por sua vez é, por exemplo, em vidro de cristal. Uma mistura típica é constituída por 50% de volume de pó e 50 % de volume de enxofre. A ampola é evacuada e a mistura é aquecida a uma temperatura entre 300°C e 600aC e, preferencialmente, a uma temperatura entre 380°C e 410°C. A esta temperatura o enxofre é líquido e envolve uniformemente as partículas de pó, que a esta temperatura se encontram na fase sólida. As partículas de pó são então, de certo modo, "cozidas" no enxofre líquido.
Nesta versão, a mistura é mantida à temperatura à qual aqueceu durante um período que vai desde 5 minutos a 4 horas.
Por sua vez, neste período de tempo sucede provavelmente a conversão das fases externas, que eventualmente existem à superfície das partículas e são constituídas por Cu, In e Ga, num composto de Cu (In, Ga)Se2. ()
Conseguir-se-iam resultados muito bons, tendo em conca as caracteríscicas fotovoltaicas das partículas, com um tratamento de 5 minutos a 410“C, seguido de um tratamento de 30 minutos a 380“C.
Vamos apresentar, por meio dos desenhos, algumas análises efectuadas para células solares, onde foi utilizado pó de um composto de CuInSe^ tratado em conformidade com a invenção. A figura la mostra uma fotografia de uma primeira partícula de pó com percurso de análise desenhado. A figura lb mostra um gráfico, que representa a composição química da primeira partícula de pó ao longo do percurso da análise. A figura 2a mostra uma fotografia de uma segunda partícula de pó com percurso de análise desenhado. A figura 2b mostra um gráfico, que representa a composição química da segunda partícula de pó ao longo do percurso da análise. A figura 3a mostra uma fotografia de uma terceira partícula de pó com percurso de análise desenhado. A figura 3b mostra um gráfico, que representa a composição química da terceira partícula de pó ao longo do percurso da analise. A figura 4a mostra uma fotografia de uma quarta partícula de pó com percurso de análise desenhado. A figura 4b mostra um gráfico, que representa a composição química da quarta partícula de pó ao longo do percurso da análise. A figura 5a mostra uma fotografia de uma quinta partícula de pó. / A figura 5b mostra uma análise do teor Se da quinta partícula de pó. A figura 5c mostra uma análise do teor S da quinta partícula de pó. A figura 5 mostra uma fotografia de outra partícula de pó. A figura 7 mostra uma fotografia de outra partícula de pó. A figura 8 mostra uma fotografia de outra partícula de pó. A figura 9 mostra uma fotografia de outra partícula de Pó- A figura 10 mostra uma fotografia de outra partícula de pó „ A figura 11 mostra um gráfico, que apresenta o valor de alguns valores característicos de uma célula solar em função da temperatura de tratamento, A figura 12 mostra um gráfico, que apresenta o valor de alguns valores característicos de uma célula solar em função da duração do tratamento. A análise foi realizada com partículas de pó constituídas, antes do tratamento, por um composto CuInSe2 e, consequentemente, não continham Ga. A figura la mostra a fotografia fotomicroscópica de uma partícula de pó destas, "cozida" durante 15 minutos a 410°C ("410°C, 15") e de seguida durante 30 minutos a 380°C ("380°C.30") em S2 líquido, A figura regista também um percurso de análise {"analysis track").
Ao longo deste percurso de análise foi observada a composição química. Os resultados desta observação estão graficamente representados na figura lb. O eixo 8 horizontal apresenta a distância da aresta da partícula de pó, onde é realizada uma análise e o eixo vertical indica a percentagem de peso (wt.%), que existe num elemento no respectivo ponto da partícula de pó.
Na figura 1b reconhece-se que a composição química da partícula de pó até uma distância de aprox. 55 μηι da aresta da partícula de pó, corresponde mais ou menos ã composição de CuInSe2 estequiométrico. Este apresenta aprox. 18.8 wt.% de Cu., aprox. 34.2 wt% de In e aprox. 47 w% de Se. 0 enxofre quase que é inexistente. A figura 1b mostra ainda que a partir de uma distância de aprox. 55 μιη da aresta da partícula de pó até uma distância de aprox. 70 μττι, hã uma forte redução e de seguida uma subida, principalmente, do teor de Se e o teor de S sobe e volta a descer.
Esta circunstância reforça a suposição jã formulada, que neste ponto do percurso da análise, que aparece a escuro na fotografia da figura la, existe um composto CulnSe2 com uma percentagem estequiométrica inferior em Se e que, durante o tratamento da partícula de pó, foi convertido, em conformidade com o processo da invenção, a percentagem a mais de Cu e In com o enxofre, no sentido da estequiometria, em CuInS2. Aparentemente não se efectuou uma conversão destas nos pontos precedidos no percurso da análise.
Pode concluir-se que nos pontos onde existiu, antes do tratamento das partículas, uma percentagem estequímétrica inferior de Se, exista após o tratamento e de acordo com o processo da invenção, tanto CulnSe2 em composição quase estequímétrica, como também, CuInS2- 9
As figuras 2a até 4b permitem concluir resultados idênticos para outras partículas de pó. As figuras mostram ainda a que temperatura e durante quanto tempo as partículas de pó foram tratadas.. Pode ainda ver-se se as partículas de pó foram "cozidas" em enxofre líquido (liquid S2") ou se as partículas foram tratadas na ampola de duas zonas com enxofre gaseiforme ("S2 vapour"). A figura 5b mostra o resultado de um teor de Se analisado com o processo de registo de electrões de dispersão de retorno da partícula de pó apresentada na figura 5a em fotografia igualmente microscópica de electrões. As áreas claras na figura 5b com uma densidade elevada de pontos brancos correspondem às áreas com um alto teor de Se. As áreas escuras correspondem a pontos com um baixo teor de Se. A figura 5c mostra o resultado de uma fotografia de electrões de dispersão de retorno sensível ao teor de S da fotografia da partícula de pó apresentada na figura 5a. As áreas claras na figura 5c correspondem a áreas com um elevado teor em S e as áreas escuras correspondem a pontos com um baixo teor de S.
Uma comparação das figuras 5b e 5c mostra que as áreas com um baixo teor de Se correspondem às áreas com um elevado teor de S.
Esta circunstância apoia também a hipótese levantada para explicar os resultados nas figuras la até 4b.
As figuras 6 até 10 mostram outras fotografias fotomicroscópicas de partículas de pó polidas.
Nas figuras 11 e 12 os valores caracterí sticos de células solares, que foram utilizados para tratamento II) das partículas em conformidade com a invenção, são indicados em função de diversos parâmetros do tratamento
As células solares são preferencialmente constituídas por um contacto de retorno, uma membrana de mono partículas, pelo menos uma camada semicondutora e um contacto frontal.
Para o fabrico de células solares, as partículas são primeiramente embutidas numa membrana de mono partículas, de preferência concebida como membrana de polímero, que foi aplicada no contacto de retorno da célula solar. 0 contacto de retorno é composto por uma cola de condutibilidade eléctrica aplicada sobre um substrato de vidro
Na membrana de mono partículas composta por partículas embutidas na membrana de polímero, é aplicada pelo menos outra camada semicondutora. Trata-se preferencialmente de uma camada tampão CdS e de uma camada composta por
ZnO intrínseca.
Sobre esta é depois aplicada uma camada de uma liga ZnO:AI de condutibilidade eléctrica. A última camada mencionada serve de contacto frontal da célula solar. A figura 11 mostra a tensão de marcha em vazio Voc, o factor de enchimento FF e a corrente de curto-circuito 1 de uma célula solar que contém partículas tratadas em conformidade com a invenção, dependendo da temperatura de tratamento (Treatment temperature). O índice Ps indica que as partículas foram sujeitas a uma sulfuração de acordo com a invenção.
Os resultados apresentados na figura II referem-se a uma sulfuração executada numa ampola de duas zonas a uma determinada temperatura fixa do enxofre. A potência espalhada para a célula solar foi, durante a série de medição, igualmente ajustada para um determinado valor fixo. Os rectângulos e círculos preenchidos e rectângulos não preenchidos designam os reais pontos de medição, como mostra a figura 12.
Os resultados de medição apresentados e, principalmente, a curva que indica a dependência da tensão de marcha em vazio Vocn confirmam a afirmação prévia de que se podem obter resultados muito bons relativamente ao melhoramento das características fotovoltaicas das partículas de pó através de um tratamento, em que as partículas de pó foram aquecidas a uma temperatura de 530°C. A figura 12 mostra a dependência dos valores característicos dos outros parâmetros do tratamento. Os resultados referem-se igualmente ao tratamento na ampola de duas zonas e foram registados para partículas de pó aquecidas, para efeitos do tratamento, a uma temperatura de 530°C.
Para além da sulfuração em conformidade com a invenção, foram testados outros métodos para tratamento das partículas de pó. Os resultados para estes métodos alternativos são apresentados no lado esquerdo da figura 12.
As partículas foram sujeitas ao tratamento com enxofre (Ps)em conformidade com a invenção, bem como, a um tratamento análogo, onde o enxofre foi substituído por (Pge) selénio. Além disso, o tratamento foi executado também com selénio para partículas de pó não constituídas por um composto CuInSe-, puro, mas que continham antes uma mistura de Ga (Ga+PSe). De acordo com a interpretação dos sucessos da sulfuração em conformidade com a invenção, espera-se nos dois últimos processos de tratamento mencionados uma conversão das fases externas em Cu (In,Ga) Se2. A dependência apresentada na figura 12 da tensão de marcha em vazio V0c do factor de enchimento FF e da corrente de curto-circuito 1 do método de tratamento mostra, que o tratamento em conformidade com a invenção obtém as melhoras características para as partículas. A conversão das fases externas em Cu(In,Ga)S2 parece funcionar muito melhor do que a conversão das fases externas em Cu (In,Ga)Se2. 0 lado direito do diagrama na figura 12 mostra a dependência dos valores característicos para uma sulfuração (Annealing In S) da duração do tratamento e da pressão do vapor sulfuroso ajustado na zona com partículas de pó da ampola de duas zonas. A temperatura na zona com partículas de pó foi de 530°C e a pressão do vapor sulfuroso variou devido a uma alteração da temperatura na zona com enxofre,
Tal como para a medição, cujos resultados podem ser vistos na parte esquerda da figura 12, a potência para medição espalhada para a célula solar foi mantida a um valor constante,
Os pontos de medição referem-se a medições em células solares, onde foram utili?adas partículas de pó sujeitas a um tratamento de 1 hora (Ih) , 5 minutos (5'), 2 horas {2h) a 18 horas (I8h) com uma pressão do vapor sulfuroso de 13,33 Pa (0.1 1}, 666-5 Pa (5 1) e 1.33 Pa (0,01 1}.
Os resultados e, principalmente, a curva para a tensão de marcha em vazio Voc confirmam a afirmação prévia, que foi possível obter resultados muito bons relativamente a um melhoramento das características fotovoltaicas através de um tratamento, em que a pressão do vapor sulfuroso foi 1,33 Pa e o tempo de tratamento foi de 18 horas.
Até agora, abordou-se na descrição unicamente o tratamento das partículas de pó. Daí que, a seguir indicamos um processo particularmente privilegiado para a produção de partículas de pó constituídas por um composto de Cu(In.Ga)Sea:
Neste processo privilegiado começa-se por ligar Cu e In e/ou Cu e Ga, sendo as quantidades molares utilizadas de Cu, por um lado, e de In e Ga, por outro lado, medidas, de modo que se formam ligas de Culn e CuGa pobres em Cu. É particularmente vantajoso para a produção de partículas de pó utilizadas em células solares, que a relação Cu/(In+Ga), ou seja, a relação das quantidades molares de Cu utilizadas relativamente à soma da quantidade molar de In utilizada e a quantidade molar de Ga. utilizada se encontre entre 1 e 1:1.2. A relação da quantidade molar de Ga utilizada relativamente â quantidade molar de In utilizada encontra-se preferencíalmente entre 0 e 0.43. Uma relação de 0.43 corresponde aprox, a uma percentagem de Ga de 30% relativamente â quantidade molar de In e Ga, O processo produz então preferencialmente este tipo de compostos Cu(In.Ga)Se2, cuja relação molar entre Ga e In 14 se encontre entre esta relação molar dos compostos CuInSe2 e CuGuo 3X110 '/Se,·).
As ligas são depois transformadas em pó, tendo-se verificado que as dimensões das partículas de pó a produzir Cu(In,Ga)Se^ dependem das dimensões das partículas do pó produzido a partir das ligas de Culn e/ou CuGa. Ξ, pois, moído pó com determinada dimensão das partículas contidas, 0 pó constituído por ligas de Culn e CuGa é colocado numa ampola feita de um material que não reage com nenhuma das substâncias adicionadas. Pode, por exemplo, ser de vidro de cristal.
Ao pó é acrescido Se em quantidade correspondente à percentagem estequiométrica deste elemento no composto de Cu(In.Ga)Se2 que se vai formar, É ainda adicionado Kl ou Nal como fundente, em que a percentagem do fundente na massa fundida que se forma ma is tarde, é tipicamente de aprox. 40% de volume. Em geral, a percentagem do fundente na massa fundida pode encontrar-se, porém, entre 10 e 90% do volume. A ampola é agora evacuada e aquecida com o conteúdo indicado a uma temperatura entre 650°C e 810°C. Durante o aquecimento forma-se Cu(In.Ga)Se2.
Se atingir uma temperatura dentro da faixa de temperatura mencionada, hã uma recristalização de Cu(In.Ga)Se2 e simultaneamente um crescimento da partícula, 0 fundente derrete a esta temperatura, de modo que o espaço entre as partículas fica preenchido com uma fase liquida, que serve de liquido de transporte. 15 A massa fundida é mantida constante, durante um determinado tempo de paragem, à temperatura anteriormente ajustada. Em função da dimensão da partícula desejada, pode ser necessário um tempo de paragem de 5 minutos a 100 horas. Tipicamente, é de aprox. 30 horas. O crescimento da partícula é interrompido por um arrefecimento da massa fundida. Por isso, é vantajoso arrefecer muito rapidamente a massa fundida, por exemplo, no espaço de alguns segundos.
Esta chamada "têmpera" parece ser necessária para manter fases CuSe binárias, eventualmente formadas, no fundente.
Num arrefecimento lento existe provavelmente o perigo das fases CuSe metálicas se depositarem nos cristais Cu{In.Ga)Se^ e prejudicarem muito as características do pó produzido relativamente à utilização em células solares.
Num último passo do processo, o fundente é removido através da água. As partículas de pó cristalinas podem então ser retiradas da ampola. O processo térmico temporalmente adequado durante o aquecimento e arrefecimento, bem como, o tempo de paragem e a temperatura mantida durante o tempo de paragem, são apurados em tentativas prévias.
Com a ajuda do processo apresentado pode produzir-se pó com um diâmetro médio de cada partícula entre 0,1 μπ\ e 0,1 mm. A distribuição do tamanho das partículas no âmbito do pó corresponde a uma distribuição Gauss da forma D=A-t1/n - exp (-E/kT) , em que D é o diâmetro da partícula, t é o tempo de paragem e T é a temperatura da habitualmente, como massa fundida; k designa, como habitualmente, a constante Boltzmann. Os parâmetros A, n e E dependem das matérias-primas utilizadas, do fundente e dos processos especiais de crescimento, que aqui não são explicados em pormenor. Se for utilizado Kl como fundente, então E=0,25eV. 0 valor para n encontra-se neste caso entre 3 e 4 . 0 tamanho médio da partícula e a constituição exacta da distribuição do tamanho da partícula dependem do tempo de paragem, da temperatura da massa fundida e do tamanho da partícula do pó utilizado, composto por ligas de Culn e CuGa, Para além disso, o tamanho médio da partícula e a distribuição do tamanho da partícula são influenciados pela selecção do fundente.
As partículas produzidas com o processo são condutoras de p e apresentam uma muito boa condutibilidade eléctrica. As resistências eléctricas das partículas de pó Cu{In.Ga)Se2 produzidas encontravam-se, em função da selecção da relação Cu/Ga, da relação Cu/(ϊη+Ga) e da temperatura da massa fundida, numa área entre l00 Q e 10 kn. Isto corresponde a uma resistência específica de lOkQcm a 2 MQcm.
Com a ajuda do processo foi possível produzir pó cristalino, cujas partículas apresentaram uma composição muito homogénea.
Os pós adequam-se partícularmente à produção de membranas de mono partículas, utilizadas em células solares, em que com os pós criados por meio do processo e tratados em conformidade com o processo, foi possível produzir células solares com um rendimento muito elevado. 0 processo de produção representado parece apresentar a grande vantagem de se formarem essencialmente partículas de põ pobres em Cu devido à adição de uma quantidade estequiométrica inferior de Cu relativamente à liga que se vai formar, Deste modo, evita-se o problema de uma segregação de fases nas partículas em CuInSe2 estequiométrico e uma fase binária CuSe metálica. Esta fase externa junta-se, nomeadamente e de preferência, â superfície das partículas e pode causar curto-circuitos na célula solar.
Além disso, o processo de produção descrito tem ainda a vantagem da fase CuSe, resultante da produção das partículas, se manter no fundente e não se depositar nas partículas.
Principalmente no que diz respeito a possíveis finalidades de aplicação do pó produzido com o processo, chama-se a atenção para o facto de ser também, em princípio, possível adicionar S, para além do Se, ao põ composto por Culn e/ou CuGa e fundir com o fundente. Pode também ser completamente substituído por S. 0 processo permite, assim, a produção de uma extensa largura da banda de compostos CuIni-xGaxSe2, Estes compostos semicondutores cobrem uma área de energias de lacunas de banda entre l,04eV e 2,5eV.
Deste modo, o processo de produção descrito permite jã produzir partículas de pó com excelentes características fotovoltaicas, que podem ainda ser melhoradas com o tratamento sulfuroso, em conformidade com a invenção. As partículas de pó adequam-se principalmente â utilização numa célula solar.
Lisboa, 13/03/2007
Claims (9)
- REIVINDICAÇÕES 1. Processo para tratamento de partículas de pó, constituídas por um composto de Cu(In.Ga)Se2, caracterizado pelo facto das partículas de pó e uma quantidade de enxofre serem introduzidos num vaso e o conteúdo do vaso, formado pelas partículas e pelo enxofre, ser aquecido e mantido a uma temperatura constante durante um período de tempo.,
- 2. Processo segundo reivindicação 1, caracterizado pelo facto das partículas e do enxofre serem vertidos para uma ampola de duas zonas, em que as partículas são introduzidas numa zona e a quantidade de enxofre em outra zona.
- 3. Processo segundo uma ou as duas reivindicações 1 e 2, caracterizado pelo facto das partículas serem aquecidas a uma temperatura entre 4 00 °C e 600°c,
- 4. Processo segundo uma ou mais reivindicações anteriores, caracterizado pelo facto do enxofre ser aquecido a uma temperatura de aprox. 100°C.
- 5. Processo segundo uma ou mais reivindicações anteriores, caracterizado pelo facto das partículas e do enxofre serem mantidos a uma temperatura durante um período que vai desde uma a 50 horas.
- 6. Processo segundo a reivindicação 1, caracterizado pelo facto de uma mistura, constituída pelas partículas de pó e pelo enxofre, ser vertida para uma ampola,
- 7. Processo segundo uma ou as duas reivindicações 1 e 6, caracterizado pelo facto da mistura, constituída pelas partículas de pó e pelo enxofre, ser aquecida a uma temperatura entre 3Q0çC e 600':C.
- 8. Processo segundo uma ou mais das reivindicações 1, 6 e 7, caracterizado pelo facto da mistura de partículas de pó e enxofre ser mantida a uma temperatura durante um período de tempo que vai desde os 5 minutos às 4 horas.
- 9,. Célula solar de membrana de mono partículas com um contacto de retorno, uma membrana de mono partículas, pelo menos uma camada semicondutora e um contacto frontal, caracterizada pelo facto da membrana de mono partículas conter partículas de pó tratadas com um processo segundo uma ou mais das reivindicações de 1 a 8 . Lisboa, 13/03/2007
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