PL87574B1 - - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób prowadzenia procesu wytwarzania monokrysztalów, stosowanych przy wytwarzaniu pólprzewodników.

Proces wytwarzania monokrysztalów, np. krzemu metoda Czochralskiego przeprowadza sie w próz- nioszczelnych komorach w atmosferze ochronnej helu lub argonu. Polikrysztal krzemu stapia sie w tyglu w temperaturze ok. 1400°C. Po stopieniu wsa¬ du do cieczy zanurza sie zarodek monokrystalicz. ny. "Zarodek ten jest zamocowany na koncu wrze¬ ciona, posiadajacego ruch pionowy. Na zarodku tym krystalizuje monokrysztal krzemu, rosnacy wraz z przesuwaniem sie wrzeciona z zarodkiem do góry. Pary krzemu oraz róznego rodzaju zanie¬ czyszczenia znajdujace sie w materiale wyjsciowym oraz gazie ochronnym, w trakcie topienia i wycia¬ gania monokrysztalu przenosza sie do góry, osadza¬ jac sie na górnej czesci komory urzadzenia oraz na wrzecionie. Przy zwiekszeniu grubosci osadzanej warstewki oraz przez ruch wrzeciona zanieczyszcze¬ nia sa zgarniane i dostaja sie na powierzchnie roz¬ topionego krzemu. Rosnacy monokrysztal jest bar¬ dzo wrazliwy na róznego rodzaju ciala obce, znaj¬ dujace sie napowierzchni cieczy. Ledwie widoczne nieuzbrojonym okiem wtracenia, plywajace na po¬ wierzchni roztopionego krzemu zostaja przeniesione do miejsca, w którym rosnie monokrysztal. Zaklóca to w powaznym stopniu dalszy jego wzrost.

W celu zapobiezenia opadaniu osadów do tygla z roztopiona ciecza stosowane sa róznego rodzdjii 2 oslony. Oslony te sa klopotliwe w stosowaniu i tyl¬ ko w nieznacznym stopniu zabezpieczaja powierzch¬ nie cieczy przed zanieczyszczeniem wtraceniami.

Sposób wytwarzania monokrysztalów metodawe¬ dlug wynalazku polega na wyprowadzeniu na ze. wnatrz gazów powstajacych w czasie topienia i wy¬ ciagania monokrysztalów. Gaz wydostajacy sie z komory powoduje dzialanie ssace, co umozliwia jednoczesnie odprowadzenie zanieczyszczen znajdu¬ jacych sie na, lub w poblizu wrzeciona. Gazy z za¬ nieczyszczeniami zostaja wyprowadzone przez otwo¬ ry znajdujace sie w górnej czesci komory i roz¬ mieszczone w poblizu wrzeciona, w odleglosci od niego mniejszej niz xk srednicy tygla. Wynalazek ten umozliwia otrzymywanie monokrysztalów o znacznie wiekszej dlugosci co bezposrednio wply¬ wa na wydajnosc procesu, niezaleznie od tego sto¬ sowanie tego sposobu daje duze oszczednosci w zu¬ zyciu materialów pomocniczych oraz energii elek¬ trycznej. Sposób ten jest skuteczny w szerokim za¬ kresie cisnien panujacych w komorze od 10—200 Tr.

Proces otrzymywania monokrysztalów wedlug wynalazku przeprowadza sie w próznioszczelnej komorze wyposazonej w otwory w górnej swej czesci. Gazy powstajace przy topieniu krzemu wy¬ dostaja sie na zewnatrz komory przez wspomnia¬ ne wyzej otwory. Razem z gazami, dzieki dzialaniu ssacemu wydostaja sie równiez zanieczyszczenia w 87 57487 574 3 4 postaci pylu. Dla lepszego odprowadzenia zanie¬ czyszczen, otwory w komorze polaczone sa z pom¬ pa typu obrotowego.

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób prowadzenia procesu wytwarzania mono¬ krysztalów, znamienny tym, ze gazy powstajace w trakcie topienia i wyciagania monokrysztalów wraz z gazem ochronnym oraz zanieczyszczeniami w po_ staci pylu zostaja wyprowadzone na zewnatrz przez otwory znajdujace sie w górnej czesci komoryi roz¬ mieszczone w poblizu wrzeciona w odleglosci od niego mniejszej niz xh srednicy tygla. PZG Bydg., zam. 2964/76, nakl. 120+20 Cena 10 zl