PL78482B2 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: 11.10.1972 (P. 158221) Zgloszenie ogloszono: 01.06.1973 Opis patentowy opublikowano: 30.05.1975 78482 KI- 21cf54/05 MKP' H01c 17/00 Twórcywynalazku: Zbigniew Felendzer, Bogdan Wilamowski Uprawniony z patentu tymczasowego: Politechnika Gdanska, Gdansk (Polska) Sposób wytwarzania cienkowarstwowych ukladów rezystywnych o duzej gestosci upakowania Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania cienkowarstwowych ukladów rezystywnych o duzej gestosci upakowania.Dotychczas znany jest sposób wytwarzania cienkowarstwowych ukladów rezystywnych, polegajacy na nanoszeniu na podloze warstwy rezystywnej Nichromu i warstwy przewodzacej zlota, a nastepnie na selektyw¬ nym wytrawianiu kolejno zlota i Nichromu przy pomocy fotolitografii.Niedogodnoscia opisanego sposobu jest wysoki koszt procesu ze wzgledu na koniecznosc stosowania zlota, a ponadto dyfuzja zlota w warstwe Nichromu powoduje niszczenie warstwy Nichromu podczas wytrawiania zlota, co tym samym wplywa na pogorszenie stabilnosci warstw.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania cienkowarstwowych ukladów rezystywnych o duzej gestosci upakowania, który umozliwi wyeliminowanie zlota i zastapienie go innym metalem.Cel ten zostal osiagniety przez naniesienie na okreslone podloze oporowej warstwy Nichromu i przewodza¬ cej warstwy miedzi, a nastepnie przez selektywne wytrawianie obu warstw, z wyjatkiem obszarów sciezek przewodzacych i rezystorów, mieszanina stezonego kwasu solnego i nasyconego roztworu wodnego chlorku zelazowego w stosunku objetosciowym korzystnie 9 : 1 oraz przez selektywne wytrawianie obszarów rezystyw¬ nych nasyconym roztworem wodnym chlorku zelazowego.Zalety sposobu wedlug wynalazku polegaja na zastapieniu zlota miedzia, a tym samym na znacznym obnizeniu kosztów wytwarzania cienkowarstwowych ukladów rezystywnych oraz na zabezpieczeniu przed uszkodzeniami warstwy Nichromu podczas trawienia przewodzacej warstwy miedzi, co jest szczególnie istotne dla uzyskania odpowiednio malej tolerancji rezystorów.Sposób wytwarzania cienkowarstwowych ukladów rezystywnych o duzej gestosci upakowania ilustruje ponizszy przyklad.P r z y k l a d. Na podloze szklane typu Corming 7059 naparowuje sie oporowa warstwe Nichromu przy cisnieniu 2 X lO^Tr i temperaturze podloza 300°C, a nastepnie przewodzaca warstwa miedzi, przy temperaturze podloza 200°C. Po zamaskowaniu obie warstwy, z wyjatkiem obszarów sciezek przewodzacych i rezystorów, wytrawia sie selektywnie mieszanina stezonego kwasu solnego w ilosci 93% objetosciowych i stezonego roztworu wodnego chlorku zelazowego ©gestosci d= 1,4G/cm3 w ilosci 7% objetosciowych. Calosc plucze sie przez2 .78482 gotowanie w toluenie, po czym ponownie maskuje sie i obszary rezystywne poddajs sie selektywnemu trawieniu stezonym roztworem wodnym chlorku zelazowego o gestosci d = 1,4 G/cm3 i plucze przez gotowanie w tolu¬ enie, otrzymujac gotowy uklad. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania cienkowarstwowych ukladów rezystywnych o duzej gestosci upakowania, znamienny tym, ze na okreslone podloze nanosi sie oporowa warstwe Nichromu i przewodzaca warstwe miedzi, wytrawia selektywnie obie warstwy z wyjatkiem obszarów sciezek przewodzacych [rezystorów mieszanina stezonego kwasu solnego i nasyconego roztworu wodnego chlorku zelazowego, w stosunku objetosciowym korzystnie 9:1, a nastepnie obszary rezystywne poddaje sie selektywnemu wytrawianiu nasyconym roztworem wodnym chlorku zelazowego. Prac. Poligraf. UP PRL. Zam. 2504/75 naklad 120+18 Cena 10 zl PL PL