PL71642B2 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 30.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 12.10.19742 71642 swiezo naparowanego na plytke podlozowa nichromu a nastepnie przeprowadzeniu fotolitograficznego, selek¬ tywnego wytrawiania niezamaskowanej warstwy nichromu, z tym, ze naniesione na nichromowym podlozu zlote styki maskuje sie z nadmiarem 0,05-0,1 mm dla uniemozliwienia kontaktu zlota z roztworem trawiacym wczasie selektywnego wytrawiania.Istota wynalazku jest wiec sposób selektywnego trawienia nichromowej warstwy rezystancyjnej z bezpos¬ rednio do niej przylegajacymi, uprzednio na niej wytworzonymi zlotymi stykami wyjsciowymi.Wynalazek wedlug przedstawionego sposbu pozwala na wykonanie nieosiagalnej dotychczas metody produkowania rezystorów hybrydowych przez wytrawianie sciezek rezystancyjnych z nichromu w kontakcie ze zlotymi stykami, skraca i upraszcza proces technologiczny, zmniejsza ilosci odpadów produkcyjnych, poprawia TWR i stabilnosc wytwarzanych rezystorów.Przedmiot wynalazku uwidoczniony jest w przykladzie wykonania na zalaczonym rysunku, na którym fig. 1 przedstawia w widoku z góry i w przekroju poprzecznym sposób maskowania warstwy oporowej bez styków wyjsciowych, a fig. 2 obrazuje w takich samych ujeciach sposób wytrawiania i maskowania sciezek oporowych z naniesionymi uprzednio zlotymi stykami wyjsciowymi, bedacymi w bezposrednim kontakcie z podlozem nichromowym.Na plytce podlozowej 1 i 1* naparowana warstwa nichromowa 2 i 2* przyslonieta jest maska 3 i 3* z uwidocznionym na fig. 2 nadmiarem maskowania 4 i naparowanymi na warstwe nichromu 2* zlotymi stykami5. PL PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania rezystorów hybrydowych na szklanych plytkach podlozowych z naparowanymi na ich powierzeni sciezkami nichromowymi, znamienny tym, ze koncówki nichromowych sciezek rezystancyjnych posiadaja zlote styki wyjsciowe. 2. .

2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zlote styki wyjsciowe (5) naklada sie na naparowana na powierzchnie plytki podlozowej (1*) niestarzona warstwe nichromowa (2').

3. Sposób wedlug zastrz. 1 i 2, znamienny tym, ze fotolitograficzne wytrawianie sciezek rezystancyjnych dokonywane jest selektywnie przy uzyciu fotomasek (3*) z nadmiarem przekrycia (4) uprzednio wytworzonych styków (5) w bezposrednim kontakcie nichromu ze zlotem.KI. 21c,54/05 71642 MKP HOlc 17/00 A~A vwrnm»w,A»T?»»?»,/m T I L fatKL 21c,54/05 71642 MKP HOlc 17/00 1\ A-A fig 2 Prac. Poligraf. UP PRL. Zam. 1060/74 naklad 120+18 Cena 10 zl PL PL