PL75457B2 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 30.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 20.02.1975 75457 KI. 21c,2/01 MKP HOlb 3/12 Twórcy wynalazku: Maria Adamiec, Leonard Grudowski, Irena Nowak Uprawniony z patentu tymczasowego: Zaklady Ceramiki Radiowej Zaklad Doswiadczalno-Badawczy Ceramiki Elektronicznej, Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania ksztaltek dielektrycznych do kondensatorów ceramicznych Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia ksztaltek dielektrycznych przeznaczonych do produkcji kondensatorów ceramicznych zwlaszcza o zawezonej tolerancji temperaturowego wspólczyn¬ nika pojemnosci.Sposród znanych dielektryków kondensatorowych najbardziej waskie tolerancje temperaturowego wspólczynnika pojemnosci w duzym przedziale temperatur maja dielektryki otrzymywane w uk¬ ladzie zwiazków CaTiO3-LaA103 w formie miesza¬ niny stechiometrycznej na drodze stracania che¬ micznego, a nastepnie poddane obróbce termicz¬ nej. Jest to proces skomplikowany pod wzgledem technologicznym.Wada innych znanych dielektryków posiadaja¬ cych wysoka stala dielektryczna jest duza zmien¬ nosc temperaturowego wspólczynnika pojemnosci w zakresie temperatur kategorii klimatycznej.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wy¬ twarzania dielektrycznych elementów ceramicznych, które jednoczesnie posiadaja temperaturowy wspól¬ czynnik pojemnosci niewiele zmieniajacy sie w za¬ kresie temperatur od —60 do +155°C oraz stosun¬ kowo wysoka stala dielektryczna.Istota wynalazku polega na oddzielnym spieka¬ niu cyrkonianu strontu, tytanianu wapnia i glinia¬ nu lantanu, po czym spieki te zestawia sie w od¬ powiednich proporcjach, dodaje sie tlenek cynku i zestaw miele sie, a nastepnie miesza z plastyfika¬ torem, po czym z tworzywa tego formuje sie 10 15 20 25 30 ksztaltki takie jak plytki lub rurki i wypala sie je.Przed poddaniem tytanianu wapnia procesowi syntezy dodaje sie do niego tlenek cyrkonu, nato¬ miast cyrkonian strontu spieka sie z domieszka tlenku cynku.Zestaw cyrkonianu strontu, tytanianu wapnia, glinianu lantanu i tlenku cynku miele sie do uziar- nienia ponizej dziesieciu mikronów. Przy czym pro¬ ces mielenia przebiega na sucho lub w osrodku wodnym. W przypadku mielenia na mokro, przed dodaniem plastyfikatora, zestaw suszy sie. Ksztaltki ceramiczne wypala sie w temperaturze od 1350°C do 1430°C.W zaleznosci od indywidualnych potrzeb i wa¬ runków, do których jest przeznaczony kondensa¬ tor, skladniki tworzywa miesza sie w róznych pro¬ porcjach.Przykladowe sklady tworzywa w czesciach wa¬ gowych: 1 Nr two¬ rzywa I II III IV V VI Lvii viii SrZr03 25—30 58-61 48—52 40—44 62—70 9—14 25—30 5—10 CaTi03 40—44 20—26 32—36 40—46 25—30 65—70 54—60 75—85 LaA103 20—30 11—15 13—16 10—15 1—5 13—22 8—15 8—15 ZnO 1—3 1—3 1—3 1—3 1—3 1—3 1—3 1—3 75 45775 457 Ksztaltki dielektryczne wykonane z powyzszych tworzyw maja stosunkowo wysoka stala dielektry¬ czna (f), temperaturowy wspólczynnik pojemnosci (TWP) niewiele zmieniajacy sie w zakresie tem¬ peratur od —60^C do +155°C oraz maly wspól¬ czynnik strat (tg<5) w szerokim zakresie czestotli¬ wosci i podwyzszonej do 160°C temperaturze.Nr two¬ rzywa I II III IV V VI VII VIII 0 58 53 65,5 76 81 71 84 106 TWP xlO-6 —163^—172 —223^—230 —320-i—341 —413-^—464 —670^—756 —340^—378 —502-H—577 —7354-—927 tgB xl0-4 20°C 1kHz |lMHz 6 3 4 4 6 2 9 2 3 2 2 3 3 2 4 3 160°C 1kHz 11 4 9 15 8 4 8 14 1MHz 4 3 3 4 4 3 4 5 Ponadto ksztaltki dielektryczne wykonane spo¬ sobem wedlug wynalazku charakteryzuja sie sto¬ sunkowo duza opornoscia wlasciwa (d), która nie¬ znacznie zmienia sie przy podwyzszonych tempe¬ raturach. A wytrzymalosc elektryczna ksztaltek Nr tworzywa I II m IV V VI VII vm p (om x cm) 20°C 2x10" 4x10" 2x10" 2x10" 2x10" 4x10" 1x10" 2xl015 160°C l,5xlOu 2xl014 5xl014 2xl014 2xl014 2x10" 4xl014 5x10" Up kV/mm 11,3 11,7 10,5 10,8 10,2 13,4 12,2 12,7 10 20 25 30 35 umozliwia wykonywanie kondensatorów o wyso¬ kich napieciach pracy Up.Ze wzgledu na prosty technologicznie sposób wy¬ twarzania ksztaltek dielektrycznych oraz parame¬ try elektryczne tych ksztaltek, wynalazek znajdzia szerokie zastosowanie w produkcji kondensatorów ceramicznych. PL PL

Claims (6)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania ksztaltek dielektrycznych do kondensatorów ceramicznych, znamienny tym, ze spieka sie cyrkonian strontu, tytanian wapnia, glinian lantanu, a po dodaniu do tych spieków tlenku cynku, zestaw miele sie, a nastepnie mie¬ sza z plastyfikatorem, po czym z tworzywa formu¬ je sie elementy dielektryczne takie jak plytki lub rurki i wypala sie je.

2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze przed synteza tytanianu wapnia wprowadza sie do niego tlenek cyrkonu, a do cyrkonianu strontu, przed jego synteza, dodaje sie tlenek cynku.

3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie 5—70 czesci wagowych cyrkonianu strontu, 20—95 czesci wagowych tytanianu wapnia, 2—30 czesci wagowych glinianu lantanu, 0,5—4 czesci wagowych tlenku cynku, 0,5—4 czesci wago¬ wych tlenku cyrkonu.

4. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze zestaw miele sie na sucho do uziarnienia ponizej 10 mikronów.

5. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze zestaw miele sie w osrodku wodnym do uziarnie¬ nia ponizej 10 mikronów, a nastepnie tworzywo suszy sie.

6. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze elementy dielektryczne wypala sie w temperaturze od 1350°C do 1430°C. Errata do opisu patentowego nr 75 457 Lam 3, wiersz 3 W tabeli Jest: 10,5 Powinno byc: 10,6 Lam 3, wiersz 6 w tabeli Jest: 2X1015 Powinno byc: 2X1014 Pab. Zakl. Graf. zam. 1831-74, nakl. 125+20 egz. Cena 10 zl PL PL