PL97522B2 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL97522B2 PL97522B2 PL186467A PL18646776A PL97522B2 PL 97522 B2 PL97522 B2 PL 97522B2 PL 186467 A PL186467 A PL 186467A PL 18646776 A PL18646776 A PL 18646776A PL 97522 B2 PL97522 B2 PL 97522B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- titanate
- weight
- mixture
- amount
- dielectric
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DLINORNFHVEIFE-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;zinc Chemical compound [Zn].OO DLINORNFHVEIFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014380 magnesium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L manganese(II) sulfate Chemical compound [Mn+2].[O-]S([O-])(=O)=O SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000357 manganese(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania dielektryków ceramicznych typu I charakteryzujacych sie niska wartoscia stratnosci dielektrycznej, oraz duzym ujemnym temperaturowym wspólczynnikiem pojem¬ nosci.Dielektryki o podobnych wlasnosciach znane sa z opisów patentowych Stanów Zjednoczonych Ameryki nr nr: 3440067, 3468680 i 4499772. Pierwszy z wymienionych opisów dotyczy tworzyw opartych na ukladzie BaTi03 — SrTi03 - La203 • 2 Ti02. Wartosc przenika!nosci dielektrycznej dla tych tworzyw zawiera sie w granicach od 100 do 1400, a temperaturowy wspólczynnik pojemnosci od -100 X JQ"*/°C do -7000X 10 "6/°C. Drugi opis dotyczy tworzyw opartych na ukladzie SrTi03-MgC03-Bi203 • 2 Ti02 .Wartosc temperaturowego wspólczynnika pojemnosci dla tych tworzyw w zaleznosci od skladu zawarta jest w granicach od +9360 • 10"6/°C do -3600 • 10"6/°C a przenikalnosc dielektryczna od 105 do 1215. Trzeci opis dotyczy tworzyw opartych na ukladzie SrTi03 - CaTi03 -Bi203 • 2 Ti02, dla których przenikalnosc dielektryczna zawiera sie w granicach od 280 do 1000 a temperaturowy wspólczynnik pojemnosci od —1000 • 10"6/°C do -3000- 10-6/°C.Sposób wytwarzania dielektryków wymienionych w pierwszym i trzecim opisie polega na przygotowaniu trzech spieków, przy czym wspólnym spiekiem jest SrTi03 pozostale spieki sa rózne, a nastepnie, wymieszaniu ich w odpowiednich proporcjach, przemiale w celu uzyskania odpowiedniego uziarnienia, wysuszeniu i zmiesza¬ niu z plastifikatorem w celu przygotowania do formowania ksztaltek ceramicznych.Sposób wytwarzania dielektryka z drugiego z wymienionych wyzej opisów patentowych polega na przygotowaniu dwóch spieków SrTi03 i Bi203 • 2 Ti02, a nastepnie wymieszaniu ich w odpowiedniej proporcji zMgC03 oraz z dodatkiem MnS04. Pozostale operacje technologiczne sa identyczne do przedstawionych powyzej.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania dielektryka ceramicznego o duzym ujemnym temperaturowym wspólczynniku pojemnosci charakteryzujacym sie jednoczesnie wysoka wytrzymaloscia dielektryczna.2 97 522 Istota wynalazku polega na tym, ze dielektryk ceramiczny wytwarza sie z mieszaniny spieku tytanianu strontu, spieku tytanianu lantanu i spieku tytanianu bizmutu oraz dwutlenku cynku dodawanego jako modyfika¬ tora.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze mieszanine skladajaca sie z tytanianu strontu w ilosci 74^-90% wagowych, tytanianu bizmutu w ilosci 5-5-15% wagowych, tytanianu lantanu w ilosci 5-rl0% wagowych oraz dwutlenku cynku w ilosci 0,5 -5- 3% wagowych, miele sie do uziarnienia powyzej 10/im, miesza sie z.plastifikatorem, a nastepnie z tak otrzymanego tworzywa formuje sie elementy dielektryczne i wypala sie je w temperaturze 1350° -M410°C.Zamiast tytanianu bizmutu moze byc zastosowana mieszanina tlenków Bi203 i Ti02, a zamiast tytanianu lantanu moze byc zastosowana mieszanina tlenków La203 iTi02 zmieszanych w proporcjach zapewniajacych wlasciwy sklad stechiometryczny tworzywa.W zaleznosci od wymagan, jakie ma spelniac kondensator ceramiczny wytwarzany z dielektryka wedlug wynalazku, skladniki mieszaniny zestawia sie w róznych proporcjach.Przykladowe sklady mieszanin w % wagowych: Zestaw * * A B C SrTi03 74,83 77,21 86,55 La, Ti2 07 11,0 11,22 7,20 Bi, Ti, O, 14,17 11,57 6,22 ZnO 1.0 1,0 1.0 Podstawowe wlasnosci elektryczne dielektryka wykonanego sposobem wedlug wynalazku: Zestaw A B C E 280 260 275 tg6/x 10 Al w 1 KHz 3,5 °C 1MHz 2,5 2,5 2,5 T\VPX 10" -2060 -2850 -2470 rc p/xl0'3 Hem 8 9 6,5 KV/mm ,5 14 Ze wzgledu na prosty technologicznie sposób wytwarzania oraz parametry elektryczne dielektryku ceramicznego wykonanego sposobem wedlug wynalazku, znajduje on szerokie zastosowanie w produkcji kondensatorów ceramicznych. PL
Claims (3)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania dielektryków ceramicznych na kondensatory na bazie tytanianu strontu, z n a rn i e- nny tym, ze do tytanianu strontu w ilosci 74 -s- 90% wagowych dodaje sie tytanianu bizmutu w ilosci 5 -r 15% wagowych, tytanianu lantanu w ilosci 5-H0% wagowych oraz dwutlenku cynku w ilosci 0,5 -r 3% wagowych, uzyskana mieszanine miele sie do uziarnienia ponizej 10/um, miesza sie z plastyfikatorem, a nastepnie formuje sie z niej elementy dielektryczne i wypala sie je w temperaturze 1350° + 1410°C.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, z n a m i e n n y tym, ze zamiast tytanianu bizmutu stosuje sie mieszanine tlenków Bi203 i Ti02.
- 3. Sposób wedlug zastrz.. 1, z n a m i c n ny ty ni, ze zamiast tytanianu lantanu stosuje sie mieszanine tlenków La203 ' Ti02. Proc. Poligraf. UP PRL naklad 120 + 18 Ceno 45 7\ PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18646776A PL97522B1 (pl) | 1976-01-12 | 1976-01-12 | Sposob wytwarzania dielektrykow ceramicznych na kondensatory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18646776A PL97522B1 (pl) | 1976-01-12 | 1976-01-12 | Sposob wytwarzania dielektrykow ceramicznych na kondensatory |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL97522B1 PL97522B1 (pl) | 1978-03-30 |
| PL97522B2 true PL97522B2 (pl) | 1978-03-31 |
Family
ID=19975255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL18646776A PL97522B1 (pl) | 1976-01-12 | 1976-01-12 | Sposob wytwarzania dielektrykow ceramicznych na kondensatory |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL97522B1 (pl) |
-
1976
- 1976-01-12 PL PL18646776A patent/PL97522B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5073523A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| DE69401474T2 (de) | Thermistor mit positivem Temperaturkoeffizienten und Herstellungsverfahren | |
| KR100259327B1 (ko) | 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 및 그 제조방법 | |
| KR920003027B1 (ko) | 반도전성 세라믹 조성물 | |
| KR940001655B1 (ko) | 반도체 자기 조성물 | |
| US4148853A (en) | Process for the manufacture of a capacitor dielectric with inner blocking layers | |
| US4861736A (en) | Semiconductive ceramic composition | |
| US4753905A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| US3041189A (en) | Production of ceramic material | |
| US4749668A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| PL97522B2 (pl) | ||
| JP3325051B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| US3468680A (en) | Ceramic dielectrics | |
| US2576380A (en) | Ceramic dielectrics comprising essentially titania | |
| KR100875288B1 (ko) | Y5v 특성이 우수한 mlcc용 유전체 조성물 및 그의제조방법 | |
| JP3522559B2 (ja) | 誘電体磁器材料 | |
| KR20050012134A (ko) | 유전체 자기 조성물 및 세라믹 전자 부품 | |
| KR100236521B1 (ko) | 세라믹 콘덴서용 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법 | |
| JPH0571538B2 (pl) | ||
| KR100245811B1 (ko) | 세라믹 콘덴서의 유전체 조성물 및 그 제조방법 | |
| JPH0828128B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR100262459B1 (ko) | 세라믹콘덴서용유전체조성물 | |
| KR100262458B1 (ko) | 세라믹콘덴서용유전체조성물 | |
| JPS6256102B2 (pl) | ||
| JPH0794020A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器用組成物 |