Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 30.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 30.09.1974 71612 KI. 21a4,35/17 MKP G05f 1/58."CzYiELNIA Urzedu Patentowi Polskiej tiwW' 4t [_ Twórcawynalazku: Henryk Pliszki Uprawniony z patentu tymczasowego: Spóldzielnia Pracy „Radiotechnika", Wroclaw (Polska) Stabilizowany zasilacz tranzystorowy z bezpiecznikiem przeciazeniowym Przedmiotem wynalazku jest stabilizowany zasilacz tranzystorowy z bezpiecznikiem* przeciazeniowym przeznaczony do stabilizacji napiecia zasilania, umozliwiajacy ponadto ustawienie progu dzialania zabezpieczenia w sposób ciagly.Stosowane dotychczas uklady zasilaczy tranzystorowych wyposazone sa w tranzystor szeregowy typu p-n-p, a to na skutek braku na rynku krajowym tanich tranzystorów krzemowych typu n-p-n. Przy wprowadzeniu szeregowego tranzystora typu p-n-p jako zabezpieczenie przeciazeniowe stosowany jest równiez tranzystor typu p-n-p. Dostepne w kraju tranzystory p-n-p wykonywane sa jako tranzystory germanowe, przez co ich prady zerowe sa znaczne. Powoduje to wadliwe dzialanie zasilaczy przy podwyzszonej temperaturze otoczenia. Wzrost pradu zerowego tranzystora bezpiecznikowego dziala na zasilacz podobnie jak sygnal wzrostu obciazenia powodujac spadek napiecia wyjsciowego. Znane zasilacze tranzystorowe z bezpiecznikiem typu p-n-p pracuja poprawnie jedynie w temperaturze do 33°C.Celem wynalazku jest zbudowanie zasilacza dostarczajacego stabilizowanego napiecia wyjsciowego, pracuja¬ cego poprawnie w duzym zakresie temperatur otoczenia, o wysokosci temperatur do 55°C i posiadajacego zabezpieczenie tranzystora szeregowego przed jego przeciazeniem pradowym,- przy zapewnieniu plynnego . ustawienia progu zadzialania zabezpieczenia.Wytyczonym do rozwiazania zagadnieniem technicznym jest opracowanie zasilacza o wymienionyeh cechach na latwo dostepnych i tanich tranzystorach typu p-n-p. Zadanie to rozwiazano poprzez wprowadzenie obok wzmacniacza pradu wykonanego na tranzystorach typu p-n-p, wzmacniacza bledu stanowiacego dwustop¬ niowy wzmacniacz pradu stalego, w którym pierwszy stopien zbudowany jest na tranzystorze typu n-p-n, a drugi stopien zbudowany jest na tranzystorze typu p-n-p z silnym ujemnym sprzezeniem zwrotnym, zas bezpiecznik przeciazeniowy wykonany jest na tranzystorze typu n-p-n, który zalaczony jest równolegle do wyjscia wzmacniacza bledu.Uklad wedlug wynalazku umozliwia ciagla regulacje progu zadzialania zabezpieczenia. Szczególna zaleta w stosunku do znanych zasilaczy, wynikajaca z zastosowania w pierwszym stopniu wzmacniacza bledu tranzysto¬ ra typu n-p-n, którego prady zerowe sa pomijalnie male w stosunku do pradów uzytecznych, jest mala wrazliwosc wzmacniacza na temperature otoczenia. Drugi stopien wzmacniajacy wykonany jest na tranzystorze2 71612 typu p-ri-p, lecz zastosowane w nim silne ujemne sprzezenie zwrotne równiez przyczynia sie do znacznego zmniejszenia wplywu temperatury, pozwalajac na poprawna prace zasilacza w duzym zakresie temperatur otoczenia.Przedmiot wynalazku uwidoczniony jest w przykladzie wykonania na zalaczonym rysunku, przedstawiaja¬ cym schemat ideowy stabilizowanego zasilacza tranzystorowego z bezpiecznikiem przeciazeniowym.Zasilacz zawiera uklad regulacji napiecia wyjsciowego zbudowany z rezystorów 1, 2, 3. Rezystor 2 polaczony jest z pierwszym stopniem tranzystorowego wzmacniacza bledu wykonanego na tranzystorze 4 typu n-p-n, a kolektor tranzystora 4 polaczony jest z baza drugiego stopnia wzmacniacza wykonanego na tranzystorze 5 typu p-n-p. W emiterze tranzystora 5 znajduje sie rezystor 6 powodujacy ujemne sprzezenie zwrotne tego stopnia. Z emiterem tranzystora 4 polaczona jest dioda Zenera 7 stanowiaca zródlo napiecia odniesienia dla wzmacniacza bledu. Dioda 7 jest polaryzowana poprzez rezystor 8 polaczony z wyjsciem stabilizowanego zasilacza. Kolektor tranzystora 5 polaczony jest z baza tranzystora 9 stanowiacego lacznie z tranzystorem 10 wzmacniacz pradowy dla szeregowego tranzystora 11. W obwodzie wyjsciowym w szereg z emiterem tranzystora 11 polac2r,ony jest rezystor 12, na którym wytwarza sie spadek napiecia stanowiacy sygnal dla bezpiecznika przeciazeniowego wykonanego na tranzystorze 13 typu n-p-n. Emiter tranzystora 13 polaczonyjest z kolektorem tranzystora 5 stanowiacym wyjscie wzmacniacza bledu. W obwodzie kolektora tranzystora 13 znajduje sie rezystor 14 polaczony z jednym koncem wyjscia zasilacza. Baza tranzystora 13 polaczona jest z regulowanym rezystorem 15, na którym ustawia sie próg zadzialania bezpiecznika. Rezystor 15 polaczony jest poprzez rezystor 16 z ujemnym biegunem pomocniczego, stabilizowanego zródla napiecia.W uwidocznionym na rysunku przykladzie wykonania wynalazku równolegle do tranzystora 11 polaczony jest rezystor 17, przez który przeplywa czesc pradu obciazenia, co przy wzroscie obciazenia powoduje zmniejszenie pradu plynacego przez tranzystor U. Kolektor tranzystora U polaczony jest z ujemnym koncem ukladu prostowniczego, którego dodatni biegun stanowi wyjscie stabilizowanego zasilacza, a ujemny biegun , zasilacza polaczony jest z jednym koncem rezystora 12, z którym polaczone sa równiez rezystor 3 i 15 oraz dioda Zenera 7. Rezystor 18 stanowiacy obciazenie tranzystora 5 polaczony jest poprzez uklad filtrujacy 19,20, z ujemnym biegunem ukladu prostowniczego. Rezystor 21 wlaczony jest pomiedzy dodatnie wyjscie zasilacza a kolektor tranzystora 4.Dzialanie ukladu wedlug wynalazku przedstawione jest ponizej. Uklad regulacji napiecia wyjsciowego 1, 2, 3, steruje wzmacniacz bledu 4, 5, który poprzez wzmacniacz pradowy 9, 10 steruje tranzystor 11 regulujacy napiecie wyjsciowe. Wzrost pradu obciazenia plynacego poprzez rezystor 12 powoduje wzrost potencjalu emitera 11, a przez to posrednio poprzez tranzystory 9, 10 emitera tranzystora 13. Po przekroczeniu progu przewodzenia tranzystora 13 przez tranzystor ten przeplywa prad obciazajacy wyjscie wzmacniacza bledu 4,5, co powoduje zmniejszenie potencjalu bazy tranzystora 9, a tym samym przeciwdziala dalszemu wzrostowi pradu obciazenia zasilacza. Tranzystor 13 nie pozwala na wzrost potencjalu bazy tranzystora 9, a przez to emitera tranzystora U.W przypadku stosowania rezystora 17 przy wzroscie pradu obciazenia nastepuje wzrost potencjalu emitera tranzystora U tak, ze powoduje on zatkanie tranzystorów 9,10 i U. Zapewnia to skuteczniejsze zabezpieczenie tranzystora 11 przed jego przegrzaniem spowodowanym wzrostem pradu obciazenia. PL