PL47846B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL47846B1 PL47846B1 PL47846A PL4784662A PL47846B1 PL 47846 B1 PL47846 B1 PL 47846B1 PL 47846 A PL47846 A PL 47846A PL 4784662 A PL4784662 A PL 4784662A PL 47846 B1 PL47846 B1 PL 47846B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- connector
- diode
- contacts
- multivibrator
- bases
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Description
6pis V .fe«ui. O lut* &$ grudnia 1SÓS f. 4.POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr 47846 KI. 21 a1 36/02 KI. internat. H 03 k Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki)*) Warszawa, Polska Monolityczny multiwibrator pólprzewodnikowy Patent trwa od dnia 14 wrzesnia 1962 r.Przedmiotem wynalazku jest nowy sposób wytwarzania multiwibratora z dioda o dwóch bazach. Dotychczas multiwibrator z dioda o dwóch bazach byl wytwarzany przez montaz oddzielnych elementów ukladu. Sposób wedlug wynalazku pozwala na wytworzenie calego mul¬ tiwibratora w postaci jednolitej plytki pól¬ przewodnikowej. Ten sposób daje naiwiekszy stopien miniaturyzacji sposród wszystkich zna¬ nych obecnie sposobów produkcji ukladów elek¬ tronicznych.Na rysunkach przedstawione sa przyklady wykonania wynalazku. Fig. la przedstawia wi¬ dok multiwibratora w przekroju podluznym, a fig. Ib widok z góry. Multiwibrator wykona¬ ny jest z plytki pólprzewodnikowej 1. Na plyt¬ ce wytworzone sa zlacza 2, 3, 4 typu p-n oraz kontakty nieprostujace 5, 6, 7, 8. Zlacza 3 i 4 po- * Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze twórca wynalazku jest mgr inz. Andrzej Ambroziak. laczone sa z kontaktem 8 za pomoca drutu lub plytki metalowej 9. Zlacze 2 polaczone jest z kontaktem 5 za pomoca cienkiego drucika 10.Kontakty 5 i 7 stanowia doprowadzenia dla na¬ piecia zasilajacego, a kontakt 6 stanowi wyjscie dla przebiegu generowanego.Konstrukcja przedstawiona na fig. 1 równo¬ wazna jest ukladowi zlozonemu z jednej diody o dwóch bazach, jednej diody zlaczowej, trzech oporników i kondensatora. Dioda o dwóch ba¬ zach utworzona jest przez zlacze 4 i kontakty 5 i 6, a zwykla dioda przez zlacze 3, Kondensa¬ torem jest zlacze 2 spolaryzowane zaporowo.Opornikami sa odcinki plytki pólprzewodniko¬ wej miedzy kontaktami 6 i 7, 7 i 8 oraz mie¬ dzy kontaktem 5 i zlaczem 3. Parametry multi¬ wibratora sa zalezne od poszczególnych rozmia¬ rów struktury oraz parametrów zastosowanego pólprzewodnika. Przez odpowiedni dobór para¬ metrów multiwibrator moze byc astabilny lub monostabilny.Fig. 2a i fig. 2b przedstawiaja widok multi- wibratora, który rózni sie od przedstawionego na fig. 1 tym; ze zamiast zlacza 2 typU p-n wytworzony jest kontakt nieprostujacy 2. Kon¬ takt ten sluzy do podlaczenia kondensatora ze¬ wnetrznego. Przez zmiane pojemnosci tego kon¬ densatora mozna zmieniac czestotliwosc drgan multiwibratora. PL
Claims (1)
1. Monolityczny multiwibrator pólprzewodni¬ kowy z dioda o dwóch bazach (zwana ina¬ czej tranzystorem jednozlaczowym), znamien¬ ny tym, ze wykonany jest w postaci plytki pólprzewodnikowej (ly, na której sa umieszV czone zlacza (2, 3 i 4) typu p-n i kontaktyY nieprostujace (5, 6, 7 i 8). Monolityczny multwibrator wedlug zastrze¬ zenia 1, znamienny tym, ze zlacze (4) i kon¬ takty (5 i 6) stanowia diode o dwóch bazach, zlacze (3), diode zwykla, a zlacze (2) spelnia role kondensatora, natomiast role oporników spelniaja odcinki plytki pólprzewodnikowej miedzy kontaktami (6 i 7), (7 i 8) oraz mie¬ dzy kontaktem (5) i zlaczem (3), Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki) ^ o Jins\ ---?- u\u\uu\\m\uu\\wflU\\s\u\u\\\\\\stt\ys\\\w Fig. 1a H ssna Fi9.1k Z.G. „Ruch" W-wa, zam. 1158-63 naklad 100 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL47846B1 true PL47846B1 (pl) | 1963-12-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE58900648D1 (de) | Bauelement in chip-bauweise zum befestigen auf einer schaltplatte, mit einem elektrischen oder elektronischen funktionskoerper. | |
| KR900019207A (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 | |
| EP0110997A4 (en) | Semiconductor device package. | |
| DE69113987D1 (de) | Monolitische Halbleiteranordnung bestehend aus einer integrierten Kontrollschaltung und aus mindestens einem Leistungstransistor, die auf demselben Chip integriert sind und Herstellungsverfahren. | |
| KR870011696A (ko) | 전원전압강하회로 | |
| KR970003876A (ko) | 접속핀을 갖는 파워 반도체 모듈 | |
| PL47846B1 (pl) | ||
| GB1148276A (en) | Improvements in passive circuit elements | |
| ES358071A1 (es) | Perfeccionamientos en la construccion de elementos semi- conductores. | |
| JPS61231746A (ja) | 誘導性負荷を制御するための集積電子素子およびその使用法 | |
| GB1223705A (en) | Semiconductor devices | |
| KR930008891A (ko) | 온-칩 디카플링 캐패시터 구성방법 | |
| JPS6422064A (en) | Semiconductor device | |
| ATE92211T1 (de) | Programmierbarer kontaktfleck. | |
| KR890008979A (ko) | 모놀리식 과전압 보호용 어셈블리 | |
| US4231054A (en) | Thyristor with starting and generating cathode base contacts for use in rectifier circuits | |
| KR900701044A (ko) | 반도체 장치 | |
| US4223331A (en) | Thyristor with two control terminals and control device | |
| KR870005454A (ko) | 다이오드와 그 금속제 스터드 | |
| JPS6449248A (en) | Chip diode | |
| RU2465U1 (ru) | Корпус полупроводникового прибора | |
| KR860000839B1 (ko) | 집적회로화가 용이한 리세트 회로 | |
| KR930011188A (ko) | 반도체 장치용 리이드 프레임 | |
| SU1598126A1 (ru) | Бистабильна чейка | |
| KR910019207A (ko) | 반도체 기억장치 |