PL47846B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL47846B1
PL47846B1 PL47846A PL4784662A PL47846B1 PL 47846 B1 PL47846 B1 PL 47846B1 PL 47846 A PL47846 A PL 47846A PL 4784662 A PL4784662 A PL 4784662A PL 47846 B1 PL47846 B1 PL 47846B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
connector
diode
contacts
multivibrator
bases
Prior art date
Application number
PL47846A
Other languages
English (en)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of PL47846B1 publication Critical patent/PL47846B1/pl

Links

Description

6pis V .fe«ui. O lut* &$ grudnia 1SÓS f. 4.POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr 47846 KI. 21 a1 36/02 KI. internat. H 03 k Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki)*) Warszawa, Polska Monolityczny multiwibrator pólprzewodnikowy Patent trwa od dnia 14 wrzesnia 1962 r.Przedmiotem wynalazku jest nowy sposób wytwarzania multiwibratora z dioda o dwóch bazach. Dotychczas multiwibrator z dioda o dwóch bazach byl wytwarzany przez montaz oddzielnych elementów ukladu. Sposób wedlug wynalazku pozwala na wytworzenie calego mul¬ tiwibratora w postaci jednolitej plytki pól¬ przewodnikowej. Ten sposób daje naiwiekszy stopien miniaturyzacji sposród wszystkich zna¬ nych obecnie sposobów produkcji ukladów elek¬ tronicznych.Na rysunkach przedstawione sa przyklady wykonania wynalazku. Fig. la przedstawia wi¬ dok multiwibratora w przekroju podluznym, a fig. Ib widok z góry. Multiwibrator wykona¬ ny jest z plytki pólprzewodnikowej 1. Na plyt¬ ce wytworzone sa zlacza 2, 3, 4 typu p-n oraz kontakty nieprostujace 5, 6, 7, 8. Zlacza 3 i 4 po- * Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze twórca wynalazku jest mgr inz. Andrzej Ambroziak. laczone sa z kontaktem 8 za pomoca drutu lub plytki metalowej 9. Zlacze 2 polaczone jest z kontaktem 5 za pomoca cienkiego drucika 10.Kontakty 5 i 7 stanowia doprowadzenia dla na¬ piecia zasilajacego, a kontakt 6 stanowi wyjscie dla przebiegu generowanego.Konstrukcja przedstawiona na fig. 1 równo¬ wazna jest ukladowi zlozonemu z jednej diody o dwóch bazach, jednej diody zlaczowej, trzech oporników i kondensatora. Dioda o dwóch ba¬ zach utworzona jest przez zlacze 4 i kontakty 5 i 6, a zwykla dioda przez zlacze 3, Kondensa¬ torem jest zlacze 2 spolaryzowane zaporowo.Opornikami sa odcinki plytki pólprzewodniko¬ wej miedzy kontaktami 6 i 7, 7 i 8 oraz mie¬ dzy kontaktem 5 i zlaczem 3. Parametry multi¬ wibratora sa zalezne od poszczególnych rozmia¬ rów struktury oraz parametrów zastosowanego pólprzewodnika. Przez odpowiedni dobór para¬ metrów multiwibrator moze byc astabilny lub monostabilny.Fig. 2a i fig. 2b przedstawiaja widok multi- wibratora, który rózni sie od przedstawionego na fig. 1 tym; ze zamiast zlacza 2 typU p-n wytworzony jest kontakt nieprostujacy 2. Kon¬ takt ten sluzy do podlaczenia kondensatora ze¬ wnetrznego. Przez zmiane pojemnosci tego kon¬ densatora mozna zmieniac czestotliwosc drgan multiwibratora. PL

Claims (1)

Zastrzezenia patentowe
1. Monolityczny multiwibrator pólprzewodni¬ kowy z dioda o dwóch bazach (zwana ina¬ czej tranzystorem jednozlaczowym), znamien¬ ny tym, ze wykonany jest w postaci plytki pólprzewodnikowej (ly, na której sa umieszV czone zlacza (2, 3 i 4) typu p-n i kontaktyY nieprostujace (5, 6, 7 i 8). Monolityczny multwibrator wedlug zastrze¬ zenia 1, znamienny tym, ze zlacze (4) i kon¬ takty (5 i 6) stanowia diode o dwóch bazach, zlacze (3), diode zwykla, a zlacze (2) spelnia role kondensatora, natomiast role oporników spelniaja odcinki plytki pólprzewodnikowej miedzy kontaktami (6 i 7), (7 i 8) oraz mie¬ dzy kontaktem (5) i zlaczem (3), Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki) ^ o Jins\ ---?- u\u\uu\\m\uu\\wflU\\s\u\u\\\\\\stt\ys\\\w Fig. 1a H ssna Fi9.1k Z.G. „Ruch" W-wa, zam. 1158-63 naklad 100 egz. PL
PL47846A 1962-09-14 PL47846B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL47846B1 true PL47846B1 (pl) 1963-12-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE58900648D1 (de) Bauelement in chip-bauweise zum befestigen auf einer schaltplatte, mit einem elektrischen oder elektronischen funktionskoerper.
KR900019207A (ko) 수지밀봉형 반도체장치
EP0110997A4 (en) Semiconductor device package.
DE69113987D1 (de) Monolitische Halbleiteranordnung bestehend aus einer integrierten Kontrollschaltung und aus mindestens einem Leistungstransistor, die auf demselben Chip integriert sind und Herstellungsverfahren.
KR870011696A (ko) 전원전압강하회로
KR970003876A (ko) 접속핀을 갖는 파워 반도체 모듈
PL47846B1 (pl)
GB1148276A (en) Improvements in passive circuit elements
ES358071A1 (es) Perfeccionamientos en la construccion de elementos semi- conductores.
JPS61231746A (ja) 誘導性負荷を制御するための集積電子素子およびその使用法
GB1223705A (en) Semiconductor devices
KR930008891A (ko) 온-칩 디카플링 캐패시터 구성방법
JPS6422064A (en) Semiconductor device
ATE92211T1 (de) Programmierbarer kontaktfleck.
KR890008979A (ko) 모놀리식 과전압 보호용 어셈블리
US4231054A (en) Thyristor with starting and generating cathode base contacts for use in rectifier circuits
KR900701044A (ko) 반도체 장치
US4223331A (en) Thyristor with two control terminals and control device
KR870005454A (ko) 다이오드와 그 금속제 스터드
JPS6449248A (en) Chip diode
RU2465U1 (ru) Корпус полупроводникового прибора
KR860000839B1 (ko) 집적회로화가 용이한 리세트 회로
KR930011188A (ko) 반도체 장치용 리이드 프레임
SU1598126A1 (ru) Бистабильна чейка
KR910019207A (ko) 반도체 기억장치