PL404645A1 - Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV - Google Patents
Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UVInfo
- Publication number
- PL404645A1 PL404645A1 PL404645A PL40464513A PL404645A1 PL 404645 A1 PL404645 A1 PL 404645A1 PL 404645 A PL404645 A PL 404645A PL 40464513 A PL40464513 A PL 40464513A PL 404645 A1 PL404645 A1 PL 404645A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- detector
- substrate
- zno
- nucleating
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 2
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 abstract 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest struktura detektora promieniowania ultrafioletowego (UV) oraz sposób wykonania struktury detektora UV. Struktura według wynalazku ma izolujące podłoże, na którym znajduje się warstwa aktywna ZnO z kontaktami elektrycznymi. W strukturze tej warstwą aktywnąjest warstwa o grubości co najmniej 50nm zawierająca nanosłupki ZnO osadzone na warstwie zarodkującej. Sposób wykonania struktury detektora polega na tym, że na izolującym podłożu wytwarza się warstwę aktywną a na niej metaliczne kontakty. Dla wytworzenia warstwy aktywnej, najpierw na podłożu, osadza się metaliczną warstwę lub warstwę ZnO, zarodkującą wzrost, następnie podłoże wraz z warstwą zarodkującą, umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o wartości pH 6,5 - 12 i podgrzewa się do temperatury 30 - 95°C i przez co najmniej l sekundę prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO. Po zakończeniu wzrostu usuwa się z podłoża i warstwy aktywnej zanieczyszczenia oraz wykonuje się kontakty metaliczne.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL404645A PL225411B1 (pl) | 2013-07-11 | 2013-07-11 | Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL404645A PL225411B1 (pl) | 2013-07-11 | 2013-07-11 | Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL404645A1 true PL404645A1 (pl) | 2015-01-19 |
| PL225411B1 PL225411B1 (pl) | 2017-04-28 |
Family
ID=52305540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL404645A PL225411B1 (pl) | 2013-07-11 | 2013-07-11 | Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL225411B1 (pl) |
-
2013
- 2013-07-11 PL PL404645A patent/PL225411B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL225411B1 (pl) | 2017-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200943478A (en) | Method for manufacturing SOI substrate and semiconductor device | |
| MX384475B (es) | Material de sustrato para cinta adhesiva aislante resistente a la alta temperatura. | |
| EA033122B1 (ru) | Способ получения подложки, покрытой набором, содержащим слой прозрачного проводящего оксида | |
| TW201612964A (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2011146694A5 (pl) | ||
| BR112014031949A2 (pt) | células solares | |
| FR2967813B1 (fr) | Procédé de réalisation d'une structure a couche métallique enterrée | |
| EP4421886A3 (en) | Method for manufacturing a solar cell | |
| SG10201805220TA (en) | Glass ceramic for ultraviolet lithography and method of manufacturing thereof | |
| MX2013001008A (es) | Metodo para producir un dispositivo de emision de luz. | |
| TW201712924A (en) | A shadow mask for organic light emitting diode manufacture | |
| BR112012019907A2 (pt) | transistor, e, método para atuar um dispositivo semicondutor | |
| TW201612987A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| MY183935A (en) | Solar cell production method and solar cell treatment method | |
| BR112018003014A2 (pt) | técnicas para o crescimento direto de grafeno sobre vidro em baixa temperatura | |
| JP2014518010A5 (pl) | ||
| JP2014007398A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| PL407336A1 (pl) | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego | |
| ATE555505T1 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleitersubstrats | |
| PL404645A1 (pl) | Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV | |
| MD4280B1 (en) | pInP-nCdS structure growth method | |
| PL407335A1 (pl) | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego | |
| JP2010087485A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| PL400285A1 (pl) | Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV | |
| BR112016006139A2 (pt) | componente elétrico e método para fabricar o mesmo |