PL404645A1 - Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV - Google Patents

Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV

Info

Publication number
PL404645A1
PL404645A1 PL404645A PL40464513A PL404645A1 PL 404645 A1 PL404645 A1 PL 404645A1 PL 404645 A PL404645 A PL 404645A PL 40464513 A PL40464513 A PL 40464513A PL 404645 A1 PL404645 A1 PL 404645A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
detector
substrate
zno
nucleating
Prior art date
Application number
PL404645A
Other languages
English (en)
Other versions
PL225411B1 (pl
Inventor
Marek Godlewski
Sylwia Gierałtowska
Piotr Sybilski
Łukasz Wachnicki
Bartłomiej Witkowski
Original Assignee
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk filed Critical Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Priority to PL404645A priority Critical patent/PL225411B1/pl
Publication of PL404645A1 publication Critical patent/PL404645A1/pl
Publication of PL225411B1 publication Critical patent/PL225411B1/pl

Links

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest struktura detektora promieniowania ultrafioletowego (UV) oraz sposób wykonania struktury detektora UV. Struktura według wynalazku ma izolujące podłoże, na którym znajduje się warstwa aktywna ZnO z kontaktami elektrycznymi. W strukturze tej warstwą aktywnąjest warstwa o grubości co najmniej 50nm zawierająca nanosłupki ZnO osadzone na warstwie zarodkującej. Sposób wykonania struktury detektora polega na tym, że na izolującym podłożu wytwarza się warstwę aktywną a na niej metaliczne kontakty. Dla wytworzenia warstwy aktywnej, najpierw na podłożu, osadza się metaliczną warstwę lub warstwę ZnO, zarodkującą wzrost, następnie podłoże wraz z warstwą zarodkującą, umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o wartości pH 6,5 - 12 i podgrzewa się do temperatury 30 - 95°C i przez co najmniej l sekundę prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO. Po zakończeniu wzrostu usuwa się z podłoża i warstwy aktywnej zanieczyszczenia oraz wykonuje się kontakty metaliczne.
PL404645A 2013-07-11 2013-07-11 Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV PL225411B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL404645A PL225411B1 (pl) 2013-07-11 2013-07-11 Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL404645A PL225411B1 (pl) 2013-07-11 2013-07-11 Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL404645A1 true PL404645A1 (pl) 2015-01-19
PL225411B1 PL225411B1 (pl) 2017-04-28

Family

ID=52305540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL404645A PL225411B1 (pl) 2013-07-11 2013-07-11 Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL225411B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL225411B1 (pl) 2017-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200943478A (en) Method for manufacturing SOI substrate and semiconductor device
MX384475B (es) Material de sustrato para cinta adhesiva aislante resistente a la alta temperatura.
EA033122B1 (ru) Способ получения подложки, покрытой набором, содержащим слой прозрачного проводящего оксида
TW201612964A (en) Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP2011146694A5 (pl)
BR112014031949A2 (pt) células solares
FR2967813B1 (fr) Procédé de réalisation d'une structure a couche métallique enterrée
EP4421886A3 (en) Method for manufacturing a solar cell
SG10201805220TA (en) Glass ceramic for ultraviolet lithography and method of manufacturing thereof
MX2013001008A (es) Metodo para producir un dispositivo de emision de luz.
TW201712924A (en) A shadow mask for organic light emitting diode manufacture
BR112012019907A2 (pt) transistor, e, método para atuar um dispositivo semicondutor
TW201612987A (en) Method for manufacturing semiconductor device
MY183935A (en) Solar cell production method and solar cell treatment method
BR112018003014A2 (pt) técnicas para o crescimento direto de grafeno sobre vidro em baixa temperatura
JP2014518010A5 (pl)
JP2014007398A5 (ja) 半導体装置の作製方法
PL407336A1 (pl) Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego
ATE555505T1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleitersubstrats
PL404645A1 (pl) Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV
MD4280B1 (en) pInP-nCdS structure growth method
PL407335A1 (pl) Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego
JP2010087485A5 (ja) 半導体装置の作製方法
PL400285A1 (pl) Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV
BR112016006139A2 (pt) componente elétrico e método para fabricar o mesmo