PL400285A1 - Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV - Google Patents
Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UVInfo
- Publication number
- PL400285A1 PL400285A1 PL400285A PL40028512A PL400285A1 PL 400285 A1 PL400285 A1 PL 400285A1 PL 400285 A PL400285 A PL 400285A PL 40028512 A PL40028512 A PL 40028512A PL 400285 A1 PL400285 A1 PL 400285A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- detector
- active layer
- substrate
- layer
- metallic
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 abstract 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest struktura detektora promieniowania ultrafioletowego (UV) oraz sposób wykonania struktury detektora UV. Struktura ma podloze, na którym znajduje sie warstwa aktywna ZnO z kontaktami metalicznymi. W strukturze tej warstwa aktywna jest warstwa o grubosci co najmniej 50nm zawierajaca nanoslupki ZnO osadzone na warstwie metalicznej. Sposób wykonania struktury detektora polega na tym, ze na pólprzewodnikowym podlozu wytwarza sie warstwe aktywna a na niej metaliczne kontakty. Dla wytworzenia warstwy aktywnej, najpierw na podlozu, korzystnie krzemowym osadza sie metaliczna warstwe zarodkujaca wzrost, nastepnie podloze wraz z warstwa zarodkujaca, umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o wartosci pH 6,5-12, przy czym mieszanina ta zawiera rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, pózniej zanurzone w mieszaninie reakcyjnej podloze podgrzewa sie do temperatury 50-95°C i przez co najmniej 1 minute prowadzi sie wzrost nanoslupków ZnO, a po zakonczeniu wzrostu usuwa sie z podloza i warstwy aktywnej zanieczyszczenia oraz wykonuje sie kontakty metaliczne.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL400285A PL221724B1 (pl) | 2012-08-07 | 2012-08-07 | Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL400285A PL221724B1 (pl) | 2012-08-07 | 2012-08-07 | Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL400285A1 true PL400285A1 (pl) | 2014-02-17 |
| PL221724B1 PL221724B1 (pl) | 2016-05-31 |
Family
ID=50097276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL400285A PL221724B1 (pl) | 2012-08-07 | 2012-08-07 | Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL221724B1 (pl) |
-
2012
- 2012-08-07 PL PL400285A patent/PL221724B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL221724B1 (pl) | 2016-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SI1989740T1 (sl) | Postopek označevanja sončnih celic in sončna celica | |
| EP2532013A4 (en) | METHOD FOR PRODUCING A CERAMIC WIRE, SYSTEM FOR ITS MANUFACTURE AND SUPERCONDITIONING THE WIRE THEREWITH | |
| EP3493245B1 (en) | Ga2o3-based single crystal having a region with higher donor concentration than a surrounding region | |
| TW201614738A (en) | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device | |
| FR2982422B1 (fr) | Substrat conducteur pour cellule photovoltaique | |
| DE602007011470D1 (de) | Verfahren zur herstellung kristalliner silizium-so | |
| WO2008073926A3 (en) | Formation of epitaxial layers containing silicon | |
| MY183935A (en) | Solar cell production method and solar cell treatment method | |
| MY170698A (en) | Polycrystalline silicon rod and method for producing polysilicon | |
| BR112018003014A2 (pt) | técnicas para o crescimento direto de grafeno sobre vidro em baixa temperatura | |
| ATE486366T1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiter-auf- isolator-struktur | |
| JP2014181178A5 (pl) | ||
| SG170676A1 (en) | Epitaxial wafer and production method thereof | |
| FI20115321A0 (fi) | Menetelmä yhden tai useamman monikiteisen piikerroksen kerrrostamiseksi substraatille | |
| EP2500928A4 (en) | CHEMICAL-MECHANICAL CLEANING LIQUID, AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND CLEANING PROCESS WITH THIS CLEANING LIQUID | |
| MY173528A (en) | Method for producing a solar cell involving doping by ion implantation and the depositing of an outdiffusion barrier | |
| PL412250A1 (pl) | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego | |
| PL400285A1 (pl) | Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV | |
| JP2010016355A5 (pl) | ||
| EP2978053A4 (en) | CARRIER FILM FOR CATALYST TRANSFER FILM AND METHOD OF PREPARATION, METHOD FOR PRODUCING A TRANSFER FILM AND ELECTROLYTE MEMBRANE WITH THE CATALYST LAYER | |
| EP4333081A4 (en) | Conductive layer and preparation method therefor, and solar cell | |
| JP2010087487A5 (pl) | ||
| MD4280B1 (en) | pInP-nCdS structure growth method | |
| RU2015139867A (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| PL407335A1 (pl) | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego |