PL407335A1 - Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego - Google Patents
Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznegoInfo
- Publication number
- PL407335A1 PL407335A1 PL407335A PL40733514A PL407335A1 PL 407335 A1 PL407335 A1 PL 407335A1 PL 407335 A PL407335 A PL 407335A PL 40733514 A PL40733514 A PL 40733514A PL 407335 A1 PL407335 A1 PL 407335A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- photovoltaic cell
- zno
- substrate
- covered
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 5
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 abstract 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego. Struktura ma podłoże o przewodnictwie typu p, ze spodnim kontaktem elektrycznym, na którym znajduje się warstwa aktywna ZnO a na niej przezroczysta elektroda z kontaktem elektrycznym. W strukturze tej warstwę aktywną ZnO pomiędzy podłożem (1), a warstwą przezroczystej elektrody (6), stanowi warstwa nanosłupków ZnO o wysokości co najmniej 50 nm pokrytych warstwą ZnO o grubości co najmniej 1 nm. Sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego, polega na tym, że najpierw podłoże typu p, ze spodnim kontaktem elektrycznym pokrywa się warstwą zarodkującą, następnie podłoże wraz z warstwą zarodkującą, umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o wartości pH 6,5 - 12, zawierającej rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, podgrzewa się do temperatury 30 - 95°C i utrzymuje w tej temperaturze przez co najmniej 1 sekundę. Z kolei z podłoża i wykrystalizowanych nanosłupków warstwy aktywnej usuwa się zanieczyszczenia, i pokrywa nanosłupki warstwą ZnO (5). Następnie warstwę aktywną pokrywa się warstwą przezroczystej elektrody, na której wykonuje się górny kontakt elektryczny.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL407335A PL227817B1 (pl) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL407335A PL227817B1 (pl) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL407335A1 true PL407335A1 (pl) | 2015-08-31 |
| PL227817B1 PL227817B1 (pl) | 2018-01-31 |
Family
ID=53938575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL407335A PL227817B1 (pl) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL227817B1 (pl) |
-
2014
- 2014-02-27 PL PL407335A patent/PL227817B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL227817B1 (pl) | 2018-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012253331A5 (pl) | ||
| JP2011009697A5 (pl) | ||
| TW201613107A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
| ES2570007T3 (es) | Procedimiento de fabricación de una célula fotovoltaica con contactos interdigitados en la cara trasera | |
| JP2011146694A5 (pl) | ||
| MY181178A (en) | Bi- and tri- layer interfacial layers in perovskite material devices | |
| JP2012146946A5 (pl) | ||
| FR2982422B1 (fr) | Substrat conducteur pour cellule photovoltaique | |
| MY186737A (en) | Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact | |
| FR2963982B1 (fr) | Procede de collage a basse temperature | |
| MY167301A (en) | Semiconductor device and method for producing same | |
| MY172608A (en) | Solar cell, production method therefor, and solar cell module | |
| JP2015213072A5 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
| JP2010161284A5 (pl) | ||
| JP2012084853A5 (ja) | 半導体装置の作製方法、及び、半導体装置 | |
| IN2014DN09305A (pl) | ||
| PH12016501667A1 (en) | Solar cell with trench-free emitter regions | |
| MY183935A (en) | Solar cell production method and solar cell treatment method | |
| Zhao et al. | Tunable electronic transport properties of 2D layered double hydroxide crystalline microsheets with varied chemical compositions | |
| PL407336A1 (pl) | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego | |
| GB2541146A (en) | Method of manufacturing a germanium-on-insulator substrate | |
| MY178458A (en) | Photovoltaic devices and methods for making the same | |
| GB2514711A (en) | Power semiconductor device and method for manufacturing thereof | |
| MY175806A (en) | Conductivity enhancement of solar cells | |
| MY183237A (en) | Semiconductor device and method for producing same |