PL224697B1 - Struktura do wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n oraz sposób wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n - Google Patents
Struktura do wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n oraz sposób wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu nInfo
- Publication number
- PL224697B1 PL224697B1 PL408058A PL40805814A PL224697B1 PL 224697 B1 PL224697 B1 PL 224697B1 PL 408058 A PL408058 A PL 408058A PL 40805814 A PL40805814 A PL 40805814A PL 224697 B1 PL224697 B1 PL 224697B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- nickel
- layers
- silicon
- substrate
- Prior art date
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 37
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 171
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 60
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 44
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 19
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 119
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest struktura do wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n (zwana dalej strukturą kontaktu) oraz sposób wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n.
Kontakty omowe są nieodłącznym elementem zdecydowanej większości przyrządów półprzewodnikowych. Kontakty te są połączeniami elektrycznymi, które cechuje liniowa zależność natężenia prądu elektrycznego od przykładanego napięcia, spełniając prawo Ohma. Ponadto, charakterystyka prądowo-napięciowa jest w takim złączu symetryczna względem kierunku przykładanego napięcia. Węglik krzemu (SiC) jest półprzewodnikiem, który znajduje zastosowania w elektronice wysokich m ocy a także w urządzeniach elektronicznych pracujących w ekstremalnych warunkach takich jak wysoka temperatura czy wysoki poziom promieniowania jonizującego. Typowe połączenie metalu i półprzewodnika wykazuje nieliniową i niesymetryczną charakterystykę prądowo napięciową. Wykonanie kontaktu omowego wymaga więc dla każdego półprzewodnika opracowania odpowiedniej technologii jego wytwarzania. Do wytwarzania kontaktów omowych do węglika krzemu typu n najczęściej jest stosowany nikiel. Nikiel jest pierwiastkiem, który umożliwia otrzymywanie kontaktów omowych o niskiej rezystywności. Kontakty omowe na bazie niklu, wytwarzane na podłożu z węglika krzemu, otrzymuje się zwykle poprzez wygrzewanie struktury kontaktu w wysokich temperaturach, a strukturę kontaktu może stanowić pojedyncza warstwa niklu osadzona na podłożu SiC lub też osadzona na podłożu SiC struktura zawierająca nikiel oraz krzem. Najczęściej tego typu struktury kontaktu otrzymuje się w ten sposób, że najpierw warstwy niklu i ewentualnie krzemu osadza się na podłożu, a następnie prowadzi się wygrzewanie w temperaturze wyższej niż 900°C. Znane też są sposoby, w których stosuje się dwuetapowe wygrzewanie. Podczas wygrzewania powstają krzemki niklu, a w przypadku kiedy osadzana na podłożu struktura nie zawiera krzemu to krzemki niklu powstają w trakcie wygrzewania wyłącznie na skutek reakcji niklu z podłożem SiC, a to prowadzi do nierównej międzypowierzchni wa rstwy kontaktu z podłożem oraz do powstawania wytrąceń węglowych w objętości warstwy kontaktu. Zastosowanie krzemu w strukturze kontaktu ogranicza reakcję z podłożem, redukuje ilość wytrąceń węglowych oraz może poprawiać gładkość międzypowierzchni. Takie rozwiązanie prowadzi jednak często do formowania się innych defektów mikrostruktury takich jak nieciągłości warstwy kontaktu oraz puste obszary w objętości warstwy. Z publikacji: Ts. Marinova, A. Kakanakova-Georgieva, V. Krastev, R. Kakanakov, M. Neshev, L. Kassamakova, O. Noblanc, C. Arnodo, S. Cassette, C. Bryliński, B. Pecz, G. Radnoczi, Gy. Vincze, Nickel based ohmic contacts on SiC, Mater. Sci. Eng. B46 (1997) s. 223, znany jest sposób, w którym na podłoże SiC nanosi się warstwy krzemu oraz niklu w proporcjach odpowiadających stechiometrii krzemku Ni2Si, a następnie strukturę tą poddaje się wygrzewaniu w 950°C przez 10 minut. Z patentu US 7875545 znana jest metoda, w której również na podłożu SiC osadza się strukturę kontaktu złożoną z warstwy krzemu i warstwy niklu a proporcje osadzanych pie rwiastków dobiera się tak, aby zawartość procentowa atomów krzemu była większa od zawartości atomów niklu. Po osadzeniu warstw, strukturę poddaje się dwuetapowemu wygrzewaniu, przy czym pierwszy etap wygrzewania prowadzi się w temperaturze od 200°C do 500°C, a drugi etap wygrzewania prowadzi się w temperaturze wyższej niż podczas pierwszego etapu. Z publikacji: A. Kuchuk, V. Kladko, M. Guziewicz, A. Piotrowska, R. Minikayev, A. Stonert, R. Ratajczak, Fabrication and characterization of nickel silicide ohmic contacts to n-type 4H Silicon carbide, Journal of Physics: Conference Series 100 (2008) 042003 oraz z publikacji: Wzorek, A. Czerwinski, J. Ratajczak, M. A. Borysiewicz, A.V. Kuchuk, A. Piotrowska, J. Kątcki, Microstructure characterization of Si/Ni contact layers on n-type 4H-SiC by TEM andXEDS, Materials Science Forum 778-780 (2014) s. 697-701 znany jest sposób, w którym na podłoże SiC nanosi się strukturę kontaktu złożoną z dwóch warstw krzemu oraz z dwóch warstw niklu, przy czym grubości warstw dobrane są tak, że zawartość procentowa atomów niklu w strukturze kontaktu jest większa od zawartości atomów krzemu. Po osadzeniu warstw, strukturę kontaktu poddaje się dwuetapowemu wygrzewaniu, przy czym pierwszy etap wygrzewania prowadzi się w temperaturze 600°C przez 15 minut, a drugi w temperaturze od 800°C do 1100°C przez 3 minuty.
Kontakty omowe do węglika krzemu powinny posiadać odpowiednią mikrostrukturę, która gwarantowałaby trwałość kontaktu podczas pracy przyrządów. Znane kontakty omowe na bazie krzemków niklu mają zazwyczaj nierówną międzypowierzchnię z podłożem SiC i znaczną ilość wytrąceń węglowych bądź nierówną powierzchnię, puste obszary w objętości warstwy oraz nieciągłości warstwy konPL 224 697 B1 taktowej odsłaniające powierzchnię SiC. Opisane niedoskonałości mikrostruktury wpływają niekorzystnie na pracę przyrządów, które je zawierają.
Celem wynalazku jest opracowanie struktury do wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n oraz sposób wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n, umożliwiających otrzymywanie kontaktów omowych, które charakteryzowałyby się jednocześnie ciągłością warstwy kontaktu, równą powierzchnią i międzypowierzchnią, o ograniczonej liczbie wytrąceń węglowych i pustych obszarów w objętości warstwy kontaktu.
Struktura według wynalazku składa się z trzech warstw podstawowych, przy czym pierwszą warstwą od strony podłoża z węglika krzemu typu n jest warstwa zawierająca nikiel oraz krzem, o stosunku atomowym w przedziale od Ni:Si = 1:1 do Ni:Si = 31:12. Drugą warstwą od strony podłoża jest warstwa zawierająca cyrkon o grubości większej niż 10 nm. Warstwa druga może zawierać oprócz cyrkonu nikiel, a stosunek atomowy Zr:Ni powinien być większy niż 1:4. Wtedy warstwa ta może skł adać się z ułożonych na przemian, co najmniej jednej warstwy niklu oraz z co najmniej dwóch warstw cyrkonu, przy czym warstwy cyrkonu są warstwami zewnętrznymi. Trzecią warstwą struktury jest warstwa zawierająca nikiel oraz krzem o stosunku atomowym w przedziale od Ni:Si = 3:2 do Ni:Si = 4:1, przy czym wartość stosunku atomowego Ni:Si w warstwie trzeciej jest większa niż w warstwie pierwszej o co najmniej 10%. Korzystnie jest jeżeli grubość warstwy pierwszej i trzeciej jest tak dobrana, by liczba atomów niklu przypadająca na jednostkę powierzchni SiC była w przybliżeniu, w obydwu warstwach równa. Warstwy pierwsza i trzecia mogą składać się z ułożonych na przemian, co najmniej jednej warstwy niklu oraz co najmniej jednej warstwy krzemu, przy czym w warstwie pierwszej, pierwszą warstwą od strony podłoża jest warstwa krzemu.
Sposób według wynalazku polega na tym, że najpierw, korzystnie za pomocą rozpylania katodowego, na podłoże SiC typu n nanosi się pierwszą warstwę zawierającą nikiel i krzem, o stosunku atomowym w przedziale od Ni:Si = 1:1 do Ni:Si = 31:12. Następnie nanosi się drugą warstwę zawierającą cyrkon, korzystnie o grubości większej niż 10 nm. Później nanosi się trzecią warstwę, która zawiera nikiel oraz krzem o stosunku atomowym w przedziale od Ni:Si = 3:2 do Ni:Si = 4:1. Przy czym wartość stosunku atomowego Ni:Si w trzeciej warstwie jest większa niż w warstwie pierwszej o co najmniej 10%, a grubość warstwy pierwszej i trzeciej, dobiera się korzystnie tak, by liczba atomów niklu przypadająca na jednostkę powierzchni SiC była w obydwu warstwach zbliżona.
Stosunki atomowe Ni(1):Si(1) pierwszej warstwy oraz trzeciej warstwy Ni(3):Si(3) mogą być dobierane tak, aby spełniały następujące relacje ilościowe pomiędzy liczbami atomów znajdującymi się w poszczególnych warstwach struktury na jednostce powierzchni podłoża SiC:
Nim = aSiw + -Zr, łVi(3) = bSi^ + — Zr gdzie Ni(1) oraz Si(1) - liczby atomów odpowiednio niklu oraz krzemu znajdujące się w pierwszej warstwie zawierającej nikiel oraz krzem, Ni(3) oraz Si(3) - liczby atomów odpowiednio niklu oraz krzemu znajdujące się w trzeciej warstwie zawierającej nikiel oraz krzem, Zr - liczba atomów cyrkonu w warstwie drugiej, a oraz b to parametry określające pożądane stechiometrie krzemków niklu uzyskiwane po pierwszym etapie wygrzewania. Warstwa pierwsza i trzecia może być uzyskana przez naniesienie na przemian, co najmniej jednej warstwy niklu oraz co najmniej jednej warstwy krzemu, przy czym w warstwie pierwszej pierwszą nakładaną warstwą od strony podłoża jest warstwa krzemu. Drugą warstwę struktury, można osadzać w postaci warstwy zawierającej cyrkon oraz nikiel, przy czym stosunek atomowy Zr:Ni jest większy niż 1:4. Warstwę tą można nanosić również w postaci co najmniej jednej warstwy niklu i co najmniej dwóch warstw cyrkonu, przy czym warstwy niklu i cyrkonu ułożone są wtedy na przemian, a warstwy cyrkonu są warstwami zewnętrznymi. Następnie strukturę kontaktu poddaje się dwuetapowemu wygrzewaniu. W pierwszym etapie stosuje się temperaturę niższą od 400°C, a w drugim etapie temperaturę powyżej 850°C.
Zaletą wynalazku jest to, że wpływa korzystnie na mikrostrukturę otrzymywanych kontaktów omowych.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie struktury pokazanej na rysunku. Na Fig. 1 pokazano układ podstawowych warstw struktury kontaktu, a na Fig. 2 zdjęcie przekroju kontaktu omowego wytworzonego sposobem według wynalazku. Obraz z Fig. 2 uzyskano w transmisyjnym mikroskopie elektronowym. Przykładowa struktura ma podłoże 4 z węglika krzemu 4H-SiC typu n
PL 224 697 B1
3 o domieszkowaniu 1-10 cm , na którym znajdują się trzy podstawowe warstwy 1,2, 3. Warstwy 1 i 3 zawierają nikiel oraz krzem. Natomiast warstwa 2 jest warstwą cyrkonu. Warstwa 1 składa się z dwu warstw krzemu i jednej warstwy niklu. Warstwa 3 składa się z jednej warstwy krzemu i jednej warstwy niklu. Grubość warstwy 2 ustalono na 20 nm. Wartości parametrów a i b określających stechiometrię krzemków wybrano jako a = 2 oraz b = 31/12. Grubość warstw niklu w warstwach 1 i 3 została wybrana jako równa dla każdej z warstw i wynosząca 30 nm. Następnie sumaryczną grubość dwóch warstw krzemu występujących w warstwie 1 obliczono korzystając z zależności:
Nim = oSiw + -Zr, która uwzględnia stechiometrię warstwy krzemków, jaką planuje się uzyskać po pierwszym etapie wygrzewania jak również połowę liczby atomów Zr w warstwie 2 i wynikającą z niej liczbę atomów niklu, która jest konieczna aby uformować podczas pierwszego etapu wygrzewania amorficzną warstwę o stechiometrii Ni6Zr4.
Powyższą zależność można przepisać w postaci:
^vu= yNi α ysi + 4 yzr gdzie VNi1, Vsi,i, to objętości odpowiednio warstwy niklu oraz warstw krzemu osadzanych w ramach warstwy 1 zawierającej nikiel oraz krzem, VZ, to objętość warstwy 2 Zr, a V£v£‘, oraz y%r to objętości molowe odpowiednio niklu, krzemu oraz cyrkonu. Z tego, że powyższe równanie opisuje liczby atomów przypadające na jednostkę powierzchni S wynika, że β-Νί,ι^ _ ~ dsuS , 3 dZrS yNi ~ α ySi + 4 yzr vm vm vm co prowadzi do zależności:
d-Νί,ι _ dsi l 3 dZr yNi ~ α ysi + 4 yźr vm vm vm gdzie dNi1, dSi1 to grubości warstw odpowiednio niklu oraz krzemu, które tworzą warstwę 1 zawierającą nikiel i krzem, a dZ, to grubość warstwy 2 cyrkonu. Uwzględniając dobrane wcześniej wartości dNi1 = 30 nm, dZr = 20 nm, a = 2 oraz przyjmując wartości y„ = 6.59 cm3/mol, y„ = 12.06 cm3/mol, i y„ = 13.99 cm3/mol wyznaczono z powyższego równania sumaryczną grubość warstw krzemu w warstwie 1 jako dSi1 = 21 nm.
Analogiczne równanie można uzyskać dla warstwy 3.
dZlZ _ , dsi 3 3 dZr yNi ~ ΰ ysi + 4 yżi vm vm vm gdzie dNi,3, dS3 to grubości warstw odpowiednio niklu oraz krzemu, które tworzą warstwę 3.
Z powyższego równania, dla dN,3 = 30 nm, dZr = 20 nm, b = 31/12, wyznaczono grubość warstwy krzemu występującej w warstwie 3 jako dSi3 = 16 nm.
Całkowita grubość struktury wyniosła d = dNi,1 + dSi,1 + dZr + dN,3 + dS,3 =116 nm. Strukturę wytworzono metodą magnetronowego rozpylania katodowego, przy czym warstwę krzemu, o grubości dSi1 = 21 nm w warstwie 1 osadzono w postaci dwóch oddzielnych warstw, przedzielonych warstwą niklu. Następnie uzyskaną strukturę kontaktu poddano wygrzewaniu techniką RTP (ang. rapid thermal Processing) w atmosferze azotu. W pierwszym etapie wygrzewano ją w temperaturze 300°C przez 30 minut. W wyniku wygrzewania uformowała się struktura złożona z dwóch warstw krzemków niklu oddzielonych warstwą amorficzną zawierającą atomy Ni oraz Zr. Zastosowanie warstwy cyrkonu, p owoduje, że w trakcie pierwszego etapu wygrzewania tworzy się amorficzna warstwa zawierająca nikiel oraz cyrkon. Właściwością tej warstwy jest to, że blokuje dyfuzję atomów niklu i atomów krzemu w temperaturach poniżej 400°C, a nie blokuje procesów dyfuzji w temperaturach wyższych. Badanie przeprowadzone techniką spektrometrii rentgenowskiej z dyspersją energii (XEDS, ang. X-ray energydispersive spectrometry) zaimplementowanej w transmisyjnym mikroskopie elektronowym, wykazały, że zawartość procentowa atomów niklu w warstwie krzemku znajdującej się w kontakcie z podłożem SiC była mniejsza niż w powierzchniowej warstwie krzemków znajdującej się powyżej warstwy Ni-Zr. Struktura kontaktu według wynalazku umożliwia (po wygrzewaniu przeprowadzonym w temperaturze
PL 224 697 B1 poniżej 400°C) otrzymanie na podłożu z węglika krzemu warstw krzemków niklu różniących się stechiometrią Ni:Si. Amorficzna warstwa zawierająca nikiel oraz cyrkon oddziela wtedy dwie warstwy krzemków niklu o różnych stechiometriach Ni:Si. Następnie strukturę poddano wygrzewaniu w temperaturze 1000°C przez 3 minuty. W wyniku tego wygrzewania uformowała się jednorodna warstwa krzemków niklu 5 w kontakcie z podłożem SiC 4 oraz warstwa powierzchniowa zawierająca cyrkon 6. Uzyskana warstwa kontaktu omowego 5, 6 odznaczała się równą powierzchnią równą międzypowierzchnią z podłożem SiC oraz pozbawiona była nieciągłości, pustych obszarów oraz wytrąceń węglowych. Przeprowadzone pomiary elektryczne metodą c-TLM (ang. circular transmission line method) wykazały omową charakterystykę kontaktu oraz rezystywność kontaktu wynoszącą 5,8(±1.4) 10-5 Qcm2.
Claims (9)
- Zastrzeżenia patentowe1. Struktura do wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n, zawierająca krzem oraz nikiel, znamienna tym, że składa się z trzech warstw podstawowych /1/, /2/, /3/, przy czym pierwszą warstwą od strony podłoża /4/ jest warstwa /1/ zawierająca nikiel oraz krzem, o stosunku atomowym w przedziale od Ni:Si = 1:1 do Ni:Si = 31:12, drugą warstwą jest warstwa /2/ zawierająca cyrkon o grubości korzystnie większej niż 10 nm, a trzecią warstwą /3/ jest warstwa zawierająca nikiel oraz krzem o stosunku atomowym w przedziale od Ni:Si = 3:2 do Ni:Si = 4:1, przy czym wartość stosunku atomowego Ni:Si w warstwie /3/ jest większa niż w warstwie /1/ o co najmniej 10%, a grubość warstw /1/ i /3/ jest tak dobrana, by liczba atomów niklu przypadająca na jednostkę powierzchni SiC była w przybliżeniu w obydwu warstwach równa.
- 2. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że warstwa druga /2/ zawiera cyrkon oraz nikiel o stosunku atomowym Zr:Ni większym niż Zr:Ni = 1:4.
- 3. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że warstwy /1/ i /3/ składają się z co najmniej jednej warstwy niklu oraz z co najmniej jednej warstwy krzemu, przy czym warstwy niklu i krzemu ułożone są na przemian, a w warstwie /1/ pierwszą warstwą składową od strony podłoża jest warstwa krzemu.
- 4. Struktura według zastrz. 2, znamienna tym, że warstwa /2/ składa się z co najmniej jednej warstwy niklu oraz z co najmniej dwóch warstw cyrkonu, ułożonych na przemian, a warstwy cyrkonu są warstwami zewnętrznymi.
- 5. Sposób wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n, w którym na podłoże nanosi się krzem oraz nikiel, a następnie strukturę poddaje się dwuetapowemu wygrzewaniu, w pierwszym etapie w temperaturze niższej od 400°C, a w drugim etapie w temperaturze powyżej 850°C, znamienny tym, że najpierw, korzystnie za pomocą rozpylania katodowego, na podłoże SiC nanosi się pierwszą warstwę, która zawiera nikiel i krzem, o stosunku atomowym w przedziale od Ni:Si = 1:1 do Ni:Si = 31:12, następnie nanosi się drugą warstwę zawierającą cyrkon, korzystnie o grubości większej niż 10 nm, po czym nanosi się trzecią warstwę, która zawiera nikiel oraz krzem o stosunku atomowym w przedziale od Ni:Si = 3:2 do Ni:Si = 4:1, przy czym wartość stosunku atomowego Ni:Si w warstwie trzeciej jest większa niż w warstwie pierwszej o co najmniej 10%, a grubości warstwy pierwszej i trzeciej są korzystnie tak dobrane, żeby liczba atomów niklu przypadająca na jednostkę powierzchni SiC w obydwu warstwach była zbliżona.
- 6. Sposób według zastrz. 5, znamienny tym, że grubości warstw zawierających nikiel oraz krzem oraz stosunki atomowe Ni(1):Si(1) oraz Ni^Sip) w tych warstwach dobiera się tak, aby spełnione były następujące relacje ilościowe pomiędzy liczbami atomów znajdującymi się w poszczególnych warstwach struktury na jednostce powierzchni podłoża SiC:Nim = oSiw + -Zr, łVi(3) = bSi^ + — Zr gdzie Ni(1) oraz Si(1) to liczby atomów odpowiednio niklu oraz krzemu znajdujące się w pierwszej warstwie, Ni(3) oraz Si(3) to liczby atomów odpowiednio niklu oraz krzemu znajdujące się w trzeciej warstwie, Zr to liczba atomów w warstwie drugiej, a oraz b parametry określające pożądane stechiometrie krzemków niklu uzyskiwane po pierwszym etapie wygrzewania.PL 224 697 B1
- 7. Sposób według zastrz. 5, znamienny tym, że drugą nanoszoną warstwą jest warstwa zawierająca cyrkon oraz nikiel o stosunku atomowym Zr:Ni większym niż Zr:Ni = 1:4.
- 8. Sposób według zastrz. 5, znamienny tym, że krzem i nikiel w warstwie pierwszej i warstwie trzeciej nanosi się oddzielnie tak aby warstwy te zawierały co najmniej jedną warstwę niklu oraz co najmniej jedną warstwę krzemu, przy czym warstwy niklu i krzemu ułożone są na przemian, a w warstwie pierwszej pierwszą nakładaną warstwą od strony podłoża jest warstwa krzemu.
- 9. Sposób według zastrz. 7, znamienny tym, że warstwę drugą nanosi się w postaci co najmniej jednej warstwy niklu i co najmniej dwóch warstw cyrkonu, przy czym warstwy niklu i cyrkonu ułożone są na przemian, a warstwy cyrkonu są warstwami zewnętrznymi.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL408058A PL224697B1 (pl) | 2014-04-29 | 2014-04-29 | Struktura do wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n oraz sposób wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL408058A PL224697B1 (pl) | 2014-04-29 | 2014-04-29 | Struktura do wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n oraz sposób wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL408058A1 PL408058A1 (pl) | 2015-11-09 |
| PL224697B1 true PL224697B1 (pl) | 2017-01-31 |
Family
ID=54364802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL408058A PL224697B1 (pl) | 2014-04-29 | 2014-04-29 | Struktura do wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n oraz sposób wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL224697B1 (pl) |
-
2014
- 2014-04-29 PL PL408058A patent/PL224697B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL408058A1 (pl) | 2015-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101144882B1 (ko) | 실리콘 카바이드 반도체 장치를 위한 실리콘-리치니켈-실리사이드 오믹 접합 | |
| TW200903639A (en) | Semiconductor production apparatus and process | |
| US11840756B2 (en) | Binary Ag—Cu amorphous thin-films for electronic applications | |
| CN102473602B (zh) | 欧姆电极及其形成方法 | |
| JP2017022176A (ja) | 薄膜抵抗器及びその製造方法 | |
| CN114783980B (zh) | Cu互连集成电路用多层合金扩散阻挡层及其制备方法 | |
| TWI766055B (zh) | 半導體裝置與其形成方法 | |
| Zhang et al. | Bipolar resistive switching properties of AlN films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition | |
| CN110911352B (zh) | 一种Cu互连用扩散阻挡层及其制备方法和应用 | |
| PL224697B1 (pl) | Struktura do wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n oraz sposób wytwarzania kontaktu omowego do podłoża z węglika krzemu typu n | |
| TW201131656A (en) | Method of forming cu wiring | |
| CN101645415A (zh) | 金属连线的制造方法 | |
| JP2010177581A (ja) | オーミック電極およびその形成方法 | |
| Ortiz et al. | Effect of annealing on the electrical properties of insulating aluminum nitride in MIM and MIS structures | |
| Tsui et al. | High-Performance Metal–Insulator–Metal Capacitors With $\hbox {HfTiO}/\hbox {Y} _ {2}\hbox {O} _ {3} $ Stacked Dielectric | |
| TWI654339B (zh) | Wiring film | |
| Jelenkovic et al. | Degradation of RuO2 thin films in hydrogen atmosphere at temperatures between 150 and 250° C | |
| JP5834871B2 (ja) | 熱電変換素子及びその製造方法 | |
| Reddy et al. | Frequency and temperature-dependent dielectric properties of BaTiO3 thin film capacitors studied by complex impedance spectroscopy | |
| JP5136986B2 (ja) | 圧電体の製造方法および圧電素子 | |
| JP5488602B2 (ja) | 半導体ダイヤモンドデバイス用オーミック電極 | |
| US20090250816A1 (en) | Ultra-thin diffusion-barrier layer for cu metallization | |
| KR101448852B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| Yang et al. | Improvement of Diffusion Barrier Performance of Ru Thin Film by Incorporating a WHfN Underlayer for Cu Metallization | |
| Alford et al. | Abnormal electrical resistivity in γ-TiAl thin films deposited by magnetron sputtering |