PL189119B1 - Sposób wydzielania i odzyskiwania paraksylenu - Google Patents

Abstract

1. Sposób wydzielania i odzyskiwania paraksylenu ze wsadu, stanowiacego miesza- nine weglowodorów aromatycznych, zawierajaca izomery ksylenu, obejmujacy kombinacje operacji adsorpcji i operacji krystalizacji, znamienny tym, ze co najmniej jedna czesc wsadu i/lub lugu macierzystego powstajacego w wyniku krystalizacji, poddaje sie operacji obróbki ziemia, przy czym wymieniona ziemie wybiera sie z grupy naturalnych glinokrze- mianów ewentualnie aktywowanych, w temperaturze od 100°C do 300°C, przy cisnieniu od 3 do 100 x 105 Pa, i przy godzinowym obciazeniu przeplywu od 1 do 8.2 189 119 Sposób wydzielania i odzyskiwania paraksylenu PL PL PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wydzielania i odzyskiwania paraksylenu z mieszaniny węglowodorów aromatycznych zawierających izomery ksylenu.

Izomerami ksylenu są ortoksylen, metaksylen, paraksylen i etylobenzen. Głównym celem wynalazku jest otrzymywanie paraksylenu o stopniu czystości wystarczającym do syntezy na przykład kwasu teraftalowego, który stosowany jest do wytwarzania syntetycznych włókien, a w szczególności poliestru.

Zgłaszający opisał w opisie patentowym FR Nr 2 681 066 (US 5 284 992) sposób wydzielania i odzyskiwania paraksylenu zawartego we wsadzie węglowodorów, który składa się głównie z węglowodorów aromatycznych o 8 atomach węgla.

Ten sposób składa się z połączenia etapu wzbogacania, który polega na selektywnej adsorpcji wsadu zawierającego głównie izomery ksylenu na substancji adsorbującej w postaci symulowanego złoża ruchomego, co przede wszystkim pozwala istotnie wzbogacić pierwszy odciek adsorpcyjny w paraksylen i z etapu oczyszczania, który polega na krystalizacji odcieku wzbogaconego w paraksylen w przynajmniej jednym urządzeniu do krystalizacji pracującym w wysokiej temperaturze w taki sposób, aby otrzymać paraksylen o bardzo wysokiej czystości, przy czym ług macierzysty zawracany jest do etapu adsorpcji.

Krystalizacja ta, w wysokiej temperaturze, odpowiada drugiemu etapowi krystalizacji w konwencjonalnych procesach krystalizacji (Chevron, Arco) które zwykle składają się z pierwszej krystalizacji w niskiej temperaturze (-40 do -70°C) i z drugiej krystalizacji oczyszczającej w wysokiej temperaturze (0 do -20°C) otrzymanych kryształów ponownie stopionych.

Ponadto, drugą frakcję zubozoną w paraksylen, a więc wzbogaconą w orto i metaksylen jak również w etylobenzen, wydzieloną w aparacie do adsorpcji selektywnej, przesyła się do aparatu do izomeryzacji, aby podwyższyć stężenie paraksylenu do wartości zbliżonej do stanu

189 119 równowagi i wyraźnie bliskiej, bądź wyższej od stężenia w kompozycji w początkowym wsadzie węglowodorów, przy czym otrzymany izomerat może być zawrócony do procesu adsorpcji.

W opisanych w kolejności procesach adsorpcji, krystalizacji i izomeryzacji, w różnych odciekach mogą pojawiać się różne rodzaje zanieczyszczeń, prowadzące do zakłócenia w pracy urządzeń, co utrudnia otrzymanie określonej wydajności i czystości odzyskanego paraksylenu.

Również w czasie izomeryzacji frakcji zubożonej w paraksylen, węglowodory olefinowe mogą występować w zmiennej ilości w zależności od wartości ciśnienia cząstkowego wprowadzonego wodoru. Kolejne tworzenie się polimerów i ich przejście przez urządzenie do adsorpcji może spowodować poważne problemy cyrkulacji w przechodzeniu przez substancję adsorbującą, a nawet jej dezaktywację.

Ponadto węglowodory parafinowe i naftenowe o 8 i 9 atomach węgla, których lotność zawiera się pomiędzy lotnością toluenu, który np. jest rozpuszczalnikiem desorpcji, a lotnością ksylenów, są produktami pośrednimi konwersji etylobenzenu w ksyleny w czasie izomeryzacji, a ich nagromadzenie może się okazać szkodliwe.

Z drugiej strony węglowodory aromatyczne o 9 atomach węgla, obecne w niewielkiej ilości i źle rozdzielone na kolumnach destylacyjnych mogą być szkodliwe w procesie, podobnie jak aldehydy i ketony cięższe niż wsad początkowy, które powstają w przypadkowej obecności rozpuszczonego tlenu.

Inny problem powoduje obecność metanolu. Ten alkohol dodaje się czasami w niewielkiej ilości do mieszaniny ksylenów do krystalizacji, aby uniknąć kokrystalizacji wody i paraksylenu.

W efekcie mieszaniny suchych węglowodorów Cs są stosunkowo higroskopijne i podczas gdy zawiesina kryształków paraksylenu w ługu macierzystym przechodzi przez wirówki, woda zawarta w otoczeniu może być zaabsorbowana w ługu macierzystym i może ewentualnie wykrystalizować w zależności od temperatury tego ługu.

Dodatkowo, pewne wymieniacze mogą mieć przecieki i woda może przechodzić przypadkowo do mieszaniny do krystalizacji.

Celem wynalazku jest zapobieżenie tym niedogodnościom, a zwłaszcza wyeliminowanie wspomnianych różnych zanieczyszczeń w strefie adsorpcji i dążenie do optymalizacji sposobu, w związku z tym, że substancja adsorbująca w strefie adsorpcji jest bardzo wrażliwa na zanieczyszczenia znajdujące się we wsadzie. Innym celem wynalazku jest udoskonalenie procesu odzyskiwania paraksylenu i zmniejszenie kosztów energii, zwłaszcza w etapie oczyszczania.

Sposób według wynalazku, wydzielania i odzyskiwania paraksylenu ze wsadu stanowiącego mieszaninę węglowodorów aromatycznych, zawierającą izomery ksylenu, składający się z kombinacji operacji adsorpcji i operacji krystalizacji, charakteryzuje się tym, że co najmniej jedną część wsadu i/lub ługu macierzystego powstającego w wyniku krystalizacji, poddaje się operacji obróbki ziemią, przy czym wymienioną ziemię wybiera się z grupy naturalnych glinokrzemianów aktywowanych lub nie, przy czym temperatura jest od 1O0°C do 300°C, ciśnienie jest od 3 do 100 x 10⁵ Pa, a godzinowe obciążenie przepływu od 1 do 8.

Korzystnie, w przypadku gdy sposób składa się z kombinacji operacji adsorpcji i krystalizacji z dodatkiem etapu izomeryzacji, przy czym wytwarza się izomerat, co najmniej jedną część izomeratu poddaje się obróbce ziemią.

Co najmniej jedną część wsadu i co najmniej jedną część izomeratu korzystnie poddaje się operacji obróbki ziemią.

Obróbkę ziemią korzystnie przeprowadza się w temperaturze od 160°C do 230°C, przy ciśnieniu od 4 do 20 x 10⁵ Pa, i przy godzinowym obciążeniu przepływu od 1 do 4.

Zawartość i rodzaj zanieczyszczeń (włączając w to niżej wymienione składniki), są często nieznane i niestabilne w czasie, ale mogą zmieniać się w szerokich zakresach, zależnie od rodzaju wsadu i/lub zastosowanych warunków w przeciwprądzie. Niektóre wsady są całkowicie pozbawione zanieczyszczeń, zaś inne mają umiarkowany poziom zanieczyszczeń albo też, czasem, mogą występować okresowe maksima zanieczyszczeń. Dlatego też nie jest możliwe określenie zakresu możliwych zawartości zanieczyszczeń. Powyżej podana charakterystyka jest wystarczająca do określenia ulepszonego sposobu rozdzielania paraksylenów według wynalazku. Zależnie od średniego poziomu i rodzaju zanieczyszczeń, czas trwania skuteczności wsadu nowej ziemi może się różnić i należy usuwać wyczerpaną ziemię i zastępować ją nową z rozmaitą częstotliwością. W każdym przypadku, obróbka ziemią, stosowana jako funkcjonalny

189 119 etap w ścisłym połączeniu z innymi etapami procesu, daje specyficzne korzyści takie jak ochrona strefy adsorpcji przed zanieczyszczeniami, ulepszenie odzyskiwania paraksylenu oraz sprowadzenie do minimum wydatków energetycznych.

Na powyższych korzyściach polegają nieoczekiwane zalety sposobu według wynalazku.

Według wariantu wynalazku, sposób wydzielania i odzyskiwania paraksylenu zawartego we wsadzie węglowodorów, składającym się z aromatycznych węglowodorów Cs, polega na tym, że podaje się kontaktowi w co najmniej jednej strefie adsorpcji wymieniony wsad, składający się co najmniej z metaksylenu, paraksylenu, z co najmniej jedną substancją adsorbującą, w obecności co najmniej jednego rozpuszczalnika desorpcji przystosowanego do takich warunków adsorpcji, w których otrzymuje się pierwszą frakcję zawierającą rozpuszczalnik, metaksylen i ewentualnie etylobenzen i/lub ortoksylen i drugą frakcję zawierającą rozpuszczalnik istotnie wzbogacony w paraksylen, destyluje się pierwszą frakcję dla odzyskania mieszaniny metaksylenu i ewentualnie etylobenzenu i/lub ortoksylenu, izomeryzuje się częściowo wymienioną mieszaninę w odpowiednich warunkach w co najmniej jednej strefie izomeryzacji i odzyskuje się izomerat, który częściowo zawraca się do strefy adsorpcji, destyluje się wymienioną drugą frakcję dla otrzymania istotnie wzbogaconego paraksylenu i rozpoczyna się jego krystalizację otrzymując z jednej strony ług macierzysty, który przynajmniej częściowo zawraca się do etapu adsorpcji, a z drugiej strony kryształy paraksylenu.

Ten wariant sposobu według wynalazku charakteryzuje się tym, że prowadzi się cyrkulację co najmniej jednego składnika wybranego spośród co najmniej części wsadu, co najmniej części izomeratu i co najmniej części ługu macierzystego w co najmniej jednej strefie obróbki ziemią, ewentualnie materiałem równorzędnym, przy czym wymienioną ziemię wybiera się z grupy naturalnych glinokrzemianów aktywowanych lub nie, przy czym temperatura jest od 100°C do 300°C, ciśnienie jest od 3 do 100 x 10⁵Pa, a godzinowe obciążenie przepływu od 1 do 8 i odzyskuje się pierwszy odciek, który wprowadza się co najmniej w części do strefy adsorpcji, dla wytworzenia wymienionej pierwszej i drugiej frakcji, które odbiera się ze strefy adsorpcji.

Korzystnie, kryształy paraksylenu przemywa się odpowiednim przemywającym rozpuszczalnikiem w co najmniej jednej strefie przemywania i odzyskuje się kryształy paraksylenu o bardzo wysokim stopniu czystości.

Korzystnie, prowadzi się cyrkulację co najmniej jednego składnika wsadu i izomeratu w co najmniej jednej strefie obróbki ziemią.

Ewentualnie, prowadzi się cyrkulację co najmniej jednego składnika spośród wsadu, izomeratu i ługu macierzystego w jednej lub w kilku strefach obróbki ziemią.

W strefie adsorpcji, adsorpcję korzystnie prowadzi się na symulowanym złożu ruchomym.

Co najmniej część ługu macierzystego korzystnie wprowadza się do kolumny destylacyjnej poniżej strefy izomeryzacji, destyluje się izomerat i ług macierzysty, otrzymuje się na szczycie frakcję składającą się z lekkich związków i frakcję składającą się z mieszaniny przedestylowanych ługu macierzystego i izomeratu, którą następnie wprowadza się do strefy obróbki ziemią i odzyskuje się drugi odciek.

Ponadto pogoń składający się z ciężkich związków odbierany jest korzystnie z kolumny destylacyjnej.

Część ługu macierzystego korzystnie miesza się z pierwszym lub drugim odciekiem ze strefy obróbki ziemią i odzyskuje się trzeci odciek.

Korzystnie, pierwszy, drugi, bądź trzeci odciek ze strefy obróbki ziemią destyluje się w co najmniej jednej kolumnie destylacyjnej zwanej rerun, z której odbiera się pogoń zawierający ciężkie związki i frakcję szczytową, którą wprowadza się do strefy adsorpcji.

Obróbkę ziemią korzystnie przeprowadza się w temperaturze od 160°C do 230°C, przy ciśnieniu od 4 do 20 barów i przy godzinowym obciążeniu przepływu od 1 do 4.

Co najmniej część ługu macierzystego korzystnie oczyszcza się przed wprowadzeniem do strefy obróbki ziemią.

Rozpuszczalnik desorpcji otrzymywany w etapach destylacji pierwszej frakcji i destylacji drugiej frakcji korzystnie oczyszcza się co najmniej częściowo przed zawróceniem i wyrównuje się jego czystość poprzez dodanie nowego rozpuszczalnika, bądź do wsadu, bądź przed strefą adsorpcji.

Ewentualnie prowadzi się jednostopniową krystalizację paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji, odzyskuje się zawiesinę kryształów w ługu macierzystym, wydziela się kryształy z ługu macierzystego w strefie rozdzielania, przemywa się otrzymane kryształy rozpuszczalnikiem do przemywania, odzyskuje się roztwór przemywający, zawraca się co najmniej część ługu macierzystego i co najmniej część roztworu przemywającego i topi się całkowicie kryształy paraksylenu w taki sposób, aby otrzymać strumień stopionego ciekłego paraksylenu.

Strefa rozdzielania i przemywania korzystnie jest co najmniej jedną kolumną do przemywania w przeciwprądzie, do której wprowadza się jako rozpuszczalnik do przemywania co najmniej część strumienia stopionego, ciekłego paraksylenu i w którym ług macierzysty i roztwór przemywający są tym samym roztworem, który co najmniej częściowo zawracany jest do strefy adsorpcji i ewentualnie częściowo do strefy krystalizacji.

Korzystnie, strefa rozdzielania i przemywania stanowi co najmniej jedną wirówkę, bądź co najmniej jeden filtr obrotowy, do którego wprowadza się jako rozpuszczalnik do przemywania co najmniej część strumienia stopionego ciekłego paraksylenu i w którym ług macierzysty i roztwór przemywający zawraca się do strefy adsorpcji i ewentualnie częściowo do strefy krystalizacji.

Rozpuszczalnik do przemywania korzystnie jest rozpuszczalnikiem desorpcji, zaś ciekły strumień paraksylenu destyluje się w taki sposób, aby odzyskać we frakcji na szczycie, rozpuszczalnik do przemywania, który co najmniej częściowo zawraca się do strefy przemywania kryształów, a we frakcji pogonu ciekły paraksylen o bardzo wysokiej czystości i albo zawraca się ług macierzysty zawierający rozpuszczalnik do przemywania do strefy adsorpcji i ewentualnie jego część do strefy krystalizacji po jego ewentualnym przedestylowaniu, gdy strefa do przemywania jest kolumną do przemywania w przeciwprądzie, albo zawraca się ług macierzysty do strefy adsorpcji i ewentualnie jego część do strefy krystalizacji, a roztwór przemywający do strefy destylacji drugiej frakcji, gdy strefa przemywania jest wirówką bądź filtrem obrotowym.

Rozpuszczalnik do przemywania korzystnie jest rozpuszczalnikiem innym niż strumień stopionego ciekłego paraksylenu i niż rozpuszczalnik desorpcji i destyluje się ciekły strumień stopionego paraksylenu w taki sposób, aby odzyskać na szczycie, rozpuszczalnik, który co najmniej częściowo zawraca się do strefy przemywania kryształów, a na spodzie ciekły paraksylen o bardzo wysokiej czystości, i albo zawraca się ług macierzysty zawierający roztwór przemywający do strefy adsorpcji i ewentualnie jego część do strefy krystalizacji, po jego przedestylowaniu, przy czym rozpuszczalnik zawraca się do strefy przemywania, gdy strefa przemywania jest strefą do przemywania w przeciwprądzie, bądź zawraca się ług macierzysty do strefy adsorpcji i ewentualnie jego część do strefy krystalizacji, a roztwór przemywający po jego przedestylowaniu do strefy adsorpcji i ewentualnie jego część do strefy krystalizacji, przy czym rozpuszczalnik zawraca się do strefy przemywania, gdy strefą przemywania jest wirówka bądź filtr obrotowy.

Korzystnie, prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze Ti, odzyskuje się zawiesinę pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, rozdziela się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania, zawraca się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego do strefy adsorpcji, topi się pierwsze rozdzielone kryształy i krystalizuje się je w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T2 wyższej od Tj, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, rozdziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania, przemywa się drugie kryształy rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się roztwór przemywający, zawraca się co najmniej część drugiego ługu macierzystego i co najmniej część roztworu przemywającego do pierwszej strefy krystalizacji i ewentualnie część do drugiej strefy krystalizacji i topi się całkowicie drugie kryształy paraksylenu w taki sposób, aby otrzymać strumień stopionego ciekłego paraksylenu.

Rozpuszczalnik do przemywania korzystnie jest częścią strumienia ciekłego stopionego paraksylenu, a roztwór przemywający i drugi ług macierzysty są tym samym roztworem zawróconym co najmniej częściowo do pierwszej strefy krystalizacji i ewentualnie częściowo do drugiej strefy krystalizacji.

189 119

Jako rozpuszczalnik do przemywania można stosować rozpuszczalnik desorpcji, korzystnie toluen i korzystnie destyluje się ciekły strumień paraksylenu w taki sposób, aby odzyskać we frakcji na szczycie, rozpuszczalnik do przemywania, który co najmniej częściowo zawraca się do drugiej strefy rozdzielania, a w pogonie ciekły paraksylen o bardzo wysokim stopniu czystości i że albo destyluje się ewentualnie drugi ług macierzysty zawierający roztwór przemywający przed jego zawróceniem, gdy drugą strefę rozdzielania jest kolumna do przemywania w przeciwprądzie, albo destyluje się roztwór przemywający przed jego zawróceniem do pierwszego urządzenia do krystalizacji i/lub do drugiego urządzenia do krystalizacji, gdy drugą strefę rozdzielania stanowi wirówka bądź filtr obrotowy.

Ewentualnie, jako rozpuszczalnik do przemywania stosuje się rozpuszczalnik inny niż strumień stopionego ciekłego paraksylenu i niż rozpuszczalnik desorpcji i destyluje się ciekły strumień stopionego paraksylenu pochodzącego z zawiesiny drugich kryształów w taki sposób, aby odzyskać we frakcji szczytowej, rozpuszczalnik do przemywania, którego co najmniej część zawraca się do drugiej strefy rozdzielania, a w pogonie ciekły paraksylen o bardzo wysokiej czystości i że albo destyluje się ług macierzysty zawierający roztwór przemywający przed jego zawróceniem do pierwszej strefy krystalizacji i ewentualnie jego części do drugiej strefy krystalizacji, gdy strefa rozdzielania jest kolumną w przeciwprądzie, albo zawraca się ług macierzysty do pierwszej strefy krystalizacji i ewentualnie jego część do drugiej strefy krystalizacji, destyluje się roztwór przemywający przed jego zawróceniem do pierwszej strefy krystalizacji i ewentualnie jego część do drugiej strefy krystalizacji, gdy strefę rozdzielania stanowi wirówka bądź filtr obrotowy.

Według korzystnego wariantu wynalazku, prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze Ti, odzyskuje się zawiesinę pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, rozdziela się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania, przemywa się ewentualnie pierwsze kryształy rozpuszczalnikiem do przemywania w pierwszej strefie do rozdzielania, krystalizuje się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T₂ niższej od temperatury Ti, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, rozdziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania, przemywa się drugie kryształy rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty, którego co najmniej część zawraca się do strefy adsorpcji, miesza się pierwsze i drugie kryształy paraksylenu, topi się je całkowicie i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu.

Co najmniej część stopionego strumienia paraksylenu korzystnie odbiera się wstępnie i stosuje się jako rozpuszczalnik do przemywania w pierwszej strefie rozdzielania i w drugiej strefie rozdzielania.

Jako rozpuszczalnik do przemywania można stosować rozpuszczalnik desorpcji, korzystnie toluen i destyluje się strumień stopionego paraksylenu, odzyskuje się szczytową frakcję zawierającą rozpuszczalnik do przemywania, którą co najmniej częściowo zawraca się do pierwszej i drugiej strefy rozdzielania i pogoń zawierający ciekły paraksylen o bardzo wysokiej czystości.

W innym korzystnym wariancie prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji i ewentualnie, stopionych zawróconych kryształów pochodzących z poniższej drugiej krystalizacji w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze Ti, odzyskuje się zawiesinę kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, rozdziela się kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania, przemywa się wymienione kryształy w wymienionej strefie, topi się je i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu, krystalizuje się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T₂ niższej od Ti, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, rozdziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty, którego co najmniej część zawraca się do strefy adsorpcji, topi się ewentualnie drugie kryształy i zawraca się kryształy ewentualnie stopione do pierwszej strefy krystalizacji, aby je poddać ponownej krystalizacji z paraksylenem z etapu destylacji drugiej frakcji w temperaturze Tj.

189 119

W kolejnym korzystnym wariancie prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji i ewentualnie stopionych, zawróconych, kryształów pochodzących z poniższej drugiej krystalizacji w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze Ti, odzyskuje się zawiesinę kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, rozdziela się kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania, przemywa się wymienione kryształy w wymienionej strefie, topi się je i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu, krystalizuje się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T2 niższej od Ti, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, rozdziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty, którego co najmniej część zawraca się do strefy adsorpcji, topi się częściowo drugie kryształy i zawraca się kryształy w zawiesinie do pierwszej strefy krystalizacji, aby je poddać ponownej krystalizacji z paraksylenem z etapu destylacji drugiej frakcji w temperaturze Ti.

Co najmniej część stopionego strumienia paraksylenu, pochodzącego z pierwszej strefy rozdzielania korzystnie stosuje się jako rozpuszczalnik do przemywania.

Rozpuszczalnik do przemywania może być rozpuszczalnikiem desorpcji, zaś strumień stopionego paraksylenu pochodzący z pierwszej strefy krystalizacji destyluje się i odzyskuje się w szczytowej frakcji rozpuszczalnik do przemywania, który co najmniej częściowo zawraca się do pierwszej strefy rozdzielania, a w pogonie odzyskuje się ciekły paraksylen o bardzo wysokim stopniu czystości.

Pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji korzystnie prowadzi się w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze Ti, odzyskuje się zawiesinę pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, rozdziela się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania, krystalizuje się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T2 niższej od Ti, wydziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty, którego co najmniej część zawraca się do strefy adsorpcji, odzyskuje się pierwsze i drugie kryształy i przemywa się je w co najmniej jednej strefie rozdzielania i przemywania w przeciwprądzie rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania, odzyskuje się część roztworu przemywającego, który co najmniej częściowo zawraca się do pierwszej strefy krystalizacji, odzyskuje się inną część kryształów paraksylenu, topi się je całkowicie w strefie topienia i odbiera się strumień stopionego paraksylenu.

Część strumienia stopionego paraksylenu korzystnie pobiera się wstępnie i stosuje jako rozpuszczalnik do przemywania, zaś rozpuszczalnik do przemywania może być rozpuszczalnikiem desorpcji i destyluje się strumień stopionego paraksylenu, odbiera się rozpuszczalnik do przemywania, który częściowo zawraca się do strefy do przemywania, destyluje się roztwór przemywający przed jego zawróceniem do pierwszej strefy krystalizacji i zawraca się co najmniej częściowo rozpuszczalnik do przemywania do strefy do przemywania.

Część pierwszego ługu macierzystego korzystnie zawraca się do pierwszej strefy krystalizacji, a część drugiego ługu macierzystego do drugiej strefy krystalizacji.

W kolejnym wariancie wynalazku, strefa rozdzielania, w której prowadzi się przemywanie kryształów zawiera co najmniej jedną kolumnę do przemywania w przeciwprądzie.

Ewentualnie, strefa rozdzielania, w której prowadzi się przemywanie kryształów zawiera co najmniej jedną wirówkę bądź co najmniej jeden filtr obrotowy.

Wymieniony rozpuszczalnik desorpcji korzystnie jest toluenem, zaś cyrkulację części wsadu przeprowadza się w kolumnie destylacyjnej aby odebrać co najmniej część toluenu i wprowadza się wymieniony toluen jako dodatek do rozpuszczalnika desorpcji.

Przykładowe korzystne warunki adsorpcji bądź usunięcia niepożądanych związków na ziemi są na ogół następujące:

- Temperatura: 100°C do 300°C, korzystnie 160°C do 200°C

- Godzinowe obciążenie przepływu: 1 do 8, korzystnie 1 do 4 (Godzinowa objętość wsadu na objętość ziemi);

- Typ ziemi: glinokrzemiany naturalnie ewentualnie aktywowane, na przykład ziemia oznaczona F54 u ENGELHARD

- Ciśnienie: 3 do 100 x 10⁵ Pa, korzystnie 4 do 20 x 10⁵ Pa.

189 119

Kolumna destylacyjna następująca po izomeryzacji posiada na ogół następującą charakterystykę:

- Ciśnienie: 1 do 20 x 10⁵ Pa, korzystnie 3 do 8 x 10⁵ Pa

- Temperatura na spodzie: 150 do 280°C, korzystnie 200 do 240°C

- Liczba półek: 30 do 80, korzystnie 50 do 70.

Kolumna destylacyjna zwana rerun umiejscowiona pomiędzy strefą obróbki ziemią, a strefą adsorpcji selektywnej posiada na ogół następującą charakterystykę:

- Ciśnienie: 1 do 20 x 105 Pa, korzystnie 3 do 8 x 105 Pa

- Temperatura na spodzie: 160 do 290°C, korzystnie 210 do 250°C

- Liczba półek: 40 do 200, korzystnie 50 do 90.

Według innej charakterystyki wynalazku możemy być zmuszeni do utrzymania ilości związków o pośredniej lotności w stopniu dopuszczalnym. W tym przypadku co najmniej jedna część ługu macierzystego może być oczyszczona przed wprowadzeniem jej do strefy obróbki ziemią.

Może również być korzystne oczyszczenie przynajmniej części rozpuszczalnika desorpcyjnego odzyskanego w etapach destylacji frakcji zubożonej, bądź frakcji wzbogaconej w paraksylen, zanim zostanie zawrócony i wyrównanie czystości rozpuszczalnika poprzez dodanie nowego rozpuszczalnika, bądź do wsadu, bądź przed strefą adsorpcji.

Jak wskazano, istnieje możliwość zawracania ługu macierzystego do różnych miejsc instalacji w zalezności od zawartości związków niepożądanych, ale korzystne może okazać się połączenie między sobą różnych powrotów, w chwili kiedy chodzi o powtórne użycie istniejącego wyposażenia do destylacji izomeratu, obróbki ziemią, bądź destylacji, która zwana jest rerun i podczas gdy jedno z urządzeń pracuje na maximum wydajności.

Można również połączyć różne powroty i etapy oczyszczania podczas gdy dążymy do obniżenia zawartości nieczystości w pętli, nie dążąc do całkowitego ich wyeliminowania.

Etap krystalizacji frakcji wzbogaconej w paraksylen jest na ogół przeprowadzany jak wspomniano powyżej w wysokiej temperaturze na przykład między +10 a -30°C, a korzystnie między +10 a -25°C. Temperaturę na ogół wybiera się w zależności od stężenia ksylenu, jaki ma być w ługu macierzystym i w zależności od kosztu ekonomicznego operacji krystalizacji.

W tych warunkach można prowadzić jednostopniową krystalizację paraksylenu, podczas gdy zgromadzony paraksylen na przykład jako ekstrakt z urządzenia do adsorpcji posiada najwyzszą czystość na przykład 85%.

Ale korzystnie, zwłaszcza z przyczyn ekonomicznych można prowadzić krystalizację wielostopniową, na przykład pierwszą krystalizację w temperaturze Ti zawartą między +10 a -10°C, i drugą krystalizację w temperaturze T₂ niższej od Ti zawartą między 0 a -25°C.

Według pierwszego sposobu wykonania wynalazku, prowadzi się jednostopniową krystalizację paraksylenu z etapu d), odzyskuje się zawiesinę kryształów w ługu macierzystym, wydziela się kryształy z ługu macierzystego w strefie rozdzielania, przemywa się otrzymane kryształy rozpuszczalnikiem do przemywania, odzyskuje się roztwór przemywający, zawraca się minimum część ługu macierzystego i minimum część roztworu do przemywania i topi się całkowicie kryształy paraksylenu w sposób, aby otrzymać strumień stopionego ciekłego paraksylenu.

W jednym z wariantów wynalazku przykładowo temperatura Ti pierwszej krystalizacji może zawierać się pomiędzy -5 a -25°C podczas gdy temperatura T2 może zawierać się pomiędzy+10 a -5°C.

W innym wariancie wynalazku przykładowo pierwsza krystalizacja może być prowadzona w temperaturze Ti zawartej pomiędzy +10 a -10°C, podczas gdy druga może być prowadzona w temperaturze T? niższej od Ti zawartej pomiędzy 0 a -25°C.

Przedmiot wynalazku wyjaśniony zostanie obecnie na przykładach, które schematycznie zilustrowane są rysunkiem, na którym: fig. 1 przedstawia schemat postępowania w przykładzie I realizacji sposobu według wynalazku z różnymi możliwościami zawracania izomeratu i ługu macierzystego z krystalizacji do adsorpcji poprzez obróbkę ziemią; fig. 2 i 3 przedstawiają schematy postępowania w przykładach II i III oczyszczania paraksylenu przez krystalizację jednostopniową; fig. 4 i 5 przedstawiają schematy postępowania w przykładach IV i V oczyszczania paraksylenu przez krystalizację dwustopniową, przy czym pierwsza jest zimniejsza od drugiej.

Figury 6 do 10 przedstawiają schematy postępowania w przykładach oczyszczania paraksylenu przez krystalizację dwustopniową, przy czym pierwsza jest cieplejsza od drugiej.

Warunki prowadzenia procesu adsorpcji na symulowanym złożu ruchomym (np. przeciwprądowo) są wybrane w sposób taki, że pierwsza frakcja zawierająca metaksylen, ortoksylen i etylobenzen będzie rafinatem, a druga frakcja zawierająca istotnie paraksylen będzie ekstraktem. Takie warunki opisane są w opisie patentowym nr US 5 284 992.

Przykład I

Linią 1 prowadzi się wsad zawierający około 20% etylobenzenu, 18% paraksylenu, 45% metaksylenu i 17% ortoksylenu. Poprzez linię 2 łączy się go z zawracanym odciekiem, w którym zawartość etylobenzenu jest wyraźnie niska, zazwyczaj od 8 do 13% i który zawiera zanieczyszczenia. Poprzez linię 3 i 30 wprowadza się inny zawracany odciek, w którym zawartość paraksylenu jest wysoka, zazwyczaj od 25 do 45%. Linia 4 odzyskuje wsad i dwa odcieki. Przenosi ona mieszaninę kompozycji w przybliżeniu o zawartości, paraksylen 20 do 22,5%, etylobenzen 9 do 14%, ortoksylen 20 do 22,5%, metaksylen 45 do 50%, która jest wprowadzana do strefy adsorpcji 8 w symulowanym przeciwprądzie składającym się z jednej lub wielu kolumn 6 i/lub 7 wypełnionych zeolitową substancją adsorbującą, przy czym każda z kolumn podzielona jest na limitowaną liczbę półek, liczba półek każdej kolumny może być zawarta pomiędzy 4 a 20, zaś wydajność wyrażona w stosunku do produktu paraksylenu wynosi około 0,07 m³ na m³ sita i na godzinę w warunkach otoczenia. Desorbuje się toluenem w stosunku około 1,45 m3 toluenu na m3 wsadu, przy czym temperatura operacji wynosi około 160°C. Z tego urządzenia poprzez linię 10 odbiera się rafinat zubożony w paraksylen składający się przede wszystkim z toluenu, metaksylenu, etylobenzenu i ortoksylenu, a poprzez linię 9 ekstrakt kompozycji wzbogaconej w paraksylen składający się przede wszystkim z toluenu i paraksylenu, przy czym jako zanieczyszczenie występuje przede wszystkim etylobenzen. Rafinat wprowadza się do kolumny destylacyjnej 12 (temperatura na szczycie 125°C, temperatura na spodzie na przykład 160°C). Poprzez linię 14 na szczycie kolumny odbiera się toluen (na przykład około 30% ilości wprowadzonej do adsorpcji) zawierający na przykład mniej niż 2% związków aromatycznych C₈, a poprzez linię 15 na spodzie tej kolumny odbiera się ciecz (rafinat pozbawiony rozpuszczalnika) bogatą w etylobenzen, metaksylen i w ortoksylen, a zubożoną w paraksylen (na przykład mniej niż 3%), którą przesyła się do urządzenia do izomeryzacji 21. Rafinat ten poddaje się kontaktowi z wodorem wprowadzonym poprzez linię 20 i z katalizatorem na bazie modemitu i platyny na tlenku glinowym w temperaturze około 380°C. Linią 22 prowadzi się izomerat do wyjścia z reaktora, w kierunku balonu wydzielającego składniki gazowe (nie przedstawiono na schemacie), następnie w kierunku kolumny destylacyjnej 23 (na przykład temperatura na szczycie 90°C, na dole 160°C). Na szczycie kolumny odbiega się poprzez linię 24 węglowodory od Ci do C5, heksan, cykloheksan, benzen i toluen, a na dole tej kolumny poprzez linię 2 odciek zawierający od 8 do 13% etylobenzenu, 21 do 24% paraksylenu, 21 do 24% ortoksylenu, 45 do 50% metaksylenu i zanieczyszczenia, odciek ten zawraca się w kierunku strefy adsorbcji 8.

Linią 9 wprowadza się ekstrakt do kolumny destylacyjnej 16, gdzie na szczycie odbiera się toluen mniej niż 2% związków aromatycznych Cg (około 70% ilości wprowadzonej na przykład do adsorpcji), który jest zawracany linią 17 i 11 w kierunku zasilania rozpuszczalnikiem desorpcji do urządzenia do adsorpcji. Na dole kolumny 16 w temperaturze około 160°C poprzez linię 19 odbiera się strumień wzbogacony w paraksylen (zawierający około 90% paraksylenu), którą prowadzi się go do urządzenia do krystalizacji 5a jednostopniowej działającego na przykład w temperaturze około -10°C. W urządzeniu 5a i 5b wytwarzają się kryształy paraksylenu, które są zawiesiną w ługu macierzystym. Kryształy są wydzielane na przykład w co najmniej jednej wirówce 5b i przemywane w niej. Część ługu macierzystego zubożonego w paraksylen (około 54%) jest gromadzona i zawrócona przez linię 3 do strefy adsorpcji 8 poprzez strefy obróbki ziemią i destylacji omówione poniżej, a z drugiej strony gromadzi się kryształy paraksylenu, które topi się. Rozpuszczalnik do przemywania na przykład toluen jest doprowadzony przez linię 18 i może wypływać jak pokazano na rysunku z urządzenia do destylacji rafmatu 12 i/lub jeszcze z urządzenia do destylacji ekstraktu 16. Z aparatu 5b i po nie przedstawionej destylacji stopionych kryształów odzyskuje się ciekły paraksylen o czystości równej na przykład 99,75% poprzez linię 25, oraz toluen, który zawraca się (linią nieprzedstawioną).

Przykład II

Figura 2 przedstawia bardziej szczegółowo etapy krystalizacji i następnie obróbki kryształów paraksylenu poprzez mycie toluenem. W tym przykładzie do urządzenia 50 do krystalizacji jednostopniowej doprowadza się wsad do krystalizacji (przedestylowany ekstrakt) linią 19. Poprzez linię 51 odzyskuje się kryształy w zawiesinie w ługu macierzystym, które są częściowo wydzielane w co najmniej jednej wirówce 52. Ług macierzysty zawierający na przykład 54% paraksylenu poprzez linie 53 i 3 jest częściowo odbierany i zawracany do strefy adsorpcji 8, druga część może być zawracana do strefy krystalizacji 50 poprzez linię 53a. Część kryształów w zawiesinie w ługu macierzystym może być również zawrócona do strefy krystalizacji poprzez linię 51 a.

Następnie wprowadza się do wirówki 52 zawrócony toluen pochodzący z kolumny destylacyjnej 60 jako rozpuszczalnik do przemywania dostarczany linią 56 i toluen dostarczany linią 57 oraz świeży rozpuszczalnik pochodzący z linii 18. Roztwór przemywający jest gromadzony oddzielnie poprzez linię 54 połączoną z wirówką 52 i jest on częściowo zawracany do aparatu do destylacji rafmatu 12.

Przemyte kryształy i całkowicie stopione w strefie topienia 58 paraksylenu odbiera się poprzez linię 55, i wprowadza poprzez linię 59 do kolumny destylacyjnej 60. Na dole kolumny odzyskuje się ciekły paraksylen o bardzo dużej czystości, a na szczycie kolumny toluen, który częściowo zawracany jest do wirówki 52. Zastosowano co najmniej jedną wirówkę, aby oddzielić kryształy od ługu macierzystego. Można również zastosować co najmniej jeden filtr obrotowy zamiast wirówki.

Według innego nie przedstawionego wariantu, wirówka może być zastąpiona przez co najmniej jedną kolumnę rozdzielającą i przemywającą w przeciwprądzie opisaną w opisie patentowym US 4 475 355, US 4 481 169, dołączonym jako odnośnik, kolumna NIRO na przykład. W tym przypadku ług macierzysty i roztwór przemywający są jednym i tym samym roztworem, który jest ewentualnie poddawany destylacji przed częściowym zawróceniem do stref obróbki ziemią i destylacji i częściowo do strefy krystalizacji.

Przykład III

W przykładzie III, przedstawionym schematycznie na fig. 3, można zastosować inny rozpuszczalnik do przemywania taki, jak stopiony toluen pochodzący ze strefy topienia 58. W tym przypadku rysunek zawiera te same odnośniki do tych samych urządzeń jak na fig. 1, co najmniej część stopionego paraksylenu wprowadza się w przeciwprądzie do zawiesiny 51, poprzez linię 59b do kolumny przeciwprądowej 80, na przykład typ kolumny NIRO i znajduje zastosowanie do mycia w kolumnie kryształów paraksylenu. Co najmniej jedną część stopionego paraksylenu wprowadza się do kolumny krystalizacyjnej.

Kryształy odzyskane w kolumnie poprzez linię 55 są następnie stopione w strefie topienia 58 i ciekły paraksylen o bardzo wysokiej czystości odzyskuje się poprzez linię 59.

Roztwór przemywający i ług macierzysty odzyskuje się w tym samym czasie linią 53 i zawraca do strefy adsorpcji 8, część może być zawrócona do strefy krystalizacji 50.

Jeśli użyłoby się na przykład pentanu jako rozpuszczalnika do przemywania, innego niz rozpuszczalnik desorpcji (toluen) i stopiony paraksylen, można by było powtórzyć sposób opisany według fig. 2, chociaż roztwór przemywający pochodzący z wirówki 52 musiałby być pozbawiony rozpuszczalnika poprzez kolejną destylację (nie przedstawioną na rysunku) przed zawróceniem do adsorpcji, bądź do krystalizacji. Rozpuszczalnik przedestylowany jest więc zawracany do wirówki.

Można by było również powtórzyć sposób według fig. 3 z kolumną do przemywania w przeciwprądzie i z rozpuszczalnikiem do przemywania innym niż stopiony paraksylen i niż rozpuszczalnik desorpcji. W tym przypadku po zupełnym stopieniu kryształów, destyluje się strumień stopionego paraksylenu zawierający rozpuszczalnik do przemywania i odzyskuje się na szczycie kolumny rozpuszczalnik, który częściowo zawracany jest do kolumny do przemywania, a na dole kolumny paraksylen o bardzo wysokiej czystości. Ług macierzysty zawierający roztwór przemywający odbierany jest z kolumny do przemywania, destylowany i zawracany częściowo do strefy adsorpcji selektywnej i ewentualnie częściowo do strefy krystalizacji.

189 119

Przykład IV

W przykładzie IV, zilustrowanym schematycznie na fig. 4, przeprowadzono krystalizację dwustopniową, przy czym temperatura krystalizacji w drugim stopniu jest wyzsza od tej w pierwszym stopniu. Na fig. 4, pierwsze urządzenie do krystalizacji 50, na przykład przy temperaturze -20°C, otrzymuje wsad do krystalizacji (przedestylowany ekstrakt adsorpcji) poprzez linię 19. Jego czystość wynosi około 80%. Poprzez linię 51 odzyskuje się kryształy w zawiesinie w ługu macierzystym, które są wydzielane w pierwszej wirówce 52. Pierwszy ług macierzysty zawierający na przykład 40% paraksylenu jest odbierany i częściowo zawracany do strefy adsorpcji 8 liniami 53 i 8 poprzez strefy obróbki ziemią i destylacji, druga część może być zawracana do pierwszej krystalizacji.

Kryształy odzyskane poprzez linię 55, topi się w strefie topienia 58 i wprowadza linią 59 do drugiego urządzenia do krystalizacji 70 pracującego na przykład w temperaturze 0°C. Odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów poprzez linię 71, które wprowadza się do co najmniej jednej drugiej wirówki 72, bądź do filtru obrotowego.

Drugi ług macierzysty odzyskuje się poprzez linię 73 i jego część zawraca się do pierwszego aparatu do krystalizacji 50 i ewentualnie część do drugiej strefy krystalizacji. Wydzielone kryształy przemywa się rozpuszczalnikiem desorpcji (na przykład toluenem) używanym jako rozpuszczalnik do przemywania, który wprowadza się do wirówki linią 56 i uzupełnienie 57 zwłaszcza pochodzące z linii 17 i odbiera się roztwór przemywający 74, którego część zawraca się do pierwszego urządzenia do krystalizacji 50 i/lub do drugiego urządzenia do krystalizacji 70 przed jego ewentualnym przedestylowaniem. Można by było również zawrócić go do urządzenia do destylacji rafinatu.

Ponadto wychodząc z linii 75 połączonej z wirówką 72 odzyskuje się drugie kryształy, które całkowicie topi się w strefie topienia 76 i poprzez linię 77 odbiera się stopiony paraksylen, który poddaje się destylacji w kolumnie destylacyjnej 60. Toluen odzyskany na szczycie kolumny zawracany jest linią 56, podczas gdy paraksylen o bardzo wysokiej czystości odbiera się z dołu kolumny linią 61.

Wirówka 72 mogłaby być zastąpiona przez kolumnę do przemywania w przeciwprądzie. W tym przypadku drugi ług macierzysty zawierający toluen do przemywania może być przedestylowany przed zawróceniem, tak jak w przypadku z jednym stopniem, a toluen do przemywania, kierowany jest do kolumny do przemywania.

Przykład V

W przykładzie V, zilustrowanym schematycznie na fig. 5, przeprowadzono również krystalizację dwustopniową, przy czym temperatura krystalizacji w drugim stopniu jest wyższa od tej w pierwszym stopniu.

Figura 5 pokazuje zastosowanie kolumny przeciwprądowej typu kolumny NERO jako drugiej strefy rozdzielania i przemywania drugich kryształów w miejscu wirówki 72 z fig. 4, bądź w miejsce filtru obrotowego, gdzie stosuje się jako rozpuszczalnik do przemywania nie toluen a część strumienia stopionego paraksylenu. Według fig. 5 zawierającej te same urządzenia jak na fig. 4 odzyskuje się drugie kryształy w emulsji w drugim ługu macierzystym pochodzące z drugiego urządzenia do krystalizacji poprzez linię 71 i wprowadza się je do kolumny NIRO 80, która jest zasilana przez część stopionego paraksylenu zastosowanego jako rozpuszczalnik do przemywania zgromadzony przez linie 77a. Poprzez linię 75 odbiera się kryształy paraksylenu o bardzo wysokiej czystości, które topi się w strefie topienia 76 i odzyskuje się strumień stopionego paraksylenu poprzez linię 77. Drugi ług macierzysty zawierający na przykład 70% paraksylenu i roztwór przemywający odzyskuje się w tym samym czasie i częściowo zawraca w kierunku pierwszego urządzenia do krystalizacji 50 poprzez linię 73, a część ewentualnie do drugiego aparatu do krystalizacji.

Według innego wariantu, który nie jest przedstawiony na rysunkach rozpuszczalnik do przemywania może stanowić inny rozpuszczalnik niż strumień stopionego paraksylenu i niż rozpuszczalnik desorpcji, na przykład pentan. W tym przypadku destyluje się strumień stopionego paraksylenu, w taki sposób, aby odzyskać na szczycie kolumny rozpuszczalnik do przemywania, który częściowo zawraca się do drugiej strefy rozdzielania, a na spodzie kolumny odzyskuje się paraksylen o bardzo wysokiej czystości, destyluje się ług macierzysty zawierający roztwór przemywający, przed jego zawróceniem do pierwszej strefy krystalizacji, a ewentualnie

189 119 części do drugiej strefy krystalizacji, jeśli druga strefa rozdzielania jest kolumną do przemywania w przeciwprądzie (na przykład kolumna NIRO).

W zamian, jeśli druga strefa rozdzielania jest wirówką bądź obrotowym filtrem zawraca się ług macierzysty do pierwszej strefy krystalizacji, a część ewentualnie do drugiej strefy krystalizacji i destyluje się roztwór po przemyciu przed jego zawróceniem do pierwszej strefy krystalizacji, a części ewentualnie do drugiej strefy krystalizacji.

Powrót pierwszych kryształów w zawiesinie 5la i drugich kryształów w zawiesinie 71a może być brany pod uwagę odpowiednio do pierwszego i do drugiej strefy krystalizacji.

Przykład VI

W przykładzie VI, zilustrowanym schematycznie na fig. 6, przeprowadzono krystalizację dwustopniową, przy czym temperatura krystalizacji w drugim stopniu krystalizacji ługu macierzystego jest dużo niższa od temperatury w pierwszym stopniu.

Według fig. 6 wsad do krystalizacji (przedestylowany ekstrakt z adsorpcji) wprowadza się poprzez linię 19 do pierwszego urządzenia do krystalizacji 70, które pracuje w temperaturze około 0°C. Poprzez linię 81 odzyskuje się pierwsze kryształy w zawiesinie w pierwszym ługu macierzystym, które wydzielane są w co najmniej jednej pierwszej wirówce 82, przemywane są toluenem doprowadzonym linią 97 i odzyskiwane poprzez linię 84. Pierwszy ług macierzysty zawierający na przykład 70% paraksylenu częściowo wprowadza się poprzez linię 83 do drugiego urządzenia do krystalizacji pracującego w temperaturze -10°C. Druga część może być zawrócona do pierwszego urządzenia do krystalizacji poprzez linię 83a. Linią 85 odzyskuje się drugie kryształy w zawiesinie w drugim ługu macierzystym i są one wydzielane w co najmniej drugiej wirówce 86. Gromadzi się je przy pomocy linii 88 po ich przemyciu toluenem, który/ wprowadza się poprzez linię 98 do drugiej wirówki. Drugi ług macierzysty zgromadzony przy pomocy linii 87 zawiera frakcję toluenu do przemycia; jest ona częściowo zawracana do strefy adsorpcji 8 poprzez strefy obróbki ziemią i destylacji i ewentualnie częściowo poprzez linię 87a do drugiego urządzenia do krystalizacji.

Pierwsze i drugie kryształy paraksylenu miesza się i wprowadza do strefy topienia 89. Linia 90 zbiera strumień stopionego paraksylenu, który wprowadza się do kolumny destylacyjnej 9, z której na spodzie odbiera się paraksylen o bardzo wysokim stopniu czystości, a na szczycie toluen, który zawraca się linią 92 i który miesza się z dodatkiem toluenu doprowadzonym linią 95 bądź 18. Otrzymaną mieszaninę wprowadza się częściowo do każdej z wirówek 82 i 86 jako rozpuszczalnik do przemywania.

P r z y k ł a d VII

W przykładzie VII, zilustrowanym schematycznie na fig. 7, przeprowadzono również krystalizację dwustopniową, przy czym temperatura krystalizacji w drugim stopniu krystalizacji ługu macierzystego jest dużo niższa od temperatury w pierwszym stopniu.

Figura 7 przedstawia te same urządzenia i te same oznaczenia co fig. 6. Poza tym, że w etapie przemywania kryształów stosuje się jako rozpuszczalnik do przemywania bardzo czysty stopiony paraksylen, odzyskany przy pomocy linii 90. W efekcie co najmniej część bardzo czystego stopionego paraksylenu jest częściowo pobrana linią 91 i wprowadzona do pierwszej wirówki 82 i do drugiej wirówki 86, aby przemyć odpowiednio pierwsze i drugie kryształy. Pierwszy ług macierzysty i pierwszy roztwór przemywający są przesyłane przy pomocy linii 83 do drugiego urządzenia do krystalizacji 50, podczas gdy drugi ług macierzysty i drugi roztwór po przemyciu są zbierane poprzez linię 87, dla częściowego zawrócenia do strefy adsorpcji 8.

Przy opisie tego rysunku opisano zastosowanie wirówek 82 i 86 dla wydzielenia kryształów z ługów macierzystych i ich przemycia, ale również można by je zastąpić przez kolumny przeciwprądowe, typu kolumna NIRO. W tym przypadku roztwory odpowiednio odbierane mogłyby się razem łączyć w ług macierzysty i roztwór przemywający, pochodzące z każdej kolumny.

Przykład VIII

Figura 8 przedstawia schemat postępowania według innego wariantu sposobu o wielostopniowej krystalizacji, w której stopiony paraksylen o bardzo wysokiej czystości gromadzi się przy wyjściu ze strefy krystalizacji w wysokiej temperaturze.

189 119

Wsad do krystalizacji (przedestylowany ekstrakt z adsorpcji) wprowadza się poprzez linię 19 do pierwszego urządzenia do krystalizacji 70, które pracuje w temperaturze około 0°C. Poprzez linię 81 odzyskuje się kryształy w zawiesinie w pierwszym ługu macierzystym, które są na przykład rozdzielane na kolumnie NIRO 80, przy czym odzyskane kryształy poprzez linię 84 topi się w strefie topienia 100. Strumień stopionego paraksylenu o bardzo wysokiej czystości gromadzi się przy pomocy linii 101 i częściowo przenosi się do kolumny NIRO dla przemycia kryształów przy pomocy linii 102. Pierwszy ług macierzysty, który jest odebrany z kolumny NIRO poprzez linię 83 wprowadza się częściowo do drugiego urządzenia do krystalizacji 50 pracującego na przykład w temperaturze -15°C. Inna część tego pierwszego ługu macierzystego może być zawrócona poprzez linię 83a i zmieszana ze wsadem do pierwszego urządzenia do krystalizacji.

W drugim urządzeniu do krystalizacji 50, przy pomocy linii 85 gromadzi się zawiesinę drugich kryształów w drugim ługu macierzystym, które wydziela się w co najmniej jednej wirówce 86, bądź w filtrze obrotowym. Poprzez linię 87 odzyskuje się drugi ług macierzysty, który częściowo zawraca się do urządzenia do adsorpcji 8 poprzez strefy obróbki ziemią i destylacji, część może być również zawrócona do drugiego urządzenia do krystalizacji 50 poprzez linię 105 połączoną z linią 87.

Drugie kryształy raz wydzielone, gromadzi się przy pomocy linii 88 i ewentualnie topi w strefie topnienia 103. Paraksylen ewentualnie stopiony zawraca się poprzez linię 104 i miesza się ze wsadem do pierwszego urządzenia do krystalizacji 70 dla ponownej rekrystalizacji w temperaturze pierwszej krystalizacji.

Przykład IX

Figura 9 przedstawia najlepszy wariant sposobu o dwóch stopniach krystalizacji odbywającej się korzystnie w temperaturze pomiędzy +5 a -7°C dla pierwszego stopnia i pomiędzy -7 a -25°Ć dla drugiego stopnia.

Wsad do krystalizacji (przedestylowany ekstrakt z adsorpcji) wprowadza się poprzez linię 19 do pierwszego urządzenia do krystalizacji 70. Poprzez linię 81 odzyskuje się pierwsze kryształy w zawiesinie w pierwszym ługu macierzystym, które są wydzielane w co najmniej jednej wirówce 82, bądź w co najmniej jednym filtrze obrotowym. Pierwszy ług macierzysty gromadzi się poprzez linię 83 i częściowo wprowadza się do drugiego urządzenia do krystalizacji 50, inna część może być zawrócona do pierwszego urządzenia do krystalizacji 70. Poprzez linię 85 gromadzi się drugą zawiesinę kryształów, którą rozdziela się w co najmniej jednej wirówce, bądź w filtrze obrotowym 86. Drugi ług macierzysty jest odbierany poprzez linię 87 i częściowo zawracany do strefy adsorpcji 8 poprzez obszary obróbki ziemią i destylacji, inna część może być również częściowo zawrócona do drugiego urządzenia do krystalizacji poprzez linię 87a połączoną z linią 87. Pierwsze i drugie kryształy odpowiednio gromadzone poprzez linie 84 i 88 łączy się i wprowadza do co najmniej jednej kolumny do przemywania 110 typu NIRO, gdzie są przemywane rozpuszczalnikiem do przemywania. Poprzez linię 111 gromadzi się kryształy paraksylenu całkowicie stopione w strefie topienia 112 i odbiera się strumień paraksylenu o bardzo wysokiej czystości. Część strumienia paraksylenu jest częściowo pobierana przez linię 114 i wprowadzona jako rozpuszczalnik do przemywania do kolumny 110. Roztwór przemywający zbiera się w kolumnie i częściowo zawraca się go do pierwszego urządzenia do krystalizacji.

Przykład X

Według fig. 10, podczas gdy rozpuszczalnik do przemywania w kolumnie do przemywania jest rozpuszczalnikiem desorpcji, bądź innym przystosowanym rozpuszczalnikiem jak pentan, strumień stopionego paraksylenu zawierający mniejszą część rozpuszczalnika, może być przedestylowany w urządzeniu do destylacji 117. Paraksylen o wysokiej czystości gromadzony jest poprzez linię 118, podczas gdy lekka frakcja zawierająca rozpuszczalnik do przemywania jest zawracana do kolumny NIRO. Ostatecznie roztwór przemywający odbierany poprzez linię 15 i zawierający rozpuszczalnik poddawany jest destylacji w urządzeniu do destylacji 120, rozpuszczalnik częściowo zawraca się do kolumny, a roztwór przemywający pozbawiony w dużej części rozpuszczalnika zawraca się częściowo do pierwszego urządzenia do krystalizacji poprzez linię 121.

189 119

Jak było wspomniane dla danego rysunku powrót ługu macierzystego pochodzącego ze stopnia A krystalizacji do wymienionego stopnia A, bądź ze stopnia B do wymienionego stopnia B. Rozumie się, że te powroty mogą odnosić się do wszystkich rysunków.

Podobnie znane jest, że zawiesina kryształów pochodząca z jednego stopnia krystalizacji może być zawrócona do tego stopnia i ten powrót może odnosić się również do wszystkich rysunków 81 a i 85a.

Często używano w opisie terminu strefa rozdzielania. Rozumie się, że dotyczy on co najmniej jednej wirówki, bądź co najmniej jednego filtru obrotowego, bądź co najmniej jednej kolumny do przemywania w przeciwprądzie rozpuszczalnikiem.

Przez strefę rozdzielania, gdzie odbywa się przemywanie kryształów rozumie się co najmniej jedną wirówkę, bądź co najmniej jeden filtr obrotowy. Stwierdzono, że stosując jako strefę rozdzielania, gdzie odbywa się przemywanie kryształów co najmniej jedną kolumnę do przemywania w przeciwprądzie, na przykład typ NIRO, a w szczególności używając jako rozpuszczalnika do przemywania część zgromadzonego bardzo czystego, stopionego paraksylenu, otrzymuje się wspaniałe rezultaty i zmniejsza niezbędne koszty.

Jak pokazano na schemacie przedstawionym na fig. 1, ług macierzysty pochodzący z urządzenia do krystalizacji 5b zawraca się do aparatu adsorpcji 8. W tym przypadku przy krystalizacji dwu, bądź wielostopniowej, ług macierzysty pochodzi z zimniejszego stopnia krystalizacji po wydzieleniu kryształów paraksylenu (linia 53, fig. 5, linia 87, fig. 7 i 9). Zanieczyszczenia, które cyrkulują w pętli urządzeń adsorpcji, krystalizacji, izomeryzacji mogą być węglowodorami olefmowymi, jak również węglowodorami parafinowymi i naftenowymi, bądź związkami utlenionymi. Mogą one pochodzić ze wsadu poddanego obróbce, który pochodzi z reformingu katalitycznego, jak i z izomeryzacji. Te nieczystości cyrkulują. i mogą więc, znajdować się we wszystkich frakcjach, a zwłaszcza w ekstrakcie i w ługu macierzystym pochodzącym z etapu krystalizacji. Ten ług macierzysty może być wprowadzony poprzez linię 32 połączoną z linią 3 i poprzez linię 53, bądź 87 do co najmniej jednego reaktora obróbki ziemią, korzystnie do dwóch, umiejscowionego powyżej i połączonych poprzez linię 27 z urządzeniem do adsorpcji 8. Do linii 32 może być dołączona linia 1 zawierająca wsad do obróbki i linia 2 zawierająca izomerat, przy czym trzy strumienie są w ten sposób obrobione w mieszaninie w pojedynczym reaktorze 26.

Według innego wariantu wsad 1 może być wstępnie obrobiony w reaktorze obróbki ziemią (nie zaznaczonym na rysunku). Podobnie dla izomeratu 2, który może być również początkowo wstępnie obrobiony po swoim przejściu do urządzenia do destylacji 23.

Według najlepszego wariantu, ług macierzysty 3 może być bezpośrednio wprowadzony do linii 22 wprowadzającej izomerat do urządzenia do destylacji 23, przed obróbką w mieszaninie z przedestylowanym izomeratem w reaktorze obróbki ziemią 26. Ten wariant pozwala wyraźnie wyeliminować wszystkie związki najbardziej lotne nie tylko w izomeracie, ale także w ługu macierzystym.

Podczas gdy urządzenie do destylacji jest tak ustawione, żeby również na spodzie kolumny odebrać dodatkową frakcję zawierającą większość ciężkich związków (węglowodory C9+, aldehydy, ketony), obróbka ziemią przedestylowanej mieszaniny zawierającej izomerat i ług macierzysty jest ogólnie ulepszona.

Część ługu macierzystego może być również zawrócona poprzez linię 31 do odcieku 27 z reaktora 26.

Odciek z reaktora obróbki ziemią i ewentualnie ług macierzysty 31 zawierające jeszcze ciężkie węglowodory takie jak te o dziewięciu atomach węgla, wprowadza się poprzez linię 27 do kolumny destylacyjnej 28, z której na spodzie (linia 29) wypuszcza się niepożądane nieczystości, a na szczycie, destylat odpowiadający oczyszczonej frakcji Cs, którą wprowadza się poprzez linię 4 do urządzenia do adsorpcji 8. Część ługu macierzystego może być również wprowadzona do linii 4 poprzez linię 30.

Te różne powroty mogą być połączone między sobą, wtedy gdy chodzi na przykład 0 powtórne użycie istniejącego urządzenia do destylacji 23, obróbki ziemią 26, bądź destylacji 28 i podczas gdy jedno z urządzeń pracuje z maksymalną wydajnością, bądź także wówczas gdy dążymy do obniżenia zawartości nieczystości w pętli nie dążąc do całkowitego ich wyeliminowania. Ług macierzysty z urządzenia do krystalizacji (stopień najzimniejszy) przenoszony

189 119 poprzez linię 3 może być więc częściowo zawracany do urządzenia do adsorpcji 8, bądź bezpośrednio za pomocą linii 30, bądź nie bezpośrednio za pomocą linii 31, 32, lub 33.

Wtedy gdy utrzymujemy ilość związków o pośredniej lotności w stopniu dopuszczalnym, na przykład niższym od 5%, dokonuje się co najmniej jedno oczyszczenie toluenem zubożonym w wymienione związki za pomocą linii 35 połączonej bądź z linią 17, bądź z linią 14, bądź z linią 11, zbierające całość zawróconego rozpuszczalnika do urządzenia do adsorpcji 8.

Dodatkowo można dokonać oczyszczenia ługu macierzystego pochodzącego z krystalizacji, jeśli zawartość związków o pośredniej lotności jest w nim za wysoka. To oczyszczenie dokonuje się za pomocą linii 34 połączonej z linią 3.

Oczyszczenie toluenu może być wyrównane przez całkowicie nie toluenem. Można zastosować jako źródło całkowicie toluenu, bądź produkt ze szczytu (linia 42) kolumny destylacyjnej 40 toluenu na przodzie reaktora 26 zawierającego ziemię, bądź produkt będący rezultatem by-passu poprzez linię lb co najmniej części wsadu, który miesza się z odciekiem ze spodu kolumny 40, bądź z tym, który wprowadza się do oczyszczonego wsadu (linia 1) przez rozregulowanie kolumny 40, co pozwala na przejście przez frakcję Cg pożądanej ilości toluenu, pod warunkiem, że główne źródła aromatycznej frakcji Cs (linia la) pochodzą z reformingu katalitycznego, dysmutacji (dysproporcjonowania) toluenu w benzen i ksylen i transalkilacji toluenu - aromatycznymi związkami C9 i pod warunkiem, ze odcieki z urządzeń, z których pochodzą są w większej części oczyszczane w ciągu aparatów do destylacji, których kolumna 28 może stanowić część.

F1G.4

53a 53^/\J

189 119

F1G.7

F1G.9

FIG.1

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 50 egz. Cena 4,00 zł.

Claims (40)

1. Zastrzeżenia patentowe

   1. Sposób wydzielania i odzyskiwania paraksylenu ze wsadu, stanowiącego mieszaninę węglowodorów aromatycznych, zawierającą izomery ksylenu, obejmujący kombinację operacji adsorpcji i operacji krystalizacji, znamienny tym, że co najmniej jedną część wsadu i/lub ługu macierzystego powstającego w wyniku krystalizacji, poddaje się operacji obróbki ziemią, przy czym wymienioną ziemię wybiera się z grupy naturalnych glinokrzemianów ewentualnie aktywowanych, w temperaturze od 100°C do 300°C, przy ciśnieniu od 3 do 100 x 10⁵Pa, i przy godzinowym obciążeniu przepływu od 1 do 8.
2. 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że w przypadku, gdy składa się on z kombinacji operacji adsorpcji i krystalizacji z dodatkiem etapu izomeryzacji, w którym wytwarza się izomerat, co najmniej jedną część izomeratu poddaje się obróbce ziemią.
3. 3. Sposób według zastrz. 2, znamienny tym, że co najmniej jedną część wsadu i co najmniej jedną część izomeratu poddaje się operacji obróbki ziemią.
4. 4. Sposób według zastrz. 2 albo 3, znamienny tym, że obróbkę ziemią przeprowadza się w temperaturze od 160°C do 230°C, przy ciśnieniu od 4 do 20 x 105 Pa i pr_Zy godzinowym obciążeniu przepływu od 1 do 4.
5. 5. Sposób wydzielania i odzyskiwania paraksylenu zawartego we wsadzie węglowodorów, składającym się z aromatycznych węglowodorów C₈, w którym:

   podaje się kontaktowi, w co najmniej jednej strefie adsorpcji (8), wymieniony wsad (1) zawierający co najmniej z metaksylen oraz paraksylen, z co najmniej jedną substancją adsorbującą, w obecności co najmniej jednego rozpuszczalnika desorpcji, tak aby otrzymać pierwszą frakcję zawierającą rozpuszczalnik, metaksylen i ewentualnie etylobenzen i/lub ortoksylen i drugą frakcję zawierającą rozpuszczalnik istotnie wzbogacony w paraksylen, destyluje się pierwszą frakcję (12) dla odzyskania mieszaniny metaksylenu i ewentualnie etylobenzenu i/lub ortoksylenu, izomeryzuje się częściowo wymienioną mieszaninę w odpowiednich warunkach w co najmniej jednej strefie izomeryzacji (21) i odzyskuje się izomerat, który co najmniej częściowo zawraca się do strefy adsorpcji, destyluje się wymienioną drugą frakcję (16) dla otrzymania istotnie wzbogaconego paraksylenu i przeprowadza się jego krystalizację, otrzymując z jednej strony ług macierzysty, który przynajmniej częściowo zawraca się (3) do etapu adsorpcji, a z drugiej strony kryształy paraksylenu, znamienny tym, że prowadzi się cyrkulację co najmniej części składnika wybranej spośród co najmniej części wsadu (1), co najmniej części izomeratu (2) i co najmniej części ługu macierzystego (3), (32) w co najmniej jednej strefie (26) obróbki ziemią, przy czym wymienioną ziemię wybiera się z grupy naturalnych glinokrzemianów ewentualnie aktywowanych w temperaturze od od 100°C do 300°C, przy ciśnieniu od 3 do 100 x 105 Pa, i przy godzinowym obciążeniu przepływu od 1 do 8 i odzyskuje się pierwszy odciek (27), który wprowadza się co najmniej w części do strefy adsorpcji (8), dla wytworzenia wymienionej pierwszej i drugiej frakcji, które odbiera się ze strefy adsorpcji.
6. 6. Sposób według zastrz. 5, znamienny tym, że kryształy paraksylenu przemywa się odpowiednim przemywającym rozpuszczalnikiem w co najmniej jednej strefie przemywania i odzyskuje się kryształy paraksylenu o bardzo wysokim stopniu czystości.
7. 7. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że prowadzi się cyrkulację co najmniej jednego składnika wsadu (1) i izomeratu w co najmniej jednej strefie obróbki ziemią.
8. 8. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że prowadzi się cyrkulację co najmniej jednego składnika spośród wsadu, izomeratu (2) i ługu macierzystego w jednej lub w kilku strefach obróbki ziemią.
9. 9. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że w strefie adsorpcji, adsorpcję prowadzi się na symulowanym złożu ruchomym.
10. 10. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że co najmniej część ługu macierzystego (3), (33) wprowadza się do kolumny destylacyjnej (23) poniżej strefy (21) izomeryzacji, destyluje się izomerat i ług macierzysty, otrzymuje się na szczycie frakcję składającą się z lekkich związków i frakcję składającą się z mieszaniny przedestylowanych ługu macierzystego i izomeratu, którą następnie wprowadza się do strefy (26) obróbki ziemią i odzyskuje się drugi odciek.
11. 11. Sposób według zastrz. 10, znamienny tym, że ponadto pogoń składający się z ciężkich związków odbierany jest z kolumny destylacyjnej (23).
12. 12. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że część ługu macierzystego (31) miesza się z pierwszym lub drugim odciekiem ze strefy obróbki ziemią i odzyskuje się trzeci odciek.
13. 13. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że pierwszy, drugi, lub trzeci odciek ze strefy obróbki ziemią destyluje się w co najmniej jednej kolumnie destylacyjnej (28) zwanej „kolumna rerun”, z której odbiera się pogoń (29) zawierający ciężkie związki i frakcję szczytową (4), którą wprowadza się do strefy adsorpcji (8).
14. 14. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że obróbkę ziemią przeprowadza się w temperaturze od 160°C do 230°C, przy ciśnieniu od 4 do 20 x ł0⁵ Pa i przy godzinowym obciążeniu przepływu od 1 do 4.
15. 15. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że co najmniej część ługu macierzystego oczyszcza się przed wprowadzeniem do strefy obróbki ziemią.
16. 16. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, ze rozpuszczalnik desorpcji otrzymywany w etapach destylacji pierwszej frakcji i destylacji drugiej frakcji oczyszcza się co najmniej częściowo przed zawróceniem i wyrównuje się jego czystość poprzez dodanie nowego rozpuszczalnika, do wsadu, lub przed strefą adsorpcji.
17. 17. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że prowadzi się jednostopniową krystalizację (50) paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji, odzyskuje się zawiesinę kryształów (51) w ługu macierzystym, wydziela się kryształy z ługu macierzystego w strefie (52) rozdzielania, przemywa się otrzymane kryształy rozpuszczalnikiem do przemywania, odzyskuje się roztwór przemywający, zawraca się co najmniej część ługu macierzystego (53) i co najmniej część roztworu przemywającego i topi się (58) całkowicie kryształy paraksylenu w taki sposób, aby otrzymać strumień stopionego ciekłego paraksylenu.
18. 18. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że strefa rozdzielania i przemywania jest co najmniej jedną kolumną (52) do przemywania w przeciwprądzie, do której wprowadza się jako rozpuszczalnik do przemywania (59b) co najmniej część strumienia stopionego, ciekłego paraksylenu i w którym ług macierzysty i roztwór przemywający są tym samym roztworem (53), który co najmniej częściowo zawracany jest do strefy adsorpcji (8) i ewentualnie częściowo do strefy krystalizacji (50).
19. 19. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że strefę rozdzielania i przemywania stanowi co najmniej jedna wirówka, lub co najmniej jeden filtr obrotowy, do którego wprowadza się jako rozpuszczalnik do przemywania co najmniej część strumienia stopionego ciekłego paraksylenu i w którym ług macierzysty i roztwór przemywający zawraca się do strefy adsorpcji i ewentualnie częściowo do strefy krystalizacji.
20. 20. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że rozpuszczalnik do przemywania jest rozpuszczalnikiem desorpcji, i że destyluje się (60) ciekły strumień paraksylenu w taki sposób, aby odzyskać we frakcji na szczycie, rozpuszczalnik do przemywania (56), który co najmniej częściowo zawraca się do strefy przemywania (52) kryształów, a we frakcji pogonu ciekły paraksyłen (61) o bardzo wysokiej czystości i że albo zawraca się ług macierzysty (53) zawierający rozpuszczalnik do przemywania do strefy adsorpcji (8) i ewentualnie jego część do strefy krystalizacji (50), po jego ewentualnym przedestylowaniu, gdy strefa do przemywania jest kolumną do przemywania w przeciwprądzie, albo zawraca się ług macierzysty (53) do strefy adsorpcji (8) i ewentualnie jego część do strefy krystalizacji (50), a roztwór przemywający do strefy destylacji drugiej frakcji, gdy strefą przemywania jest wirówka lub filtr obrotowy (52).
21. 21. Sposób według zastrz. 17, znamienny tym, że rozpuszczalnik do przemywania jest rozpuszczalnikiem innym niż strumień stopionego ciekłego paraksylenu i innym niz rozpuszczalnik desorpcji i że destyluje się ciekły strumień stopionego paraksylenu w taki sposób, aby odzyskać na szczycie, rozpuszczalnik, który co najmniej częściowo zawraca się do strefy

    189 119 przemywania kryształów, a na spodzie ciekły paraksylen o bardzo wysokiej czystości i że albo zawraca się ług macierzysty zawierający roztwór przemywający do strefy adsorpcji i ewentualnie jego część do strefy krystalizacji, po jego przedestylowaniu, przy czym rozpuszczalnik zawraca się do strefy przemywania, gdy strefa przemywania jest strefą do przemywania w przeciwprądzie, bądź zawraca się ług macierzysty do strefy adsorpcji i ewentualnie jego część do strefy krystalizacji, a roztwór przemywający po jego przedestylowaniu do strefy adsorpcji i ewentualnie jego część do strefy krystalizacji, przy czym rozpuszczalnik zawraca się do strefy przemywania, gdy strefą przemywania jest wirówka bądź filtr obrotowy.
22. 22. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji w pierwszej strefie (50) krystalizacji w temperaturze Ti, odzyskuje się zawiesinę (51) pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, rozdziela się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie (52) rozdzielania, zawraca się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego do strefy (8) adsorpcji, topi się (58) pierwsze rozdzielone kryształy i krystalizuje się je w drugiej strefie (70) krystalizacji w temperaturze T2 wyższej od Ti, odzyskuje się zawiesinę (71) drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, rozdziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie (72) rozdzielania, przemywa się drugie kryształy rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się roztwór przemywający, zawraca się co najmniej część drugiego ługu macierzystego (73) i co najmniej część roztworu przemywającego do pierwszej strefy krystalizacji, i ewentualnie część do drugiej strefy krystalizacji i topi się (76) całkowicie drugie kryształy paraksylenu w taki sposób, aby otrzymać strumień (77) stopionego ciekłego paraksylenu.
23. 23. Sposób według zastrz. 22, znamienny tym, że rozpuszczalnik do przemywania jest częścią strumienia ciekłego stopionego paraksylenu, a roztwór przemywający i drugi ług macierzysty są tym samym roztworem zawróconym co najmniej częściowo do pierwszej strefy krystalizacji i ewentualnie częściowo do drugiej strefy krystalizacji.
24. 24. Sposób według zastrz. 22, znamienny tym, że jako rozpuszczalnik do przemywania stosuje się rozpuszczalnik desorpcji, korzystnie toluen i że destyluje się (60) ciekły strumień paraksylenu w taki sposób, aby odzyskać we frakcji na szczycie, rozpuszczalnik do przemywania, który co najmniej częściowo zawraca się do drugiej (72) strefy rozdzielania, a w pogonie ciekły paraksylen o bardzo wysokim stopniu czystości i że albo destyluje się ewentualnie drugi ług macierzysty zawierający roztwór przemywający przed jego zawróceniem, gdy drugą strefą rozdzielania jest kolumna do przemywania w przeciwprądzie, albo destyluje się roztwór przemywający przed jego zawróceniem do pierwszego urządzenia do krystalizacji i/lub do drugiego urządzenia do krystalizacji, gdy drugą strefę rozdzielania stanowi wirówka lub filtr obrotowy.
25. 25. Sposób według zastrz. 22, znamienny tym, że jako rozpuszczalnik do przemywania stosuje się rozpuszczalnik inny niż strumień stopionego ciekłego paraksylenu i niż rozpuszczalnik desorpcji i że destyluje się (60) ciekły strumień stopionego paraksylenu pochodzącego z zawiesiny drugich kryształów w taki sposób, aby odzyskać we frakcji szczytowej, rozpuszczalnik do przemywania, którego co najmniej część zawraca się do drugiej strefy rozdzielania, a w pogonie ciekły paraksylen o bardzo wysokiej czystości, i że albo destyluje się ług macierzysty zawierający roztwór przemywający przed jego zawróceniem do pierwszej strefy krystalizacji i ewentualnie jego części do drugiej strefy krystalizacji, gdy strefa rozdzielania jest kolumną w przeciwprądzie, albo zawraca się ług macierzysty do pierwszej strefy krystalizacji ewentualnie jego część do drugiej strefy krystalizacji, destyluje się roztwór przemywający przed jego zawróceniem do pierwszej strefy krystalizacji i ewentualnie jego część do drugiej strefy krystalizacji, gdy strefę rozdzielania stanowi wirówka bądź filtr obrotowy.
26. 26. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji w pierwszej strefie (70) krystalizacji w temperaturze Ti, odzyskuje się zawiesinę (8l) pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, rozdziela się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie (82) rozdzielania, przemywa się ewentualnie pierwsze kryształy rozpuszczalnikiem do przemywania w pierwszej strefie do rozdzielania, krystalizuje się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie (50) krystalizacji w temperaturze T2 niższej od temperatury Ti, odzyskuje się zawiesinę (85) drugich kryształów paraksylenu

    189 119 w drugim ługu macierzystym, rozdziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie (86) rozdzielania, przemywa się drugie kryształy rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty (87), którego co najmniej część zawraca się do strefy adsorpcji (8), miesza się pierwsze i drugie kryształy paraksylenu, topi się je (89) całkowicie i odzyskuje strumień (90) stopionego paraksylenu.
27. 27. Sposób według zastrz. 26, znamienny tym, że co najmniej część stopionego strumienia paraksylenu odbiera się wstępnie i stosuje się jako rozpuszczalnik do przemywania w pierwszej strefie (82) rozdzielania i w drugiej strefie (86) rozdzielania.
28. 28. Sposób według zastrz. 26, znamienny tym, że jako rozpuszczalnik do przemywania stosuje się rozpuszczalnik desorpcji, korzystnie toluen i destyluje się strumień stopionego paraksylenu, odzyskuje się szczytową frakcję zawierającą rozpuszczalnik do przemywania, którą co najmniej częściowo zawraca się do pierwszej i drugiej strefy rozdzielania i pogoń zawierający ciekły paraksylen o bardzo wysokiej czystości.
29. 29. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, ze prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji i ewentualnie, stopionych zawróconych kryształów pochodzących z poniższej drugiej krystalizacji w pierwszej strefie (70) krystalizacji w temperaturze Ti, odzyskuje się zawiesinę (81) kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, rozdziela się kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie (82) rozdzielania, przemywa się wymienione kryształy w wymienionej strefie, topi się je (100) i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu, krystalizuje się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego (83) w drugiej strefie (50) krystalizacji w temperaturze T₂ niższej od Tj, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, rozdziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie (86) rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty (87), którego co najmniej część zawraca się do strefy adsorpcji, topi się (103) ewentualnie drugie kryształy i zawraca się kryształy ewentualnie stopione do pierwszej strefy krystalizacji, aby je poddać ponownej krystalizacji z paraksylenem z etapu destylacji drugiej frakcji w temperaturze Ti.
30. 30. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji i ewentualnie stopionych, zawróconych, kryształów pochodzących z poniższej drugiej krystalizacji w pierwszej strefie (70) krystalizacji w temperaturze Ti, odzyskuje się zawiesinę (81) kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, rozdziela się kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie (82) rozdzielania, przemywa się wymienione kryształy w wymienionej strefie, topi się je (100) i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu, krystalizuje się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego (83) w drugiej strefie (50) krystalizacji w temperaturze T2 niższej od Ti, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, rozdziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie (86) rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty (87), którego co najmniej część zawraca się do strefy adsorpcji, topi się (103) częściowo drugie kryształy i zawraca się kryształy w zawiesinie do pierwszej strefy krystalizacji, aby je poddać ponownej krystalizacji z paraksylenem z etapu destylacji drugiej frakcji w temperaturze Ti.
31. 31. Sposób według zastrz. 29, znamienny tym, że co najmniej część stopionego strumienia paraksylenu, pochodzącego z pierwszej strefy rozdzielania stosuje się jako rozpuszczalnik do przemywania.
32. 32. Sposób według zastrz. 29, znamienny tym, że rozpuszczalnik do przemywania jest rozpuszczalnikiem desorpcji i że destyluje się strumień stopionego paraksylenu pochodzący z pierwszej strefy krystalizacji i odzyskuje się w szczytowej frakcji rozpuszczalnik do przemywania, który co najmniej częściowo zawraca się do pierwszej strefy rozdzielania, a w pogonie odzyskuje się ciekły paraksylen o bardzo wysokim stopniu czystości.
33. 33. Sposób według zastrz. 5 albo 6, znamienny tym, że prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu destylacji drugiej frakcji w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze Ti, odzyskuje się zawiesinę pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, rozdziela się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie (82) rozdzielania, krystalizuje się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie (50) krystalizacji w temperaturze T₂ niższej od Ti, wydziela się drugie kryształy

    189 119 z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie (86) rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty, którego co najmniej część zawraca się do strefy adsorpcji (8), odzyskuje się pierwsze i drugie kryształy i przemywa się je w co najmniej jednej strefie (110) rozdzielania i przemywania w przeciwprądzie rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania, odzyskuje się część roztworu (115) przemywającego, który co najmniej częściowo zawraca się do pierwszej strefy (70) krystalizacji, odzyskuje się inną część kryształów paraksylenu, topi się je całkowicie w strefie topienia (112) i odbiera się strumień stopionego paraksylenu.
34. 34. Sposób według zastrz. 33, znamienny tym, że część strumienia stopionego paraksylenu pobiera się wstępnie i stosuje jako rozpuszczalnik do przemywania.
35. 35. Sposób według zastrz. 33, znamienny tym, że rozpuszczalnik do przemywania jest rozpuszczalnikiem desorpcji i że, destyluje się strumień stopionego paraksylenu, odbiera się rozpuszczalnik do przemywania, który częściowo zawraca się do strefy do przemywania, destyluje się roztwór przemywający przed jego zawróceniem do pierwszej strefy krystalizacji i zawraca się co najmniej częściowo rozpuszczalnik do przemywania do strefy do przemywania.
36. 36. Sposób według zastrz. 21, znamienny tym, że część pierwszego ługu macierzystego zawraca się do pierwszej strefy krystalizacji, a część drugiego ługu macierzystego do drugiej strefy krystalizacji.
37. 37. Sposób według zastrz. 6, znamienny tym, że strefa rozdzielania, w której prowadzi się przemywanie kryształów zawiera co najmniej jedną kolumnę do przemywania w przeciwprądzie.
38. 38. Sposób według zastrz. 6, znamienny tym, że strefa rozdzielania, w której prowadzi się przemywanie kryształów zawiera co najmniej jedną wirówkę bądź co najmniej jeden filtr obrotowy.
39. 39. Sposób według zastrz. 6, znamienny tym, że jako rozpuszczalnik desorpcji stosuje się toluen i że przeprowadza się cyrkulację części wsadu w kolumnie destylacyjnej (40), aby odebrać co najmniej część toluenu (32) i że wprowadza się wymieniony toluen jako dodatek do rozpuszczalnika desorpcji.
40. 40. Sposób według zastrz. 6, znamienny tym, że jako rozpuszczalnik desorpcji stosuje się toluen albo paradietylobenzen.