PL154684B1 - A method of fundamentally pure aluminium oxide production - Google Patents
A method of fundamentally pure aluminium oxide productionInfo
- Publication number
- PL154684B1 PL154684B1 PL1987267770A PL26777087A PL154684B1 PL 154684 B1 PL154684 B1 PL 154684B1 PL 1987267770 A PL1987267770 A PL 1987267770A PL 26777087 A PL26777087 A PL 26777087A PL 154684 B1 PL154684 B1 PL 154684B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- alumina
- oxidation reaction
- reaction product
- aluminum
- parent metal
- Prior art date
Links
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 101
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 79
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 55
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims abstract description 38
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 61
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 30
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 28
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 7
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 2
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 18
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 15
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 air) Chemical compound 0.000 description 6
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002063 parent metal alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- CQBLUJRVOKGWCF-UHFFFAOYSA-N [O].[AlH3] Chemical compound [O].[AlH3] CQBLUJRVOKGWCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000008241 heterogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F7/00—Compounds of aluminium
- C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
- C01F7/38—Preparation of aluminium oxide by thermal reduction of aluminous minerals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F7/00—Compounds of aluminium
- C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
- C01F7/46—Purification of aluminium oxide, aluminium hydroxide or aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F7/00—Compounds of aluminium
- C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
- C01F7/42—Preparation of aluminium oxide or hydroxide from metallic aluminium, e.g. by oxidation
- C01F7/422—Preparation of aluminium oxide or hydroxide from metallic aluminium, e.g. by oxidation by oxidation with a gaseous oxidator at a high temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/65—Reaction sintering of free metal- or free silicon-containing compositions
- C04B35/652—Directional oxidation or solidification, e.g. Lanxide process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Prostheses (AREA)
- Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
- Soil Conditioners And Soil-Stabilizing Materials (AREA)
Description
RZECZPOSPOLITA OPIS PATENTOWY 154 684 POLSKA
Patent dodatkowy do patentu nr--Zgłoszono: 87 09 15 (P. 267770)
Pierwszeństwo: 86 09 16 Stany Zjednoczone Ameryki
Int. Cl.5 C0JF 7/42 C04B 35/10
CZYTELNIA
CC 0 ŁB A
URZĄD
PATENTOWY
RP
Zgłoszenie ogłoszono: 88 07 21
Opis patentowy opublikowano: 1992 02 28
Twórca wynalaaku-Uprawniony z patentu: Lanxide Technology Company,
LP, Newark (Stany Zjednoczone Ameryki)
Sposób wytwarzania zasadniczo czystego tlenu glinu
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania zasadniczo czystego tlenku glinu, a zwłaszcza sposób wytwarzania zasadniczo czystego tlenku glinu pochodzącego z zanieczyszczonego i oczyszczonego produktu nietypowej reakcji utleniania z zastosowaniem macierzystego glinu i gazu zawierającego tlen. Wynalazek dotyczy również sposobu podnoszeniajakości tlenku glinu o małej czystości dla uzyskania glinu o wyższej czystości.
Z książki „Preparatyka nieorganiczna, Supniewski, PWN W-wa 1958 str. 575, jest znany sposób wytwarzania oczyszczonego tlenku glinu poprzez utlenianie stopionego aluminium oraz rozdrabnianie i oczyszczanie produktu w drodze ługowania.
Znane są sposoby wytwarzania samonośnej masy ceramicznej przez utlenianie materiału macierzystego dla uzyskania polikrystalicznego materiału jako produktu reakcji utleniania i ewentualnie składników metalicznych.
Nowe polikrystaliczne materiały ceramiczne lub złożone ceramiczne materiały polikrystaliczne są wytwarzane poprzez reakcję utleniania pomiędzy metalem macierzystym a utleniaczem w gazowej formie, tj. materiałem odparowanym względnie samoistnie gazowym, jako atmosferą utleniającą. Według tego sposobu, materiał macierzysty, np. glin, jest ogrzewany do podwyższonej temperatury, przekraczającej jego punkt topnienia, lecz niższej niż punkt topnienia produkcji reakcji utleniania, tworząc masę stopionego materiału macierzystego, reagującą po zetknięciu z utleniaczem w fazie gazowej dla utworzenia produktu reakcji utleniania. W tej temperaturze, produkt reakcji utleniania lub przynajmniej jego część, kontaktuje się i znajduje się pomiędzy masą stopionego metalu macierzystego a utleniaczem, a stopiony metal jest odciągany lub transportowany przez utworzony produkt reakcji utleniania w stronę utleniacza. Transportowany stopiony metal tworzy dodatkowy produkt reakcji utleniania po zetknięciu z utleniaczem, przy powierzchni uprzednio utworzonego produktu reakcji utleniania. W miarę przebiegu tego procesu, przez formację polikrystalicznego produktu reakcji utleniania jest transportowany dodatkowy metal, powodujący ciągłe „narastanie ceramicznej struktury o wewnętrznie połączonych ziarnach krystalicznych. Otrzymana masa krystaliczna może zawierać składniki metaliczne, takie jak nieutlenione
154 684 składniki metalu macierzystego i/lub przestrzenie puste. W przypadku tlenku jako produktu reakcji utleniania, odpowiednimi utleniaczami są tlen lub mieszanki gazów zawierających tlen (włącznie z powietrzem), przy czym powietrze jest zwykle zalecane z oczywistych względów ekonomicznych. Jednakże, utlenianie w szerokim sensie jest wykorzystane we wszystkich powszechnie dostępnych zgłoszeniach patentowych oraz w tym zgłoszeniu, i dotyczy utraty lub podziału elektronów przez metal na rzecz utleniacza, który może stanowić jeden lub więcej pierwiastków i/lub związków.
W niektórych przypadkach, metal macierzysty może wymagać obecności jednej lub więcej domieszek dla korzystnego wpływu lub ułatwienia narastania produkcji reakcji utlaniania, które to domieszki stanowią składniki stopowe metalu macierzystego. Przykładowo, w przypadku glinu jako materiału macierzystego i powietrza jako utleniacza, poddaje się stopieniu z glinem domieszki takie jak magnez i krzem, żeby przytoczyć tylko dwa z obszerniejszej klasy materiałów domieszkowych, i stosuje się jako materiał macierzysty. Otrzymany produkt reakcji utleniania zawiera glin, zwykle glin-alfa.
Inny znany sposób oparty jest o odkrycie, że odpowiednie warunki narastania dla materiałów macierzystych wymagających domieszek, mogą być indukowane przez zastosowanie jednego lub więcej materiałów domieszkowych na powierzchni lub powierzchniach materiału macierzystego, unikając w ten sposób konieczności stapiania materiału macierzystego z materiałami domieszkowymi, np. metalami takimi jak magnez, cynk i krzem, w przypadku, gdy materiałem macierzystym jest glin, a utleniaczem jest powietrze. Według tego sposobu, ułatwione jest zużycie dostępnych powszechnie metali i stopów, które mogłyby nie zawierać domieszek, lub mogą mieć odpowiednie domieszkowane składy. Odkrycie to jest korzystne także z tego względu, że można realizować narastanie ceramiki na jednej lub więcej wybranych powierzchni metalu macierzystego zamiast przypadkowego, przez co proces staje się bardziej skutecznie wykorzystany, przykładowo przez domieszkowanie tylko jednej powierzchni lub tylko części powierzchni metalu macierzystego.
Tym sposobem wytwarza się tlenek glinu jako produkt reakcji utleniania, łatwo „narastający do stosunkowo dużych rozmiarów, który następnie może stanowić źródło produktów glinowych.
Inny znany sposób wytwarzania nowych struktur ceramicznych, wykorzystuje reakcję utleniania dla wytworzenia ceramicznych struktur złożonych, zawierających zasadniczo obojętny wypełniacz nasycony ceramiczną osnową polikrystaliczną. Materiał macierzysty, umieszczony w sąsiedztwie masy przenikalnego wypełniacza zostaje ogrzany tworząc masę stopionego materiału macierzystego, który reaguje z utleniaczem w fazie gazowej, jak opisano powyżej, tworząc produkt reakcji utleniania. W miarę narastania produktu reakcji utleniania i nasycania sąsiadującego materiału wypełniacza, stopiony materiał macierzysty jest odciągany przez uprzednio utworzony produkt reakcji utleniacza do masy wypełniacza i reaguje z utleniaczem, tworząc dodatkowy produkt reakcji utleniacza przy powierzchni uprzednio utworzonego produktu, jak opisano powyżej. Wynikające stąd narastanie produktu reakcji utleniania powoduje infiltrację lub wnikanie do wypełniacza, powodując powstawanie złożonej struktury ceramicznej z polikrystalicznego materiału ceramicznego, osadzonego w wypełniaczu.
Przykładowo, w przypadku zastosowania jako materiału macierzystego domieszkowanego glinu, powietrza jako utleniacza i cząsteczk lub proszku tlenku glinowego jako przepuszczalnego wypełniacza, uzyskuje się złożoną strukturę jak opisano powyżej, która zwykle składa się zasadniczo z cząstek tlenku glinu w osnowie z tlenku glinu, w której są osadzone rozmaite składniki metaliczne.
Sposób wytwarzania zasadniczo czystego tlenku glinu, polegający na utlenianiu stopionego glinowego metalu macierzystego za pomocą zawierającego tlen utleniacza gazowego, oraz na rozdrabnianiu i oczyszczaniu otrzymywanego produktu, według wynalazku charakteryzuje się tym, że umieszcza się glinowy metal macierzysty w sąsiedztwie przepuszczalnej masy tlenkowego wypełniacza zawierającego przynajmniej jeden składnik podlegający aluminotermicznej redukcji, prowadząc do powstawania produktu reakcji utleniania glinowego metalu macierzystego w kierunku i w głąb masy tlenkowego materiału wypełniacza, następnie ogrzewa się wspomniany metal macierzysty od temperatury ponad jego punkt topnienia, ale poniżej punktu topnienia produktu reakcji utleniania dla utworzenia masy stopionego metalu macierzystego, co powoduje reagowanie
154 684 tego stopionego metalu macierzystego z zawierającym tlen utleniaczem w fazie gazowej w wyżej określonej temperaturze dla utworzenia produktu reakcji utleniania oraz utrzymuje się w tej temperaturze przynajmniej część produktu reakcji utleniania w kontakcie i pomiędzy masą stopionego metalu i utleniaczem, dla osiągnięcia stopionego metalu przez produkt rekacji utleniania w kierunku utleniacza oraz w kierunku i w głąb sąsiedniej masy wypełniacza tlenkowego, tak że świeży produkt reakcji utleniania formuje się w obrębie masy wypełniacza tlenkowego przy powierzchni pośredniej pomiędzy utleniaczem a uprzednio utworzonym produktem reakcji utleniania, przy czym procesy te kontynuuje się przez okres wystarczający do osadzenia przynajmniej części wspomnianego wypełniacza tlenkowego w obrębie produktu reakcji utleniania w celu wytworzenia masy ceramicznej zawierającej tlenek glinu oraz przynajmniej jeden resztkowy składnik metaliczny, przez co określony wyżej, przynajmniej jeden, składnik podlegający aluminotermicznej redukcji zostaje przynajmniej częściowo zredukowany i jest zawarty w przynajmniej jednym resztkowym składniku metalicznym, a następnie rozdrabnia się uzyskaną masę ceramiczną i stosując przynajmniej jeden składnik ługujący, powodujący rozpuszczenie lub usuwanie tego przynajmniej jednego resztkowego składnika metalicznego bez zasadniczej degradacji tego tlenku glinu kontaktuje się rozdrobnioną masę ceramiczną z tym środkiem ługującym przez okres czasu wystarczający do usunięcia lub rozpuszczenia tego przynajmniej jednego resztkowego składnika metalicznego z zanieczyszczonej masy ceramicznej.
Na powierzchni masy ceramicznej korzystnie wytwarza się warstwę inicjującą w etapie ogrzewania, którą to warstwę następnie usuwa się przed etapem rozdrabniania masy. Jako warstwę inicjującą stosuje się materiał spinelowy. Jako wspomniany zawierający tlen utleniacz w fazie gazowej, korzystnie stosuje się powietrze. Korzystnie w połączeniu z. glinowym metalem macierzystym stosuje się domieszkę.
Środek ługujący stanowi korzystnie przynajmniej jeden materiał kwasowy i/lub przynajmniej jeden materiał zasadowy. Materiał kwasowy wybiera z grupy składającej się z HF, HC1, HBr, HI, H2SO4, HNO3 i H3PO4, względnie stanowi wodę królewską lub mieszankę HNO3 i HF.
Materiał zasadowy wybiera się z grupy składającej się z NaOH, KOH i NH4OH.
Po uzyskaniu zasadniczo czystego tlenku glinu w etapie ługowania, korzystnie ponownie rozdrabnia się ten tlenek glinu na mniejszy rozmiar cząsteczkowy, po czym kontaktuje się ten ponownie rozdrobniony tlenek glinu ze środkiem ługującym dla dalszego usunięcia lub rozpuszczenia wspomnianego przynajmniej jednego resztkowego składnika metalicznego, i odzyskuje się tlenek glinu o jeszcze większym stopniu czystości. Otrzymany tlenek glinu ma czystość nie mniejszą niż 99,9% wagowych, a korzystnie 99,99% lub wyższą.
Tlenek glinu otrzymany sposobem według wynalazku obecnego wynalazku ma nadzwyczaj czyste granice ziaren, w których nie występuje inna faza. Wyraża się to we właściwości przełomu wewnątrz-ziarnistego materiału, która to cecha nie występuje w tradycyjnie wytwarzanych tlenkach glinu. Taka właściwość nowego tlenku glinu pozwala na uzyskanie lepszych efektów w niektórych zastosowaniach, takich jak środki ścierne i polerujące.
Sposób według wynalazku pozwala również na wytwarzanie tlenku glinu o dużej czystości nie tylko poprzez reakcję utleniania macierzystego metalu glinowego, ale również poprzez podnoszenie czystości niższej klasy rozdrobnionego tlenku glinu w drodze równoczesnej glinotermicznej redukcji innych zanieczyszczeń tlenkowych w produkcie otrzymywanym podczas procesu narastania utleniania. W tym przypadku, glinowy materiał macierzysty jest umieszczony lub ukierunkowany względem przepuszczalnej masy materiału wypełniacza na bazie tlenku glinu w obecności utleniacza (zwykle powietrza), tak że formowanie i narastanie produktu reakcji utleniania będzie postępowało w głąb masy wypełniacza. Narastanie produktu reakcji utleniania powoduje infiltrację lub osadzanie w masie wypełniacza, formując tym samym złożoną strukturę ceramiczną metaliczno-tlenkowo-glinową. Wypełniacz z tlenku glinu może stanowić sypką lub spójną bryłę, charakteryzującą się szczelinami, otworami lub przestrzeniami, przy czym ta bryła lub masa jest przepuszczalna dla utleniacza w fazie gazowej i narastania produktu reakcji utleniania. Używana tu i w załączonych zastrzeżeniach termin „wypełniacz lub „materiał wypełniający oznacza albo jednorodną mieszaninę na bazie tlenku glinu, albo niejednorodną mieszaninę na bazie tlenku glinu, zawierającą dwa lub więcej materiałów.
154 684
Produkt reakcji utleniania narasta w głąb wypełniacza bez powodowania przemieszczania składników wypełniacza, tworzących mieszankę tlenkowo-glinowo-metaliczną. Zanieczyszczenia tlenkowe w wypełniaczu na bazie tlenku glinu są redukowane w drodze aluminotermicznej redukcji dla uzyskania czystego tlenku glinu i składników metalicznych. Otrzymana mieszanina tlenku glinu i składników metalicznych jest następnie kruszona lub inaczej rozdrabniana, zaś zanieczyszczenia metaliczne są usunięte poprzez ługowanie za. pomocą czynników wypłukujących, co pozwala na uzyskanie cząsteczkowego tlenku glinu o dużej czystości.
W opisie i załączonych zastrzeżeniach następujące terminy mają następujące znaczenia:
„Ceramiczny nie jest określeniem ograniczonym do masy ceramicznej w klasycznym sensie, to znaczy, że składa się ona w całości z materiałów niemetalicznych i nieorganicznych, ale dotyczy masy, która jest zasadniczo ceramiczna pod względem albo składu lub dominującyh właściwości, jakkolwiek masa ta może zawierać niewielkie lub znaczne ilości jednego lub więcej składników metalicznych, pochodzących z glinowego materiału macierzystego, lub wyredukowanych z domieszek lub wypełniacza, najczęściej w zakresie od około 1-40% objętości, jakkolwiek zawartość metalu może być jeszcze większa.
„Produkt reakcji utleniania oznacza jeden lub więcej metali w dowolnym stanie utleniania, w którym metal(e) mają elektrony oddane lub podzielone z innym pierwiastkiem, związkiem lub ich kombinacją. Odpowiednio do tego, „produkt reakcji utleniania według tego określenia dotyczy produktu reakcji glinowego materiału macierzystego z tlenem.
„Utleniacz, „utleniacz w fazie gazowej lub tym podobne określenia identyfikujące ulteniacz jako zawierający szczególny gaz lub parę oznaczają utleniacz, w którym identyfikowany gaz lub para stanowi wyłącznie, lub głównie, lub przynajmniej znaczną ilość utleniacza metalu macierzystego w warunkach zastosowanego środowiska utleniającego. Przykładowo, jakkolwiek głównym składnikiem powietrza jest azot, to jedynym utleniaczem metalu macierzystego jest zawarty w nim tlen, ponieważ tlen jest znacznie silniejszym utleniaczem niż azot. Tak więc powietrze mieści się w określeniu utleniacza jako „gazu zawierającego tlen.
„Metal macierzysty odnosi się do metalu, tj. glinu, który stanowi prekursor polikrystalicznego produktu reakcji utleniania, i obejmuje ten metal jako stosunkowo czysty metal, dostępny w handlu metal z zanieczyszczeniami i/lub składnikami stopowymi lub stop, w którym główny składnik stanowi ten metalowy prekursor, zaś gdy jako metal macierzysty jest wskazany glin metaliczny, wówczas określenie to dotyczy tego metalu, o ile nie wynika inaczej z kontekstu.
Według wynalazku, glinowy metal macierzysty, (który zwykle jest domieszkowany, jak wyjaśniono bardziej szczegółowo poniżej) jako perkursor produktu reakcji utleniania w postaci tlenku glinu, jest formowany jako wlewek, kęs, pręt, płyta lub podobnie, i umieszczony w obojętnym złożu tyglowego lub innego pojemnika ogniotrwałego. Ten pojemnik wraz z zawartością jest umieszczony w piecu, do którego jest doprowadzany zawierający tlen utleniacz w fazie gazowej. Zestaw ten jest ogrzewany do temperatur poniżej punktu topnienia produktu reakcji utleniania w postaci tlenku glinu, jednakże powyżej punktu topnienia glinowego metalu macierzystego, które to temperatury są zwykle pomiędzy około 850-1450°C, a bardziej korzystnie pomiędzy około 900-1350°C. W obrębie tego roboczego przedziału iub zakresu temperatur, masa lub bryła stopionego metalu po zetknięciu z zawierającym tlen utleniaczem w fazie gazowej reaguje tworząc warstwę produktu reakcji utleniania w postaci tlenku glinu. Jednakże w pewnych przypadkach, w których zastosowano domieszkę w rodzaju magnezu w połączeniu z glinowym matriałem macierzystym, tworzenie się tlenkowoglinowego produktu reakcji utleniania może być poprzedzone formowaniem się cienkiej warstwy spinelowej, takiej jak spinel glinianu magnezu (jak opisano szczegółowo poniżej). Pod wpyłwem ciągłego wystawienia na działanie środowiska utleniającego, stopiony metal jest postępowo odciągany przez poprzednio utworzony produkt reakcji utleniania w kierunku utleniacza w fazie gazowej. Po zetknięciu się z utleniaczem, stopiony glin metaliczny będzie reagował, tworząc dodatkowy tlenkowoglinowy produkt reakcji utleniania, a tym samym coraz grubszą masę tlenku glinu z rozproszonymi w tlenkowoglinowym materiale polikrystalicznym składnikami metalicznymi. Reagowanie stopionego glinu metalicznego z zawierającym tlen utleniaczem w fazie gazowej przebiega tak długo, dopóki tlenkowoglinowy produkt reakcji utleniania nie narośnie do pożądanego zakresu, a korzystnie przez okres czasu wystarczający do przereagowania całego lub zasadniczo całego glinowego metalu macierzystego z zawierającym tlen utleniaczem w fazie gazo154 684 wej. Otrzymana tlenkowogiinowa masa ceramiczna jest rozdrobniona na pożądany rozmiar cząsteczkowy za pomocą konwencjonalnych technologii takich jak mielenie udarowe, mielenie walcowe, kruszenie stożkowe lub tym podobne.
Jak wyjaśniono powyżej, utworzony produkt ceramiczny może zawierać składniki ceramiczne, takie jak nieutleniony, glinowy metal macierzysty, składniki stopowe metalu macierzystego lub materiały domieszkowe. Ilość metalu może być zmienna w szerokim zakresie od 1 do 40 procent objętości, a czasami wyższa, głównie w zależności od stopnia wyczerpywania (konwersji) glinowego materiału macierzystego użytego w procesie i/lub jakości i ilości zastosowanej domieszki lub domieszek. Zwykle pożądane jest przereagowanie zasadniczo całego glinowego materiału macierzystego z zawierającym tlen utleniaczem w fazie gazowej w celu zminimalizowania ilości glinowego materiału macierzystego, która będzie musiała być następnie usunięta w etapie ekstrakcji rozpuszczalnika. Ponadto produkt reakcji utleniania ulega zwykle łatwiej przełamaniu niż składniki metaliczne, które mogą pozostać jako większe cząstki. Tym samym, ograniczając ilość metalu zawartą w masie ceramicznej, powoduje się zminimalizowanie lub zmniejszenie wkładu pracy potrzebnej do rozdrobnienia masy ceramicznej i do esktrakcji rozpuszczalnika. W niektórych przypadkach może być pożądane najpierw fizyczne oddzielenie większych cząstek metalu z produktu reakcji utleniania, na przykład poprzez przesiewanie, przed etapem ekstrakcji w celu zminimalizowania potrzebnego przy tym przetwarzania.
Rozdrobniony produkt reakcji utleniania jest następnie kontaktowany z jednym lub więcej odpowiednich środków ługujących lub szeregiem czynników ługujących w celu usunięcia rozpuszczenia, rozproszenia lub podobnie materiałów nieglinowych, otrzymywanych podczas formowania masy ceramicznej z glinu. Czynnik ługujący może stanowić kwas, mieszaninę kwasów, zasadę lub alkalia, mieszaninę zasad lub inny rozpuszczalnik, odpowiedni do rozpuszczania lub usunięcia cząsteczkowego materiału nieglinowego, takiego jak glin metaliczny lub metal domieszkowy, bez zasadniczego obniżenia jakości produktu glinowego. Czynnik ługujący może stanowić płyn w rodzaju roztworu kwasowego, gaz lub parę w rodzaju chloru gazowego, lub inne media płynne takie jak nadkrytyczne układy rozpuszczalnikowe. Ponadto można zastosować szeregowo więcej niż jeden czynnik ługujący w celu usunięcia rozmaitych substancji nieglinowych, z których każda może być łatwiej i/lub skuteczniej usunięta szczególnym środkiem ługującym, który nadaje się do usunięcia innych występujących substancji nieglinowych. Przykładowo, można kontaktować rozdrobniony, polikrystaliczny produkt ceramiczny, zawierający nieprzereagowany glin i krzem jako domieszka w procesie reakcji utleniania najpierw z kwasowym czynnikiem ługującym dla usunięcia niektórych metali (np. glinu), następnie przepłukać wodą, skontaktować go z kaustycznym czynnikiem ługującym dla usunięcia innych metali (np. krzemu), ponownie przemyć wodą, i w wyniku odzysukuje się stosunkowo czysty tlenek glinu. Ponadto, według wynalazku, rozdrabnianie i ługowanie może być prowadzone raz lub powtarzane kilka razy na tym samym produkcie polikrystalicznym dla uzyskania tlenku glinu o coraz wyższej czystości. ,
Środek ługujący lub szereg środków ługujących wybiera się głównie pod względem iih zdolności do rozpuszczania lub usuwania jednego lub kilku szczególnych materiałów nieglinowych, występujących w rozdrobnionym, polikrystalicznym produkcie ceramicznym. Materiały nieglinowe zawierają jak najczęściej metale pochodzące z nieutlenionego, glinowego materiału macierzystego, zanieczyszczenia stopowe metalu macierzystego, oraz metal lub metale domieszkowe pochodzące z redukcji substancji domieszkowych (np. Si z S1O2). Z tego względu należy dobrać środek ługujący lub szereg środków ługujących, mając na względzie szczególne materiały nieglinowe. Przykładowo, występujący w produkcji reakcji utleniania nieprzereagowany glin metaliczny można skutecznie usunąć za pomocą kwasu takiego jak 50% HC1. Dla wzmocnienia procesu lub polepszenia jego skuteczności, zestaw ługujący zawierający rozdrobniony polikrystaliczny produkt ceramiczny kontaktowany z poszczególnym czynnikiem ługującym, może być mieszany i/lub ogrzewany. Dodatkowo, poza nieutlenionym glinem, rozdrobniony produkt reakcji utleniania zawiera zwykle jeden lub więcej metali pochodzących z materiałów domieszkowych.
W niektórych przypadkach, na przykład gdy stosuje się domieszkę krzemową lub zawierającą krzem, czynnik kwasowy może niezadawalająco usuwać metal nieglinowy (np. krzem). Z tego względu, dla usunięcia tych substancji konieczny będzie drugi środek ługujący w rodzaju alkalii (np. rozwtór sody kaustycznej). Jednakże z szeregiem oddzielnych środków ługujących należy
154 684 postępować ostrożnie dla uniknięcia zmieszania lub połączenia środków ługujących, które mogą być szkodliwe lub mogą obniżać projektowaną skuteczność ługowania, czego można uniknąć przykładowo przez odpowiednie usunięcie poprzez kąpiel rozpuszczalnikową (np. zdejonizowana woda). Polikrystaliczny produkt ceramiczny jest kontaktowany ze środkiem ługującym lub z szeregiem środków ługujących przez okres czasu wystarczający do rozpuszczenia lub innego rodzaju usunięcia zasadniczo całości substancji nieglinowych. W ten sposób odzyskuje się tlenek glinu o czystości zwykle nie mniejszej niż 99,9% wagowo tlenku glinu, a korzystnie 99,99%.
W znanych rozwiązaniach dodatek materiałów domieszkowych w połączeniu z glinowym materiałem macierzystym może korzystnie wpływać na reakcję utleniania. Działanie materiału domieszkowego zależy od wielu czynników innych niż materiału domieszkowego. Czynniki te obejmują przykładowo: pożądany produkt końcowy, szczególne połączenie domieszek w przypadku zastosowania dwu lub więcej domieszek, zastosowanie zewnętrznie stosowanej domieszki w połączeniu z domieszką stopową, stężenie domieszki, środowisko utleniające i warunki procesu.
Domieszka lub domieszki zastosowane w połączeniu z glinowym materiałem macierzystym (1) mogą stanowić składniki stopowe glinowego metalu macierzystego, lub (2) mogą być stosowane na przynajmniej części powierzchni glinowego metalu macierzystego, względnie można stosować dowolną kombinację technik (1) i (2). Przykładowo, można stosować domieszkę stopową w połączeniu z domieszką stosowaną zewnętrznie. Źródło domieszki można uzyskać przez umieszczenie szytwnej masy domieszki w kontakcie z przynajmniej częścią powierzchni glinowego metalu macierzystego. Przykładowo, można umieścić cienki arkusz szkła zawierającego krzem na powierzchni glinowego metalu macierzystego. Gdy glinowy metal macierzysty (który może być wewnętrznie domieszkowany przez Mg), przykryty materiałem zawierającym krzem, jest topiony w środowisku utleniającym (np. w przypadku glinu w powietrzu, pomiędzy około 850°C do około 1450°C, korzystnie około 900°C do około 1350°^), wówczas następuje narastanie polikrystalicznego materiału ceramicznego.
W przypadku, gdy domieszka jest stosowana zewnętrznie na przynajmniej części powierzchni glinowego metalu macierzystego, wówczas polikrystaliczna struktura tlenku glinu narasta zasadniczo poza warstwą domieszkową (tj. poza głębokością zastosowanej warstwy domieszkowej). W każdym przypadku, na powierzchni metalu macierzystego można zewnętrznie zastosować jedną lub więcej domieszek. Ponadto, jakiekolwiek niedobory stężenia domieszek, wtopionych w metal macierzysty, mogą być zwiększone przez dodatkowe stężenie odpowiedniej domieszki(ek), zastosowanej zewnętrznie względem glinowego metalu macierzystego.
Przydatne domieszki do glinowego metalu macierzystego, szczególnie w przypadku powietrza jako utleniacza, stanowią przykładowo magnez metaliczny i cynk metaliczny, połączone ze sobą lub z innymi domieszkami opisanymi poniżej. Metale te, lub odpowiednie źródło tych metali, mogą być wtopione w glinowy materiał macierzysty ze stężeniem wynoszącym pomiędzy 0,1-10% wagowo w stosunku do całkowitego ciężaru otrzymanego metalu domieszkowego. Stężenie w tym zakresie zapoczątkowują narastanie ceramiczne, zwiększają przenoszenie metalu i korzystnie wpływają na morfologię narastania otrzymywanego produktu reakcji utleniania. Zakres stężenia każdej z domieszek zależy od takich czynników, jak połączenie domieszek i temperatura procesu.
Inne domieszki, skuteczne dla aktywowania narastania polikrystalicznego produktu reakcji utleniania w postaci tlenku glinu z glinowego metalu macierzystego, stanowią przykładowo krzem, german, cynę i ołów, szczególnie w połączeniu z magnezem. Jedna lub więcej z tych domieszek są wtapiane do glinowego metalu macierzystego ze stężeniem każdej od około 0,5 do około 15% wagi całego stopu, jednakże bardziej pożądaną kinetykę narastania i morfologię narastania uzyskuje się przy stężeniach domieszek w zakresie od około 1-10% wagowo całego stopu metalu macierzystego. Ołów jako domieszka jest zwykle wtapiany do glinowego metalu macierzystego w temperaturze przynajmniej 1000°C, tak aby uwzględnić jego niską rozpuszczalność w glinie, jednakże dodatek innych składników stopowych, takich jak cyna, zasadniczo zwiększa rozpuszczalność ołowiu i pozwala na dodawanie materiałów stopowych przy niższej temperaturze.
Z metalem macierzystym można łączyć jedną lub więcej domieszek. Przykładowo, w przypadku glinowego metalu macierzystego i powietrza jako utleniacza, szczególnie przydatne kombinacje domieszek stanowią (a) magnez i krzem lub (b) magnez, cynk i krzem. W takich przypadkach, zalecane stężenie magnezu mieści się w zakresie od około 0,1 do około 3% wagowo, cynku w
154 684 7 zakresie od około 1 do około 6% wagowo, zaś krzemu w zakresie od około 1 do około 10% wagowo.
Dodatkowe przykłady materiałów domieszkowych, przydatnych dla glinowego metalu macierzystego, stanowią sód i lit, które mogą być stosowane pojedynczo lub w połączeniu z jedną lub więcej innymi domieszkami w zależności od warunków procesu. Sód i lit mogą być zastosowane w bardzo niewielkich ilościach rzędu części na milion, zwykle około 100-200 części na milion, i każdy z nich może być zastosowany samodzielnie lub łącznie, względnie w połączeniu z inną domieszką (ami). Odpowiednie domieszki stanowią również wapń, bor, fosfor, itr i pierwiastki ziem rzadkich, takie jak cer, lantan, prazeodym, neodym i samar, zwłaszcza gdy są użyte w połączeniu z innymi domieszkami.
Użyte zewnętrznie materiały domieszkowe są zwykle stosowane na części powierzchni metalu macierzystego w postaci jednolitej powłoki. Ilość domieszki jest skuteczna w szerokim zakresie w stosunku do ilości metalu macierzystego, do którego są zastosowane. W przypadku glinu poczyniono badania dla zidentyfikowania górnych i dolnych granic roboczych domieszki. Przykładowo, dla krzemu w postaci dwutlenku krzemu zastosowanego zewnętrznie jako domieszka glinowego metalu macierzystego, z wykorzystaniem powietrza i tlenu jako utleniacza, ilości tak małe jak 0,00003 grama krzemu na gram metalu macierzystego, lub około 0,0001 grama krzemu na centymetr kwadratowy odsłoniętej powierzchni metalu macierzystego, wraz z drugą domieszką stanowią źródło magnezu i/lub cynku, wystarczają do powodowania zjawiska polikrystalicznego narastania ceramicznego. Stwierdzono również, że ceramiczną strukturę można uzyskać z glinowego materiału macierzystego i powietrza lub tlenu jako utleniacza przez zastosowanie jako domieszki MgO w ilości większej niż około 0,0008 grama Mg na gram utlenionego metalu macierzystego i większej niż 0,003 grama Mg na centymetr kwadratowy powierzchni metalu macierzystego, na której jest stosowany MgO. Okazuje się, że w pewnym stopniu wzrost ilości materiałów domieszkowych będzie powodował skrócenie czasu reakcji, potrzebnego do utworzenia mieszaniny ceramicznej, jednakże będzie to zależało od takich czynnikówjak rodzaj domieszki, materiał macierzysty i warunki reakcji.
Jednakże, zwiększenie ilości stosowanego materiału domieszkowego zwykle powoduje wydłużenie czasu przetwarzania w etapie ługowania dla usunięcia zawartego materiału domieszkowego.
W przypadku, gdy materiał macierzysty stanowi glin wewnętrznie domieszkowany nagnezem, zaś czynnik utleniający stanowi powietrze lub tlen, stwierdzono, że magnez jest przynajmniej częściowo utleniony ze stopu przy temperaturze od około 820 do 950°C. W przypadkach układów domieszkowanych magnezem, magnez tworzy tlenek magnezu i/lub fazę spinelu glinianu magnezu przy powierzchni płynnego stopu glinu, zaś pdczas procesu narastania, związki magnezu pozostają głównie przy pierwotnej powierzchni tlenkowej stopu metalu macierzystego (tj. „powierzchni inicjującej) w narastającej strukturze ceramicznej. Tym samym, w tego rodzaju układach domieszkowanych magnezem, jest wytwarzana struktura na bazie tlenku glinu poza stosunkowo cienką warstwą spinelu glinianu magnezowego przy powierzchni inicjującej. W razie potrzeby, ta powierzchnia inicjująca może być łatwo usunięta poprzez zeszlifowanie, obróbkę skrawaniem, polero wanie lub oczyszczania pneumatyczne przed rozdrobnieniem polikrystalicznego produktu ceramicznego.
Według obecnego wynalazku, ceramiczny korpus jest wytworzony z zastosowaniem ogrzanego w powietrzu do 1200°C stopu glinu zawierającego 3% magnezu i 10% krzemu. Otrzymana masa ceramiczna jest rozdrobniona na rozmiar cząsteczkowy około -500 (numer sita). Rozdrobniony produkt reakcji utleniania jest kontaktowany z odjonizowanym roztworem wodnym 50% kwasu solnego przez 24 godziny poprzez mieszanie. Materiał ten jest odmulany za pomocą odjonizowanej wody, a następnie jest kontaktowany przez 24 godziny z odjonizowanym roztworem wodnym 50% wodorotlenku sodowego. Następnie ten materiał jest kilkakrotnie odmulany za pomocą odjonizowanej wody przez 24 godziny, i uzyskuje się wysokiej czystości tlenek glinu.
Według innego aspektu sposobu według obecnego wynalazku, umieszcza się bryłę lub masę wypełniacza glinowego w środowisku zawierającym tlen w sąsiedztwie jakiegoś źródła glinowego metalu macierzystego z opisanymi powyżej odpowiednimi domieszkami, tak aby występował na drodze następującego narastania produktu reakcji narastania. Kombinacja ta może składać się przykładowo z pręta wykonanego ze stopu glinu 5052, zanurzonego w ogniotrwałym naczyniu
154 684 zawierającym drobny proszek lub granulat, taki jak mieszanina mullit/tlenek glinu. Kombinacja ta jest ogrzewana, na przykład do 1150°C i powstaje mieszanina, zawierająca wysokiej czystości tlenek glinu, glin, krzem oraz inne metale śladowe. Otrzymana mieszanina zostaje rozdrobniona, przemyta kwasem, odmulona za pomocą wody, a następnie wyługowana alkaliami i ponownie przepłukana wodą dla uzyskania ziaren lub proszku tlenku glinu wysokiej czystości.
W dalszym przykładzie wykonania, prostokątny wlewek stopu glinu 5052 (mający wagowy skład nominalny 2,5% Mg i nie więcej niż 0,5% Si oraz Fe), mający wymiary 22,7 X 10X2,541,27 cm jest umieszczony w ogniotrwałej kadzi zawierającej złoże ogniotrwałych cząstek tlenku glinu (elektrokorund El, z Norton Co., 90 nr sita), tak że jedna powierzchnia prostokątna
22,7 X 10 cm jest wystawiona na działanie ati^oi^f^r^r^- Na odssoniętej powieezchni wlewka jc^ss rozproszona cienka warstwa cząstek dwutlenku krzemu (-140 nr sita) jako domieszki. Zestaw ten jest umieszczony w piecu mającym otwór, przez który w sposób ciągły dochodzi powietrze, i jest w przeciągu 10 godzin ogrzany do 1125°C.
Piec jest przetrzymywany przy 1250°C przez 165 godzin, a następnie ochłodzony przez 10 godzin. Otrzymana masa ceramiczna jest rozdrobniona przez kruszenie pomiędzy stalowymi płytami, do przybliżonego zakresu rozmiaru cząsteczek rzędu -200 nr sita. Następnie około 250 gramów rozdrobnionego materiału jest umieszczone w 1-litrowej zlewce zawierającej 500 ml 50% roztworu HC1, odpowiedni środek ługujący nieutleniony glin oraz żelazowce. Roztwór ten jest ogrzany do około 85°C i mieszany przez 48 godzin. Roztwór kwasowy zostaje sklarowany, a otrzymany materiał zostaje przepłukany odjonizowaną wodą. Następnie opisana powyżej procedura ekstrakcji zostaje powtórzona, tym razem z 500 ml 50% NaOH, stanowiącym odpowiedni środek ługujący dla krzemu. Materiał ten jest przepłukany dokładnie odjonizowaną wodą i otrzymuje się tlenek glinu.
Tlenkowoglinowy produkt otrzymany sposobem według obecnego wynalazku może być przydatny do produkcji spieczonych wyrobów ceramicznych lub jako media polerujące. Dla takich wyrobów, tlenek glinu korzystnie ma rozmiar sita około 500 lub drobniejszy, a bardziej korzystnie około jeden mikron lub mniej.
Claims (13)
- Zastrzeżenia patento we1. Sposób wytwarzania zasadniczo czystego tlenku glinu, polegający na utlenianiu stopionego glinowego metalu macierzystego za pomocą zawierającego tlen utleniacza gazowego, oraz na rozdrabnianiu i oczyszczaniu otrzymanego produktu, znamienny tym, że umieszcza się glinowy metal macierzysty w sąsiedztwie przepuszczalnej masy tlenkowego wypełniacza zawierającego przynajmniej jeden składnik podlegający aluminotermicznej redukcji, prowadząc do powstawania produktu rekacji utleniania glinowego metalu macierzystego w kierunku i w głąb masy tlenkowego materiału wypełniacza, następnie ogrzewa się wspomniany metal macierzysty do temperatury ponad jego punkt topnienia, ale poniżej punktu topnienia produktu reakcji utleniania dla utworzenia masy stopionego metalu macierzystego, co powoduje reagowanie tego stopionego metalu macierzystego z zawierającym tlen utleniaczem w fazie gazowej w wyżej określonej temperaturze dla utworzenia produktu reakcji utleniania, oraz utrzymuje się w tej temperaturze przynajmniej część produktu reakcji utleniania w kontakcie i pomiędzy tą masą stopionego metalu i utleniaczem, dla odciągnięcia stopionego metalu przez produkt reakcji utleniania w kierunku utleniacza oraz w kierunku i w głąb sąsiedniej masy wypełniacza tlenkowego, tak że świeży produkt reakcji utleniania formuje się w obrębie masy wypełniacza tlenkowego przy powierzchni pośredniej pomiędzy utleniaczem a uprzednio utworzonym produktem reakcji utleniania, przy czym procesy te kontynuuje się przez okres wystarczający do osadzenia przynajmniej części wspomnianego wypełniacza tlenkowego w obrębie produktu reakcji utleniania w celu wytworzenia masy ceramicznej zawierającej tlenek glinu i przynajmniej jeden resztkowy składnik metaliczny, przez co określony wyżej, przynajmniej jeden, składnik podlegający aluminotermicznej redukcji zostaje przynajmniej częściowo zredukowany i jest zawarty w przynajmniej jednym resztkowym składniku metalicznym, a następnie rozdrabnia się uzyskaną masę ceramiczną i stosując przynajmniej jeden składnik ługujący, powodujący rozpuszczenie lub usuwanie tego przynajmniej jednego resztkowego składnika154 684 metalicznego bez zasadniczej degradacji tego tlenku glinu kontaktuje się rozdrobnioną masę ceramiczną z tym środkiem ługującym przez okres czasu wystarczający do usunięcia lub rozpuszczenia tego przynajmniej jednego resztkowego składnika metalicznego z zanieczyszczonej masy ceramicznej.
- 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że na powierzchni masy ceramicznej wytwarza się warstwę inicjującą w etapie ogrzewania, którą to warstwę następnie usuwa się przed etapem rozdrabniania masy.
- 3. Sposób według zastrz. 2, znamienny tym, że jako warstwę inicjującą stosuje się materiał spinelowy.
- 4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że jako wspomniany zawierający tlen utleniacz w fazie gazowej stosuje się powietrze.
- 5. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że w połączeniu z glinowym metalem macierzystym stosuje się domieszkę.
- 6. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przynajmniej jeden środek ługujący stanowi przynajmniej jeden materiał kwasowy i przynajmniej jeden materiał zasadowy.
- 7. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że po uzyskaniu zasadniczo czystego tlenku glinu w etapie ługowania, ponownie rozdrabnia się ten tlenek glinu na mniejszy rozmiar cząsteczkowy, po czym kontaktuje się ten ponownie rozdrobniony tlenek glinu ze środkiem ługującym dla dalszego usunięcia lub rozpuszczenia wspomnianego przynajmniej jednego resztkowego składnika metalicznego, i odzyskuje się tlenek glinu o jeszcze większym stopniu czystości.
- 8. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przynajmniej jeden materiał kwasowy wybiera się z grupy składającej się z HF, HC1, HBr, HI, H2SO4, HNO3 i H3PO4.
- 9. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przynajmniej jeden materiał zasadowy wybiera się z grupy składającej się z NaOH, KOH i NH4OH.
- 10. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przynajmniej jeden środek ługujący zawiera przynajmniej jeden matariał kwasowy.
- 11. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przynajmniej jeden środek ługujący zawiera przynajmniej jeden materiał zasadowy.
- 12. Sposób według zastrz. 8, znamienny tym, że przynajmniej jeden materiał kwasowy stanowi wodę królewską.
- 13. Sposób według zastrz. 9, znamienny tym, że przynajmniej jeden materiał kwasowy stanowi mieszankę HNO3 i HF.Zakład Wydawnictw UP RP. Nakład 100 egz.Cena 3000 zł
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/907,934 US4820498A (en) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | Method for producing substantially pure alumina material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL267770A1 PL267770A1 (en) | 1988-07-21 |
| PL154684B1 true PL154684B1 (en) | 1991-09-30 |
Family
ID=25424881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1987267770A PL154684B1 (en) | 1986-09-16 | 1987-09-15 | A method of fundamentally pure aluminium oxide production |
Country Status (28)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4820498A (pl) |
| EP (1) | EP0261061B1 (pl) |
| JP (1) | JP2708425B2 (pl) |
| KR (1) | KR950010804B1 (pl) |
| CN (1) | CN1014509B (pl) |
| AT (1) | ATE80362T1 (pl) |
| AU (1) | AU598586B2 (pl) |
| BG (1) | BG60244B2 (pl) |
| BR (1) | BR8704676A (pl) |
| CA (1) | CA1329465C (pl) |
| CZ (1) | CZ279044B6 (pl) |
| DD (1) | DD279462A5 (pl) |
| DE (1) | DE3781630D1 (pl) |
| DK (1) | DK480487A (pl) |
| FI (1) | FI86839C (pl) |
| HU (1) | HU203854B (pl) |
| IE (1) | IE61527B1 (pl) |
| IL (1) | IL83809A (pl) |
| IN (1) | IN168227B (pl) |
| MX (1) | MX165270B (pl) |
| NZ (1) | NZ221740A (pl) |
| PH (1) | PH24798A (pl) |
| PL (1) | PL154684B1 (pl) |
| PT (1) | PT85707B (pl) |
| RU (1) | RU1776197C (pl) |
| TR (1) | TR26303A (pl) |
| YU (1) | YU45448B (pl) |
| ZA (1) | ZA876910B (pl) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4996176A (en) * | 1986-09-16 | 1991-02-26 | Lanxide Technology Company, Lp | Reservoir feed method of making ceramic composite structures and structures made thereby |
| US5007476A (en) * | 1988-11-10 | 1991-04-16 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of forming metal matrix composite bodies by utilizing a crushed polycrystalline oxidation reaction product as a filler, and products produced thereby |
| US5329984A (en) * | 1990-05-09 | 1994-07-19 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of forming a filler material for use in various metal matrix composite body formation processes |
| US5232040A (en) * | 1990-07-12 | 1993-08-03 | Lanxide Technology Company, Lp | Method for reducing metal content of self-supporting composite bodies and articles formed thereby |
| US5435966A (en) * | 1991-07-12 | 1995-07-25 | Lanxide Technology Company, Lp | Reduced metal content ceramic composite bodies |
| CA2099734A1 (en) * | 1992-07-01 | 1994-01-02 | Akihiko Takahashi | Process for preparing polyhedral alpha-alumina particles |
| US5277702A (en) * | 1993-03-08 | 1994-01-11 | St. Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Plately alumina |
| US5350003A (en) * | 1993-07-09 | 1994-09-27 | Lanxide Technology Company, Lp | Removing metal from composite bodies and resulting products |
| RU2135411C1 (ru) * | 1998-05-07 | 1999-08-27 | Томский политехнический университет | Электрохимический способ получения оксида алюминия |
| US7837961B2 (en) | 2007-05-21 | 2010-11-23 | Exploration Orbite Vspa Inc. | Processes for extracting aluminum and iron from aluminous ores |
| CN101941727A (zh) * | 2010-09-14 | 2011-01-12 | 李振亚 | 作为焰熔法生产蓝宝石晶体之原料的氧化铝粉末生产方法 |
| RU2588960C2 (ru) | 2011-03-18 | 2016-07-10 | Орбит Элюминэ Инк. | Способы извлечения редкоземельных элементов из алюминийсодержащих материалов |
| EP2705169A4 (en) | 2011-05-04 | 2015-04-15 | Orbite Aluminae Inc | METHOD FOR RECOVERING RARE ELEMENTS FROM DIFFERENT OTHERS |
| WO2012162817A1 (en) | 2011-06-03 | 2012-12-06 | Orbite Aluminae Inc. | Methods for preparing hematite |
| CA2848751C (en) | 2011-09-16 | 2020-04-21 | Orbite Aluminae Inc. | Processes for preparing alumina and various other products |
| CN102674419B (zh) * | 2011-11-22 | 2014-02-05 | 昆明马克西姆科技有限公司 | 一种高纯度超细Al2O3粉末的制备方法 |
| RU2016104423A (ru) | 2012-01-10 | 2018-11-22 | Орбит Текнолоджис Инк. | Способы обработки красного шлама |
| AU2013203808B2 (en) | 2012-03-29 | 2016-07-28 | Aem Technologies Inc. | Processes for treating fly ashes |
| BR112015000626A2 (pt) | 2012-07-12 | 2017-06-27 | Orbite Aluminae Inc | processos para preparação de óxido de titânio e outros produtos variados |
| WO2014047728A1 (en) | 2012-09-26 | 2014-04-03 | Orbite Aluminae Inc. | Processes for preparing alumina and magnesium chloride by hc1 leaching of various materials |
| CN105189357A (zh) | 2012-11-14 | 2015-12-23 | 奥佰特氧化铝有限公司 | 纯化铝离子的方法 |
| US9651652B2 (en) * | 2013-02-07 | 2017-05-16 | L3 Technologies, Inc. | Interference cancellation system for location and direction finding |
| JP2014197649A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 株式会社アドマテックス | ３次元実装型半導体装置、樹脂組成物及びその製造方法 |
| CN103803619A (zh) * | 2014-03-07 | 2014-05-21 | 袁志刚 | 用微细金属铝粉生产高纯氧化铝粉的方法 |
| US10486977B2 (en) * | 2015-07-29 | 2019-11-26 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Low absorption spinel formed by acidic and basic treatments |
| CN110817917B (zh) * | 2019-10-17 | 2021-06-01 | 东北大学 | 一种高纯氧化铝的制备方法 |
| CN112979286B (zh) * | 2021-01-18 | 2022-08-12 | 成都宏科电子科技有限公司 | 用于高密度封装外壳的氧化铝陶瓷、其制备方法及生瓷带 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US228867A (en) * | 1880-06-15 | William chadwick | ||
| US725683A (en) * | 1901-03-22 | 1903-04-21 | Charles A Doremus | Process of obtaining alumina. |
| US1036453A (en) * | 1912-06-04 | 1912-08-20 | David H Childs | Process of producing aluminum fluorid. |
| US1079899A (en) * | 1913-04-22 | 1913-11-25 | Howard F Chappell | Purifying alumina. |
| US1262063A (en) * | 1914-08-01 | 1918-04-09 | William F Jobbins Inc | Process of treating aluminum skimmings, screenings, &c. |
| US1798261A (en) * | 1925-12-04 | 1931-03-31 | Aluminum Co Of America | Purifying alumina |
| US1777570A (en) * | 1925-06-01 | 1930-10-07 | Swann Res Inc | Process for the purification of aluminous oxide |
| GB339028A (en) * | 1928-10-22 | 1930-12-04 | Felix Jourdan | Process for eliminating the silica in the treatment of natural silicates with acids for the purpose of rendering soluble some of their constituents |
| US2249761A (en) * | 1938-08-05 | 1941-07-22 | Chemical Foundation Inc | Acid process for the extraction of alumina |
| US2741822A (en) * | 1951-01-29 | 1956-04-17 | Carborundum Co | Preparation of refractory products |
| US3255027A (en) * | 1962-09-07 | 1966-06-07 | Du Pont | Refractory product and process |
| US3298842A (en) * | 1963-03-22 | 1967-01-17 | Du Pont | Process for preparing hollow refractory particles |
| US3296002A (en) * | 1963-07-11 | 1967-01-03 | Du Pont | Refractory shapes |
| US3419404A (en) * | 1964-06-26 | 1968-12-31 | Minnesota Mining & Mfg | Partially nitrided aluminum refractory material |
| US3473987A (en) * | 1965-07-13 | 1969-10-21 | Du Pont | Method of making thin-walled refractory structures |
| US3421863A (en) * | 1966-03-04 | 1969-01-14 | Texas Instruments Inc | Cermet material and method of making same |
| US3437468A (en) * | 1966-05-06 | 1969-04-08 | Du Pont | Alumina-spinel composite material |
| US3789096A (en) * | 1967-06-01 | 1974-01-29 | Kaman Sciences Corp | Method of impregnating porous refractory bodies with inorganic chromium compound |
| US3473938A (en) * | 1968-04-05 | 1969-10-21 | Du Pont | Process for making high strength refractory structures |
| US3864154A (en) * | 1972-11-09 | 1975-02-04 | Us Army | Ceramic-metal systems by infiltration |
| US3973977A (en) * | 1973-11-01 | 1976-08-10 | Corning Glass Works | Making spinel and aluminum-base metal cermet |
| JPS51135899A (en) * | 1975-05-12 | 1976-11-25 | Toshiba Corp | Method for production of alumina holding membrane |
| DE3333406A1 (de) * | 1982-09-17 | 1984-03-22 | Tokuyama Soda K.K., Tokuyama, Yamaguchi | Feines aluminiumnitridpulver, verfahren zu seiner herstellung und es enthaltendes mittel |
| DE3381519D1 (de) * | 1983-02-16 | 1990-06-07 | Moltech Invent Sa | Gesinterte metall-keramikverbundwerkstoffe und ihre herstellung. |
| NZ211405A (en) * | 1984-03-16 | 1988-03-30 | Lanxide Corp | Producing ceramic structures by oxidising liquid phase parent metal with vapour phase oxidising environment; certain structures |
| ZA851813B (en) * | 1984-03-16 | 1986-10-29 | Lanxide Corp | Novel ceramic materials and methods of making same |
| NZ212704A (en) * | 1984-07-20 | 1989-01-06 | Lanxide Corp | Producing self-supporting ceramic structure |
| US4567026A (en) * | 1984-10-24 | 1986-01-28 | Internorth, Inc. | Method for extraction of iron aluminum and titanium from coal ash |
| US4851375A (en) * | 1985-02-04 | 1989-07-25 | Lanxide Technology Company, Lp | Methods of making composite ceramic articles having embedded filler |
-
1986
- 1986-09-16 US US06/907,934 patent/US4820498A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-07-20 RU SU874202926A patent/RU1776197C/ru active
- 1987-07-28 JP JP62188707A patent/JP2708425B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-24 YU YU1560/87A patent/YU45448B/xx unknown
- 1987-09-01 PH PH35763A patent/PH24798A/en unknown
- 1987-09-03 DD DD87306635A patent/DD279462A5/de not_active IP Right Cessation
- 1987-09-03 TR TR87/0606A patent/TR26303A/xx unknown
- 1987-09-04 IN IN703/CAL/87A patent/IN168227B/en unknown
- 1987-09-06 IL IL83809A patent/IL83809A/xx not_active IP Right Cessation
- 1987-09-08 BG BG81140A patent/BG60244B2/xx unknown
- 1987-09-09 FI FI873902A patent/FI86839C/fi not_active IP Right Cessation
- 1987-09-09 NZ NZ221740A patent/NZ221740A/en unknown
- 1987-09-09 BR BR8704676A patent/BR8704676A/pt active Search and Examination
- 1987-09-10 EP EP87630181A patent/EP0261061B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-10 DE DE8787630181T patent/DE3781630D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-10 CN CN87106229A patent/CN1014509B/zh not_active Expired
- 1987-09-10 CZ CS876568A patent/CZ279044B6/cs unknown
- 1987-09-10 AU AU78272/87A patent/AU598586B2/en not_active Ceased
- 1987-09-10 AT AT87630181T patent/ATE80362T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-09-14 IE IE246987A patent/IE61527B1/en not_active IP Right Cessation
- 1987-09-15 DK DK480487A patent/DK480487A/da not_active Application Discontinuation
- 1987-09-15 PT PT85707A patent/PT85707B/pt not_active IP Right Cessation
- 1987-09-15 ZA ZA876910A patent/ZA876910B/xx unknown
- 1987-09-15 CA CA000547467A patent/CA1329465C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-15 PL PL1987267770A patent/PL154684B1/pl unknown
- 1987-09-15 HU HU874090A patent/HU203854B/hu not_active IP Right Cessation
- 1987-09-16 KR KR1019870010275A patent/KR950010804B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-09-15 MX MX008316A patent/MX165270B/es unknown
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL154684B1 (en) | A method of fundamentally pure aluminium oxide production | |
| CA1174083A (en) | Process for the preparation of alloy powders which can be sintered and which are based on titanium | |
| US11358081B2 (en) | Spinel-reinforced magnesium oxide-based foam ceramic filter and preparation method therefor | |
| PL156558B1 (en) | A method of self-supporting ceramic composite production | |
| HU198431B (en) | Process for producing abrasive material | |
| CN115485085A (zh) | 金属氧化物的低温还原 | |
| JP7191410B1 (ja) | ナノシリコンの製造方法 | |
| PL156408B1 (en) | A method of ceramic composite structure production | |
| JP2612578B2 (ja) | 自己支持セラミック複合材料の製造方法 | |
| US4871696A (en) | Method for producing substantially pure materials | |
| US4765952A (en) | Process for producing tungsten heavy alloy sheet by a loose fill hydrometallurgical process | |
| EP0327851A2 (en) | Method for recovering casting refractory compositions from investment casting slurries and from cores | |
| JP2528529B2 (ja) | 高度にリアクティブなサブミクロン無定形二ホウ化チタン粉末の製造方法及びそれによって作られた生成物 | |
| JP3357910B2 (ja) | 透明マグネシア焼結体の製造法 | |
| JP2590091B2 (ja) | 高融点金属シリサイドターゲットとその製造方法 | |
| JP3792535B2 (ja) | 高純度ルテニウムターゲットの製造方法 | |
| JPH03213142A (ja) | 粉粒体の精製方法 | |
| WO2003051773A1 (en) | Process for the production of elemental boron by solid state reaction | |
| RU2164259C2 (ru) | Способ извлечения галлия из галлийсодержащих оксидов редкоземельных металлов | |
| JPH10183205A (ja) | 鱗片状銅粉末の製造方法 | |
| JP2934469B2 (ja) | 溶け易いパラジウム小塊の製造方法 | |
| JP2003192341A (ja) | 塩化アルミニウム水溶液の処理方法及び高純度アルミナの製造方法 | |
| JPH07102966B2 (ja) | 窒化ケイ素の製造方法 | |
| CA2004280A1 (en) | Process for producing silicon carbide platelets and the platelets so-produced | |
| JPH10251709A (ja) | 焼結用パッキング材およびそれを用いる焼結体の製造方法 |