Przedmiotem wynalazku jest uklad wzmacniacza dwukierunkowego, zwlaszcza tranzystorowego wzmacnia¬ cza mostkowego.Wzmacniacze dwukierunkowe sa niezbedne w sieciach telefonicznych, a scislej mówiac w telefonicznych sieciach abonenckich, w których przetworniki sa sprzezone z liniami telefonicznymi za posrednictwem wzmacnia¬ czy. Takie wzmacniacze i wszystkie aparaty zalaczone w sieci telefonicznej zasilane sa korzystnie z linii. W takich przypadkach wysoce pozadanym jest, aby siec nie byla czula na biegunowosc sygnalów, poniewaz nigdy nikt bez przeprowadzenia specjalnych pomiarów kontrolnych nie jest w stanie okreslic, który z dwóch przewodów ma bardziej dodatni potencjal wzgledem drugiego. Pozadanym jest równiez, aby obwody takich telefonów byly zaprojektowane z uwzglednieniem mozliwosci ich wykorzystania w róznorodnych warunkach, jakie istnieja w li¬ niach telefonicznych.Wedlug wynalazku do dwóch przewodów linii sa dolaczone kolektory pierwszego i drugiego tranzystora, których emitery sa polaczone ze soba i dolaczone do pierwszego wspólnego punktu. Do dwóch przewodów linii sa równiez dolaczone kolektory trzeciego i czwartego tranzystora, których bazy sa polaczone ze soba i dolaczo¬ ne do drugiego wspólnego punktu. Miedzy pierwszym i drugim wspólnym punktem jest wlaczony rezystor, na którym jest uzyskiwany sygnal z drugiego wyjscia wzmacniacza. Rezystor jest dolaczony do dalszego wejsciowe¬ go odbiorczego wzmacniacza róznicowego dolaczonego do sluchawki. Drugie wyjscie wzmacniacza jest dolaczo¬ ne do baz pierwszego i drugiego tranzystora i do wyjscia wejsciowego wzmacniacza.Emitery trzeciego i czwartego tranzystora sa dolaczone poprzez drugi i trzeci rezystor do trzeciego wspólnego punktu dostarczajacego napiecie stale.Miedzy drugi wspólny punkt i trzeci wspólny punkt jest wlaczony kondensator.Pierwszy i drugi tranzystor maja podobne parametry oraz trzeci i czwarty tranzystor maja podobne parame¬ try, natomiast pierwszy i drugi tranzystor sa przyrzadami majacymi wieksze poszczególne obszary niz trzeci i czwarty tranzystor.2 125 280 Wzmacniacz jest wykonany jako uklad scalony;a kazdy trzeci i czwarty, tranzystor jest otoczony w podlo¬ zu pólprzewodnikowym przez obszar pola zaporowego.Miedzy drugim punktem wyjsciowym i punktem na polaczeniu miedzy mikrofonem i wzmacniaczem jest wlaczona petla sprzezenia zwrotnego sterujaca wzmocnieniem, która zawiera wzmacniacz róznicowy.Zaleta ukladu wzmacniacza dwukierunkowego wedlug wynalazku jest to, ze jest on niezawodny, moze pracowac przy napieciu o dowolnej biegunowosci i moze byc wykonany w postaci ukladu scalonego. Nie wyma¬ ga on zastosowania transformatorów lub kondensatorów odsprzegajacych.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedsta¬ wia wzmacniacz dwukierunkowy wedlug wynalazku, fig. 2 -czesc ukladu z fig. 1, pokazana oddzielnie celem dokladniejszego wyjasnienia, fig. 3 - czesc wzmacniacza z fig. 1 w wykonaniu w postaci ukladu scalonego w prze¬ kroju poprzecznym w duzym powiekszeniu, fig. 4 - uklad stosowany w aparatach telefonicznych, zawierajacy wzmacniacz wedlug wynalazku, pokazany w schemacie blokowym i fig. 5 - schemat okreslajacy, jakie elementy z fig. 4 sa elementami zewnetrznymi wzgledem plytki pólprzewodnikowej, na której wykonany jest uklad scalony.Uklad przedstawiony na fig. 1, przeznaczony do zastosowania w obwodach aparatów telefonicznych, za¬ wiera cztery tranzystory T1,T2, T3f T4. Tranzystory T1 i T2 maja wieksze wymiary niz tranzystory T3 i T4.W przypadku wykonania ukladu w postaci ukladu scalonego, oznacza to, ze te tranzystory T1 i T2 sa przyrzada¬ mi o wiekszych obszarach niz tranzystory T3 i T4. TranzystoryT1 i T2 musza byc stosunkowo duze w porówna¬ niu z tranzystorami T3 i T4. Przyczyna tego, ze tranzystory te musza byc duze jest to, ze trzeba uzyskac odpowiedni spadek napiecia baza — emiter. Ten spadek napiecia musi byc maly przy dosc malym pradzie, który moze na przyklad wynosic 150mA. Przez wykonanie tranzystorów T1 i T2 wiekszych mozna zapew.nic, by spadek napiecia byl odpowiedni. W ukladzie scalonym te tranzystory zajmuja wiekszy obszar powierzchni na plytce pólprzewodnikowej z ukladem elektronicznym, niz tranzystory T3 i T4. Umozliwia to uzyskanie wlasci¬ wych zaleznosci napieciowych miedzy przyrzadami, jak jasno opisane jest w tym zgloszeniu. Aby osiagnac wlasciwe dzialanie, trzeba miec pewnosc, ze tranzystory T1 i T2 sa wiekszych rozmiarów niz tranzystory T3 iT4. Jak wskazano w opisie, tranzystory T3 iT4 pracuja w warunkach silnego nasycenia, tak,ze napiecie na emiterze jest bardzo bliskie napieciu na kolektorze. Uklad ten zapewnia to, poniewaz spadek napiecia z tranzy¬ storów T1 i T2 baza - emiter bedzie mial odpowiednia wartosc.Kazdy przewód linii L1 i L2 jest dolaczony odpowiednio do kolektorów dwóch tranzystorów. Nadajnik sygnalów, w danym przypadku mikrofon, jest dolaczony za posrednictwem innych elementów, jak pokazano na fig. 4, do zacisków A i B, do których dolaczone sa bazy tranzystorów T1 i T2. Odbiornik, to znaczy sluchawka lub glosnik w przypadku telefonu sprzezonego z glosnikiem, jest dolaczony tak, aby byl wysterowywany napie¬ ciem wystepujacym na rezystorze R1, jak pokazano równiez na fig. 4.Jak juz zaznaczono powyzej, zacisk linii L1 moze byc dodatni lub ujemny, przy czym zacisk L2 bedzie odpowiednio ujemny lub dodatni. Jezeli zacisk linii L1 jest dodatni, prad z linii przeplywa od zacisku L1 przez obwód kolektor-emiter tranzystora T1, rezystor R1, obwód baza-kolektor tranzystora T3 i stad do zacisku linii - L2. Jezeli dodatni jest zacisk linii L2, wówczas prad przeplywa od zacisku linii L2 przez obwód kolektor-emiter tranzystora T2, rezystor R1, obwód baza-kolektor tranzystora T4 i stad do zacisku L1. Nalezy zaznaczyc, ze w obu przypadkach prad przeplywa przez rezystor R1 w tym samym kierunku. Dzieki temu rezystor R1 moze byc wykorzystany do okreslenia z wykorzystaniem petli sprzezenia zwrotnego itd. wzmocnienia miedzy punkta¬ mi D i C na koncach rezystora R1 i zaciskami linii. Staje sie to bardziej zrozumiale przy rozpatrzeniu jedynie polowy ukladu z fig. 1, która jest przedstawiona na fig. 2.Pewne warunki pradowe i napieciowe, odnoszace sie do dzialania ukladu, sa okreslone na fig. 2. Wzmo¬ cnienie napieciowe do rezystora R1 do linii jest wyznaczone równaniem: G =^ =a^_ AV R! gdzie V0 - napiecie wyjsciowe i gdy a ma wartosc zblizajaca sie do jednosci, otrzymujemy: Ri gdzie ZL _ impedancja linii zewnetrznej i Rj - rezystancja rezystora R1 wlaczonego miedzy punktami C i D.Jeden z tych punktów stanowi punkt polaczenia emiterów tranzystorów T1 i T2, a drugi z tych punktów stanowi punkt polaczenia baz tranzystorów T3 i T4. Wzmocnienie napieciowe miedzy linia a rezystorem R1 jest wiec równe stosunkowi impedancji.125 280 3 Glówna czesc pradu ^ linii przeplywa przez stopien wyjsciowy, zrealizowany na tranzystorze T3, wartosc srednia napiecia na rezystorze R1 moze byc wykorzystana do przekazywania informacji o pradzie w linii. Umo¬ zliwia to przewidywanie zmian charakterystyki pradowo-napieciowej linii na podstawie porównania napiecia sredniego na rezystorze R1 z dokladnym wewnetrznym napieciem wzorcowym.Ze wzgledu na to, ze prawie caly prad linii plynie przez zlacze kolektor-baza tranzystora T3, tranzystor ten jest w stanie pelnego nasycenia, tak ze napiecie na jego emiterze jest bardzo bliskie napieciu na jego kolektorze. Oznacza to, ze impedancja tego tranzystora jest bardzo mala i spadek napiecia na wzmacniaczu mostkowym jest odpowiednio maly. Ten warunek daje równiez ujemny potencjal potrzebny do wysterowania obwodów, gdy wzmacniacz tworzy czesc wyposazenia elektronicznego aparatu telefonicznego. Uprzednio zakla¬ dano przy konstruowaniu takich ukladów, ze zarówno obwody sterujace jak i obwody wyjsciowe wymagaja zastosowania napiecia bardzo zblizonego do napiecia na szynach obwodu. Jednakze podczas pracy przy bardzo niskich napieciach uzyskiwany prad ogranicza wahania napiecia wyjsciowego. Umozliwia to konstruowanie obwodów pracujacych przy napieciach równych 1,5 V, normalnie zadawanych przez uklady sterujace i daje wartosc szczytowa napiecia sterujacego równa 1 V, jezeli wystepuje prad wystarczajacy do wzbudzenia tego napiecia na impedancji równej okolo 300£2.Takie zalaczenie tranzystora T3 wybrane zostalo z tego powodu, ze przy kazdym innym zalaczeniu tego tranzystora powstaje problem mozliwosci przebicia zlacza emiter-baza.Nalezy zaznaczyc, ze gdy zacisk linii L1 jest dodatni wzgledem zacisku linii L2, obecnosc tranzystorów T2 i T4 stosunkowo malo wplywa na prace wzmacniacza. Podobnie, gdy zacisk linii L2 jest dodatni wzgledem zacisku linii L1, obecnosc tranzystorów T1 i T3 równiez stosunkowo malo wplywa na prace wzmacniacza.W ukladzie takim, jaki jest przedstawiony na fig. 2, wahanie napiecia na linii w obecnosci sygnalu wynosi 2^BC + 'l R + Vs^ wYnikle z napiecia V2, gdzie VBC jest napieciem na zlaczu baza-kolektor tranzystora T3 a Vs jest napieciem na tranzystorze T1, gdy jest on w stanie nasycenia. Wspólczynnik 2 jest uwzgledniony w celu okreslenia wahania miedzyszczytowego. W przypadkach, z którymi ma sie do czynienia w praktyce, gdy lL = 8 mA, Ri = 1012, VBC = 0,7 V i V$ = 0,2 V, wartosc wyrazenia w naviasach jest równa 0,98 V, co ozna¬ cza, ze napiecie na linii wynosi tylko 1,8 V. Jak juz zaznaczono, takie male napiecie moze istniec w dlugich liniach. Przy podanych wyzej parametrach mamy w ten sposób zdolnosc wahania miedzyszczytowego 1,6 V.Idealna wartosc z punktu widzenia ograniczenia pradowego wynosi ^ooo - 2,4# Jednakze przy blizszym zbadaniu staje sie widoczne, ze na skutek nasycenia tranzystora T3 mozliwe jest uzyskanie napiecia, które jest równe napieciu w linii plus V$AT Zaklada sie, ze wartosc pradu U linii wynosi okolo 5 mA, zakladajac przy tym, ze pozostala czesc ukladu zawierajaca wzmacniacz pobiera 3 mA. Uzyskiwany prad, pobierany z emitera tranzystora T3 bedzie mial wartosc zblizona do tej wartosci, zakladajac, ze podane poziomy pradowe nie sa wzajemnie zalezne.Jednakze w warunkach dostarczania sygnalu, wartosc pradu lL zamienia sie tak, ze uzyskiwany prad obciazenia równiez zmienia sie. W przypadku ekstremalnym prad wywolany sygnalem moze spowodowac, ze prad bazy zbliza sie do zera, co zmniejsza prad obciazenia, uzyskiwany z sieci równiez do zera. W celu przezwyciezenia tego ograniczenia i umozliwienia przeplywu ujemnego pradu przez mostek, wlacza sie do ukladu kondensator C1.Kondensator C1 magazynuje energie dla ujemnego przewodzenia szczytowego. Mamy VC1 . y —IR gdzie VC1 jest napieciem na kondensatorze C1 a R jest rezystancja rezystora R1. Rezystor R2 w obwodzie emitero- wym tranzystora T3 (i odpowiedni rezystor R3 w obwodzie emiterowym tranzystora T4) jest zalaczony w celu, aby umozliwic przeplyw pradu przez dolne galezie mostka.W przypadku, gdy taki uklad, jaki opisano powyzej, jest wykonany w postaci ukladu scalonego, niezbedne jest zapewnienie wyeliminowania wstrzykiwania nosników do podloza w tranzystorze T3 lub T4, w zaleznosci od kierunku przeplywu pradu miedzy zaciskami linii L1 i L2. Wówczas^gdy te tranzystory sa w stanie nasycenia w jednym lub w drugim z tych przypadków, zlacze kolektor-baza tego z tranzystorów T3, T4, który znajduje sie w stanie przewodzenia, wstrzykuje ladunki do podloza i spowodowany tym prad, którymoze wynosic nawet do 30-50% pradu li, moze wywolac trudnosci na skutek tego, ze bedzie wywolywal zmiany napiecia w punkcie E (fig*2). Dla ukladu, który ma skutecznie pracowac, ten prad wywolywany niepozadanym wstrzykiwaniem nosników do podloza powinien byc zmniejszony do wartosci wynoszacej nie wiecej niz 1% pradu linii. Jedno¬ czesnie jednakze wzmocnienie pradu wstecznego tranzystora T3 lub T4 nie moze byc zmniejszone, w przeciw¬ nym bowiem razie ujemne napiecie uzyskiwane w punkcie E zmienialoby sie w sposób zalezny od kierunku przeplywu pradu pobieranego z obwodów sterujacych.Powyzsze trudnosci zwiazane ze wstrzykiwaniem nosników do podloza nie powstaja oczywiscie, jezeli stosuje sie uklad zrealizowany z wykorzystaniem elementów o parametrach skupionych. W celu przezwyciezenia tych trudnosci w przypadku zastosowania ukladów scalonych, tranzystor T3, a wiec i tranzystor T4, jest otoczo¬ ny obszarem pola zaporowego, który jest skuteczny przy malych natezeniach pradu, i sciana podloza, która jest4 125 280 skuteczna przy duzych natezeniach pradu. Takie rozwiazanie pokazane jest w sposób schematyczny na fig. 3, na której jest przedstawiona struktura tranzystora T3, którego emiter stanowi obszar N+ o przewodnictwie typu n+, baze — obszar P o przewodnictwie typu p, a kolektor — obszar N o przewodnictwie typu n. Pole zaporowe zajmu¬ je obszar BN+ oznaczony jako 1, a sciane podloza P! 50 stanowi obszar 2, który otacza obszar pola zaporowego i który polaczony jest z nim zlaczem 3.Zaleta rozwiazania z obszarem pola zaporowego 1 jest to, ze zapewnia sie skuteczne odbicie nosników od granicznych powierzchni tak, ze przy malych natezeniach pradu, rzedu 5 — 20 mA, wzmocnienie w kierunku wstecznym tranzystora pozostaje duze. Jednakze w miare zwiekszenia pradu uplywnosc nosników pod bariera w punkcie A wywoluje zauwazalne zwiekszenie pradu w podlozu. W celu zapobiegania temu stosuje sie sciane 2 podloza, która jest odizolowana od wlasciwego podloza obszarem BN+, który zbiera wszystkie nosniki mniej¬ szosciowe.Prad w podlozu, zwiazany z powyzszym zjawiskiem, powoduje w wyniku spadek napiecia na rezystorze R2 lub, co jest oczywiste, na rezystorze R3 w przypadku, gdy przewodzi tranzystor T4 i jak juz zaznaczono, wywo¬ lane jest to uplywnoscia pod obszarem pola zaporowego/w szczególnosci przy wiekszych natezeniach pradu. Ze wzgledu na to, ze czas zycia nosników mniejszosciowych w taki sposób wstrzykiwanych do podloza jest bardzo maly w obszarze warstwy zagrzebanej, obszar P sciany skutecznie eliminuje prad w podlozu. Fakt, ze obszar p+ sciany Piso jest usytuowany za warstwa zaporowa N+, zapewnia dobre wzmocnienie wsteczne tranzystora, poniewaz nosniki mniejszosciowe zbieraja sie w obszarze N+ i dzieki temu tworzy sie uklad wychwytujacy nosniki, które dyfunduja przez zubozona czesc obszaru zaporowego N+.Podkreslano juz, ze tranzystory T1 i T2 musza byc stosunkowo duzymi tranzystorami tak, aby napiecie Vbe bylo wlasciwe przy pradach rzedu 150 mA. W ukladach scalonych w sposób skuteczny jest to osiagane wówczas, gdy tranzystory T1 i T2 zajmuja o wiele wieksze obszary plytki pólprzewodnikowej niz tranzystory T3iT4.Na fig. 4 jest przedstawiony taki sam uklad, jak na fig. 1, zalaczony w obwodzie aparatu telefonicznego.Wzmacniacz mostkowy z fig. 1 przedstawiony jest jako blok 1. Inne bloki oznaczone sa w nastepujacy sposób: 2 — glówny wzmacniacz, 3 — róznicowy wzmacniacz wejsciowy, 4 — róznicowy wzmacniacz sprzezenia zwrotne¬ go, 5 — zródlo napiecia odniesienia, 6 — mostek strat dodatnich, 7 — mostek odbiorczy, 8 — odbiorczy wzma¬ cniacz róznicowy, 9—wyjsciowy wzmacniacz odbiorczy, 10 —obwód samoslyszenia, 11 — róznicowy wzma¬ cniacz wejsciowy sygnalu odpowiedzi stacji.Jak wynika z opisu, odnoszacego sie do fig. 1, funkcja wzmacniacza mostkowego 1 polega na wzbudzeniu sygnalu mikrofonowego i doprowadzeniu go do zacisków linii L1 i L2 niezaleznie od biegunowosci pradu w tych zaciskach. Dodatkowo wzmacniacz mostkowy umozliwia doprowadzenie do pozostalych obwodów bardziej ujemnego napiecia z zacisków linii L1 i L2 przy bardzo malym spadku napiecia. To ostatnie ma najwieksze znaczenie w przypadku dosc dlugich linii, gdy prad linii, a wiec i osiagane napiecie linii, jest w kazdym przypad¬ ku male. Ma duze znaczenie równiez i to, gdy dwa lub wiecej aparatów abonenckich jest polaczonych równolegle do tej samej linii. Ma to szczególne znaczenie wtedy, gdy jeden z aparatów ma mikrofon weglowy starego typu, poniewaz taki aparat moze/gdy nie ma takich obwodów, jak wzmacniacz mostkowy 1, skutecznie uniemozliwic dzialanie aparatu telefonicznego dolaczonego równolegle do zacisku A.Prad, który przeplywa przez zaciski linii L1 i L2, przeplywa równiez przez rezystor R10, który odpowiada rezystorowi R1 na fig. 1. Wówczas, gdy wzmocnienie pradowe wzmacniacza mostkowego 1 jest bliskie jednosci, na przyklad 0,98, napiecie wystepujace na rezystorze R10 moze byc wykorzystane do okreslania wartosci pradu plynacego w linii w wyniku okreslenia spadku napiecia na rezystorze R10 i w wyniku wysterowania tego napie¬ cia — do okreslenia pradu linri przeplywajacego w petli sprzezenia zwrotnego, obejmujacego wzmacniacz róznico¬ wy 4. W przypadku gdy zachodzi potrzeba, aby wzmocnienie w petli bylo duze, dalsze wzmocnienie zapewnia glówny wzmacniacz 2, który zwieksza wzmocnienie w petli, przez wzmacniacz mostkowy 1, wzmacniacz rózni¬ cowy 4 sprzezenia zwrotnego i glówny wzmacniacz 2 prawie do 1000.Zastosowanie systemu z czynnym sprzezeniem zwrotnym, zawierajacego wzmacniacz róznicowy 4 oraz rezystory RIT i R12, zamiast bardziej powszechnie stosowanych obwodów biernych sprzezenia zwrotnego, zape¬ wnia mozliwosc wykorzystania go do sterowania wartoscia sprzezenia zwrotnego przy zmianie wartosci natezenia pradu przeplywajacego przez wzmacniacz 4. To z kolei umozliwia sterowanie wzmocnieniem nadajnika. Taki uklad kompensuje równiez nieliniowe charakterystyki wejsciowego wzmacniacza róznicowego 3 oraz wspólczynniki temperaturowe róznych czesci ukladu.W omówionym wyzej ukladzie wzmocnienie na odcinku od zacisków wejsciowych wzmacniacza 3, do których dolaczone sa zaciski mikrofonu 12, do rezystora R10 wyznacza sie równaniem: c_ K3) Rn +Rn «4) ' Rn125 280 5 gdzie 1(3) — prad we wzmacniaczu 3 i 1(4) - prad we wzmacniaczu 4. W celu zapewnienia takich wlasciwosci jak regulacja wzmocnienia, np. kompensacje tlumienia w linii, niezbednym staje sie jedynie zmiana wartosci 1(3) do 1(4). Co wiecej, gdy wzmocnienie na odcinku do zacisków linii L1 i L2 jest dokladnie okreslone, to znaczy stosunkiem R./R6, calkowite wzmocnienie jest równiez dobrze okreslone.Rozpatrzmy teraz wejsciowy sygnal akustyczny o jednej lub wiecej czestotliwosciach telefonicznych, wykorzystywany przy zastosowaniu sygnalu wybieranego przez tarcze numerowa. Sygnal telefoniczny doprowa¬ dzany jest przez kondensator C4 do wzmacniacza róznicowego 11 i stad do glównego wzmacniacza 2. W przypa¬ dku, gdy wzmacniacz 11 jest równiez wzmacniaczem róznicowym i przez przyrzad przeplywa prad l(t ]), wzmo¬ cnienie wyjsciowe sygnalu telefonicznego okresla sie równiez po prostu jako stosunek pradów i rezystancji.W zwiazku z tym nie bedzie dalej opisywany ten sygnal wejsciowy, za wyjatkiem uwagi, ze wzmacniacz 11 ma wyjscie z sygnalem tlumionym, które zmniejsza wzmocnienie wzmacniacza 3, gdy wystepuje wejsciowy sygnal telefoniczny.Przedstawiony uklad zawiera inny obwód mostkowy, który odgrywa wazna role w obwodzie nadajnika.Takim mostkiem jest mostek 6 obciazenia dodatniego. Jest to obwód, który laczy albo zacisk linii L1 albo L2, w zaleznosci od tego, który z nich jest bardziej dodatni wzgledem wyjscia wzmacniacza 1, z górna koncówka rezystora R13. Nalezy zaznaczyc, ze wyjscie wzmacniacza 1 jest zaciskiem obwodu zasilania ujemnego.Rezystor R13 jest koncowym rezystorem obwodu iw rozpatrywanym przypadku jego rezystancja wynosi 60017. Rezystor R13 jest dolaczony do zacisków linii L1 i L2 poprzez kondensator C5 i czesc wzmacniacza mostkowego 1 jedynie w obecnosci sygnalów mowy. Z wyjscia mostka 6 uzyskuje sie równiez dodatnie napiecie zasilajace dla calego ukladu. Napiecie to i napiecie zasilajace uzyskiwane zdolnego zacisku rezystora R11 ma byc stabilizowane na poziomie okolo 3 V, wewnetrzne zródlo 5 napiecia odniesienia wlaczone jest w petli glównego wzmacniacza. Nalezy zaznaczyc, ze to napiecie równiez zasila uklad wytwarzajacy sygnal telefoniczny (na rysunku nie-pokazany}. Napiecie na nizszym zacisku rezystora R13 odwzorowuje napiecie wejsciowe wzma¬ cniacza odniesienia, a sygnal wyjsciowy tego wzmacniacza steruje napieciem miedzy zaciskami L1 i L2 tak, aby to napiecie bylo stale i równe 3 V w szerokim zakresie pradu linii — patrz wykres dolaczony do fig. 4.Dodatkowa cecha (nie pokazana na rysunku) jest uklad, który reaguje na prad linii i gdy ten prad staje sie mniejszy od 14 mA, wprowadza korekcje napiecia odniesienia dostarczanego przez wzmacniacz 5. Umozliwia to polepszenie parametrów osiaganych w takim przypadku.Otrzymane napiecie, tylko sygnalu mowy, na linii pojawia sie na rezystorze R13 dzieki dzialaniu mostka 6 i stad równiez pojawia sie na obwodzie szeregowym, skladajacym sie z kondensatora C6 i rezystora R14. Stad napiecie jest doprowadzane do zacisku wejsciowego odbiorczego wzmacniacza róznicowego 8, który zasila prze¬ twornik sluchawkowy 13. Wzmacniacz 8 wzmacnia ten sygnal i doprowadza go do wzmacniacza wyjsciowego 9, który z kolei wysterowuje sluchawki 13. Wzmacniacz 13 ma równiez polaczenie sterujace z drugim obwodem mostkowym 7, który laczy linie L1 lub L2, w zaleznosci od tego, która jest bardziej ujemna, ze wzmacniaczem 9.Ten dodatkowy obwód mostkowy jest potrzebny z tego powodu, ze prady o duzych natezeniach sa odbierane przez wzmacniacz 9. Taki duzy pobór pradu móglby w innym przypadku zanegowac zastosowanie innego mo¬ stka 6 z powodu spadku napiecia na rezystorze R13.Obwód samoslyszenia R15-R16-R14-C7-R17 jest zasadniczo obwodem symetrycznym, zrównowazonym, który wytlumia sygnaly nadajnika, pojawiajace sie na rezystorze R10 przy doprowadzeniu równych i o przeci¬ wnej biegunowosci sygnalów poprzez kondensator C6 i rezystor R2. Kondensator C7 i rezystor R17 sa wykorzy¬ stywane do kompensacji fazy w warunkach stosowanych w praktyce, gdy zaciski linii L1 i L2 sa dolaczone do rzeczywistej linii telefonicznej.Kondensatory C8, C9 i C10 sa stosowane w celu wyeliminowania interferencji czestotliwosciowej, konden¬ sator C11 jest przeznaczony do odseparowania skladowej stalej, a kondensator C12 jest kondensatorem wcho¬ dzacym w sklad wzmacniacza mostkowego i odpowiadajacym kondensatorowi C1 na fig. 1.Fig. 5 przedstawia dolaczenie zewnetrznych elementów ukladu, gdy glówna czesc ukladu przedstawio¬ nego na fig. 4 jest wykonana jako uklad scalony na plytce pólprzewodnikowej. Przyjete sa tutaj takie same oznaczenia liczbowe, co i na fig. 4. Rezystor R18, kondensator C14 i tlumik IH1 sa zastosowane celem zabezpie¬ czenia ukladu w niekorzystnych warunkach w linii telefonicznej, jak na przyklad w warunkach naglego oswietle¬ nia. Regulowany rezystor RV1, dolaczony do sluchawki 13 i mikrofonu 12 sluzy do celów regulacji.Zastrzezenia patentowe 1. Uklad wzmacniacza dwukierunkowego dolaczony do dwuprzewodowej linii telefonicznej, która jest dolaczona do mikrofonu telefonu dolaczonego do wejscia wzmacniacza, a takze dolaczonego do dalszego wzma-6 125 280 cniacza dolaczonego do sluchawki telefonu, znamienny tym, ze do dwóch przewodów linii (L1f L2) sa dolaczone kolektory pierwszego i drugiego tranzystora (T1,T2), których emitery sa polaczone ze soba i dola¬ czone do pierwszego wspólnego punktu (D) i do dwóch przewodów linii (Li, L2) sa równiez dolaczone kolekto¬ ry trzeciego i czwartego tranzystora (T3,T4), których bazy sa polaczone ze soba i dolaczone do drugiego wspólnego punktu (C), a miedzy pierwszym i drugim wspólnym punktem (D, C) jest wlaczony rezystor (R1), na którym jest uzyskiwany sygnal z drugiego wyjscia wzmacniacza i rezystor (R1) jest dolaczony do dalszego wej¬ sciowego odbiornika wzmacniacza róznicowego (8) dolaczonego do sluchawki (13) i drugie wejscie (A, B) wzma¬ cniacza jest dolaczone do baz pierwszego i drugiego tranzystora (T1,T2) ido wyjscia wejsciowego wzmacniacza (3). 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze emitery trzeciego i czwartego tranzystora (T3, T4) sa dolaczone poprzez drugi i trzeci rezystor (R2, R3) do trzeciego wspólnego punktu dostarczajacegonapiecie stale, a miedzy drugi wspólny punkt (C) i trzeci wspólny punkt jest wlaczony kondensator (C1). 3. Uklad wedlug zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, ze pierwszy i drugi tranzystor (T1, T2) maja podobne parametry oraz trzeci i czwarty tranzystor (T3, T4) maja podobne parametry, natomiast piewszy i drugi tranzystor (T1, T2) sa przyrzadami majacymi wieksze poszczególne obszary niz trzeci i czwarty tranzystor. 4. Uklad wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze wzmacniacz jest wykonany jako uklad scalony, a trzeci i czwarty tranzystor (T3, T4) jest otoczony w podlozu pólprzewodnikowym (32) przez obszar pola za¬ porowego (31). 5. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze miedzy drugim punktem wyjsciowym (C) i punktem na polaczeniu miedzy mikrofonem (12) i wzmacniaczem jest wlaczona petla sprzezenia zwrotnego sterujaca wzmocnieniem, która zawiera wzmacniacz róznicowy (4).125 280 A«- e°- -flf'2 ¥rn o- c- C1- t o LI -^12 R2^A R3 Rg.1 T4 Bo- ^ -C=p °12 AVQ- AIZl «AI l i ocAl AY-rtAYIR,! r^R1 <»L2 «AI Fig. 2 ta ¦*l ( 3 f I 1 % I N+ N+ |p Y///A 1 „s V////////.V 2 PBO Zz P ~l\ 501 BN" Fig. 3125 280 5 WMA 60MTI 12 13 RV1 Al Re? ci JLUiJJJLiJr^ Fig. 5 Pracowni* Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz.Cena 100 zl PL PL PL