NO145811B - Senderforsterker for telefonanlegg. - Google Patents

Description

Foreliggende oppfinnelse angår en senderforsterker som blir matet over en telefonlinje, og som arbeider uavhengig av polariteten til likespenningen som den mates med fra linjen, hvilken forsterker omfatter en første transistor som, med sin arbeidselektrode, er koblet til den ene ledningstråden i telefonlinjen og en annen transistor-som også med én arbeidselektrode er koblet til den andre ledningstråden i telefonlinjen. Denne senderforsterkeren er.primært tenkt benyttet i telefonanlegg.

Slike forsterkere blir f.eks. benyttet i telefonapparater. Her er mikrofonen og telefonen hver for seg koblet via forsterkeren til telefonlinjen. Kretsene i telefonapparatet, og der-under også denne forsterkeren, blir vanligvis forsynt med like-strøm fra telefonlinjen. I disse tilfeller skal telefonapparatet arbeide uavhengig av polariteten til matespenningen,^ da man. uten prøving aldri kan få et sikkert utsagn om. polariteten til ledningstrådene ved tilkobling av telefonapparatet. Det er også ønskelig at koblingsanordningen i et slikt telefonapparat er konstruert slik at kretsene funksjonerer for et stort område av ulike parametre for telefonlinjen.

Fra tysk patentsøknad DOS nr. 25 36 201 er det tidligere kjent en brokobling med to transistorer og to dioder, innsatt i en abonnentsløyfe i et telefonsystem. Over denne brokobling blir telefonapparatet forsynt med likestrøm.

r denne kjente kobling er den ene transistoren tilkoblet den ene tråden i abonnentledningen med sin emitter, mens den andre transistor har sin emitter koblet til den andre tråden i abonnentledningen. Den energiserende likestrøm flyter uansett polaritets-forholdene, gjennom en seriekobling som omfatter en diode og koblingsveien i en av transistorene. Likeoverfor en tidligere kjent brokobling omfattende fire dioder og med det formål å

beskytte mot polomkasting, har brokoblingen ifølge DOS

nr. 25 36 201 allerede den fordel at forekommende spenningstap som skyldes spenningsfall over den nevnte seriekoblingen, blir redusert, fordi spenningsfallet over den gjennomkoblede arbeids-strekning i en transistor er mindre enn for en gjennomkoblet diode. På denne måte kan funksjonsdyktigheten til forsterkeren som anvendes i telefonapparatet bibeholdes, også ved lange tilkoblingslinjer, dvs. ved lave likespenninger ved apparatet. Denne brokoblingen har imidlertid de ulemper at på den ene side er spenningstapet ved den nevnte seriekobling fortsatt uønsket høy, og på den annen side vil basis-emitter strekningen til den transistor som ikke ligger i den gjennomkoblede brogrenen, ved korte tilkoblingslinjer gi en relativt høy sperrespenning, noe som fremtvinger bruk av svært høyverdige transistorer.

Hovedformålet med foreliggende oppfinnelse er å tilveie-bringe en senderforsterker av den ovenfor nevnte art, men hvor den likespenningsreduksjon som skyldes forsterkeren blir ytterligere redusert, og hvor man likevel kan benytte transistortyper med mindre tillatt sperrespenning, slik at forsterkeren forblir funksjonsdyktig under ekstreme betingelser i telefonlinjen.

Dette oppnås ved å utforme senderforsterkeren i overens-stemmelse med de nedenfor fremsatte patentkrav.

En fordel med oppfinnelsen er det videre at det ved motstanden foreligger en tilgjengelig spenning som tilsvarer matespenningen til telefonlinjen bare forminsket med spenningsfallet over seriekoblingen av kollektor-emitter strekningen til en transistor og basis-kollektor strekningen til en ytterligere transistor. Når begge transistorer befinner seg i åpen eller gjennomkoblet tilstand, kan det spenningstap som skyldes disse, være svært lite. Det analogt oppkoblede andre transistorpar befinner seg i sperreretning, hvorved sperrespenningen blir oppdelt i en ukritisk kollektor/emitter-strekning i den ene transistor og en ukritisk basis/kollektor-strekning i den andre transistor.

Oppfinnelsen har ytterligere den fordel at den tredje

transistor og den fjerde transistor kan benyttes for ytterligere funksjoner, f.eks. for å oppnå en negativ hjelpespenning. For å få utviklet denne hjelpespenningen foreslås tatt i bruk de midler som er beskrevet i krav 2.

En hensiktsmessig videreutførelse av oppfinnelsen er omtalt i krav 3. , Ved å ta denne utførelsen i bruk kan en billigere type transistor benyttes for de to siste transistorer.

Krav 4 viser en fordelaktig utførelse av oppfinriélsen når senderforsterkeren i henhold til oppfinnelsen skal utføres i integrert form.' Det oppnås da at man får en refleksjon av ladningsbærere slik at forsterkningen blir høy for de inverst kob-.. lede tredje og fjerde transistorer ved lave strømstyrker. Detaljene som er omtalt i kravene 5 og 6 angir to fordel-aktige anvendelser av spenningsfallet over motstanden. Således kan denne spenningen ifølge krav 5 benyttes som kompénsasjons-spenning for å unngå fjerntaleforekomster, mens den ifølge krav 6 på egnet måte kan benyttes som reguleringsspenning i en motkob-lingssløyfe.

En slik utformet senderforstérker åpner også inngrepsmulig-hetene for ytterligere koblinger i et telefonapparat, uten at funksjonene til. motkoblingssløyfen blir forstyrret. For dette formål er de trekk som er nevnt i krav 7 foreslått. For at spenningsfallet over motstanden ikke skal belastes som strømfor-syning til den benyttede forsterker, er forholdsreglene ifølge' krav 8 foreslått.

For å gi en klarere forståelse av foreliggende oppfinnelse vises til nedenstående detaljerte beskrivelse av utførelses-'* eksempler, samt til de ledsagende tegninger, hvor: fig. 1 viser en forsterker i henhold til foreliggende oppfinnelse,

fig. 2 viser en del av kretsen i henhold til fig. 1, her

vist separat for å forklare virkemåten,

fig. 3 viser i tverrsnitt og i forstørret fremstilling, en del av en integrert-krets utførelse av forsterkeren i henhold til fig. 1,

fig. 4 viser et blokkdiagram for en krets som kan benyttes i

en telefonkrets i henhold til foreliggende oppfinnelse,

fig. 5 er en ytterligere framstilling hvor de elementene i fig. 4 som ikke inngår i den integrerte kretsen, er vist spesielt.

I kretsen i fig. 1, som er konstruert for bruk som en telefor forsterker i et telefonapparat, er det benyttet 4 transistorer Tl, T2, T3,' og T4, av hvilke Tl og T2 er av en større dimensjon enn T3

og T4. Når kretsén skål fremstilles som en integrert krets,

betyr det at transistorene kan være av samme type, men at Tl og T2 krever et større areal på den integrerte krets enn transistorene T3 og T4. Linjetrådene er vist ved Li og L2, og disse er forbundet med kollektorene til hver sin transistor. Transduceren, som i foreliggende tilfelle vil være en mikrofon, er via andre kretselementer, se fig. 4, forbundet med klemmene A og B og dermed også til basis for transistorene Tl og T2. Mottageren, det vil i dette tilfelle si høretelefonen eller høyttaleren hvis det er tale om en høyttalende telefon, er koblet slik at den vil drives av spenningene som utvikles over den ohmske motstanden Ri, se også fig. 4.

Som allerede nevnt kan linjeklemmen LI være positiv eller negativ, og linjeklemmen L2 vil da ha motsatt verdi, altså være negativ eller henholdsvis positiv. Hvis således LI er positiv, »vil strømmen fra linjen flyte inn fra linjen Li, passere over kollektoremitterveien til transistoren Tl, motstanden Ri, basiskollektorveien til transistoren T3, og derfra gå tilbake til L2. Dersom L2 er positiv, vil strømmen flyte inn fra L2, over kollektoremitterveien til T2, motstanden RI, basiskollektorveien til T4 og derfra gå tilbake til LI. Det skal bemerkes at i begge tilfeller vil strømmen flyte i samme retning gjennom motstanden Ri. Således kan denne motstanden i virkeligheten benyttes til å definere, f.eks. over en tilbakekoblingssløyfe e.l., overførings-forsterkningen mellom punktene D og C ved enden av motstanden Ri og linjeterminalene. Dette vil forklares nærmere idet man bare betrakter en del av kretsen i fig. 1, slik som vist i fig. 2.

Enkelte av strøm- og spenningsforholdene som er relevante for driften av kretsen er vist i fig. 2. Spenningsforsterkningen fra Ri til linjen er definert av

Vo er utgangsspenningen, og da a går mot 1, fås

ZL er den ytre linjens impedans og RI er verdien av den indre motstand koblet mellom de to knutepunktene C og D. Ett av knutepunktene er den felles forbindelse mellom emitterne til transistorene Tl og T2, og det andre er den felles forbindelse mellom basisene til T3 og T4. Således vil spenningsforsterkningen mellom linjen og RI ganske enkelt være et forhold mellom impedansene.

Da hoveddelen av linjestrømmen II flyter gjennom utgangs-trinnet T3, kan middelverdien til spenningen over Ri benyttes til å overføre informasjon angående linjestrømmen. Dette gjør det mulig å forutsi endringer i linjens spenning/strømkarakteristikk på basis av sammenligninger mellom den midlere spenning over Ri og en nøyaktig intern spenningsstandard.

Da transistoren T3 fører nesten hele linjestrømmen i sin kollektor/basiskrets, er transistoren i metning slik at spenningen på dens emitter er svært nær spenningen på kollektoren. Dette medfører at denne transistorens impedanse er meget lav slik at spenningsfallet som skyldes broforsterkeren er tilsvarende lavt. Dette forhold gir også det negative potensial som behøves for drivkretsene når forsterkeren utgjør en del av en telefonkrets. Det er tidligere forutsatt, i konstruksjonen av slike kretser, at både drivkretsene og utgangskretsene trenger en spenning som er svært nær spenningen på kretsens strømforsyning. Imidlertid vil, under drift ved svært lave spenninger, f.eks. når kretsen befinner seg ved enden av en lang linje, den tilgjengelige strømmen begrense utgangsspenningens utsving. Dette gjør det mulig å konstruere en krets som arbeider ved 1,5 volt, nor-malt innstilt av drivkretsen, og gir 1 volts spiss-til-spiss spenning på utgangsdrivspenningen dersom det er tilstrekkelig strøm til å drive den opp i en impedanse på omkring 300 ohm.

Konfigurasjonen til transistoren T3 ble valgt fordi man ved andre konfigurasjoner ville få mulighet for emitter/basfsgjennom-slag som ville forårsake problemer. En studie av fig. 1 viser at i alle tilfeller "ser" linjestrømmen kollektoren til en NPN transistor.

Det skal bemerkes at når linjen LI er positiv i forhold til linjen L2, har tilstedeværelsen av T2 og T4 relativt liten virkning på driften. På lignende måte vil, når L2 er positiv i forhold til LI, og T2 og T4 blir de effektive transistorer, tilstedeværelsen av Tl og T3 ha relativt liten virkning.

For å klargjøre beskrivelsen ytterligere, vil vi nå beskrive et praktisk eksempel. I en krets slik som vist i fig. 2, blir spenningsutsvinget på linjen i nærvær av et signal gitt av uttrykket 2(VBC + (IL)R + Vs) fra likespenningstråden V2, hvor VBC er basis-kollektorspenningen til T3 og Vs er spenningen over Tl i mettet tilstand. Multiplikasjonen med 2 er foretatt for å gi spiss-til-spiss verdien. I et praktisk tilfelle med IL = 8mA,

RI = 10 ohm, VBC = 0,7 V og Vs = 0,2 V, blir uttrykket i paren-tesen lik 0,98 V, forutsatt at spenningen over linjen bare er 1,8 V. Som allerede indikert, vil en slik lav spenningtilstand lett kunne opptre ved svært lange linjer. Med de angitte parametre får vi således en spenning på 1,6 V som spissverdi. Den ideelle strømbegrensningsverdi er da

Imidlertid vil det ved overvåkning sees at på grunn av metningen til transistoren T3 blir en spenning tilgjengelig som er lik linjespenningen + VSAT.

Verdien for linjestrømmen II antas for enkelhets skyld å være omkring 5mA, forutsatt at resten av kretsen, forsterkeren innbefattet, krever 3mA. Dermed vil den tilgjengelige strøm fra emitteren til transistoren T3 kunne nærme seg denne verdien, forutsatt at strømnivåene som er nevnt ikke er innbyrdes avhengig av hverandre. Imidlertid vil, når et signal tilføres, verdien til strømmen IL fluktuere, slik at den tilgjengelige belastnings-strøm også forandres. I et ekstremt tilfelle kan signalstrømmen forårsake at basisstrømmen går mot 0, noe som reduserer belast-ningsstrømmen som er tilgjengelig fra kretsen til henimot 0. For å unngå denne begrensningen og for å tillate negativ strøm gjennom broen, er kondensatoren Cl tilføyet. Denne kondensatoren lagrer energien fra de forekommende negative spissverdier. Vi får VC1 = VBE - (IL)R, hvor VCl er spenningen over kondensatoren Cl og R er verdien på motstanden RI. Motstanden R2 i emitterkretsen til T3, (og den tilsvarende motstand R3 for transistoren T4) benyttes for å unngå sløyfestrømmer som går rundt det nedre par i broen.

Når en krets, slik som beskrevet ovenfor, skal realiseres ved en integrert krets, er det nødvendig å sikre seg at substrat-injeksjonen i transistorene T3 eller T4 elimineres, avhengig av retningen til strømmen som flyter mellom linjen LI og L2. Da en av disse transistorene er mettet i det ene eller annet av disse to tilfeller, kan kollektorbasisveien til den av transistorene T3 og T4 som leder, injisere ladning inn i substratet, og denne strøminjeksjon som kan være så meget som 30 - 50% av II, kan føre til vanskeligheter på grunn av spenningsforandringer som den forårsaker ved punktet E, fig. 2. For at kretsen skal være effektiv, må injeksjonen av dette substratet bli redusert til maksimalt 1% av linjestrømmen. Samtidig må imidlertid ikke tilbakestrømsforsterkningen i transistorene T3 ellr T4 degra-deres, for i så fall ville den negative spenning som blir tilgjengelig ved punkt E forandres på en måte som avhenger av strømmen som til enhver tid forbrukes i belastningskretsene.

Vanskelighetene som er beskrevet ovenfor for substratinjek-sjonen, gjelder selvsagt ikke hvis man realiserer kretsen ovenfor v.hj.a. diskrete komponenter. For å unngå vanskelighetene i en integrert kretsimplementering, blir transistoren T3 (og også T4) omgitt av en feltbarriere, som er effektiv ved lave strømmer, og en substratvegg, som er effektiv ved høye strømmer. Denne løs-ningen er vist skjematisk i fig. 3, som viser arrangementet for transistoren T3, dannet ved en N+ region for emittereh, én P region for basis, og en N region for kollektoren. Feltbarrieren er BN+ regionen vist ved 1 og substratveggen er P(ISO) regionen 2, som omgir barrieren og ér koblet til den over kontakten 3. Fordelen med feltbarrieren 1 er at den gir en effektiv refleksjon., av ladningsbærere fra veggen og sidene slik at ved lave strømmer (5 - 20mA). forblir tilbakestrømsforsterkningen til transistoren høy. Imidlertid vil, når strømmen øker, lekkasjen av ladnings-bærerne under barrieren ved A forårsake en markert økning i substratstrømmen. Det er for å unngå dette at en flytende substratvegg 2 benyttes, og denne veggen er isolert fra det aktuelle substrat av området BN+, som samler opp alle sprede-minoritets-ladningsbærere.. ' .

Substratstrømmen som er omtalt ovenfor, frembringes som et resultat av spenningsfallet over R2 (eller selvfølgelig R3 for-transistoren T4), og som allerede indikert forårsakes den av sub-barriérelekkasje særlig ved høyere strømnivåer. Da levetiden til minoritetsladningsbærerne som på denne måten blir injisert inn i substratet, er meget liten i den nedsenkede regionen, vil P veggen være effektiv for å begrense substratstrømmen. Faktumet at P+ (ISO) veggen er anbrakt etter N+ barrieren, gir en god reversforsterkning for transistoren, p.g.a. en oppstabling av minoritetsbærere i N+ regionen, og fordi den frembringer et oppsamlingssystem for spredeladningsbærerne som diffunderer gjennom den nederste delen av N+ barrieren.

Vi har allerede vist til det faktum at transistorene Tl og T2 må være relativt store transistorer, slik at en fornuftig verdi på V(BE) oppnås med en strøm på 150 mA. I utførelsen med en integrert krets sikres dette ved å sørge for at Tl og T2 opptar et meget større areale på den integrerte komponent enn transistorene T3 og T4.

Fig. 4 viser hvordan en krets slik som den i fig. 1 inn-korporeres i en telefonkrets, idet broforsterkeren i fig. 1 er vist ved blokken 1, benevnt broforsterker. De andre blokkene er identifisert på følgende måte:

Som det fremgår av beskrivelsen til fig. 1 er funksjonen til broforsterkeren 1 å viderebefordre sendersignalet til linjeklemmene Li og L2 uavhengig av likestrømspolariteten til disse klemmer. I tillegg til dette sørger broforsterkeren for at resten av kretsen får adgang til spenningen ved den mest negative av terminalene LI og L2 med svært lite spenningsfall. Dette er viktigst ved en lang linje, hvor linjestrømmen og således linjespenningen som er tilgjengelig, i alle tilfelle er lav. Det er også viktig når to eller flere telefonapparater er koblet inn i parallell til samme linje. Dette er særlig tilfelle hvis et av apparatene er forsynt med en gammeldags kullmikrofontype, fordi et slikt apparat, uten bruk av en følsom krets slik som broforsterkeren 1, effektivt kan sette et elektronisk abonnentapparat som befinner seg i prallell med dette, ut av drift.

Strømmen som flyter gjennom linjeklemmene Li og L2 passerer også gjennom motstanden RIO som tilsvarer motstanden RI i fig. 1. Fordi strømforsterkningen til broforsterkeren 1 er nær 1, f.eks. 0,98, kan spenningen som foreligger over motstanden RIO benyttes til å definere strømmen til linjen ved å avføle spenningen over motstanden RIO, og under styring av denne spenningen kan linje-strømmen defineres over en tilbakekoblingssløyfe som omfatter differansialforsterkeren 4, se nedenfor. Da sløyfeforsterkningen som behøves for å oppnå dette er høy, tilveiebringes ytterligere forsterkning av hovedforsterkeren 2, som øker sløyfeforsterkninge; gjennom broforsterkeren 1, differansialtilbakekoblingsforster-keren 4 og hovedforsterkeren 2 til omkring 1000.

Bruken av et aktivt tilbakekoblingssystem, omfattende differansialforsterker 4 samt motstandene Ril og R12 istedenfor den mer vanlige passive tilbakekoblingssløyfe, gjør det mulig å kontrollere tilbakekoblingsgraden ved å forandre størrelsen på strømmen som flyter i denne forsterkeren 4. Dette muliggjør i sin tur at senderens forsterkning kan kontrolleres. Arrangementet kompenserer også for de ikke-lineære karakteristikker til inngangsdifferansialforsterkeren 3 og for temperaturkoeffi-sientene til forskjellige deler av kretsen.

Med arrangementet ovenfor vil forsterkningen fra inngangs-klemmene til forsterkeren 3, til hvilke klemmer mikrofonen 12 er koblet, i retning mot motstanden RIO bli definert som:

hvor 1(3) er strømmen i forsterkeren 3 og 1(4) er strømmen i forsterkeren 4. Således blir alt som trenges for å kunne tilby slike muligheter som spenningsregulering, f.eks. for kompensering av linjedempningen, å foreta en forandring av størrelsen på 1(3) til 1(4). Videre vil, fordi forsterkningen til linjeklemmene LI og L2 er nøyaktig definert og i virkeligheten er lik forholdet mellom RL/R6, også den totale forsterkningen være godt definert.

La oss nå betrakte tonesignalinngangen, som består av én eller flere talefrekvenser som benyttes når tonesignalering anvendes, enten direkte fra en fingerskive, fra ett knappsats-sett, eller fra en automatisk nummerslåer. Tilførselen av tonefrekvente spenninger skjer over kondensatoren C4 til.differensial-forsterkeren 11 og derfra til hovedforsterkeren 2. Da forsterkeren 11 også er en differansialforsterker, med en strøm på 1(11) i utstyret, blir forsterkningen som de tonefrekvente signaler utsettes for, også ganske enkelt definert som et forhold av strømmer og motstander. Således trenges ingen ytterligere beskrivelse av denne inngang, bortsett fra at det skal bemerkes at forsterkeren 11 har en utgang som er betegnet MUTE som reduserer forsterkningen til forsterkeren 3 når et tonefrekvent signal foreligger på inngangen.

Kretsen som er vist, omfatter et ytterligere broarrangement som er viktig i senderveien, idet dette utgjør den positive belastningsbroen 6. Dette er et nettverk som forbinder enten klemme LI eller klemme L2, og da alltid den av disse som er mest positive i forhold til utgangen fra forsterkeren 1, til den øvre ende av motstanden av R13. Det skal her bemerkes at utgangen fra forsterkeren 1 er kretsens negative tilførselsklemme.

Motstanden R13 er avslutningsmotstanden til nettverket, og i det foreliggende tilfelle har den en verdi på 600 ohm. Den er effektiv over klemmene LI og L2 via kondensatoren C5 og den negative bryterdelen til broforsterkeren 1, og bare for talekanaler.

Utgangen fra broen 6 tilveiebringer også den positive spen-ningstilførsel for hele kretsen. Da denne spenningen og til-førselen fra den nederste klemmen til motstanden Ril skal stabi-liseres på rundt 3 V, innskytes en intern spenningsreferanse 5 i hovedforsterkerens sløyfe. Det skal bemerkes at denne spenningen også driver de tonefrekvente generatorkretser (ikke vist på figuren). Viktig er det at spenningen ved den nederste klemmen til motstanden R13 avføles av inngangen til referanseforsterkeren og utgangen fra denne forsterkeren styrer spenningen over LI og L2 for å gjøre spenningen konstant og lik 3 V for et større område av linjestrømmer, se diagrammet som er innfelt i fig. 4.

Et tilleggstrekk (ikke vist på figuren) er en krets som avføler linjestrømmen, og som, når denne faller under 14 mA, justerer referansespenningen som er tilveiebragt av forsterkeren 5. Dette muliggjør en forbedret drift i slike tilfeller.

Den mottatte spenning over linjen, eller den del av dette

som representerer et rent talesignal, opptrer over motstanden R13 på grunn av virkningen til broen 6, og fremkommer således også over seriekombinasjonen av kondensatoren C6 og motstanden R14. Herfra føres den til inngangsklemmen til differansialforsterkeren 8 på mottageren, som endelig mater høretelefonen 13. Denne forsterkeren 8 forsterker dette signalet og fører det til utgangsforsterkeren 9, som i sin tur driver høretelefonen 13. Således har også forsterkeren 13 en styrende forbindelse over et annet broarrangement 7, som forbinder den av linjeklemmene LI eller L2 som er mest negativ, til forsterkeren 9. Dette ekstra broarrangement er nødvendig på grunn av den store strøm som kreves av forsterkeren 9. Dette store strømforbruk ville ellers ha kunnet umuliggjøre anvendelsen av en ytterligere brokrets 6 på grunn av

spenningsfallet som frembringes over motstanden R13.

Sidetonenettverket R15-R16-R14-C7-R17 er fundamentalt sett

et balansenettverk som utbalanserer sendersignalene som frem-

kommer over motstanden RIO ved å mate et tilsvarende, men motsatt signal til dette over C6 og R2. Kondensatoren C7 og motstanden R17 benyttes for fasekompensasjon for det praktiske tilfellet at klemmene LI og L2 er koblet til en aktuell telefonlinje.

Kondensatorene C8, C9 og CIO benyttes for å unngå frekvens-

interferens, Cll benyttes for å unngå likespenningsforskyvninger,

og Cl2 er broforsterkerens kondensator (som tilsvarer kondensa-

toren Cl i fig. 1).

Fig. 5 viser arrangementet for de eksterne komponenter når de største deler av nettverket som er vist i fig. 4 er utført som en integrert krets. De samme referanser er benyttet her som i fig. 4. Motstanden R18, kondensator C14 og undertrykningskrets JH1 er de vanlige beskyttelseskretser som er tilveiebragt for å

beskytte kretsen mot uønskede linjetilstander slik som f.eks. ved lynnedslag. Den variable motstand RVl forbinder trådene til høretelefonen 13 med mikrofonen 12 for justeringsformål.

Claims (8)

1. Senderforsterker som blir matet med likespenning over en telefonlinje, og som arbeider uavhengig av polariteten til like-

spenningen som den mates med fra linjen, hvilken forsterker omfatter en første transistor som med en arbeidselektrode er tilkoblet den ene ledningstråden i telefonlinjen, og en andre transistor som med sin ene arbeidselektrode er koblet til den andre ledningstråden i telefonlinjen, karakterisert ved a t de arbeidselektroder som er koblet til ledningstrådene er kollektorene til transistorene (Tl, T2), at emitterene til disse transistorer er sammenkoblet til et første koblingspunkt (D), at en tredje transistor (T3) med sin kollektor er koblet til den andre ledningstråden (L2), mens en fjerde transistor (T4) med sin kollektor er koblet til den første av ledningstrådene (LI), at basiselektrodene til den tredje og fjerde transistor er sammenkoblet til et annet koblingsnett (C), at det mellom det første koblingspunkt (D) og det andre koblingspunkt (C) er koblet en motstand (RI), og at spenningsfallet over denne motstand (Ri) benyttes til å avlede styrespenning som påvirker tilbakekobling til basiselektrodene til den første (Tl) og andre transistor (T2).

2. Forsterker ifølge krav 1, karakterisert ved a t emitterne til den tredje og fjerde transistor (T3, T4) er koblet over en andre henholdsvis en tredje motstand (R2, R3) til et tredje knutepunkt (E) som utgjør en likespenningsutgang, og at en kondensator (Cl) er innkoblet mellom det andre (C) og det tredje knutepunkt (E).

3. Forsterker ifølge krav 1 eller 2, karakterisert ved at den første og andre transistor (Tl, T2) er praktisk talt like, mens den tredje og den fjerde transistor (T3, T4) også er praktisk talt innbyrdes like, mens første og andre transistor har en større ytelse enn tredje og fjerde transistor slik at for ethvert arbeidspunkt til begge de to første transistorer (Tl, T2) , vil de to siste transistorer (T3, T4) arbeide i metning.

4. Forsterker ifølge krav 1, 2 eller 3, og hvor forsterkeren er utført som en bestanddel av en integrert krets, karakterisert ved at den tredje og den fjerde transistor (T3, T4) på det integrerte kretssubstratet er omgitt av en "flytende", ikke-jordet feltbarriere (31).

5. Forsterker ifølge krav 1, 2, 3 eller 4, for bruk som mikro-forsterker i et telefonabonnentapparat, karakterisert ved at mikrofonen (12) er koblet over en forsterker (3, 2) som omfatter en forsterkerveg med basiselektrodene til begge de to første transistorer (Tl, T2), mens spenningsfallet over den første motstand (Ri, RIO, fig. 4) føres til en audio-omformer, som f.eks. høyttaleren (13) over ytterligere for-? sterkere (8, 9).

6. Forsterker ifølge krav 5, karakterisert ved a t en tilbakekoblingssløyfe for forsterkningsstyringsformål går ut fra det andre knutepunkt (C) til et punkt i forbindelsen mellom mikrofonen og forsterkeren, og hvor denne tilbakekoblings-sløyfen omfatter en differensialforsterker slik at den er en aktiv tilbakekoblingssløyfe.

7. Forsterker ifølge krav 5 eller 6, karakterisert ved at det i den nevnte forsterkerveg dessuten foreligger en anropsnummergenerator (WE) som er tilkoblet over en ytterligere differansialforsterker (11), og at mikrofonen (12) derigjennom er utkoblebar fra forsterkervegen (over M).

8. Forsterker ifølge krav 5, 6 eller 7, karakterisert ved at den likespente matespenning for forsterkerne (3, 2) og differansialforsterkeren (4, 11) fås ved hjelp av en brokobling (6) som er tilkoblet telefonlinjen, at denne brokoblingen dessuten leverer den likespente matespenning for den mottagende forsterker (8), bortsett fra utgangsforsterkeren (9), som får sin likespente matespenning ved hjelp av en særskilt brokobling (7). som er koblet til telefonlinjen.