PL114603B1 - Method of manufacture of electromagnetic silicon steel - Google Patents
Method of manufacture of electromagnetic silicon steel Download PDFInfo
- Publication number
- PL114603B1 PL114603B1 PL1977198884A PL19888477A PL114603B1 PL 114603 B1 PL114603 B1 PL 114603B1 PL 1977198884 A PL1977198884 A PL 1977198884A PL 19888477 A PL19888477 A PL 19888477A PL 114603 B1 PL114603 B1 PL 114603B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- weight
- boron
- parts
- coating
- compounds
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 58
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 55
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 50
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 25
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 13
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 6
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000013980 iron oxide Nutrition 0.000 claims description 3
- VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N iron(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Fe+2] VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 claims description 3
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910020169 SiOa Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005261 decarburization Methods 0.000 claims description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Inorganic materials O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 8
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 206010017711 Gangrene Diseases 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N trisodium borate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]B([O-])[O-] BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23D—ENAMELLING OF, OR APPLYING A VITREOUS LAYER TO, METALS
- C23D5/00—Coating with enamels or vitreous layers
- C23D5/10—Coating with enamels or vitreous layers with refractory materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
- C21D8/1277—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties involving a particular surface treatment
- C21D8/1283—Application of a separating or insulating coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/02—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/14766—Fe-Si based alloys
- H01F1/14775—Fe-Si based alloys in the form of sheets
- H01F1/14783—Fe-Si based alloys in the form of sheets with insulating coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Heat Treatment Of Sheet Steel (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia elektromagnetycznej stali krzemowej o zo¬ rientowanej teksturze Gossa.Znany jest z opisów patentowych Stanów Zjed¬ noczonych Ameryki nr 3873381, 3905842, 3905843 5 i 3957546 sposób wytwarzania inhibitowanej bo¬ rem elektromagnetycznej stali krzemowej o zo¬ rientowanej teksturze Gossa.Sposób wytwarzania elektromagnetycznej Stall krzemowej o zorientowanej teksturze Gossa, wy- 10 kazujacej w polu magnetycznym o natezeniu 796 A/m, przenikalnosc magnetyczna wynoszaca co najmniej 0,00235 H/m, polega na tym, ze topi sie stal krzemowa zawierajaca 0,02—0,06% wegla, 0;0006—0,008% boru, do 0,01% azotu, nie wiecej 18 niz 0,008% glinu i 2,5-4,0% krzemu, odlewa sie wlewek, walcuje sie wlewek na goraco na tasme, walcuje sie tasme na zmino, odwegla sie, naklada sie na tasme ogniotrwala powloke tlenkowa, za¬ wierajaca 100 czesci wagowych co najmniej jednej 2# substancji wybranej z grupy obejmujacej tlenki, wodorotlenki, weglany, i zwiazki boru z magne* zem, wapniem, glinem i tytanem; do 100 czesci wa¬ gowych co najmniej jednej innej substancji wy¬ branej z grupy obejmujacej bor i jego zwiazki, tak 2$ aby powloka zawierala co najmniej 0,1% wago¬ wego boru; do 40 czesci wagowych SiO; do 20 czesci wagowych substancji inhibitujacych lub ich zwiazków; do 10 czesci wagowych tpników, i tek¬ sturuje sie przez koncowe wyzarzanie tasmy wraz 39 a nalozona na te tasme powloka. Zgodnie z wy¬ nalazkiem, do ogniotrwalej powloki tlenkowej wprowadza sie ponadto 0,5—100 czesci wagowych co najmniej jednego tlenku mnie] trwalego niz SiOf w temperaturach do 1450 K lecz tlenku pier¬ wiastka innego niz bor.Stopiona stal zawiera korzystnie co najmniej 0,0008% boru.Sposób nakladania powloki obejmuje zarówno mieszanie skladników powloki z woda i nanoszenie w postaci zawiesiny, jak i nanoszenie elektrolitycz¬ ne. Podobnie, skladniki tworzace powloke nanosic mozna wspólnie lub jako poszczególne warstwy.Korzystne jest jednak, aby powloka zawierala ca najmniej 0,2% wagowych boru, polepszajacego wlasciwosci magnetyczne stali. Typowymi zródla¬ mi boru sa kwas borowy, trójtlenek boru (BfOa), piecioboran amonowy i boran sodowy.Jak podano wyzej, ilosc tlenku mniej trwalego niz SiO* wynosic powinna 0,5—100 czesci wago¬ wych, korzystnie co najmniej 1 czesc wagowa.Ilosci maksymalne wynosza zazwyczaj mniej niz 30 czesci wagowych. Typowymi tlenkami sa tlen¬ ki manganu i zelaza, przy czym korzystny jest MnO*.Powloka zawiera korzystnie co najmniej 0,5 cze¬ sci wagowych SiO* Substancje inhibitujace, które wprowadzic mozna do powloki pochodza zazwy¬ czaj z grupy obejmujacej siarke, zwiazki siarki, zwiazki azotu, selen i zwiazki selenu. Typowymi 114 603114603 3 topnikami stosowanymi wedlug wynalazku sa tle¬ nek litu, tlenek sodu i inne tlenki znane fachow¬ com.Korzystnie walcowana na goraco tasme o gru¬ bosci 1,27—3,05 mm walcuje sie na zimno do gru¬ bosci nie wiekszej niz 0,51 mm bez wyzarzania miedzyoperacyjnego miedzy przepustami walcowa¬ nia na zimno.Wprowadzenie do powloki nakladanej na inhibi- towana borem stal krzemowa, tlenku mniej trwa¬ lego niz SiOs w temperaturach do 1450K ma szcze¬ gólne znaczenie. Przez tlenek mniej trwaly niz SiO« rozumiany jest tlenek, którego swobodna ener¬ gia tworzenia jest mniej ujemna niz dla SiOs w warunkach panujacych podczas wyzarzania wyso¬ kotemperaturowego. Poniewaz jednak warunki te trudno jest okreslic, dla oznaczenia trwalosci sto¬ sowac mozna wzorcowy diagram swobodnej ener¬ gii tworzenia. Koncowe wyzarzanie normalizujace inhibitowanych borem stali krzemowych prowadzi sie przy stosunkowo niskich punktach rosy, co po¬ lepsza wlasciwosci magnetyczne tych stali. Wyso¬ kie wartosci punktów rosy powoduja, ze stal traci bor, zmniejszajac jego dzialanie inhibitujace, po¬ woduje to pogorszenie wlasciwosci magnetycznych.Przy uzyciu niskich wartosci punktów rosy, pod¬ czas koncowego wyzarzania normalizujacego otrzy¬ muje sie jednak zgorzeline uboga w tlen wystepu¬ jacy w postaci tlenków, glównie Si02. Poniewaz pewna ilosc tlenku w zgorzelinie potrzebna jest dla uczynienia powierzchni podatna na tworzenie powloki podstawowej o wysokiej jakosci, znalezc nalezy sposoby dodawania tlenku do zgorzeliny w postaci tlenków, glównie SiOs.Jednym z takich sposobów jest dodawanie tlenu za posrednictwem powloki zawierajacej tlenek mniej trwaly niz SiCte w temperaturach do 1450 K.Wprowadzenie takiego tlenku umozliwia tworzenie powloki podstawowej o wysokiej jakosci na inhi¬ bitowanych borem stalach krzemowych, odwegla- nych przy punkcie rosy wynoszacym 266—316 K, korzystnie 278—303 K. Atmosfera odweglajaca za¬ wierajaca wodór jest utworzona z wodoru i azo- Przenikalnosc magnetyczna stali otrzymanej we¬ dlug wynalazku wynosi w polu magnetycznym o natezeniu 796 A/m co najmniej 0,00235 H/m, korzystnie 0,00239 H/m, a straty w rdzeniu nie 5 wiecej niz 1,542 wata/kg przy indukcji magne¬ tycznej 1,7 T.Wynalazek obejmuje takze sposób wytwarza¬ nia elektromagnetycznej stali krzemowej podda¬ nej uprzednio pierwotnemu wyzarzaniu rekrysta- io lizujacemu, w którym stal zawierajaca wagowo 0,02—0,06% wegla, 0,015—0,15% manganu, 0,01— —0,05% pierwiastka wybranego z grupy obejmu¬ jacej siarke i selen, 0,0006—0,008% boru, do 0,01% azotu, 2,5—4,0% krzemu, do 1,0% miedzi, nie wie- is cej niz 0,008% glinu i zelazo jako pozostalosc, po¬ krywa sie powloka zawierajaca 100 iczesci wago¬ wych co najmniej jednej substancji wybranej z grupy obejmujacej tlenki, wodorotlenki, weglany i zwiazki boru z magnezem, wapniem, glinem i ty- 20 tanem; do 100 czesci wagowych co najmniej jed¬ nej innej substacji wybranej z grupy obejmujacej bor i jego zwiazki, tak aby powloka zawierala co najmniej 0,1% wagowego boru; do 40 czesci wago¬ wych Si02; do 20 czesci wagowych substancji in- 25 hibitujacych lub ich zwiazków; do 10 czesci wa¬ gowych topników. Istota wynalazku polega na tym, ze do powloki wprowadza sie ponadto 0,5—100 cze¬ sci wagowych co najmniej jednego tlenku mniej trwalego niz SiCte w temperaturach do 1450 K i0 lecz tlenku pierwiastka innego niz bor.Korzystnie ta stal zawiera co najmniej 0,0008% boru. Grubosc blachy stalowej po pierwotnej re¬ krystalizacji nie przekracza 0,51 mm, a rekrysta¬ lizacja pierwotna zachodzi podczas koncowego wy- 35 zarzania normalizujacego.Szczególne cechy wynalazku ilustruja podane ni¬ zej przyklady.Przyklad I. Dwie próbki A i B ze stali krze- AQ mowej odlano i przetworzono na stal krzemowa o zorientowanej teksturze Gossa. Jakkolwiek próbki te pochodzily z róznych wlewków stali, ich sklad chemiczny byl bardzo zblizony, pokazano to w ta¬ blicy 1.Próbka A. 1 B c 0,037 0,029 Mn 0,038 0,040 "S 0,023 0,020 Tablica 1 Sklad (% wagowy) B 0,0014 0,0013 N 0,0048 0,0048 Si 3,25 3,13 Cu 0,37 0,27 Al : 0,004 0,003 Fe | pozostalosc pozostalosc tu; Szczególnie korzystne jest koncowe wyzarza- 55 nie normalizujace w temperaturach 1033—1116 K, poniewaz odweglanie zachodzi najwydatniej w tem¬ peraturze okolo 1075 K. Czas przebywania w tej temperaturze wynosi zazwyczaj 10—600 s.Dowiedziono, ze szczególnie przydatna wedlug «o wynalazku jest stopiona stal zawierajaca dodat¬ kowo 0,015—0,15% manganu, 0,01—0,05% pierwia¬ stka z grupy obejmujacej siarke i selen i do 1,0% miedzi.Korzystnie stopiona stal zawiera 0,0008% boru. «5 Proces obróbki próbek obejmowal kilkugodzinne wygrzewanie w podwyzszonej temperaturze, wal¬ cowanie na goraco do nominalnej grubosci wyno¬ szacej 2,03 mm, wyzarzanie normalizujace wywal¬ cowanej na goraco tasmy w temperaturze wyno¬ szacej w przyblizeniu 1222 K, walcowanie na zi¬ mno do koncowej grubosci, odweglanie, pokrywa¬ nie powloka o skladzie podanym w tablicy 2 i teks¬ turowanie na drodze koncowego wyzarzania w atmosferze wodoru, przy maksymalnej temperatu¬ rze wyzarzania 1450 K.114 603 Próbka A B Te MgO (czesci wagowe) 100 100 iblic a 2 ftBOs Mn02 (czesci i (czesci wagowe) ! wagowe) 4,6 (0,8% B) 4,6 0 10 | Zauwazyc nalezy, iz powloka nalozona na prób¬ ke A nie zawierala Mn02, podczas gdy powloka nalozona na próbke B zawierala 10 czesci wago¬ wych Mn02.Nastepnie zbadano powloke wytworzona podczas teksturowania na drodze koncowego wyzarzania, po usunieciu z niej nadmiaru MgO. Wyniki tych badan podano w tablicy 3.Wazny jest fakt, iz na próbce B poddanej ob¬ róbce wedlug wynalazku utworzyla sie powloka o wysokiej jakosci, w przeciwienstwie do próbki A nie poddanej takiej obróbce. Powloka pokrywa¬ jaca próbke B zawierala Mn02, a powloka na prób¬ ce A byla go pozbawiona. Jak stwierdzono juz po- Tablica 3 Próbka A B Powloka Obszary pozbawione powloki Cienka i porowata Niebieskie przebarwienia Rozlegle slady powstale w wyniku wyzarzania Doskonala i Brak sladów po wyzarzaniu 1 Blyszczaca Nie widac obszarów pozbawionych powloki wyzej, powloka wedlug niniejszego wynalazku za¬ wiera tlenek mniej trwaly niz SiOs.Przyklad II. Osiem dodatkowych próbek C, C\ D, D', E, E', F, i F* odlano i przetworzono na stal krzemowa o zorientowanej teksturze Gossa.Sklad chemiczny próbek podano w tablicy 4. it 15 20 25 39 Próbka C,D,E,F, C\ D\ E', F' Tablica 5 Tempe¬ ratura (K) 1075 1075 Czas (s) 120 120 Punkt rosy (K) 272 283 Atmosfera I 100 H 80 N - 20 H skladzie podanym w tablicy 6 i teksturowanie na drodze koncowego wyzarzania w atmosferze wo¬ doru, przy maksymalnej temperaturze wynoszacej 1450 K.Tablica 6 Próbka C,C D,D' E,E' F,F' MgO (czesci wagowe) 100 100 100 100 H,B* (czesci iw&gowe) 4,6 (0,8% B) 4,6 4,6 4,6 Mn02 (czesci wagowe) 0 5,0 20 40 Nastepnie zbadano powloki wytworzone podczas teksturowania na drodze koncowego wyzarzania, po usunieciu z nich nadmiaru MgO. Próbki C i C, których powloki nie zawieraly MnOe mialy wi¬ doczne obszary stali pozbawionej powloki. Próbki pokryte powlokami zawierajacymi Mn02 posiadaly powloki ciagle.Dla pokrytych powlokami próbek wyznaczono liczby Franklina przy cisnieniu 6,2 MPa. Wartosc Tablica 7 Próbka C C' i: D D' E E' F 1 F' Liczba Franklina 0,95 0,93 0,87 0,81 0,76 0,58 0,84 1 0,67 Tablica A Sklad (% wagowy) C 0,030 Mn 0,034 S 0,020 B 0,0011 N 0,0043 Si 3,12 Cu 0,35 ¦¦¦¦I 1 Al Fe. 0,004 pozostalosc Proces obróbki próbek obejmowal kilkugodzinne wygrzewanie w podwyzszonej temperaturze, wal¬ cowanie na goraco do nominalnej grubosci wyno¬ szacej 2,03 mm, wyzarzanie normalizujace walco¬ wanej na goraco tasmy w temperaturze wynosza¬ cej w przyblizeniu 1222 K, walcowanie na zimno do koncowej grubosci, odweglanie, które to wa¬ runki podano w tablicy 5, pokrywanie powloka o liczby Franklina dla doskonalego izolatora wynosi 0, a dla doskonalego przewodnika 1 amper. Wy¬ niki badan podano w tablicy 7.Nalezy zwrócic uwage na fakt, iz wartosc liczby Franklina obniza sie wraz ze wzrostem^ ilosci dodanego Mn02. Zauwazyc takze nalezy, iz próbki C, D*, E' i F' maja wartosci liczby Franklina sto¬ sunkowo nizsze niz próbki C, D, E i F. Próbki C,114603 D, E i F odweglano w atmosferze osuszajacej, co zaznaczono w tablicy f.Przyklad III. Dziewiec dodatkowych próbek od G do D odlano i przetworzono na stal krzemo¬ wa o zorientowanej taksturze Gossa. Sklad che¬ miczny próbek podano w tablicy 8. 8 których dodano boru wynosily one odpowiednio 0,00239 praz 1,524 i 1,454. Najlepsze wlasnosci ma¬ gnetyczne uzyskano przy zawartosci boru przekra¬ czajacej p,5% wagowego.Przyklad IV. Dwie dodatkowe próbki P i Q odlano i przetworzono na stal krzemowa o zorien- Tablica 8 Sklad (% wagowe) c [ 0,032 Mn 0,036 S 0,020 B 0,0013 N 0,0043 Si 3,15 Cu 0,35 Al 0,004 Fe pozostalosc Proces obróbki próbek obejmowal kilkugodzinne wygrzewanie w podwyzszonej temperaturze, wal- Tafolica 10 Próbka G H I J K L M N 1 ° Ta MgO (czesci wagowe) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 blica 9 (czesci wagowe) Mn02 2,5 5 10 2,5 5 10 2,5 5 1 10 H8BO, (czesci wagowe) 0 0 0 2,3 (0,4°/o B) 2,3 2,3 4,6 (0,8*/ft B) 4,6 4,6 1 20 25 30 Próbka G H I J K L M 1 N 1 ° Przenikalnosc magnetyczna H/m (w polu magne¬ tycznym) o nate¬ zeniu 796 A 0,00233 0,00236 0,00235 0,00239 0,00239 0,00238 0,00239 0,00240 0,00236 Straty w rdzeniu (w watach) kg przy indukcji ma¬ gnetycznej 1,7 T) 1,667 1,551 1,560 1,524 1,491 1,498 1,454 1,436 1,537 Tablica 11 Sklad (% wagowe) c 0,031 Mn 0,032 S 0,020 B 0,0011 N 0,0047 Si 3,15 Cu 0,32 Al 0,004 Fe pozostalosc cowanie na goraco do nominalnej grubosci wyno¬ szacej 2,03 mm, wyzarzanie normalizujace wywal- cowanej na goraco tasmy w temperaturze wyno¬ szacej w przyblizeniu 1222 K, walcowanie na zim¬ no do koncowej grubosci ,odweglanie, pokrywanie powloka o skladzie podanym w tablicy 9 i teks¬ turowanie na drodze koncowego wyzarzania w atmosferze wodoru, przy maksymalnej temperatu¬ rze wyzarzania wynoszacej 1450 K.Zbadano przenikalnosc magnetyczna i straty w rdzeniu próbek. Wyniki badan podano w tablicy 10.Dane z tablicy 10 jasno wykazuja korzysc plyna¬ ca z obecnosci boru w powloce. Zwiazane jest z nia polepszenie zarówno przenikalnosci magnetycz¬ nej, jak i strat w rdzeniu. Wartosc przenikalnosci magnetycznej i strat w rdzeniu dla próbki G, óp której nie dodanot boru wynosily odpowiednio 0,00233 i 1,667 podczas, gdy dla próbek J i M, do 55 60 65 towanej teksturze Gossa. Sklad chemiczny próbek podano w tablicy 11.Proces obróbki próbek obejmowal kilkugodzin¬ ne wygrzewanie w podwyzszonej temperaturze, walcowanie na goraco do nominalnej grubosci wynoszacej 2,03 mm, wyzarzanie normalizujace wywalcowanej na goraco tasmy w temperaturze wynoszacej okolo 1222 K, walcowanie na zimno do koncowej grubosci, odweglanie, pokrywanie powlo¬ ka o skladzie podanym w tablicy 12 i teksturowa¬ nie na drodze koncowego wyzarzania w atmosfe- Próbka t P Q Tal MgO (czesci wagowe) 100 100 3 li ca 12 Fe804 (czesci wagowe) 5 5 H8BOs SiOe (czesci wagowe) 4,6 (0,8$ B) 0 4,6 r,3tum 10 rze wodoru, przy maksymalnej temperaturze wy¬ zarzania wynoszacej 1450 K.Próbki poddano badaniom przenikalnosci magne¬ tycznej oraz strat w rdzeniu. Okreslono równiez wartosci liczby Franklina przy cisnieniu 6,2 MPa.Wyniki badan podano w tablicy 13.Tablica 13 Próbka P Q Przenikalnosc magnetyczna H/m magnetycznym o natezeniu 796 A/m) 0,00241 0,00243 Straty w ¦rdzeniu (w watach) •kg iprzy in¬ dukleji mag¬ netycznej 1,7 T) 1,480 1,478 Liczba.Frank¬ lina 0,91 0,90 Wyniki z tablicy 13 swiadcza o fakcie, ze stoso¬ wac mozna utleniacze inne niz MnOs. Odpowied¬ nim \zamiennikiem Mn02 jest Fe,04, podobnie jak i inne tlenki, Z tablicy Iz wynika równiez, ze ko¬ rzystnym dodatkiem do powloki moze byc Si02.SiOf jako dodatek obecny jest zazwyczaj w ilosci co najmniej 0,5 czesci wagowej, przy czym korzy¬ stna iloscia jest co najmniej 3 czesci wagowe. Jak¬ kolwiek Si02 dodawac mozna w rózny sposób, ko¬ rzystne jest stosowanie krzemionki koloidalnej.Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania elektromagnetycznej stali krzemowej o zorientowanej teksturze Gossa, wy¬ kazujacej w polu magnetycznym o natezeniu 796 A/m, polegajacy na tym, ze topi sie stal krzemo¬ wa zawierajaca 0,02—0,06% wegla, 0,0006—0,0080% boru, do 0,01% azotu, nie wiecej niz 0,008% glinu i 2,5—4,0% krzemu, odlewa sie wlewek, walcuje sie wlewek na goraco na tasme, walcuje sie tas¬ me na zimno, odwegla sie, naklada sie na tasme ogniotrwala powloke tlenkowa zawierajaca 100 cze¬ sci wagowych co najmniej jednej substancji wy¬ branej z grupy obejmujacej tlenki, wodorotlenki, weglany i zwiazki boru z magnezem, wapniem, glinem i tytanem, do 100 czesci wagowych co naj¬ mniej jednej innej substancji wybranej z grupy obejmujacej bor i jego zwiazki, tak aby powloka zawierala co najmniej 0,1% wagowego boru; do 40 czesci wagowych SiOf; do 20 czesci wagowych substancji inhibitujacyeh lub ich zwiazków; do 10 czesci wagowych topników, i teksturuje sie przez koncowe wyzarzanie tasmy wraz z nalozona na te tasme powloka, znamienny tym, ze do ogniotrwa¬ lej powloki tlenkowej wprowadza sie ponadto 0,5— —100 czesci wagowych co najmniej jednego tlen¬ ku mniej trwalego niz Si02 w temperaturach do 1450 K lecz tlenku pierwiastka innego niz bor. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie stopiona stal zawierajaca korzystnie co najmniej 0,0008% boru. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie powloke zawierajaca korzystnie co naj- mniej 0,2% boru. 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie powloke zawierajaca korzystnie co naj¬ mniej 1 czesc wagowa tlenku mniej trwalego niz Si02. 5. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 9 jako tlenek mniej trwaly niz SiOa stosuje sie tlen¬ ki manganu i zelaza. 6. Sposób wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze jako tlenek stosuje sie korzystnie tlenek manganu. 7. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 10 stosuje sie powloke zawierajaca korzystnie co naj¬ mniej 0,5 czesci wagowej Si02. 8. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako substancje inhibitujace lub ich zwiazki sto¬ suje sie zwiazki wybrane z grupy obejmujacej X5 siarke, zwiazki siarki, zwiazki azotu, selen i zwiaz¬ ki selenu. 9. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze walcowana na goraco tasme o grubosci 1,27— —3,05 mm walcuje sie na zimno do grubosci nie 20 wiekszej niz 0,51 mm, bez wyzarzania miedzyope¬ racyjnego miedzy przepustami walcowania na zi¬ mno. 10. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze odweglanie prowadzi sie w atmosferze zawieraja- cej wodór o punkcie rosy 266—316 K. 11. Sposób wedlug zastrz. 10, znamienny tym, ze odwegalnie prowadzi sie w atmosferze zawieraja¬ cej wodór o punkcie rosy korzystnie 278—303 K. 12. Sposób wedlug zastrz. 10, znamienny tym, ze jako zawierajaca wodór atmosfere stosuje sie atmo¬ sfere utworzona z wodoru i azotu. 13. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie stopiona stal zawierajaca dodatkowo1 0,015—0,15% manganu, 0,01—0,05% pierwiastka wy¬ branego z grupy obejmujacej siarke i selen i do 1,0%, miedzi. 14. Sposób wedlug zastrz. 13, znamienny tym, ze stosuje sie stopiona stal zawierajaca korzystnie co najmniej 0,0008% boru. 15. Sposób wytwarzania elektromagnetycznej stali krzemowej poddanej uprzednio pierwotnemu wy¬ zarzaniu rekrystalizujacemu, polega na tym, ze stal zawierajaca wagowo 0,02—0,06% wegla, 0,015—0,15% manganu, 0,01—0,05% pierwiastka wybranego z grupy obejmujacej siarke i selen, #,0006—0,0080% 45 boru, do 0,01% azotu, 2,5—4,0% krzemu, do 1,0% miedzi, nie wiecej niz 0,008% glinu i zelazo jako pozostalosc, pokrywa sie powloka zawierajaca 100 czesci wagowych co najmniej jednej substancji wybranej z grupy obejmujacej tlenki, wodorotlen- 50 ki, weglany i zwiazki boru z magnezem, wapniem, glinem i tytanem; do 100 czesci wagowych co naj¬ mniej jednej innej substancji wybranej z grupy . obejmujacej bor i jego zwiazki, tak aby powloka zawierala co najmniej 0,1% wagowego boru; do 55 40 czesci wagowych Si02; do 20 czesci wagowych substancji inhibitujacyeh lub ich zwiazków; do 10 czesci wagowych topników, znamienny tym, ze do powloki wprowadza sie ponadto 0,5—100 czesci wa¬ gowych co najmniej jednego tlenku mniej trwale- w go niz Si02 w temperaturach do 1450 K lecz tlen¬ ku pierwiastka innego niz bor. 16. Sposób wedlug zastrz. 15, znamienny tym, ze .stosuje sie stal zawierajaca, korzystnie co naj- 65 mniej 0,0008% boru. PL
Claims (16)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania elektromagnetycznej stali krzemowej o zorientowanej teksturze Gossa, wy¬ kazujacej w polu magnetycznym o natezeniu 796 A/m, polegajacy na tym, ze topi sie stal krzemo¬ wa zawierajaca 0,02—0,06% wegla, 0,0006—0,0080% boru, do 0,01% azotu, nie wiecej niz 0,008% glinu i 2,5—4,0% krzemu, odlewa sie wlewek, walcuje sie wlewek na goraco na tasme, walcuje sie tas¬ me na zimno, odwegla sie, naklada sie na tasme ogniotrwala powloke tlenkowa zawierajaca 100 cze¬ sci wagowych co najmniej jednej substancji wy¬ branej z grupy obejmujacej tlenki, wodorotlenki, weglany i zwiazki boru z magnezem, wapniem, glinem i tytanem, do 100 czesci wagowych co naj¬ mniej jednej innej substancji wybranej z grupy obejmujacej bor i jego zwiazki, tak aby powloka zawierala co najmniej 0,1% wagowego boru; do 40 czesci wagowych SiOf; do 20 czesci wagowych substancji inhibitujacyeh lub ich zwiazków; do 10 czesci wagowych topników, i teksturuje sie przez koncowe wyzarzanie tasmy wraz z nalozona na te tasme powloka, znamienny tym, ze do ogniotrwa¬ lej powloki tlenkowej wprowadza sie ponadto 0,5— —100 czesci wagowych co najmniej jednego tlen¬ ku mniej trwalego niz Si02 w temperaturach do 1450 K lecz tlenku pierwiastka innego niz bor.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie stopiona stal zawierajaca korzystnie co najmniej 0,0008% boru.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie powloke zawierajaca korzystnie co naj- mniej 0,2% boru.
- 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie powloke zawierajaca korzystnie co naj¬ mniej 1 czesc wagowa tlenku mniej trwalego niz Si02.
- 5. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 9 jako tlenek mniej trwaly niz SiOa stosuje sie tlen¬ ki manganu i zelaza.
- 6. Sposób wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze jako tlenek stosuje sie korzystnie tlenek manganu.
- 7. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 10 stosuje sie powloke zawierajaca korzystnie co naj¬ mniej 0,5 czesci wagowej Si02.
- 8. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako substancje inhibitujace lub ich zwiazki sto¬ suje sie zwiazki wybrane z grupy obejmujacej X5 siarke, zwiazki siarki, zwiazki azotu, selen i zwiaz¬ ki selenu.
- 9. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze walcowana na goraco tasme o grubosci 1,27— —3,05 mm walcuje sie na zimno do grubosci nie 20 wiekszej niz 0,51 mm, bez wyzarzania miedzyope¬ racyjnego miedzy przepustami walcowania na zi¬ mno.
- 10. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze odweglanie prowadzi sie w atmosferze zawieraja- cej wodór o punkcie rosy 266—316 K.
- 11. Sposób wedlug zastrz. 10, znamienny tym, ze odwegalnie prowadzi sie w atmosferze zawieraja¬ cej wodór o punkcie rosy korzystnie 278—303 K.
- 12. Sposób wedlug zastrz. 10, znamienny tym, ze jako zawierajaca wodór atmosfere stosuje sie atmo¬ sfere utworzona z wodoru i azotu.
- 13. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie stopiona stal zawierajaca dodatkowo1 0,015—0,15% manganu, 0,01—0,05% pierwiastka wy¬ branego z grupy obejmujacej siarke i selen i do 1,0%, miedzi.
- 14. Sposób wedlug zastrz. 13, znamienny tym, ze stosuje sie stopiona stal zawierajaca korzystnie co najmniej 0,0008% boru.
- 15. Sposób wytwarzania elektromagnetycznej stali krzemowej poddanej uprzednio pierwotnemu wy¬ zarzaniu rekrystalizujacemu, polega na tym, ze stal zawierajaca wagowo 0,02—0,06% wegla, 0,015—0,15% manganu, 0,01—0,05% pierwiastka wybranego z grupy obejmujacej siarke i selen, #,0006—0,0080% 45 boru, do 0,01% azotu, 2,5—4,0% krzemu, do 1,0% miedzi, nie wiecej niz 0,008% glinu i zelazo jako pozostalosc, pokrywa sie powloka zawierajaca 100 czesci wagowych co najmniej jednej substancji wybranej z grupy obejmujacej tlenki, wodorotlen- 50 ki, weglany i zwiazki boru z magnezem, wapniem, glinem i tytanem; do 100 czesci wagowych co naj¬ mniej jednej innej substancji wybranej z grupy . obejmujacej bor i jego zwiazki, tak aby powloka zawierala co najmniej 0,1% wagowego boru; do 55 40 czesci wagowych Si02; do 20 czesci wagowych substancji inhibitujacyeh lub ich zwiazków; do 10 czesci wagowych topników, znamienny tym, ze do powloki wprowadza sie ponadto 0,5—100 czesci wa¬ gowych co najmniej jednego tlenku mniej trwale- w go niz Si02 w temperaturach do 1450 K lecz tlen¬ ku pierwiastka innego niz bor.
- 16. Sposób wedlug zastrz. 15, znamienny tym, ze .stosuje sie stal zawierajaca, korzystnie co naj- 65 mniej 0,0008% boru. PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/696,967 US4102713A (en) | 1976-06-17 | 1976-06-17 | Silicon steel and processing therefore |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL198884A1 PL198884A1 (pl) | 1978-02-13 |
| PL114603B1 true PL114603B1 (en) | 1981-02-28 |
Family
ID=24799242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1977198884A PL114603B1 (en) | 1976-06-17 | 1977-06-15 | Method of manufacture of electromagnetic silicon steel |
Country Status (22)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4102713A (pl) |
| JP (1) | JPS52153827A (pl) |
| AR (1) | AR222963A1 (pl) |
| AT (1) | AT363978B (pl) |
| AU (1) | AU509494B2 (pl) |
| BE (1) | BE855835A (pl) |
| BR (1) | BR7703869A (pl) |
| CA (1) | CA1084818A (pl) |
| CS (1) | CS216696B2 (pl) |
| DE (1) | DE2727089A1 (pl) |
| ES (1) | ES459893A1 (pl) |
| FR (1) | FR2355088A1 (pl) |
| GB (1) | GB1565420A (pl) |
| HU (1) | HU178414B (pl) |
| IN (1) | IN146552B (pl) |
| IT (1) | IT1079691B (pl) |
| MX (1) | MX4670E (pl) |
| PL (1) | PL114603B1 (pl) |
| RO (1) | RO72397A (pl) |
| SE (1) | SE7707031L (pl) |
| YU (1) | YU151777A (pl) |
| ZA (1) | ZA773087B (pl) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2805810A1 (de) * | 1977-03-07 | 1978-09-14 | Gen Electric | Beschichtung von silizium-eisenmaterial |
| US4160681A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-10 | Allegheny Ludlum Industries, Inc. | Silicon steel and processing therefore |
| US4200477A (en) * | 1978-03-16 | 1980-04-29 | Allegheny Ludlum Industries, Inc. | Processing for electromagnetic silicon steel |
| US4157925A (en) * | 1978-04-12 | 1979-06-12 | Allegheny Ludlum Industries, Inc. | Texture annealing silicon steel |
| US4244757A (en) * | 1979-05-21 | 1981-01-13 | Allegheny Ludlum Steel Corporation | Processing for cube-on-edge oriented silicon steel |
| US4367100A (en) * | 1979-10-15 | 1983-01-04 | Allegheny Ludlum Steel Corporation | Silicon steel and processing therefore |
| US4338144A (en) * | 1980-03-24 | 1982-07-06 | General Electric Company | Method of producing silicon-iron sheet material with annealing atmospheres of nitrogen and hydrogen |
| WO1999063120A1 (fr) * | 1998-05-29 | 1999-12-09 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Procede de production d'un acier a haute teneur en silicium, et acier au silicium |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3222228A (en) * | 1962-06-28 | 1965-12-07 | Crucible Steel Co America | Method of boronizing steel |
| JPS5112451B1 (pl) * | 1967-12-12 | 1976-04-20 | ||
| US3868280A (en) * | 1967-12-12 | 1975-02-25 | Takaaki Yamamoto | Method of forming electric insulating films oriented silicon steel |
| US3676227A (en) * | 1968-11-01 | 1972-07-11 | Nippon Steel Corp | Process for producing single oriented silicon steel plates low in the iron loss |
| SE358413B (pl) * | 1968-11-01 | 1973-07-30 | Nippon Steel Corp | |
| US3700506A (en) * | 1968-12-10 | 1972-10-24 | Nippon Steel Corp | Method for reducing an iron loss of an oriented magnetic steel sheet having a high magnetic induction |
| BE754777A (fr) * | 1969-08-18 | 1971-02-12 | Morton Int Inc | Composition de revetement a base d'oxyde de magnesium et procede d'utilisation de cette composition |
| US3697322A (en) * | 1970-08-17 | 1972-10-10 | Merck & Co Inc | Magnesium oxide coatings |
| US3873381A (en) * | 1973-03-01 | 1975-03-25 | Armco Steel Corp | High permeability cube-on-edge oriented silicon steel and method of making it |
| US3941621A (en) * | 1973-05-14 | 1976-03-02 | Merck & Co., Inc. | Coatings for ferrous substrates |
| US3945862A (en) * | 1973-06-26 | 1976-03-23 | Merck & Co., Inc. | Coated ferrous substrates comprising an amorphous magnesia-silica complex |
| US3905842A (en) * | 1974-01-07 | 1975-09-16 | Gen Electric | Method of producing silicon-iron sheet material with boron addition and product |
| US3957546A (en) * | 1974-09-16 | 1976-05-18 | General Electric Company | Method of producing oriented silicon-iron sheet material with boron and nitrogen additions |
| US4000015A (en) * | 1975-05-15 | 1976-12-28 | Allegheny Ludlum Industries, Inc. | Processing for cube-on-edge oriented silicon steel using hydrogen of controlled dew point |
| SE7703456L (sv) * | 1976-04-15 | 1977-10-16 | Gen Electric | Tunnplat av kiseljern med bortillsats samt forfarande for framstellning derav |
| US4030950A (en) * | 1976-06-17 | 1977-06-21 | Allegheny Ludlum Industries, Inc. | Process for cube-on-edge oriented boron-bearing silicon steel including normalizing |
-
1976
- 1976-06-17 US US05/696,967 patent/US4102713A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-05-23 ZA ZA00773087A patent/ZA773087B/xx unknown
- 1977-05-25 IN IN792/CAL/77A patent/IN146552B/en unknown
- 1977-05-26 AU AU25524/77A patent/AU509494B2/en not_active Expired
- 1977-06-14 AT AT0420177A patent/AT363978B/de not_active IP Right Cessation
- 1977-06-14 GB GB24709/77A patent/GB1565420A/en not_active Expired
- 1977-06-15 BR BR7703869A patent/BR7703869A/pt unknown
- 1977-06-15 HU HU77AE498A patent/HU178414B/hu unknown
- 1977-06-15 DE DE19772727089 patent/DE2727089A1/de not_active Withdrawn
- 1977-06-15 PL PL1977198884A patent/PL114603B1/pl unknown
- 1977-06-15 IT IT49835/77A patent/IT1079691B/it active
- 1977-06-16 SE SE7707031A patent/SE7707031L/ not_active Application Discontinuation
- 1977-06-16 CA CA280,691A patent/CA1084818A/en not_active Expired
- 1977-06-16 MX MX775813U patent/MX4670E/es unknown
- 1977-06-16 FR FR7718533A patent/FR2355088A1/fr active Granted
- 1977-06-17 BE BE178560A patent/BE855835A/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-06-17 JP JP7197877A patent/JPS52153827A/ja active Pending
- 1977-06-17 CS CS774021A patent/CS216696B2/cs unknown
- 1977-06-17 ES ES459893A patent/ES459893A1/es not_active Expired
- 1977-06-17 AR AR268110A patent/AR222963A1/es active
- 1977-06-17 RO RO7790743A patent/RO72397A/ro unknown
- 1977-06-17 YU YU01517/77A patent/YU151777A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AR222963A1 (es) | 1981-07-15 |
| CA1084818A (en) | 1980-09-02 |
| AT363978B (de) | 1981-09-10 |
| MX4670E (es) | 1982-07-23 |
| CS216696B2 (en) | 1982-11-26 |
| DE2727089A1 (de) | 1977-12-29 |
| IT1079691B (it) | 1985-05-13 |
| AU509494B2 (en) | 1980-05-15 |
| ZA773087B (en) | 1978-04-26 |
| BR7703869A (pt) | 1978-03-28 |
| PL198884A1 (pl) | 1978-02-13 |
| JPS52153827A (en) | 1977-12-21 |
| SE7707031L (sv) | 1977-12-18 |
| FR2355088B1 (pl) | 1982-06-18 |
| FR2355088A1 (fr) | 1978-01-13 |
| HU178414B (en) | 1982-05-28 |
| YU151777A (en) | 1982-10-31 |
| BE855835A (fr) | 1977-12-19 |
| IN146552B (pl) | 1979-07-14 |
| ATA420177A (de) | 1981-02-15 |
| US4102713A (en) | 1978-07-25 |
| GB1565420A (en) | 1980-04-23 |
| AU2552477A (en) | 1978-11-30 |
| ES459893A1 (es) | 1978-11-16 |
| RO72397A (ro) | 1982-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2710000B2 (ja) | 被膜特性と磁気特性に優れた一方向性珪素鋼板 | |
| KR101696627B1 (ko) | 방향성 전기강판용 소둔 분리제 조성물, 및 이를 이용한 방향성 전기강판의 제조방법 | |
| PL114602B1 (en) | Method of manufacture of electromagnetic silicon steel | |
| PL114603B1 (en) | Method of manufacture of electromagnetic silicon steel | |
| JPS60145382A (ja) | 磁気特性、皮膜特性とも優れた方向性電磁鋼板の製造方法 | |
| PL184552B1 (pl) | Sposób wytwarzania stali elektrycznej krzemowo chromowej o zorientowanym ziarnie | |
| PL114604B1 (en) | Method of manufacture of electromagnetic silicon steel | |
| PL114066B1 (en) | Process for the production of sheets of non-oriented silicon steel with high magnetic induction and low losses in ferromagnetic material | |
| US5190597A (en) | Process for producing grain-oriented electrical steel sheet having improved magnetic and surface film properties | |
| JP2650817B2 (ja) | 被膜特性及び磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製造方法 | |
| US4160681A (en) | Silicon steel and processing therefore | |
| US3544396A (en) | Silicon steel coated with magnesia containing chromic oxide | |
| US4179315A (en) | Silicon steel and processing therefore | |
| JPS5835245B2 (ja) | 磁束密度の高い一方向性珪素鋼板の製造方法 | |
| US4367100A (en) | Silicon steel and processing therefore | |
| JPS5836048B2 (ja) | 鉄損の優れた一方向性電磁鋼板の製造法 | |
| JP2674917B2 (ja) | フォルステライト被膜のない高磁束密度方向性珪素鋼板の製造方法 | |
| PL114568B1 (en) | Method of manufacture of silicon steel with goss texture | |
| PL118636B1 (en) | Method of manufacture of silicon steel of goss texture | |
| US4416707A (en) | Secondary recrystallized oriented low-alloy iron | |
| US5509976A (en) | Method for producing a grain-oriented electrical steel sheet having a mirror surface and improved core loss | |
| US3976518A (en) | Process for producing grain-oriented electric steel sheets having remarkably improved magnetic flux density | |
| KR100480001B1 (ko) | 타발성이 우수한 방향성전기강판의 제조방법 | |
| JPS5931823A (ja) | 磁束密度の高い一方向性珪素鋼板の製造方法 | |
| PL114605B1 (en) | Method of manufacture of electromagnetic silicon steel with oriented godd texture |