NO793923L - Elektroniske anordninger og fremgangsmaate for fremstilling av samme. - Google Patents

Description

Den foreliggende oppfinnelse vedrører fremstillingen av elektroniske anordninger, slik som sperresjikt- fotoceller, luminens-dioder og likerettere, og særlig vedrører oppfinnelsen en forbedret fremgangsmåte for fremstilling av slike anordninger.

Operasjonen av forskjellige elektroniske anordninger, slik som elektroluminisente, fotoelement og likerettende anordninger, avhenger av overføringen av elektroner over et grensesjikt mellom to ulike materialer. Fordi at ingen av disse reaksjoner finner sted innenfor massen av det ene eller det andre av de to ulike materialer, men kun ved kontaktområdet eller grensesjiktene mellom de to materialer, er det ønskelig å oppnå den maksimale stør-relse av grensesjikt mellom materialene med minimum volum for hvert materiale.

Det finnes et antall vanlige fremstillingsmetoder i bruk for å

. fremstille elektroniske overgangssoner mellom to substanser, men alle disse fremgangsmåter involverer fremstilling av hver overgangssone separat ved hjelp av en serie av operasjoner. Ved fremstilling av sprerresjikt fotoceller ved hjelp av en vanlig tek-nikk blir f.eks. meget rent silisium "dopet" med en liten mengde av en urenhet slik at det "dopete" silisium, når det størkner, vil ha et overskudd av elektroner i krystallnettverket. Denne type av materiale kalles et "n-type" materiale fordi det har et overskudd av negative elektroner tilgjengelig. Dette n-type silisium trekkes til et bånd. En overflate av det "dopete" silisium båndet blir så ytterligere "dopet" med en annen urenhet for å frembringe et meget tynt, halvgjennomsiktig lag som har en mangel på elektroner. Denne type av materiale kalles et "p-type" materiale fordi det har en mangel på elektroner tilgjenge- : lig i krystallnettverket (ekvivalent med et overskudd av positive partikler og benevnt som "hull"). Sperresjikt fotoeffekten finner

sted ved eller nær grensesjiktet mellom n-type og p-type materialene Individuelle fotoelektriske celler blir av og til kuttet fra en, stor p-n overgangssone.

Ved en annen fremstillings, fremgangsmåte, lar man stenger av enkle krystaller av halvledere, slik som silisium gro ved å innføre en krystallkime av silisium i en smelte av silisium, tillate smeiten å begynne å størkne på krystallkimen, og trekke krystallet ut ved en kontrollert hastighet og under kontrollerte betingelser slik at man får et stort enkelt krystall. 'For fremstilling av p-n overgangssoner, dopes smeiten slik at det enkelte krystall er enten, en halvleder av p-typen eller n-typen. Det enkle krystall skjæres så i skiver, og en overflate av hver skive blir så ytterligere dopet for å frembringe en halvleder med region av motsatt type. Hver skive danner så en p-n-overgangssone.

På tilsvarende måte, ved fremstilling av transistorer og mikro-elektroniske "småplater", blir en del av et stykke av et enkelt krystall av en halvledende substans, slik som silisium, som er blitt dopet med en urenhet til å bli et n-type materiale, deretter ytterligere dopet for å lage en p-type region, og så blir en del av denne region ytterligere dopet for å få en annen n-

type region. I elektroniske kretser er det vanlig å anvende n-p-n overgangssoner og p-n-p overgangssoner i tillegg til p-n overgangssoner.

Elektroniske overgangssoner lages også ved fordampning, frost-støvning eller sprøyting- av en type av halvleder på et substrat og så gjentar operasjonen med et tynt lag av den andre typen av halvleder.

Slik man vil se av den overgående diskusjon, fremstilles alle disse overgangssoner, hovedsaklig individuelt, ved hjelp av en serie av separate operasjoner.

Det er ønskelig å minske antallet av operasjoner og den tid som kreves for fremstillingen av halvleder anordninger, og det er følgelig et formål ved den foreliggende oppfinnelse å tilveiebringe en enkel og.forbedret fremgangsmåte for fremstilling av fast stoff elektroniske anordninger. i Det er et annet formål ved den foreliggende oppfinnelse å tilVeiebringe en forbedret fremgangsmåte for fremstilling i en operasjon et stort flertall av p-n overgangssoner.

I korte trekk,.ved utføring av formålene ved den foreliggende oppfinnelse i en utførelsesform av denne og ved praktiseringen av fremgangsmåten for fremstilling av samme, konstrueres en smelte slik at, ved størkning, blir det resulterende faste stoff hovedsaklig et eutektikum sammensatt av vekselvise lameller av to

ulike materialer som oppviser henholdsvis p-type og n-type karakteristika.. Under støpningsprosessen, styres betingelsene slik

at eutektikummet dannes til en tynn plate og slik at lamellene anordnes rettningsmessig parallelt med en dimensjon av platen og på tvers av platens tykkelse. Vekselvis brede striper eller plater av p-type materialet og n-type materialet plasseres over lamellene på en side av den eutektiske platen. Strimmelen av p-type materialet samler den elektriske strømmen fra de individuelle p-type lameller og danner ytterligere p-n overgangssoner med n-type lamellene. På tilsvarende måte samler strimmelen av n-type materialet den elektriske strømmen fra de individuelle n-type lameller og danner ytterligere p-n overgangssoner med p-type lamellene. Ledere festes til strimlene av p-typen og n-typen

og gir elektroder for den elektroniske anordningen. En side av den eutektiske platen er uhindret. Når p-type materialet og n-type materialet er valgt riktig, vil den uhindrete siden av platen bli en meget vir.kningsf ull sperres j ikt-fotocelle (foto-elektri^k celle), og en spenning vil bli generert mellom elektrodene når lys skinner på den uhindrete overflaten. På tilsvarende måte når andre materialer velges for p-type materialet

og n-type materialet, vil den uhindrede siden av platen bli et lysemmiterende panel som vil lyse når den riktige spenningen påtrykkes over elektrodene, med en del andre materialer, kan en meget effektiv likeretter tilveiebringes.

En annen type av materiale som er hensiktsmessig for fremgangsmåten og anordningen ifølge den foreliggende oppfinnelse er et fast stoff som ved høye temperaturer er hovedsaklig homogent,

og slik at når fast stoffet avkjøles, vil etvnytt fast stoff bli resultatet som er sammensatt av vekselvise lameller av første og andre substanser. En elektronisk anordning :kan så konstrueres

under anvendelse av dette materialet på den samme måte som det eutektiske materialet.

Nyhetstrekkene som karakteriserer den foreliggende oppfinnelse

er angitt nærmere i de etterfølgende patentkrav og danner en del av denne beskrivelse. Oppfinnelsen selv, både hva angår dens or-ganisasjon og fremstillingsfremgangsmåte, sammen med ytterligere formål og fordeler ved denne, vil imidlertid best forstås under henvisning til den etterfølgende beskrivelse i forbindelse med den vedlagte tegning.

Fig. 1 fremstiller en del av en fotomikrografisk fremstilling av et eutektisk materialbånd delvis retningsbestemt for innretning av lamellene i alt vesentlig parallelt med lengden av båndet. Fig. 2 er et meget forstørret isometrisk riss av et hjørneparti av en elektronisk anordning ifølge den foreliggende oppfinnelse. Fig. 3 er et riss tilsvarende det i fig. 2 av en annen utførelses-form av den foreliggende oppfinnelse.

Mange substanser, slik som metaller, legeringer og sammensetninger størkner på en måte tilsvarende den for frysing av vann og anti-frostmidler- Dvs,- en løsning av to substanser vil fryse ved en temperatur som er lavere enn frysepunktet for hver av substansene. Det laveste frysepunktet for en slik løsning kalles det "eutektiske punkt" og fast stofffet som dannes ved den eutektiske tem--peraturen kalles et "eutektikum".

På tilsvarende måte, når to substanser er oppløselig i hverandre

i fast stoff tilstanden ved høyere temperaturer, og er mindre opp-løselig i hverandre ved lavere temperaturer, finnes det et spesielt forhold for de to substanser som forblir i fast stoff løsning ved en lavere temperatur enn et hvilket som helst annet forhold.

Denne laveste temperatur av fast stoff oppløselighet kalles den "eutektoide temperaturen" for dette sammensetningsforhold, og fast stoffet som blir resultatet ved den eutektoide temperaturen kalles et "eutektoid".

Studium av et eutektikum eller eutektoid under stor forstørrelse viser at de er sammensatt av vekslende soner av hver av.de to j substanser. Ofte, under stor forstørrelse, ligner eutektikummet og eiitektoidet fingeravtrykk hvor forhøyningene ville representere en substans og fordypningene ville representere den andre sub-stansen. I de siste par år har omfattende forsknings og utvik-lingsanstrengelser blitt foretatt for å modifisere måten ved hvilken de vekslende soner (kalt lameller) i de eutektiske substanser orienteres for å forbedre de.fysiske egenskaper for fast-stoffet. Hvis lamellene alle stilles opp i samme retning, blir egenskapene for fast stoffet betydelig forskjellige fra hva egenskapene for fast stoffet ville ha vært hvis lamellene hadde vært orientert tilfeldig.

F.eks. har et antall undersøkere fremstilt bånd av legeringer i den eutektiske sammensetning med lamellene orientert tilfeldig. Deretter har disse undersøkere plassert båndene på et substrat

og sakte ført båndet og substratet gjennom en meget smal gjen-smeltingsspole. Ettersom en liten seksjon av båndet går inn i spolen, begynner, båndet å smelte og ettersom det forlater spolen'1, begynner båndet og størkne igjen. Ettersom det størkner påny, danner det nye lameller som<*>er orientert perpendikulære på substratet og som er oppstilt parallelle med lengden av båndet.

En annen fremgangsmåte for fremstilling av retningsbestemte lameller i et eutektikum eller eutektoid innbefatter trekkingen av et bånd av eutektikum fra en smelte og hvor, ved størkning, lamellene av eutektikummet eller eutektoidet vil bli retningsbestemt parallelt med lengden av det trukne båndet.

I eksempelsform representerer fig. 1 en fotomikrografisk fremstilling av et bånd trukket på denne måten, idet flaten av båndet er vist. I denne figur er et tilfeldig orientert eutektikum 10 blitt retningsbestemt stort sett langs en linje 11 ved den eutektiske temperaturen, idet de resulterende lameller fremkommer som vekslende lameller av respektive forskjellige faser 12 og 13 som.fremtrer som vekslende sorte dg hvite linjer. Lamellene 12

og 13 forløper stort sett på tvers av båndets flate.

Den foreliggende oppfinnelse vedrører samvirket mellom tilliggende lameller av eutetika og eutektoider dannet fra substanser valgt' p.g.a. deres elektroniske karakteristika og vedrører nærmere be-stemt, men ikke utelukkende, eutetika og eutektoider dannet av n-type og p-type faser.

Med henvisning til tegningene, illustrerer fig. 2 en type av elektronisk anordning som har en uhindret toppflate dannet av en plate eller lag 14 av eutektisk materiale. Laget fremstilles ved å anvende de kjente teknikker som er angitt ovenfor og danner et sammensatt legeme som omfatter vekslende innrettede og retningsbestemte lamellfaser 15 og 16. som er henholdsvis deler av p-type og n-type materialer. Platen tilveiebringer således et flertall vekslende p-n og n-p overgangssoner ved grensesjiktene for fasene som ligger normalt på platens flate og er innrettet stort sett parallelt med en dimensjon av platen i retningen av lengden av det opprinnelige bånd i hvilket det er dannet. Tegningen er ikke i målestokk og proporsjonene for de tallrike deler er blitt overdrevet for tydelighets skyld. F.eks. kan bredden av lamellene kun være noen få micron og dybden av lamellene eller tykkelsen av platen eller laget vil vanligvis være mange ganger bredden av lamellene. I et bånd av p-type og n-type materialer retningsbestemt og innrettet på denne måte,, er den alt overveiende del av lamellene kontinuerlige fra flate til flate av båndet. Denne utformning er vist skjematisk som representert ved fasene 15 og 16 i platen 14 i tegningen. De frilagte overgangssoner mellom lamellene i flaten av platen kan således energiseres og kan til-føre energi til lederne som danner inngrep med den motsatte siden.

For å tilveiebringe elektriske forbindelser til lamellene 15 og 16, dannes vekslende brede strimler eller smale plater 17 og 18 av henholdsvis p-type og n-type materialer, som lag på tvers av lamellene og i inngrep med disse. Kun en strimmel 17 og to strimler 18 er blitt vist. Imidlertid er et flertall av strimlene i vekslende sekvens tilveiebragt for å fylle arealet av hele anordningen. Disse strimler som danner forbindelseselementer, tilveiebringer selektive elektriske forbindelser til lamellene til den samme type av materialet, mens det dannes ytterligere overgangssoner med lamellene av den andre typen. Lamellene i fase 15 er således forbundet med platen 17 og lamellene 16 til platen 18. For å forbinde anordningen i en elektronisk krets, forbindes lederne 19 og 20 med henholdsvis platene 17 og 18.

Alle lederne 19 er sammenkoblet på en hvilken som helst hensiktsmessig måte og lederne 20 er på tilsvarende måte koblet og krets-lederne blir så forbundet med lederne på den vanlige måten.

Den topp uhindrete overflaten av laget 14 tilveiebringer et flertall frilagte p-n overgangssoner i hovedsaklig paralllelle linjer som er tett ;sprett over overflaten. Slik struktur er særlig passende for'bruk som den aktive overflaten av elektroluminese-rende anordninger og for anvendelse som genereringselementet i fotoelektriske celler. P-type og n-type halvledermaterialene er selvfølgelig valgt til å gi de ønskede reaksjoner i hvert tilfelle, idet p-n overgangssonene kreves til' å frembringe en elek-tronstrøm når lysfotoner treffer overgangssonene i et tilfelle, og i det andre tilfellet å frembringe elektroluminesens når en spenning påtrykkes over overgangssonene.

Fotoelektriske celler avhenger av fangingen av lysfotoner og overføringen av energien av nevnte fotoner til et elektron ved eller nær en p-n overgangssone for å skape et fritt elektron og et hull som gir et strømforløp. Desto kortere avstanden som elektronene og hullene må bevege seg i de respektive n og p materialer, desto mindre er sannsynligheten for at noen av elektronene og hullene vil rekombineres. Ved fremgangsmåten'ifølge den foreliggende oppfinnelse, kan vekslende soner av p og n materialer dannes over en plate av stort areal på en slik måte at bredden av de individuelle lameller i strukturen er av stør-relsesorden av.bølgelengden av det innfallende lys og slik at tykkelsen av platen er liten. Følgelig vil en stor prosentdel av de innfallende fotoner møte en p-n overgangssone. Deretter vil elektronene og hullene som dannes av fotonene som absorberes,. bevege seg gjennom de respektive lameller i strukturen og deretter inn i de respektive strimler og utgangs ledere til den ytre kretsen. , I den tilveiebragte struktur ifølge foreliggende oppfinnelse, er det en høy sannsynlighet for fotonfangning og liten sannsynlighet for elektron-hull rekombinering.

Fremgangsmåten og anordningen ifølge den foreliggende oppfinnelse kan anvendes til å lage luminiserende paneler ved å velge p-type og n-type materialer som lyser med den ønskede lysfargen. Når en spenning påtrykkes mellom- p-type båndene og n-type båndene,| vil élektroluminisens finne sted ved alle overgangssonene mellom p-type og n-type materialer. I realiteten vil platen kunne virke som et flertall lysemiterende dioder. Hvis lamellene i platen

har en bredde lik en mikron, vil élektroluminisens finne sted over lengden av platen og med en luminiserende linje for hver mikron over bredden av platen. En plate som er 1 cm bred ville ha av størrelsesorden 10. 000 lysemiterende linjer over dens bredde. P.g.a. at élektroluminisens frembringer liten varme og frembringer lys med stor virkningsgrad, kan meget virkningsfulle belysnings-paneler av hvilken som helst størrelse og form fremstilles ved fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse.

P.g.a. at effektiviten av både fotoelektriske celler og elektroluminisente anordninger avhenger av en frilagt overflate, vil

p-n eutektikummet generelt bli dannet i tynne plater eller bånd. For andre elektroniske anordninger, slik som likerettere, vil imidlertid operasjonen av anordningen finne sted innenfor materialet og avhenger ikke av de frilagte overflater. Følgelig kan eutetikummet dannes i en hvilken som helst ønsket form og tykkelse når anordninger fremstilles som ikke avhenger av uhindrete overflater.

Denne fremstillingsfremgangsmåte er ikke begrenset til p-n overgangssoner. F.eks. lages mange likerettere som kan fremstilles ved denne fremgangsmåte av et metall og dets oksyd, eller et metall og et annet oksyd, eller et metall og en halvleder. Videre kan de to komponentene.i eutektikummet eller eutektoidet være elementer, legeringer eller sammensetninger, eller en kom-binasjon av disse. Når p-type og n-type materialer velges rik-, tig, vil platen virke som en meget virkningsfull likeretter av elektrisk strøm. For likerettere, vil imidlertid eutektikummet normalt bli dannet i tykkere lag eller plater. P-type materialet kunne anvendes til å dekke en side av anordningen,

og n-type materialet kunne anvendes til å dekke den andre siden av anordningen fordi ingen uhindret overflate kreves for like-retterne.

Denne fremstillingsfremgangsmåte er ikke begrenset til nøyaktige eller hovedsaklig eutektiske eller eutektoide sammensetninger. Sammensetninger nær den eutektiske eller eutektoide sammensetning vil også størkne eller gjenstørkne i eutektikum lignende former. Ved å tilveiebringe sammensetninger hvor den ene eller annen side av eutektikum eller eutektoid sammensetningen, kan de relative størrelser av de to faser justeres. Hvis sammensetningen er for avvikende fra den eutektiske eller eutektoide sammensetning slik at den ikke fullt kan retningsbestemmes, vil større øyer eller konklusjoner for en fase bli nedsenket i en matrise av retningsbestemt eutektikum eller eutektoid. Slike oklusjoner er dis-kontinuiteter i side til side konfigurasjonen av fasen. En elektronisk anordning laget med en slik sammensetning vil ikke være fullt så virkningsfull elektronisk som et sant eutektikum, men forbedringen av andre egenskaper slik som styrke og hardhet kan være merønskelig for visse anvendelser og rettferdiggjør derfor bruken av slikt materiale.

Fig. 3 illustrerer skjematisk en likeretter ifølge oppfinnelsen. Tegningen er ikke i målestokk og proporsjonene av flere deler er blitt overdrevet for tydelighets skyld. Likeretterene anvender en plate eller lag 21 av eutektisk materiale korresponderende med lag 14 i fig. 2, men vesentlig tykkere. En plate eller lag av n-type materialet 22 er dannet eller på annen måte tilveiebragt i inngrep med den øvre flaten av laget 21 og en plate 23 av p-type materialet er tilsvarende tilveiebragt på den nedre siden av laget 21. Laget 21 består av et flertall lameller av vekselvis henholdsvis n-type og p-type materialer 24 og 25. En metall-leder 26 er dannet eller på annen måte tilveiebragt i flateinngrep med platen 22 og en tilsvarende leder .27 er tilveiebragt i flateinngrep med platen 23. Klemmene (ikke vist) av likeretteren er koblet med lederne 26 og 27. Platen 22 tilveiebringer elektriske forbindelser med lamellene 25 og platen 23 tilveiebringer elektriske forbindelser med lamellene 24. Således er de brede sideveis grensjikt av flertallet av lameller 24 og 25 alle koblet i et effektivt kontinuerlig grensesjikt mellom p-type og n-type materialene, idet dette effektive grensesjikt har et areal som ér langt større enn det totale areal av grensesjiktene som er dannet av kantinngrepene av lamellene med henholdsvis platene 22 og 23.

For illustrasjonsformål, er figurene 1 og 2 blitt tegnet til å

i vise respektive avbrudte hjørner av rektangulære anordninger og '

dimensjonene er ikke i målestokk. I eksempelsform og ikke på noen måte begrensende, kan dimensjonen av anordningene og således de relative proporsjoner av delene av anordningene være

■ som følger:

Anordningen i fig. 2:

Laget 14 - en ganger fire cm.

Tykkelsen av laget 14 - to mm.

Bredden av fase 15 - av størrelsesorden en mikron.

Bredden av fase 16 - av størrelsesorden en mikron.

Strimlene 17 og 18 - snitt to mm. gange en halv cm.

Lederne 19 og 20 - snitt en kvart cm.'s firkant.

Anordningene i fig. 3:

Lengde - ti cm.

Bredde - en cm.

Lamellene 24 og 25 - variable i området omkring en mikron til

en mm.

Tykkelsen av platene 22 og 23 - ca. to mm.

. Selvom den foreliggende oppfinnelse er blitt beskrevet i forbindelse med spesielle'prosedyrer og anordninger, kan forskjellige andre anvendelser og modifikasjoner, innbefattende forskjellig konfigurasjoner av det sammensatte materialet være innlysende for fagfolk. Derfor er det ikke hensikten at den foreliggende oppfinnelse er begrenset til de spesielle fremgangsmåter og anordninger som er illustrert og beskrevet og det er hensikten, ved de etterfølgende krav å dekke alle modifikasjoner som kan falle innenfor oppfinnelsens ide og omfang.

Claims (26)

1. Elektronisk anordning,karakterisert ved' et legeme av sammensatt materiale som har to sammenblandede faser av substanser av forskjellige elektroniske egenskaper, idet nevnte legeme har minst et overflate-areal med deler av begge faser avsluttende i dette,, og midler som tilveiebringer elektriske forbindelser med respektive fase av nevnte fase og danner terminalene for nevnte anordning.

2. Elektronisk anordning,karakterisert vedet. legeme av sammensatt materiale som har to sammenblandede faser av substanser som har forskjellige elektroniske egenskaper, idet nevnte legeme har minst et overflate-areal med deler av begge av nevnte faser avsluttende i dette, hvor to forbindende material-elementer hver har de samme elektroniske' egenskaper som en respek-tiv ulik fase av nevnte faser og montert i flateinngrep med et overflateareal av nevnte legeme, idet begge av nevnte elementer danner inngrep med de samme partier av nevnte faser, og ledere i elektrisk inngrep med respektive elementer av nevnte elementer og som danner terminalene for nevnte anordning.

3. Elektronisk anordning som angitt i krav 1 eller 2,karakterisert vedat nevnte to faser er retningsbestemte.

4. Elektronisk anordning som angitt i krav 1 eller 2,karakterisert vedat nevnte deler er langstrakte lameller som ligger hovedsaklig carallelt med hverandre og sideveis på tvers av nevnte ene overflate.

5. Elektronisk anordning som angitt i krav 1 eller 2,karakterisert vedat nevnte legeme har en andre slik overflate som er hovedsaklig parallell med nevnte ene overflate og nevnte deler av nevnte to faser avsluttes i begge av nevnte overflater.

6. Elektronisk anordning som angitt i krav 1 eller 2,karakterisert vedat nevnte legeme er en tynn flate som oppviser to overflatearealer, og nevnte deler er hovedsaklig parallelle lameller som forløper sideveis i retninger.på tvers av nevnte' flate fra en av nevnte overflatearealer til det andre.

7. Elektronisk anordning som angitt i krav 2, kar ak te-, risert ved at begge av nevnte forbindelseselementer er i flateinngrep med det samme overflatearealet av nevnte legeme.

Elektronisk anordning som angitt i krav 1,karakterisert vedat nevnte forbindelseselementer er i flateinngrep med respektive ulike overflatearealer av nevnte legeme.

9. Elektronisk anordning som angitt i et av de foregående krav,karakterisert vedat en av nevnte faser er et p-type materiale og den andre fasen er et n-type materiale.

10. Elektronisk anordning som angitt i krav 9,karakterisertv e>d at nevnte sammensatte materiale er hovedsaklig et eutektikum.

11. Elektronisk anordning som angitt i krav 9,karakterisert vedat nevnte sammensatte materiale er hovedsaklig et eutektoid. •

12. Fremgangsmåte for fremstilling av en elektronisk anordning,karakterisert vedå tilveiebringe en smelte av et flertall substanser som vil størkne når den kjøles til en sammensetning av to sammenblandede faser av substanser, hvilke faser har forskjellig elektroniske egenskaper, å kjøle smeiten til å danne nevnte sammensetning, og å tilveiebringe separate elektriske forbindelser, hvorav en med hver respektive fase av de to fasene av nevnte substanser for å tilveiebringe terminaler for anordningen.

13. Fremgangsmåte som angitt i krav 12,karakterisertved at den størknede sammensetning er hovedsaklig et eutektikum.

14. Fremgangsmåte for fremstilling av en elektronisk anordning,karakterisert vedå tilveiebringe en smelte av et flertall substanser som vil størkne når den avkjøles til en sammensetning av to sammenblandede faser av substanser, hvilke faser har forskjellige elektroniske egenskaper, å kjøle smeiten til å danne nevnte sammensetning, å danne over sammensetningen lag av respektive substanser elektronisk tilsvarende hver av fasene, og å tilveiebringe elektriske kontakter som danner inngrep med lagene i de respektive substanser for å tilveiebringe terminaler for anordningen.

15. Fremgangsmåte som angitt i krav 14,karakterisertved at den størknede sammensetningen er hovedsaklig et eutektikum.

16. Fremgangsmåte for fremstilling av en elektronisk anordning,karakterisert vedå tilveiebringe et fast stoff som når det avkjøles vil danne en sammensetning av to sammenblandede faser som har forskjellige elektroniske egenskaper, å kjøle nevnte fast stoff til å danne nevnte sammensetning, og å tilveiebringe separate elektriske forbindelser, hvorav en med hver respektive fase av de to fasene av nevnte substanser for å tilveiebringe terminaler for anordningen.

17. Fremgangsmåte som angitt i krav 16, k a r a k t :e r i - sert ved at nevnte avkjølte sammensetning er hoved-sakli'g et eutektoid. <

18. Fremgangsmåte for fremstilling av en elektronisk anordning,karakterisert vedå tilveiebringe et fast stoff som når .det er avkjølt vil danne en sammensetning av to sammenblandede faser som har forskjellige elektroniske egenskaper., å avkjøle nevnte fast stoff til å danne nevnte sammensetning, å danne over sammensetningen lag av respektive substanser elektronisk tilsvarende hver av fasene, og å tilveiebringe elektriske kontakter som danner inngrep med lagene i de respektive substanser for å tilveiebringe terminaler for anordningen.

19. Fremgangsmåte som angitt i krav 18,karakterisert vedat nevnte avkjølte sammensetning er hovedsaklig et eutektoid.

20. Fremgangsmåte som angitt i et av kravene 12 - 19',karakterisert vedat minst en av fasene av sammensetningen er i form av lameller. i

21. Fremgangsmåte som angitt i et av kravene 12-19,karakterisert vedat de to fasene er retningsbestemte.

22. Fremgangsmåte som angitt i et av kravene 12-19,karakterisert vedat de to fasene er dannet i lamell-, utformning og er retningsbestemte.

23. Fremgangsmåte som angitt i et av kravene 12-19,karakterisert vedat en av fasene er en p-type halvleder og den andre av fasene er en n-type halvleder.

24. Fremgangsmåte som angitt i et av kravene 12-19,karakterisert vedtrinnet å danne nevnte sammensetning som en plate hvori nevnte faser er dannet som lameller og er ialt vesentlig parallelle med hverandre og på tvers relativt platens flater.

25. Fremgangsmåte som angitt i krav 14, 15, 18 eller 19,karakterisert vedat begge av nevnte lag er dannet på den samme siden av nevnte plate.

26. Fremgangsmåte som angitt i krav 20, karakter i's e r t v ed at lamellene er retningsbestemte.