NO326707B1 - Fremgangsmåte og innretning for regulering av millimeterbølgeeffekt for en V-bånd-T/R-modul - Google Patents
Fremgangsmåte og innretning for regulering av millimeterbølgeeffekt for en V-bånd-T/R-modul Download PDFInfo
- Publication number
- NO326707B1 NO326707B1 NO20032468A NO20032468A NO326707B1 NO 326707 B1 NO326707 B1 NO 326707B1 NO 20032468 A NO20032468 A NO 20032468A NO 20032468 A NO20032468 A NO 20032468A NO 326707 B1 NO326707 B1 NO 326707B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- power
- spdt
- spdt mmic
- mmic switches
- regulation
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 title description 5
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000306 component Substances 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- NCEXYHBECQHGNR-UHFFFAOYSA-N chembl421 Chemical compound C1=C(O)C(C(=O)O)=CC(N=NC=2C=CC(=CC=2)S(=O)(=O)NC=2N=CC=CC=2)=C1 NCEXYHBECQHGNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
Landscapes
- Transmitters (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
Description
Foreliggende oppfinnelse angår en fremgangsmåte og en innretning for regulering av millimeterbølgeeffekt for en V-bånds T/R-modul som angitt i innledningen til det vedfølgende patentkrav 1.
Spesielt hos mobilkommunikasjonsutstyr bør utgangseffekten holdes så nær konstant som mulig, og riktignok uavhengig av individuelle egenskaper til de moduler og utstyr som produseres i store antall. Ved frekvenser under 50 GHz realiseres styrbare dempeledd på MMICer med PIN-dioder eller som MESFET-koblinger. I teknikkens stand er det også kjent andre effektreguleringskonsepter for lavere frekvenser. Fra tidligere er imidlertid ikke kjent en V-bånd T/R-modul med regulert utgangseffekt. Tidligere finnes heller ikke på markedet et regulerbart dempeledd for 60 GHz som en
MMIC.
Den individuelle innjustering av det ferdige utstyr er meget kostnadsintensiv, og derfor en hensikt å redusere disse med den tilsvarende utlegning. Samtidig skal færrest mulig tilleggskomponenter være påkrevd, da disse selv forårsaker på den ene siden individuelle variasjoner og på den andre siden kostnader.
US 5878331 beskriver en integrerts krets for radiobølgesvitsjing for en T/R-modul. Kretsen innbefatter en enkeltpolet, dobbeltomkastende vender med en vei for sending og mottak, en sendervei og en mottakervei. Enkeltpolete, dobbeltomkastende halvledersvitsjer inngår for atskillelse av senderveien og mottakerveien, og halvledersvitsjene styres av styreelektronikk.
Fra firmaet United Monolithic Semiconductors S.A.S., med adresse 91401 Orsay Cedex, Frankrike, tilbys under typebetegnelsen "CHS2190a" en 50-60 GHz SPDT - bryter for kommunikasjonssystemer, hvor forkortelsen SPDT står for "enkeltpolet dobbeltomkastende", som allerede tidligere har blitt benyttet for omveksling mellom sending og mottak i en sender/mottakermodul. Det er oppfinnelsens mål ved anvendelse av denne eller en tilsvarende bryter å tilveiebringe en effektregulering med de nevnte kjennetegn.
I henhold til oppfinnelsen løses dette ved at oppfinnelsen tilveiebringer en fremgangsmåte kjennetegnet ved de trekk som fremgår av det vedfølgende patentkrav 1, og en innretning kjenentegnet ved de trekk som fremgår av det vedfølgende patentkrav 2.
Ytterligere fordelaktige trekk ved oppfinnelsens innretning fremgår det vedfølgende patentkrav 3.
Utnyttelsen av en SPDT MMIC som regulerbart dempeledd muliggjør innstilling av en ønsket sendeeffekt og kompensasjon av brikkevariasjoner. Den danner kjernekomponenten for en effektregulering (justeringstrinn). På grunn av brikkens dobbeltfunksjon oppnås en betydelig kostnadsbesparelse.
Dessuten gir anvendelsen av den andre SPDT MMIC som effektdetektor på grunn av dobbeltfunksjonen en kostnadsbesparelse.
Samlet fører effektreguleringen for hele T/R-modulen til en økning i modulavkastningen gjennom kompensasjon av brikkevariasjoner og temperatureffekter. Flergangsbruken av disse SPDT MMIC som bryter, dempeledd og effektdetektor fører til de nevnte fordeler.
Detaljer ved oppfinnelsen fremgår av de vedfølgende krav, og fra beskrivelsen, i hvilken et utførelseseksempel forklares ved hjelp av tegningene. Tegningene viser:
Fig. 1, et blokkskjema for sendereffektreguleringen i henhold til oppfinnelsen,
fig. 2, utformingen og kontaktflateteiminalbetegningene til den kjente SPDT MMIC,
fig. 3 viser prinsippskjemaet,
fig. 4 viser den eksterne kretskoblingen og likespenningsforsyningen,
fig. 5 viser dempningsforholdene og deres avhengighet av styrespenningen,
fig. 6 viser anvendelsen av den nevnte SPDT MMIC som detektor,
fig. 7 viser den maksimale sendeeffekt som står til rådighet og den regulerte
sendereffekten.
Den kjente MMIC kan i henhold til oppfinnelsen drives enten som Schottky-diodebryter av typen SPDT eller ved valg av andre forsyningsspenninger som regulerbart dempeledd. Figurene 2 og 3 viser utformingen av den nevnte SPDT MMIC og et prinsippkoblingsskjema. Ved omvekslerdrift blir inngangseffekten på porten merket INN koblet gjennom enten til porten UTI eller UT2. For drift som variabelt dempeledd blir porten UT2 avsluttet refleksjonsfritt og kretsveien INN-UT2 drives i en gjennomlederretning. Mellom portene INN og UTI er det mulig gjennom likestrømsforsyningsspenningen å innstille en variabel dempning mellom 3,5 og 25 dB (se figurene 4 og 5).
Figur 4 viser den eksterne koblingen og likestrømsforsyningen. Driftstypene er de følgende:
Bryterdrift:
Koblingsveien INN-UT1 i PÅ-tilstand, koblingsveien INN-UT2 i AV-tilstand: Kontaktflateterminalene A1,A2: -2,5V
Kontaktflateterminalene B1,B2:12 mA
AV-tilstand: Koblingsveien sperret
PÅ-tilstand: Koblingsveien slipper gjennom
Den eksterne spenningstilførselen oppnås gjennom seriemotstander på ca. 250 ohm i serie med kontaktflateterminalene Al, A2, Bl, B2.
Detektordrift:
Koblingsveien INN-UT1 som detektor, koblingsveien INN-UT2 i AV-tilstand: Kontaktflateterminalene A1,A2: 0V, (lk ohm i serie til kontaktflateterminalene) Kontaktflateterminalene Bl,B2: 12 mA
Drift som variabelt dempeledd:
Koblingsveien INN-UT1 i PÅ-tilstand (Port UTI avsluttes refleksjonsfritt) Koblingsveien INN-UT2 i dempningsdrift:
Kontaktflateterminalene A1,A2: -2,5V
Kontaktflateterminalene B1,B2: 0-12 mA (tilsvarer 0-4V etter seriemotstand 250 ohm)
På den nevnte SPDT MMIC er på hver koblingsvei til enhver tid koblet to diodepar 4/5 henholdsvis 6/7 mellom HF-ledningen og jord. Ved drift av den nevnte SPDT MMIC som effektdetektor blir en koblingsvei sperret (for eksempel INN-UT2), idet den andre koblingsarmen blir koblet til gjennomgang med en forspenning lik 0V. Den HF-effekten som flyter gjennom PÅ-koblingsveien blir likerettet hos de parallellkoblede diodene. Den på kontaktflateterminalen Al henholdsvis A2 målbare likespenningen er et mål for den gjennomstrømmende effekten, slik det er fremstilt i figur 6. For effektmåling blir likespenningen tatt ut fra kontaktflateterminalen A2. En effektdeteksjon hos den nevnte SPDT MMIC er mulig for nivåer mellom 3dBm og lOdBm.
Figur 5 viser dempningsforholdene som funksjon av styringsspenningen. Der gjelder de følgende verdier:
Likestrømstilkobling og spenningsforsyning:
Kontaktflateterminalene A1,A1: -2,5V
Kontaktflateterminalene B1,B2: Styringsspenning tilført gjennom 250 ohm seriemotstand
HF-konfigurasjon:
Måling til skiveprobe ved 58 GHz
Inngangseffekt på port INN, utgangseffekt på port UT2, port UTI var avsluttet med et lOdB dempeledd.
Figur 6 viser anvendelsen av den nevnte SPDT MMIC som detektor. I diagrammet er detektorspenningen fremstilt som funksjon av den målte utgangseffekten. Der gjelder:
Likestrømstilkobling og spenningsforsyning:
Kontaktflateterminalene A1,A2: 0V tilført gjennom lk ohm seriemotstand Styringsspenning
Kontaktflateterminalene Bl, B2:12mA
HF-konfigurasjon:
Måling med skiveprobe ved 58 GHz.
Inngangseffekt på port UTI, utgangseffekt på port INN, port UT2 var avsluttet med et lOdB dempeledd.
Med de komponenter som har blitt beskrevet ble oppfinnelsens sendereffektregulering for sende/mottak-modulen utviklet, slik den er vist sammenstilt i blokkskjemaet i figur 1.1 mottakstilfellet blir begge SPDT MMIC (1 og 2) anvendt som brytere. LO-effekten (PinJLO) og mottakseffekten (Pin_RX) blir koblet til blanderen. I sendetilfellet fungerer SPDT MMIC 1 som styrbart dempeledd og SPDT MMIC 2 som effektdetektor. Effektstyringskretsen lukkes gjennom en analog elektronikk. Gjennom elektronikkens innstillingsverdi blir det ønskede utgangsnivået innstilt. Figur 7 viser utgangseffekten som målt på en spektrumanalysator for det uregulerte tilfellet (maksimal tilgjengelig effekt) og det regulerte tilfellet (Put=5dBm=konst.)
Claims (3)
1.
Fremgangsmåte for millimeterbølgeeffektregulering hos en V-bånd-T/R-modul ved en frekvens i området 50 GHz og høyere, hvor sende- og mottaksveien skilles ved hjelp av to SPDT MMIC-svitsjer, karakterisert ved at i sendetilfellet blir en første av de to SPDT MMIC-svitsjene anvendt som regulerbart dempeledd og den andre av de to SPDT MMIC-svitsjene anvendt som detektor for utgangseffekten, og
at ved bruk av en styringselektronikk oppnås reguleringen av utgangseffekten til et forutbestemt nivå.
2.
Innretning for millimeterbølgeeffektregulering hos en V-bånd-T/R-modul ved en frekvens i området 50 GHz og høyere, med to SPDT MMIC-svitsjer for. skilling av en sendevei og mottaksvei, idet hver av de to SPDT MMIC-svitsjene ved bryterdrift oppviser to koblingsveier, ved at inngangseffekten på port INN er koblingsbar på valgbart vis til en av to porter UTI eller UT2,
karakterisert ved
at i sendetilfellet er en første av de to SPDT MMIC-svitsjene anvendbar som regulerbart dempeledd og den andre av de to SPDT MMIC-svitsjene er anvendbar som detektor for utgangseffekten,
at ved drift som regulerbart dempeledd er den andre av de to portene UTI og UT2 refleksfritt avsluttet og mellom portene INN og den første av de to portene UTI og UT2 er en variabel dempning innstillbar gjennom en forsyningsspenning, og at en elektronisk innretning er tilveiebrakt for gjennomføring av reguleringen.
3.
Innretning for millimeterbølgeeffektregulering hos en V-bånd-T/R-modul ved en frekvens i området 50 GHz og høyere, med to SPDT MMIC-svitsjer for skilling av en sendevei og mottaksvei, idet hver av de to SPDT MMIC-svitsjene ved bryterdrift oppviser to koblingsveier, ved at inngangseffekten på port INN er koblingsbar på valgbart vis til en av to porter UTI eller UT2,
karakterisert ved
at i sendetilfellet er en første av de to SPDT MMIC-svitsjene anvendbar som regulerbart dempeledd og den andre av de to SPDT MMIC-svitsjene er anvendbar som detektor for utgangseffekten,
at ved de to SPDT MMIC-svitsjene er på hver koblingsvei to diodepar koblet mellom HF-ledningen og jord,
at ved drift som effektdetektor er i den andre av de to SPDT MMIC-svitsjene den ene av de to koblingsveiene sperret og den andre koblet til en forspenning lik 0 V for gjennomgang, og den HF-effekten som strømmer gjennom den andre av de to koblingsveiene likerettes hos diodene og den målbare likerettede spenningen tjener som mål for den gjennomstrømmende effekten, og
at til gjennomføring av reguleringen er en elektronisk innretning er tilveiebrakt for gjennomføring av reguleringen.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10060332A DE10060332B4 (de) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | Verfahren und Vorrichtung zur Millimeterwellen-Leistungsregelung bei einem V-Band-TR-Modul |
PCT/DE2001/004215 WO2002047245A2 (de) | 2000-12-04 | 2001-11-09 | Verfahren und vorrichtung zur millimeterwellen-leistungsregelung bei einem v-band-tr-modul |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO20032468L NO20032468L (no) | 2003-05-30 |
NO20032468D0 NO20032468D0 (no) | 2003-05-30 |
NO326707B1 true NO326707B1 (no) | 2009-02-02 |
Family
ID=7665809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO20032468A NO326707B1 (no) | 2000-12-04 | 2003-05-30 | Fremgangsmåte og innretning for regulering av millimeterbølgeeffekt for en V-bånd-T/R-modul |
Country Status (18)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7012478B2 (no) |
EP (1) | EP1342313B1 (no) |
JP (1) | JP3822169B2 (no) |
KR (1) | KR100779339B1 (no) |
CN (1) | CN1227770C (no) |
AT (1) | ATE458300T1 (no) |
AU (2) | AU2155402A (no) |
BR (1) | BR0115869A (no) |
CA (1) | CA2430326C (no) |
CZ (1) | CZ301316B6 (no) |
DE (2) | DE10060332B4 (no) |
ES (1) | ES2338406T3 (no) |
HK (1) | HK1060442A1 (no) |
HU (1) | HUP0302941A2 (no) |
IL (2) | IL156147A0 (no) |
NO (1) | NO326707B1 (no) |
PL (1) | PL205863B1 (no) |
WO (1) | WO2002047245A2 (no) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI338970B (en) * | 2007-11-02 | 2011-03-11 | Univ Nat Taiwan | Single-pole-double-throw switch integrated with bandpass filtering function |
KR101301816B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2013-08-29 | 한국전자통신연구원 | 증폭기 스위치로 동작하는 다기능 mmic |
CN111835372B (zh) * | 2019-04-18 | 2023-06-30 | 北京小米移动软件有限公司 | 一种射频电路及无线通信设备 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5878331A (en) * | 1996-01-22 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Integrated circuit |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3678414A (en) * | 1970-10-19 | 1972-07-18 | Collins Radio Co | Microstrip diode high isolation switch |
US4837530A (en) * | 1987-12-11 | 1989-06-06 | Hewlett-Packard Company | Wideband (DC-50 GHz) MMIC FET variable matched attenuator |
US4843354A (en) * | 1987-12-28 | 1989-06-27 | Motorola, Inc. | Broad band microwave biasing networks suitable for being provided in monolithic integrated circuit form |
US5103195A (en) * | 1989-10-13 | 1992-04-07 | Hewlett-Packard Company | Hybrid gaas mmic fet-pin diode switch |
JPH05103195A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像入力装置 |
JP3362931B2 (ja) * | 1993-09-30 | 2003-01-07 | ソニー株式会社 | アツテネータ回路 |
JP3198808B2 (ja) * | 1994-06-30 | 2001-08-13 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
US5777530A (en) * | 1996-01-31 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Switch attenuator |
US5990580A (en) * | 1998-03-05 | 1999-11-23 | The Whitaker Corporation | Single pole double throw switch |
US6801108B2 (en) * | 2001-12-14 | 2004-10-05 | Taiwan University | Millimeter-wave passive FET switch using impedance transformation networks |
-
2000
- 2000-12-04 DE DE10060332A patent/DE10060332B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-09 EP EP01270011A patent/EP1342313B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-09 DE DE50115353T patent/DE50115353D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-09 AT AT01270011T patent/ATE458300T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-11-09 ES ES01270011T patent/ES2338406T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-09 PL PL362025A patent/PL205863B1/pl not_active IP Right Cessation
- 2001-11-09 CZ CZ20031536A patent/CZ301316B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2001-11-09 CN CNB018181813A patent/CN1227770C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-09 AU AU2155402A patent/AU2155402A/xx active Pending
- 2001-11-09 WO PCT/DE2001/004215 patent/WO2002047245A2/de active IP Right Grant
- 2001-11-09 KR KR1020037006052A patent/KR100779339B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-11-09 US US10/433,464 patent/US7012478B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-09 HU HU0302941A patent/HUP0302941A2/hu unknown
- 2001-11-09 CA CA002430326A patent/CA2430326C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-09 BR BR0115869-4A patent/BR0115869A/pt not_active IP Right Cessation
- 2001-11-09 IL IL15614701A patent/IL156147A0/xx active IP Right Grant
- 2001-11-09 AU AU2002221554A patent/AU2002221554B2/en not_active Ceased
- 2001-11-09 JP JP2002548851A patent/JP3822169B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-05-27 IL IL156147A patent/IL156147A/en not_active IP Right Cessation
- 2003-05-30 NO NO20032468A patent/NO326707B1/no not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-05-14 HK HK04103393A patent/HK1060442A1/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5878331A (en) * | 1996-01-22 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Integrated circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004515185A (ja) | 2004-05-20 |
ATE458300T1 (de) | 2010-03-15 |
JP3822169B2 (ja) | 2006-09-13 |
CZ20031536A3 (cs) | 2004-03-17 |
WO2002047245A3 (de) | 2003-02-27 |
DE10060332A1 (de) | 2002-07-11 |
IL156147A0 (en) | 2003-12-23 |
KR100779339B1 (ko) | 2007-11-23 |
DE10060332B4 (de) | 2005-02-24 |
CA2430326C (en) | 2009-07-28 |
PL362025A1 (en) | 2004-10-18 |
EP1342313A2 (de) | 2003-09-10 |
CN1227770C (zh) | 2005-11-16 |
ES2338406T3 (es) | 2010-05-07 |
CN1471745A (zh) | 2004-01-28 |
AU2002221554B2 (en) | 2006-02-23 |
US20040110476A1 (en) | 2004-06-10 |
US7012478B2 (en) | 2006-03-14 |
HK1060442A1 (en) | 2004-08-06 |
WO2002047245A2 (de) | 2002-06-13 |
EP1342313B1 (de) | 2010-02-17 |
NO20032468L (no) | 2003-05-30 |
CA2430326A1 (en) | 2002-06-13 |
IL156147A (en) | 2008-06-05 |
BR0115869A (pt) | 2004-01-20 |
DE50115353D1 (de) | 2010-04-01 |
NO20032468D0 (no) | 2003-05-30 |
PL205863B1 (pl) | 2010-06-30 |
AU2155402A (en) | 2002-06-18 |
CZ301316B6 (cs) | 2010-01-13 |
KR20030061389A (ko) | 2003-07-18 |
HUP0302941A2 (en) | 2003-12-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101770471B1 (ko) | 방향성 커플러 모듈을 위한 시스템 및 방법 | |
Min et al. | A 10–50-GHz CMOS distributed step attenuator with low loss and low phase imbalance | |
US9685687B2 (en) | System and method for a directional coupler | |
US11522524B2 (en) | Programmable voltage variable attenuator | |
US5911116A (en) | Transmitting-receiving switch-over device complete with semiconductors | |
US9800238B2 (en) | RF switch with bypass topology | |
US6414562B1 (en) | Circuit and method for impedance matching | |
Kodak et al. | A 42mW 26–28 GHz phased-array receive channel with 12 dB gain, 4 dB NF and 0 dBm IIP3 in 45nm CMOS SOI | |
KR20010031939A (ko) | 모노리식 고주파 안테나스위치 | |
JPH04262608A (ja) | 動作点の動的な調節を伴う固体電力アンプ | |
KR20190032607A (ko) | 디지털 스위칭된 감쇠기 | |
KR20090086117A (ko) | 무손실의 송신경로 안테나 스위치 회로 | |
WO1997006608A1 (en) | Commonly coupled high frequency transmitting/receiving switching module | |
US4656364A (en) | Antenna switching circuit for a diversity receiving system and branching circuit with a signal attenuation operation | |
US6487395B1 (en) | Radio frequency electronic switch | |
US20020142733A1 (en) | Transmitter-receiver circuit | |
KR101259815B1 (ko) | 안테나 튜너 및 임피던스 조절 방법 | |
NO326707B1 (no) | Fremgangsmåte og innretning for regulering av millimeterbølgeeffekt for en V-bånd-T/R-modul | |
WO2006022132A1 (ja) | 高周波回路およびこれを用いた通信装置 | |
JP4246149B2 (ja) | 光受信機回路 | |
US4532433A (en) | Switching circuit which is self-biased in one mode of operation | |
US10305376B1 (en) | Switchable charge pump for multi-mode operation | |
KR20000062876A (ko) | 안테나 장치 | |
Suckling et al. | The Performance of GaAs Lumped Element Phase Shifters at S and C Band | |
US20230188175A1 (en) | Chipset agnostic front-end module for digital pre-distortion |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM1K | Lapsed by not paying the annual fees |