WO2006022132A1 - 高周波回路およびこれを用いた通信装置 - Google Patents

高周波回路およびこれを用いた通信装置 Download PDF

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WO2006022132A1
WO2006022132A1 PCT/JP2005/014385 JP2005014385W WO2006022132A1 WO 2006022132 A1 WO2006022132 A1 WO 2006022132A1 JP 2005014385 W JP2005014385 W JP 2005014385W WO 2006022132 A1 WO2006022132 A1 WO 2006022132A1
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circuit
impedance
frequency
signal
input
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PCT/JP2005/014385
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English (en)
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Inventor
Tomoyuki Yamase
Tadashi Maeda
Original Assignee
Nec Corporation
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Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • H03H7/40Automatic matching of load impedance to source impedance
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/28Impedance matching networks
    • H03H11/30Automatic matching of source impedance to load impedance

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency circuit and a communication device using the same, and particularly to a high-frequency circuit that can maintain a matching state even when the frequency and frequency band of an input signal are changed.
  • the present invention relates to a communication device.
  • FIG. 15 is a block diagram showing a configuration of a conventional multiband high-frequency amplifier circuit disclosed in Patent Document 1.
  • FIG. 15 is a block diagram showing a configuration of a conventional multiband high-frequency amplifier circuit disclosed in Patent Document 1.
  • an input terminal 1A that inputs a signal an output terminal 2A that outputs a signal, an amplifier 30A having an active element that amplifies the signal, and input matching that performs impedance matching between the input terminal 1A and the amplifier 30A
  • the first amplifier circuit is composed of the output matching circuit 20A that performs impedance matching between the circuit 10A and output terminal 2A and the amplifier 30A.
  • the input terminal 1B that inputs signals, the output terminal 2B that outputs signals, and the signal Amplifying unit 30B having an active element for amplifying the input, input matching circuit 10B for impedance matching between input terminal IB and amplifying unit 30B, and output matching circuit 20B for impedance matching between output terminal 2B and amplifying unit 30B A width circuit is configured.
  • the same amplifier is simply used to operate these two amplifier circuits in different frequency bands.
  • a bias switch for selecting one of the first bias circuit 40A for the amplifier 30A, the second bias circuit 40B for the amplifier 30B, and the first and second bias circuits 40A and 40B.
  • the circuit 50 is also constructed on the same chip.
  • 3A and 3B are noise control terminals to which signals for switching the first and second bias circuits 40A and 40B and control of the voltage applied to the amplifiers 30A and 30B are input, and 4 is a power supply terminal. is there. With this configuration, it is possible to selectively operate the two amplifier circuits and obtain a gain in a desired frequency band.
  • FIGS. 16A and 16B are block diagrams of the high-frequency circuit disclosed in Patent Document 2.
  • FIG. 16 (a) an antenna 5 that emits and receives electromagnetic waves is connected to a matching circuit 6, and the matching circuit 6 is connected to the movable contact side of the band switch 7.
  • the movable contact of this band switch 7 is connected to the fixed contact on the first high-frequency circuit 8 side when it corresponds to a system that uses the first frequency, and it corresponds to the system that uses the second frequency. Connect to the fixed contact on the second high-frequency circuit 9 side.
  • the matching circuit 6 matches the impedance of the antenna 5 and the impedance of the first high-frequency circuit 8 when using a system that uses the first frequency, and uses the second frequency.
  • the impedance of the antenna 5 and the impedance of the second high-frequency circuit 9 are matched.
  • the high frequency circuits 8 and 9 perform high frequency signal transmission processing and reception processing.
  • the impedance of each high-frequency circuit 8, 9 is about 50 ⁇ .
  • FIG. 16 (b) is a diagram showing an internal configuration of the matching circuit 6.
  • the first circuit 61 includes first to third circuits 61 to 63.
  • the first circuit 61 converts the impedance value of the antenna 5 into a predetermined value (about 50 ⁇ in this case) when corresponding to the first frequency, When corresponding to the second frequency, the impedance value of antenna 5 is converted to an arbitrary value.
  • the second circuit 62 does not change the impedance value processed by the first circuit 61 at the first frequency, so that the resistance value and the conductance value become predetermined values at the second frequency.
  • the resistance value is less than 50 ⁇ and the conductance value is converted to a range less than 0.02 [1 ⁇ ⁇ ].
  • the third circuit 63 does not change the impedance value processed by the second circuit 62 at the first frequency, but converts it to a predetermined value (here, about 50 ⁇ ) at the second frequency
  • Patent Document 1 JP 2000-332551 A
  • Patent Document 2 JP-A-11-205183
  • An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and the object is to support different communication standards or within the same frequency band by a high-frequency circuit having a relatively simple circuit configuration. In order to satisfy the matching condition stably even if the frequency changes.
  • an impedance variable matching circuit to which an input signal is input a dummy circuit that can reproduce an impedance characteristic that is the same as or equivalent to the variable impedance matching circuit, A detection circuit that detects a difference between the impedance of the dummy circuit and a reference value at the same or approximate frequency as the input signal, and the impedance of the variable impedance matching circuit and the dummy circuit according to the output of the detection circuit
  • a high-frequency circuit characterized in that
  • an input signal is input.
  • 1 dance variable matching circuit, a dummy circuit capable of reproducing the same or equivalent impedance characteristics as the impedance variable matching circuit, a reference impedance circuit, and the dummy circuit and the reference impedance circuit at the same or approximate frequency as the input signal
  • a detection circuit for detecting a difference in impedance between the impedance variable variable matching circuit and the dummy circuit according to an output of the detection circuit.
  • test signal having the same or approximate frequency as the input signal is applied to the dummy circuit, or the dummy circuit and the reference impedance circuit, and the test signal is preferably the impedance variable matching.
  • the local oscillator power used to convert the signal input to the circuit into a baseband signal or an intermediate frequency signal is also obtained.
  • the means for adjusting the dummy circuit having the same configuration as that of the variable impedance matching circuit to have a desired value is applied to the variable impedance matching circuit at the same time, so that the impedance is adjusted to the impedance.
  • the impedance of the variable matching circuit is adjusted. Therefore, by adjusting the impedance of the dummy circuit to the impedance of the circuit to be matched by the variable impedance matching circuit, it is possible to automatically adjust so that the matching condition is satisfied regardless of the frequency of the input signal.
  • a high-frequency amplifier is not provided for each frequency band and the matching circuit is not switched by a switch, the circuit can be simplified and downsizing of the chip can be realized.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of a high-frequency circuit according to the present invention.
  • FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the high-frequency circuit of the present invention.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a third embodiment of the high-frequency circuit of the present invention.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing a specific example of a matching circuit and a dummy circuit used in the high-frequency circuit of the present invention.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing another example of a matching circuit and a dummy circuit used in the high-frequency circuit of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram showing a specific example of a signal comparison circuit used in the high-frequency circuit of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram showing another specific example of the signal comparison circuit used in the high-frequency circuit of the present invention.
  • FIG. 8 is a circuit diagram showing a specific example of a rectifier circuit used in the high-frequency circuit of the present invention.
  • FIG. 9 is a block diagram showing a specific example of a power detector used in the high-frequency circuit of the present invention.
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing a specific example of an arithmetic unit used in the high-frequency circuit of the present invention.
  • FIG. 11 is a circuit diagram showing another specific example of the arithmetic unit used in the high-frequency circuit of the present invention.
  • FIG. 12 is a block diagram showing an embodiment of a receiver of the present invention.
  • FIG. 13 is a block diagram showing another embodiment of the receiver of the present invention.
  • FIG. 14 is a block diagram showing an example of a high-frequency circuit according to the present invention.
  • FIG. 15 is a block diagram showing a configuration of a matching circuit of a conventional multiband system (first conventional example).
  • FIG. 16 is a block diagram showing a configuration of a matching circuit of a conventional multiband system (second conventional example).
  • Variable amplifier 1402 Input side matching circuit
  • FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of a high-frequency circuit according to the present invention, and shows an example in which the present invention is applied to an input-side matching circuit.
  • a signal processing circuit 107 having a variable impedance matching circuit 106 on the input side is connected between the input signal terminal 105 and the output signal terminal 108.
  • the signal processing circuit 107 is, for example, a high-frequency amplifier circuit.
  • a reception signal having an antenna power, for example, is input to the input signal terminal 105, and the output signal from the output signal terminal 108 is, for example, a mixer via an output side matching circuit. Is input.
  • the test signal output from the test signal oscillator 100 is input to a series connection circuit of the dummy circuit 101 and the reference impedance circuit 103.
  • the oscillation frequency of the test signal oscillator 100 is the same as or very close to the frequency of the signal input to the input signal terminal 105.
  • the dummy circuit 101 is a circuit that can reproduce the impedance characteristics of the signal processing circuit 107 or a circuit having the same configuration as the variable impedance matching circuit 106.
  • the reference impedance circuit 103 is a circuit that reproduces the output impedance of the preceding circuit to be impedance-matched by the variable impedance matching circuit 106 or the variable impedance matching circuit when the matching conditions before and after the impedance variable matching circuit 106 are satisfied.
  • a circuit that reproduces the impedance of a circuit and is composed of a variable resistor using a resistor or an active element.
  • the divided signal of the oscillation output of the test signal oscillator 100 by the voltage dividing circuit of the dummy circuit 101 and the reference impedance circuit 103 is input to one input terminal of the signal comparison circuit 102 and input to the other input terminal 104. Is compared with the voltage value of the signal. A voltage that is half the output voltage of the test signal oscillator 100 is input to the other input terminal 104 of the signal comparison circuit 102. The output of the signal comparison circuit 102 is input to the variable impedance matching circuit 106 and the dummy circuit 101 via the impedance control voltage input node 109, and the impedance of these circuits is input. Control. In FIG.
  • the impedance of the dummy circuit 101 is controlled to match that of the reference impedance circuit 103 by a control loop formed in the automatic matching circuit 1000 configured within the broken line.
  • the impedance of the variable impedance matching circuit 106 is also controlled to match that of the reference impedance circuit 103. Assuming that the test signal oscillator 100 is in a steady state, the oscillation frequency of the test signal oscillator 100 matches the frequency of the signal input to the input signal terminal 105, and the impedances of the dummy circuit 101 and the impedance variable matching circuit 106 are It matches the impedance of the reference impedance circuit 103. That is, the impedance on the input side of the signal processing circuit 107 is in a matched state.
  • the signal comparison circuit 102 detects that the impedance of the dummy circuit 101 is also shifted from that of the reference impedance circuit 103. Then, the impedance of the dummy circuit 101 is returned to that of the reference impedance circuit 103 by the action of the control loop of controlling the impedance of the dummy circuit 101 by the detection signal.
  • the impedance of the variable impedance matching circuit 106 is also restored to the original value by the detection signal input via the impedance control voltage input node 109. That is, the input side of the signal processing circuit 107 returns to a state in which impedance matching is achieved.
  • the embodiment described above relates to matching on the input side, it may be applied to the output side. Even if the connection between the dummy circuit 101 and the reference impedance circuit 103 is switched, the same effect can be obtained.
  • the impedance of the reference impedance circuit is a circuit that realizes the desired impedance of the impedance variable matching circuit.
  • the voltage value input to the other input terminal 104 of the signal comparison circuit must be changed in accordance with the resistance value of the reference impedance circuit.
  • the impedance of the reference impedance circuit is configured to be half the resistance value of the desired impedance, the electric power corresponding to the ratio is obtained. It is necessary to input a voltage value, that is, a voltage of 1/3 of the test signal voltage, to the input terminal 104.
  • FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the high-frequency circuit according to the present invention, and shows another example when the present invention is applied to an input-side matching circuit.
  • the impedance detection means is different from that in the first embodiment.
  • the test signal output from the test signal oscillator 100 is composed of a voltage dividing circuit composed of a dummy circuit 101 and a resistor 201, and a reference impedance circuit 103 and a resistor 202. Each is input to a voltage dividing circuit.
  • the resistor 201 and the resistor 202 are formed to have the same resistance value. Two voltage-divided signals obtained from the two voltage-dividing circuits are input to two input terminals of the signal comparison circuit 102 and compared.
  • This embodiment also operates in the same manner as in the previous embodiment. That is, in the steady state, the impedances of the dummy circuit 101 and the variable impedance matching circuit 106 are the same as those of the reference impedance circuit 103, and the input side of the signal processing circuit 107 is in an impedance matched state. When the frequency of the signal input from the input signal terminal 105 changes, the impedance of the dummy circuit 101 and the variable impedance matching circuit 106 also changes. By the action of the control loop, the impedance of the dummy circuit 101 is changed to that of the reference impedance circuit 103.
  • the impedance of the variable impedance matching circuit 106 is also restored to the original value, and the input side of the signal processing circuit 107 is restored to the impedance matching state. According to the present embodiment, it is possible to obtain an effect that it is not necessary to create a signal to be input to the input terminal 104 of the signal comparator, which is necessary in the first embodiment.
  • the embodiment described above relates to matching on the input side, it may be applied to the output side. Further, even if the connection between the dummy circuit 101 and the resistor circuit 201 and the connection between the reference impedance circuit 103 and the resistance element 202 are switched, the same effect can be obtained.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a third embodiment of the high-frequency circuit according to the present invention, and shows still another example in which the present invention is applied to a matching circuit on the input side.
  • the voltage value corresponding to the current flowing in the dummy circuit 101 and the reference impedance circuit 103 is not compared with the voltage divided in comparison with the second embodiment.
  • Detection is performed at 302, and the detection signal is input to two input terminals of the signal comparison circuit 102.
  • the operation of this embodiment is the same as that of the first and second embodiments.
  • the embodiment described above can also be applied to the force output side, which is related to matching on the input side.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing a specific configuration example of a variable impedance matching circuit or a dummy circuit having an impedance adjustment function.
  • This circuit is constituted by a series circuit of a capacitor 402 and an active inductor 403.
  • 401 is an input signal terminal
  • 404 is an output signal terminal
  • 405 is a DC bias terminal for supplying a control voltage to the active inductor 403.
  • a signal from the impedance control voltage input node 109 is input to the DC bias terminal 405.
  • the capacitor 402 includes an interstage capacitor, or a capacitor between a gate and a source of a transistor, for example, in addition to the capacitor.
  • the impedance of the matching circuit and the dummy circuit can be adjusted by controlling the voltage applied to the DC bias terminal 405.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing another specific configuration example of a variable impedance matching circuit or a dummy circuit having an impedance adjustment function.
  • This circuit is configured by a series circuit of a variable capacitor 501 and an inductor 502 connected between an input signal terminal 401 and an output signal terminal 404.
  • Reference numeral 503 denotes a DC bias terminal that supplies a voltage for controlling the variable capacitor 501.
  • the DC noise terminal 503 receives a signal having as many as 109 nodes at the impedance control voltage input section.
  • the variable capacitor 501 includes an inter-stage capacitance or, for example, a capacitance between the gate and source of a transistor.
  • the impedance of the matching circuit and the dummy circuit can be adjusted by controlling the voltage applied to the DC bias terminal 503.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the signal comparison circuit 102.
  • the respective signals input to the input terminals 601 and 602 are converted into DC signals by the rectifier circuits 603 and 604, and both signals are input to the arithmetic unit 605 to detect and amplify the difference.
  • the amplified signal is output to output terminal 606.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing another specific configuration example of the signal comparison circuit.
  • Each signal input to the input terminals 601 and 602 is converted into a voltage value corresponding to power by the power detectors 701 and 702, and both signals are input to the arithmetic unit 605 to detect and amplify the difference between them.
  • the amplified signal is output to the output terminal 606.
  • FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a specific configuration example of the rectifier circuits 603 and 604.
  • the rectifier circuit includes diodes 803 and 804, a resistor 805, and a capacitor 806.
  • 8 01 is an input signal terminal
  • 802 is an output signal terminal.
  • This configuration example is a rectifier circuit using a synchronous rectification method.
  • the diode 803 becomes conductive and the input signal is charged in the capacitor 806.
  • the diode 803 is turned off, and the energy charged in the capacitor 806 is supplied to the resistor 805.
  • power is converted from AC power to DC power.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the power detectors 701 and 702.
  • the power detector includes a limiter 902 and a detector 903.
  • 901 is an input signal terminal
  • 904 is an output signal terminal.
  • the power detector includes a limiter 902 that amplifies an AC signal input from the input signal terminal 901 and detects the power level of the input signal, and is proportional to the magnitude of the power level of the input signal detected by the limiter.
  • a detector 903 capable of obtaining the measured DC voltage value.
  • the limiter 902 includes differential amplifiers 902a, 902b, 902c, 902d, 902e, and 902f connected in six stages
  • the detector 903 includes transistors 903a and 903a connected to differential amplifier outputs other than the differential amplifier 902a. 90 3b, 903c, 903d, and 903e.
  • the differential amplifier 902a, 902b, 902c, 902d, 902e, and 902f of the limiter 902 are amplified.
  • the output of the differential amplifier 904 also saturates in order depending on the power level of the input signal.
  • the detector 903 When the differential amplifiers 902f, 902e, 902d, 902c, 902b, and 902a output power, the detector 903 outputs current power to the transistors 903e, 903d, 903c, 903b, and 903a. Since it is supplied, a DC voltage proportional to the level of power can be output from the output signal terminal 904.
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the arithmetic unit 605.
  • the instrument is configured by adding an integration circuit to the output of the operational amplifier 1003.
  • 1001 and 1002 are input signal terminals, and 1004 is an output signal terminal.
  • the integration circuit consists of a resistor 1005 and a capacitor 1006. In the circuit examples shown in Fig. 6 and Fig.
  • the operation unit can be configured by the operational amplifier itself. If the operational amplifier gain is low, if the impedance of the dummy circuit approaches the impedance of the reference impedance circuit, As a result, the potential difference between the signals input to the detector becomes small, and the calculator cannot output a signal sufficient to set the impedance of the dummy circuit and matching circuit to a desired value.
  • the configuration example in Figure 10 solves this problem, and since the peak value of the output of the operational amplifier 1003 is held by the integration circuit, an output sufficient for impedance adjustment is always output even if the potential difference is small. It is supplied from the terminal 1004 to the dummy circuit and matching circuit.
  • FIG. 11 is a circuit diagram showing another specific configuration example of the arithmetic unit.
  • an integrating circuit with reset is connected to the operational amplifier output section.
  • a sufficient control signal can be held by the integration circuit even when the output of the op-amp is low.
  • an active element such as a MOSFET
  • FIG. 11 With this configuration, it is possible to apply a voltage to the DC bias terminal 1102 to turn on the active element 1101, and to discharge the charge charged in the capacitor 1006. In this way, it is possible to follow the operation quickly by resetting the computing unit in a timely manner.
  • FIG. 12 is a block diagram showing an embodiment of a communication apparatus according to the present invention, and shows an example in which the high-frequency circuit of the present invention is applied to a direct conversion type front-end receiver.
  • the signal received by the antenna 1201 is input to the low noise amplifier 1205 through the matching circuit 1204 (which corresponds to the impedance variable matching circuit 106 in FIGS. 1 to 3).
  • the received signal is amplified by the low noise amplifier, and then mixed with the local oscillation signal output from the local oscillator 1203 by the mixer 1206, whereby a baseband signal is obtained and output from the output terminal 1207.
  • the frequency of the signal generated by the local oscillator is the same as the carrier frequency, and the signal is sent to the automatic matching circuit 1202 of the present invention (see FIGS. 1 to 3).
  • Automatic matching circuit 1000 The test signal is input to
  • the oscillation frequency of the local oscillator 1203 matches the frequency of the signal input from the antenna 1201, and the impedance of the matching circuit 1204 is a dummy circuit installed in the automatic matching circuit 1202 ( The impedance before and after the matching circuit 1204 is matched by that of the matching circuit 1204.
  • the impedance of a dummy circuit (not shown) installed in the automatic matching circuit 1202 changes.
  • the impedance of the dummy circuit is returned to the impedance value to be taken by the matching circuit 1204 at the new reception frequency by the action of a control loop (not shown) installed in the automatic matching circuit 1202.
  • the impedance of the matching circuit 1204 is returned to the impedance that can maintain the matched state of the preceding and succeeding circuits at the new reception frequency by the action of the control loop.
  • the optimum input matching state is adjusted at the input section of the low noise amplifier 1205 according to the frequency of the received signal of the receiver. Is possible.
  • FIG. 13 is a block diagram showing another embodiment of a communication apparatus according to the present invention, and shows an example in which the high-frequency circuit of the present invention is applied to a superheterodyne receiver.
  • the signal received by the antenna 1201 is supplied to the low noise amplifier 1205 through the matching circuit 1204.
  • the received signal is amplified by the low-noise amplifier and then mixed with the local oscillation signal output from the first local oscillator 1203a by the mixer 1206a to convert it to the first IF signal (intermediate frequency signal) Is done.
  • the first IF signal obtained from the mixer 1206a is amplified by the variable amplifier 1301 and input to the mixer 1206b.
  • the mixer 1206b mixes the output signal of the variable amplifier 1301 and the local oscillation signal from the second local oscillator 1203b, and outputs the second IF signal from the output terminal 1207.
  • the frequency of the second IF signal is sufficiently smaller than the reception frequency for a receiver that uses the double superheterodyne method.
  • the first local oscillator and the second local oscillator Utilizing the fact that the frequency of the generated signal is approximately equal to the carrier frequency, the signals generated by the first local oscillator 1203a and the second local oscillator 1203b are added by the mixer 1206c, The test signal is input to the automatic matching circuit 1202 of the present invention. As described above, in this embodiment, the circuit is adjusted to the optimum input matching state at the input section of the low noise amplifier 1205 only by adding this circuit to the conventional receiver according to the frequency of the received signal of the receiver. It becomes possible.
  • the present invention is applied to a double superheterodyne system.
  • an ordinary single-perheterodyne system receiver is used.
  • the present invention can be applied.
  • FIG. 14 is a block diagram showing an embodiment of the high-frequency circuit of the present invention, and is an example in which the present invention is applied to one amplification stage in a multistage low-noise amplifier installed in a direct conversion system receiving circuit. Indicates.
  • the signal input from the input signal terminal 1401 is supplied to the low-noise amplifier stage 1403 via the input-side matching circuit 1402 (corresponding to the impedance variable matching circuit 106 in FIGS. 1 to 3), and the output-side matching circuit
  • the signal is output to the output signal terminal 1405 via 1404.
  • a signal from the preceding low noise amplification stage is input to the input signal terminal 1401, and a signal from the output signal terminal 1405 is transmitted to the next low noise amplification stage.
  • the impedances of the input-side matching circuit 1402 and output-side matching circuit 1404 are respectively determined by the automatic matching circuit 1202a (corresponding to the automatic matching circuit 1000 in FIGS. Be controlled. With this configuration, the input / output side of the low noise amplification stage 1403 is always maintained in the impedance matching state regardless of the frequency of the input signal.

Landscapes

  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

 異なる通信規格に対応して受信周波数が変化したことにより、整合状態から外れようとする際に、整合回路を自動的に可変させ最良な条件でインピーダンス整合を行えるようにする。  ダミー回路101はインピーダンス可変整合回路106と同等の構成を有する回路、基準インピーダンス回路103は、信号処理回路107のインピーダンスを実現する回路である。試験信号は試験信号発振器100からダミー回路101に印加され、ダミー回路101と基準インピーダンス回路103との分圧信号は信号比較回路102へ入力され、入力端子104から入力された信号レベルと比較され、整合条件からのずれが算出される。そのずれ信号を用いてインピーダンス可変整合回路106とダミー回路101のインピーダンスを制御する。

Description

明 細 書
高周波回路およびこれを用いた通信装置
技術分野
[0001] 本発明は、高周波回路およびこれを用いた通信装置に関し、特に入力される信号 の周波数、周波数帯が変化しても整合状態を維持することのできる高周波回路とこ れを用 V、た通信装置に関するものである。
背景技術
[0002] 近年、無線通信用回路は異なる通信方式にも単一のシステムで対応可能となること が要求されている。通信規格が異なることにより使用する周波数帯も異なることもあり 、無線通信システム内の回路においては異なる周波数に対応する場合はその周波 数に対応する整合回路が必要となる。インピーダンス整合とは、 2つの回路を接続す る時、接続点からみた両回路のインピーダンスを等しくして、電圧や電流の反射によ る損失を防ぐことである。例えば、従来異なる周波数帯の信号を使用するマルチバン ド対応の端末では信号の増幅器の整合回路構成は、周波数帯によって電力を最大 または雑音のレベルを最小にする最適な条件が異なるため、通常は増幅器を使用す る周波数帯の数だけ用意する必要があった (例えば、特許文献 1参照)。図 15は、特 許文献 1にて開示された従来のマルチバンド高周波増幅回路の構成を示すブロック 図である。
[0003] この構成では、信号を入力する入力端子 1A、信号を出力する出力端子 2A、信号 を増幅する能動素子を有する増幅部 30A、入力端子 1Aと増幅部 30Aのインピーダ ンス整合を行う入力整合回路 10A、出力端子 2Aと増幅部 30Aのインピーダンス整 合を行う出力整合回路 20Aから第 1の増幅回路を構成し、また、信号を入力する入 力端子 1B、信号を出力する出力端子 2B、信号を増幅する能動素子を有する増幅部 30B、入力端子 IBと増幅部 30Bのインピーダンス整合を行う入力整合回路 10B、出 力端子 2Bと増幅部 30Bのインピーダンス整合を行う出力整合回路 20Bから第 2の増 幅回路を構成している。
[0004] そして、これら 2つの増幅回路を異なる周波数帯域で動作させるよう単純に同一チ ップ上に構成し、さらに増幅部 30A用の第 1バイアス回路 40A、増幅部 30B用の第 2 バイアス回路 40B、それら第 1、第 2バイアス回路 40A、 40Bの一方を選択するため のバイアススィッチ回路 50も同チップ上に構成したものである。 3A、 3Bは、第 1、第 2 バイアス回路 40A、 40Bの切替えと増幅部 30A、 30Bへの印加電圧の制御を行うた めの信号が入力されるノィァス制御端子であり、 4は電源端子である。このように構成 することによって、 2個の増幅回路を選択的に動作させ、希望する周波数帯の利得を 得ることができる。
[0005] 一方、マルチバンドに一つの整合回路によって対応する回路の開発も行われてい る (例えば、特許文献 2参照)。図 16 (a)、(b)は、特許文献 2にて開示された高周波 回路のブロック図である。図 16 (a)に示すように、電磁波を放射および受信するアン テナ 5が整合回路 6と接続してあり、整合回路 6は、バンドスィッチ 7の可動接点側と 接続してある。このバンドスィッチ 7の可動接点は、第 1の周波数を使用するシステム に対応する場合には第 1の高周波回路 8側の固定接点に接続し、第 2の周波数を使 用するシステムに対応する場合には第 2の高周波回路 9側の固定接点に接続する。
[0006] ここで、整合回路 6は第 1の周波数を使用するシステムに対応する際にはアンテナ 5のインピーダンスと第 1の高周波回路 8のインピーダンスとの整合を行い、第 2の周 波数を使用するシステムに対応する際にはアンテナ 5のインピーダンスと第 2の高周 波回路 9のインピーダンスとの整合を行う。また、高周波回路 8、 9は、高周波信号の 送信処理および受信処理を行う。ここでは、各高周波回路 8、 9のインピーダンスは約 50 Ωであるとする。
[0007] 図 16 (b)は、整合回路 6の内部構成を示す図である。第 1〜第 3の回路 61〜63を 備えており、第 1の回路 61は、第 1の周波数に対応する際アンテナ 5のインピーダン ス値を所定値 (ここでは 50 Ω程度)に変換し、第 2の周波数に対応する際アンテナ 5 のインピーダンス値を任意の値に変換する。第 2の回路 62は、第 1の回路 61で処理 されたインピーダンス値を第 1の周波数のときは変化させないで、第 2の周波数のとき はレジスタンス値およびコンダクタンス値が所定の値になるように、ここでは、レジスタ ンス値が 50 Ω未満かつコンダクタンス値が 0. 02[1Ζ Ω ]未満となる範囲内に変換 する。 第 3の回路 63は、第 2の回路 62で処理されたインピーダンス値を第 1の周波数のとき は変化させないで、第 2の周波数のときには所定値 (ここでは 50 Ω程度)に変換する 特許文献 1 :特開 2000— 332551号公報
特許文献 2:特開平 11― 205183号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0008] 上述した従来の、複数の異なる周波数に対応する回路をチップ上に並列配置し、 切り換えて使用する方法では、それぞれの周波数に対応する整合回路が必要となり さらにその回路を切り換えるスィッチが必要となるためチップサイズが増大する。一方 、一つの整合回路を 2バンドで併用する従来例では、回路設計条件が厳しくなる上に 整合回路での信号減衰が大きくなる。さらに、従来の整合回路では、固定の回路が 用いられていたため、同一バンド内であっても良好な整合条件を維持することができ なかった。すなわち、通常は利用するバンドの中央付近で整合がとれるように設計さ れるため、バンドの上下端付近においては整合条件からからのずれが大きくなる問 題があった。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的 は、比較的簡素な回路構成の高周波回路によって、異なる通信規格に対応してある いは同一周波数帯内で周波数が変化しても常に安定して整合条件を満たすことが でさるよう〖こすることである。
課題を解決するための手段
[0009] 上記の目的を達成するため、本発明によれば、入力信号が入力されるインピーダン ス可変整合回路と、前記インピーダンス可変整合回路と同一又は同等のインピーダ ンス特性を再現できるダミー回路と、入力信号と同一若しくは近似の周波数における 前記ダミー回路のインピーダンスと基準値との差分を検出する検出回路と、を備え、 前記検出回路の出力に応じて前記インピーダンス可変整合回路および前記ダミー回 路のインピーダンスを制御することを特徴とする高周波回路、が提供される。
[0010] また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、入力信号が入力されるインピ 一ダンス可変整合回路と、前記インピーダンス可変整合回路と同一又は同等のイン ピーダンス特性を再現できるダミー回路と、基準インピーダンス回路と、入力信号と同 一若しくは近似の周波数における前記ダミー回路と前記基準インピーダンス回路との インピーダンスの差分を検出する検出回路と、を備え、前記検出回路の出力に応じ て前記インピーダンス可変整合回路および前記ダミー回路のインピーダンスを制御 することを特徴とする高周波回路、が提供される。
[0011] そして、前記ダミー回路、または、前記ダミー回路および前記基準インピーダンス回 路には入力信号と同一若しくは近似の周波数の試験信号が印加され、その試験信 号は、好ましくは、前記インピーダンス可変整合回路に入力される信号をベースバン ド信号若しくは中間周波数信号に変換するために用いられる局部発振器力も得る。 発明の効果
[0012] 本発明の高周波回路では、インピーダンス可変整合回路と同一の構成のダミー回 路を所望の値にするように調整する手段を、同時にインピーダンス可変整合回路にも 適用することでそのインピーダンスにインピーダンス可変整合回路のインピーダンス を調整している。そのため、ダミー回路のインピーダンスをインピーダンス可変整合回 路が整合をとるべき回路のインピーダンスに調整することにより、入力信号の周波数 によらず、自動的に整合条件を満たすように調整することができる。また、周波数帯 毎に高周波増幅器を設けたりスィッチによって整合回路を切り換えたりするものでは ないため、回路を簡素化することができ、チップのダウンサイジングを実現することが できる。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]本発明の高周波回路の第 1の実施の形態を示すブロック図。
[図 2]本発明の高周波回路の第 2の実施の形態を示すブロック図。
[図 3]本発明の高周波回路の第 3の実施の形態を示すブロック図。
[図 4]本発明の高周波回路において用いられる整合回路およびダミー回路の具体的 一例を示す回路図。
[図 5]本発明の高周波回路において用いられる整合回路およびダミー回路の他の具 体例を示す回路図。 [図 6]本発明の高周波回路において用いられる信号比較回路の具体例を示す図。
[図 7]本発明の高周波回路において用いられる信号比較回路の他の具体例を示す 図。
[図 8]本発明の高周波回路において用いられる整流回路の具体例を示す回路図。
[図 9]本発明の高周波回路において用いられる電力検出器の具体例を示すブロック 図。
[図 10]本発明の高周波回路において用いられる演算器の具体的一例を示す回路図
[図 11]本発明の高周波回路において用いられる演算器の別の具体例を示す回路図
[図 12]本発明の受信機の一実施の形態を示すブロック図。
[図 13]本発明の受信機の他の実施の形態を示すブロック図。
[図 14]本発明の高周波回路の一実施例を示すブロック図。
[図 15]従来のマルチバンドシステムの整合回路の構成を示すブロック図(第 1の従来 例)。
[図 16]従来のマルチバンドシステムの整合回路の構成を示すブロック図(第 2の従来 例)。
符号の説明
100 試験信号発振器
101 ダミー回路
102 信号比較回路
103 基準インピーダンス回路
104 他の入力端子
105、 401、 801、 901、 1001、 1002、 1401 入力信号端子
106 インピーダンス可変整合回路
107 信号処理回路
108、 404、 802、 904、 1004、 1405 出力信号端子
109 インピーダンス制御電圧入力部節点 201、 202、 805、 1005 抵抗体
301、 302 電流検出器
402、 806、 1006 容量
403 アクティブインダクタ
405、 503、 1102 直流バイアス端子
501 可変容量
502 インダクタ
601、 602 入力端子
603、 604 整流回路
605 演算器
606、 1207 出力端子
701、 702 電力検出器
803、 804 ダイオード
902 リミッタ
902a, 902b, 902c、 902d、 902e、 902f 差動増幅器 903 検波器
903a, 903b, 903c, 903d, 903e 卜ランジスタ
1000、 1202、 1202a、 1202b 自動整合回路
1003 オペアンプ
1101 能動素子
1201 アンテナ
1203 局部発振器
1203a 第 1の局部発振器
1203b 第 2の局部発振器
1204 整合回路
1205 低雑音増幅器
1206、 1206a, 1206b, 1206c ミキサ
1301 可変増幅器 1402 入力側整合回路
1403 低雑音増幅段
1404 出力側整合回路
発明を実施するための最良の形態
次に、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図中同 一または相当部分には同一符号を付し、重複する説明は適宜省略する。
図 1は、本発明に係る高周波回路の第 1の実施の形態を示すブロック図であって、 入力側の整合回路に本発明を適用した場合の例を示す。入力信号端子 105、出力 信号端子 108間に、入力側にインピーダンス可変整合回路 106を備えた信号処理 回路 107が接続されている。信号処理回路 107は、例えば高周波増幅回路であり、 入力信号端子 105には、例えばアンテナ力もの受信信号が入力され、出力信号端 子 108からの出力信号は、例えば出力側整合回路を介してミキサに入力される。試 験信号発振器 100からの出力される試験信号はダミー回路 101と基準インピーダン ス回路 103との直列接続回路に入力される。試験信号発振器 100の発振周波数は、 入力信号端子 105に入力される信号の周波数と同一または極めて近い値となってい る。ダミー回路 101は信号処理回路 107のインピーダンス特性を再現できる回路また はインピーダンス可変整合回路 106と同じ構成の回路である。基準インピーダンス回 路 103は、インピーダンス可変整合回路 106がインピーダンス整合すべき前段回路 の出力インピーダンスを再現する回路またはインピーダンス可変整合回路 106によつ てその前後の整合条件が満たされた際のインピーダンス可変整合回路のインピーダ ンスを再現する回路であって、抵抗体または能動素子による可変抵抗で構成される。 すなわち、そのインピーダンス値は周波数によらず一定である。試験信号発振器 10 0の発振出力の、ダミー回路 101と基準インピーダンス回路 103との分圧回路による 分圧信号は、信号比較回路 102の一方の入力端子に入力され、他の入力端子 104 に入力される信号の電圧値と比較される。信号比較回路 102の他の入力端子 104に は、試験信号発振器 100の出力電圧の半分の電圧が入力されている。信号比較回 路 102の出力は、インピーダンス制御電圧入力部節点 109を介してインピーダンス 可変整合回路 106およびダミー回路 101に入力され、それらの回路のインピーダン スを制御する。図 1中において、破線内に構成される自動整合回路 1000内に形成さ れる制御ループにより、ダミー回路 101のインピーダンスは、基準インピーダンス回路 103のそれと一致するように制御される。同時に、インピーダンス可変整合回路 106 のインピーダンスも基準インピーダンス回路 103のそれと一致するように制御される。 いま、定常状態にあるものとすると、試験信号発振器 100の発振周波数は入力信 号端子 105に入力される信号の周波数に一致しており、そしてダミー回路 101とイン ピーダンス可変整合回路 106のインピーダンスは基準インピーダンス回路 103のイン ピーダンスと一致している。すなわち、信号処理回路 107の入力側のインピーダンス は整合された状態にある。ここで、試験信号発振器 100の発振周波数と入力信号端 子 105に入力される信号の周波数とが変化したとすると、ダミー回路 101とインピー ダンス可変整合回路 106のインピーダンスが変化して、信号処理回路 107の入力側 は整合状態が維持されなくなる。このとき、信号比較回路 102は、ダミー回路 101の インピーダンスが基準インピーダンス回路 103のそれ力もずれたことを検知する。そし て、その検知信号によってダミー回路 101のインピーダンスを制御するという制御ル ープの作用により、ダミー回路 101のインピーダンスは基準インピーダンス回路 103 のそれに戻される。同時に、インピーダンス可変整合回路 106のインピーダンスもィ ンピーダンス制御電圧入力部節点 109を介して入力される前記検知信号により元の 値に戻される。すなわち、信号処理回路 107の入力側はインピーダンス整合のとれ た状態に復帰する。
以上述べた実施の形態は入力側の整合に関するものであるが、出力側に適用する ようにしてもよい。また、ダミー回路 101と基準インピーダンス回路 103の接続が入れ 替わったとしても同等の効果が得られる。
また、本実施の形態では、基準インピーダンス回路のインピーダンスはインピーダン ス可変整合回路の所望のインピーダンスを実現する回路であつたが、必ずしもそのよ うにする必要はなぐ適当な抵抗値の抵抗体であってもよい。この場合、基準インピ 一ダンス回路の抵抗値に合わせて信号比較回路の他方の入力端子 104に入力され る電圧値を変えなければならな 、。例えば基準インピーダンス回路のインピーダンス を所望のインピーダンスの半分の抵抗値となるように構成するとその比に相当する電 圧値、つまり試験信号電圧の 1/3の電圧を入力端子 104に入力する必要がある。
[0017] 図 2は、本発明に係る高周波回路の第 2の実施の形態を示すブロック図であって、 入力側の整合回路に本発明を適用した場合の別の例を示す。本実施の形態では、 第 1の実施の形態に比較してインピーダンスの検出手段が異なる。本実施の形態に おいては、試験信号発振器 100から出力される試験信号は、ダミー回路 101と抵抗 体 201によって構成される分圧回路、および、基準インピーダンス回路 103と抵抗体 202によって構成される分圧回路にそれぞれ入力される。抵抗体 201と抵抗体 202 とは同じ抵抗値に形成されている。二つの分圧回路から得られる二つの分圧信号は 、信号比較回路 102の二つの入力端子へ入力され、そして比較される。
本実施の形態も先の実施の形態の場合と同様に動作する。すなわち、定常状態に おいては、ダミー回路 101とインピーダンス可変整合回路 106のインピーダンスは、 基準インピーダンス回路 103のそれと一致しており、信号処理回路 107の入力側は インピーダンス整合のとれた状態にある。入力信号端子 105から入力される信号の周 波数が変化すると、ダミー回路 101とインピーダンス可変整合回路 106のインピーダ ンスも変化する力 制御ループの作用により、ダミー回路 101のインピーダンスが基 準インピーダンス回路 103の値に戻され、同時にインピーダンス可変整合回路 106 のインピーダンスも元の値に戻されて、信号処理回路 107の入力側はインピーダンス 整合のとれた状態に復帰する。本実施の形態によれば、第 1の実施の形態において 必要であった、信号比較器の入力端子 104に入力する信号を作成する必要がなくな るという効果が得られる。
以上述べた実施の形態は入力側の整合に関するものであるが、出力側に適用する ようにしてもよい。また、ダミー回路 101と抵抗体回路 201の接続、および、基準イン ピーダンス回路 103と抵抗素子 202の接続が入れ替わったとしても同等の効果が得 られる。
[0018] 図 3は、本発明に係る高周波回路の第 3の実施の形態を示すブロック図であって、 入力側の整合回路に本発明を適用したさらに別の例を示す。本実施の形態では、第 2の実施の形態に比較して分圧した電圧を比較するのではなぐダミー回路 101およ び基準インピーダンス回路 103に流れる電流に相当する電圧値を電流検知器 301、 302で検知し、その検知信号を信号比較回路 102の二つの入力端子に入力する。 本実施の形態の動作も先の第 1、第 2の実施の形態の場合と同様である。以上述べ た実施の形態は入力側の整合に関するものである力 出力側に適用することもできる
[0019] 図 4は、インピーダンス調整機能を有するインピーダンス可変整合回路又はダミー 回路の具体的構成例を示す回路図である。この回路は、容量 402とアクティブインダ クタ 403との直列回路により構成されている。 401は入力信号端子、 404は出力信号 端子、 405は、アクティブインダクタ 403に制御電圧を供給する直流バイアス端子で ある。直流バイアス端子 405には、インピーダンス制御電圧入力部節点 109からの信 号が入力される。ダミー回路が、信号処理回路 107のインピーダンス特性を再現する 回路である場合、容量 402は段間容量、又はその容量に加え例えばトランジスタの ゲート.ソース間の容量などを含むものである。この構成例の場合、整合回路および ダミー回路のインピーダンスは直流バイアス端子 405に印加する電圧の制御により調 整することができる。
[0020] 図 5は、インピーダンス調整機能を有するインピーダンス可変整合回路又はダミー 回路の別の具体的構成例を示す回路図である。この回路は、入力信号端子 401— 出力信号端子 404間に接続された、可変容量 501とインダクタ 502との直列回路に より構成されている。 503は、可変容量 501を制御する電圧を供給する直流バイアス 端子である。直流ノィァス端子 503には、インピーダンス制御電圧入力部節点 109 力もの信号が入力される。ダミー回路が、信号処理回路 107のインピーダンス特性を 再現する回路である場合、可変容量 501は段間容量、又はその容量に加え例えばト ランジスタのゲート'ソース間の容量などを含むものである。この構成例の場合、整合 回路およびダミー回路のインピーダンスは直流バイアス端子 503に印加する電圧の 制御により調整することができる。
[0021] 図 6は、信号比較回路 102の具体的構成例を示す回路図である。入力端子 601、 602に入力されたそれぞれの信号は整流回路 603、 604により直流信号に変換され 、その両信号を演算器 605に入力しその差分を検出し、増幅している。増幅された信 号は出力端子 606へ出力される。 [0022] 図 7は、信号比較回路の別の具体的構成例を示す回路図である。入力端子 601、 602に入力されたそれぞれの信号は電力検出器 701、 702により電力に相当する電 圧値に変換され、その両信号を演算器 605に入力しその差分を検出し、増幅してい る。増幅された信号は出力端子 606へ出力される。
[0023] 図 8は、整流回路 603、 604の具体的構成例を示す回路図である。この構成例で は、整流回路は、ダイオード 803、 804、抵抗体 805、容量 806で構成されている。 8 01は入力信号端子、 802は出力信号端子である。本構成例は、同期整流方式を用 いた整流回路である。入力される交流信号がプラスの時、ダイオード 803が導通状態 となり、入力信号は容量 806に充電される。次に交流信号がマイナスの時、ダイォー ド 803が非導通状態となり、容量 806に充電されたエネルギーが抵抗体 805へ供給 される。これにより交流電力から直流電力へと電力変換される。
[0024] 図 9は、電力検出器 701、 702の具体的構成例を示す回路図である。この例では、 電力検出器は、リミッタ 902と検波器 903によって構成されている。 901は入力信号 端子、 904は出力信号端子である。すなわち、電力検出器は、入力信号端子 901か ら入力される交流信号を増幅して入力信号の電力のレベルを検出するリミッタ 902と 、リミッタによって検出された入力信号の電力レベルの大きさに比例した直流電圧値 を得ることができる検波器 903とから構成される。リミッタ 902は例えば 6段に接続され た差動増幅器 902a、 902b, 902c, 902d、 902e、 902fにより構成され、また検波器 903は差動増幅器 902a以外の差動増幅器出力に接続されたトランジスタ 903a、 90 3b、 903c, 903d, 903eによって構成されている。このように構成された電力検出回 路において、入力信号端子 901を介して交流信号が入力されるとリミッタ 902の差動 増幅器 902a、 902b, 902c, 902d、 902e、 902fによって増幅される。そして入力信 号の電力レベルの大きさによって差動増幅器 904 も順に出力が飽和する。差動増 幅器 902f、 902e、 902d、 902c, 902b, 902aの川頁に出力力 ^飽禾口すると、検波器 90 3は、トランジスタ 903e、 903d, 903c, 903b, 903aの川頁に電流力 ^供給されるので、 電力のレベルの大きさに比例した直流電圧を出力信号端子 904から出力することが できる。
[0025] 図 10は、演算器 605の具体的構成例を示す回路図である。この構成例では、演算 器はオペアンプ 1003出力部に積分回路を付加して構成される。 1001、 1002は入 力信号端子、 1004は出力信号端子である。積分回路は抵抗体 1005、容量 1006で 構成されている。図 6、図 7に示される回路例において、演算器をオペアンプ自体に よって構成することができる力 オペアンプの利得が低い場合には、ダミー回路のィ ンピーダンスが基準インピーダンス回路のインピーダンスに近づくと、演算器に入力 される信号の電位差が小さくなり、演算器はダミー回路および整合回路のインピーダ ンスを所望の値にするだけの信号を出力できなくなる。図 10の構成例では、この問 題を解決しており、オペアンプ 1003の出力のピーク値が積分回路で保持されるので 、電位差が小さくなつても、常に、インピーダンス調整に十分な出力が出力信号端子 1004からダミー回路および整合回路に供給される。
[0026] 図 11は、演算器の別の具体的構成例を示す回路図である。本構成例では、オペ アンプ出力部にリセット付き積分回路が接続される。図 10に示された構成例では、ォ ぺアンプの出力が低い場合でも積分回路によって十分な制御信号を保持できるが、 例えば、入力周波数が短時間で変化するような場合には、積分回路の時定数が長 いので、その出力は追随できなくなる。本構成例では、図 10の構成例に能動素子( 例えば MOSFET等) 1101が付加されている。このように構成することにより、直流バイ ァス端子 1102に電圧を印加して能動素子 1101をオンさせ、容量 1006に充電され ていた電荷を放電させることが可能になる。このように、適時演算器をリセットすること により速 、動作に追随させることが可能になる。
[0027] 図 12は、本発明に係る通信装置の一実施の形態を示すブロック図であって、本発 明の高周波回路をダイレクトコンバージョン方式のフロントエンド受信機に適用した例 を示す。アンテナ 1201で受信された信号は、整合回路 1204 (図 1〜図 3のインピー ダンス可変整合回路 106に対応して ヽる)を経て低雑音増幅器 1205に入力される。 受信信号は低雑音増幅器で増幅された後、ミキサ 1206にて局部発振器 1203から 出力される局部発振信号とミキシングされることにより、ベースバンド信号が得られ、 出力端子 1207から出力される。通常、ダイレクトコンバージョン方式を用いた受信機 において、局部発振器で生成される信号の周波数が搬送周波数と同一であることを 利用し、その信号を本発明の自動整合回路 1202 (図 1〜図 3の自動整合回路 1000 に対応して 、る)へ試験信号として入力される。
いま、定常状態にあるものとすると、局部発振器 1203の発振周波数はアンテナ 12 01から入力される信号の周波数に一致し、整合回路 1204のインピーダンスは自動 整合回路 1202内に設置されているダミー回路(図示なし)のそれと一致しており、整 合回路 1204によりその前後のインピーダンスは整合された状態にある。ここで、入力 信号の周波数を変更すべく局部発振器 1203の発振周波数を変化させると、自動整 合回路 1202内に設置されたダミー回路(図示なし)のインピーダンスが変化する。し かし、自動整合回路 1202に設置された制御ループ(図示なし)の作用により、ダミー 回路のインピーダンスは、新たな受信周波数における整合回路 1204のとるべきイン ピーダンス値に戻される。同時にこの制御ループの作用により、整合回路 1204のィ ンピーダンスも新たな受信周波数において前後の回路が整合された状態を維持でき るインピーダンスに戻される。以上のように、本実施の形態では、従来の受信機に本 回路を加えるだけで、受信機の受信信号の周波数に応じて低雑音増幅器 1205の 入力部で最適な入力整合状態へ調節することが可能となる。
図 13は、本発明に力かる通信装置の他の実施の形態を示すブロック図であって、 本発明の高周波回路をスーパーヘテロダイン方式の受信機に適用した例を示す。ァ ンテナ 1201で受信された信号は、整合回路 1204を経て低雑音増幅器 1205に供 給される。
受信信号は、低雑音増幅器で増幅された後、ミキサ 1206aにて第 1の局部発振器 1 203aから出力される局部発振信号とミキシングされることにより、第 1の IF信号(中間 周波数信号)に変換される。ミキサ 1206aより得られた第 1の IF信号は可変増幅器 13 01によって増幅され、ミキサ 1206bに入力される。ミキサ 1206bはこの可変増幅器 1 301の出力信号と第 2の局部発振器 1203bからの局部発振信号とを混合し、第 2の I F信号を出力端子 1207から出力する。通常、ダブルスーパーヘテロダイン方式を用 V、た受信機にぉ 、ては、第 2の IF信号の周波数は受信周波数に対して十分に小さ 、 ため、第 1の局部発振器と第 2の局部発振器によって生成される信号の周波数をカロ 算したものが搬送周波数と概略一致していることを利用し、第 1の局部発振器 1203a と第 2の局部発振器 1203bによって生成された信号をミキサ 1206cによって加算し、 本発明の自動整合回路 1202へ試験信号として入力する。以上のように、本実施の 形態では、従来の受信機に本回路を加えるだけで、受信機の受信信号の周波数に 応じて低雑音増幅器 1205の入力部での最適な入力整合状態へ調節することが可 能となる。
本実施の形態はダブルスーパーヘテロダイン方式に本発明を適用したものであつ たが、 IF信号の周波数が受信周波数に対して十分に小さい場合には、通常のシング ルス一パーへテロダイン方式受信機に本発明を適用することができる。
図 14は、本発明の高周波回路の一実施例を示すブロック図であって、ダイレクトコ ンバージョン方式受信回路に設置された多段構成の低雑音増幅器内の一増幅段に 本発明を適用した例を示す。入力信号端子 1401から入力された信号は、入力側整 合回路 1402 (図 1〜図 3のインピーダンス可変整合回路 106に対応している)を経て 低雑音増幅段 1403に供給され、出力側整合回路 1404を経て出力信号端子 1405 へ出力される。入力信号端子 1401へは前段の低雑音増幅段からの信号が入力され 、出力信号端子 1405からの信号は次段の低雑音増幅段へ伝達される。入力側整合 回路 1402と出力側整合回路 1404のインピーダンスはそれぞれ、局部発振器 1203 の発振出力が入力される自動整合回路 1202a (図 1〜図 3の自動整合回路 1000に 対応している)、 1202bによって制御される。この構成により、入力される信号の周波 数によらず、低雑音増幅段 1403の入 ·出力側は常にインピーダンス整合状態に維 持される。

Claims

請求の範囲
[1] 入力信号が入力されるインピーダンス可変整合回路と、前記インピーダンス可変整 合回路と同一又は同等のインピーダンス特性を再現できるダミー回路と、入力信号と 同一若しくは近似の周波数における前記ダミー回路のインピーダンスと基準値との差 分を検出する検出回路と、を備え、前記検出回路の出力に応じて前記インピーダン ス可変整合回路および前記ダミー回路のインピーダンスを制御することを特徴とする 高周波回路。
[2] 入力信号が入力されるインピーダンス可変整合回路と、前記インピーダンス可変整 合回路と同一又は同等のインピーダンス特性を再現できるダミー回路と、基準インピ 一ダンス回路と、入力信号と同一若しくは近似の周波数における前記ダミー回路と前 記基準インピーダンス回路とのインピーダンスの差分を検出する検出回路と、を備え
、前記検出回路の出力に応じて前記インピーダンス可変整合回路および前記ダミー 回路のインピーダンスを制御することを特徴とする高周波回路。
[3] 前記入力信号と同一若しくは近似の周波数を有する試験信号が、前記ダミー回路と 前記基準インピーダンス回路とを直列接続してなる分圧回路に入力され、前記検出 回路は、前記分圧回路の分圧信号を利用することを特徴とする請求項 2に記載の高 周波回路。
[4] 前記検出回路は、前記分圧信号の整流出力または電力値と所定値との比較を行うも のであることを特徴とする請求項 3に記載の高周波回路。
[5] 前記入力信号と同一若しくは近似の周波数を有する試験信号が、前記ダミー回路 を含む第 1の分圧回路と前記基準インピーダンス回路を含む第 2の分圧回路とに並 列に入力され、前記検出回路は、前記第 1および第 2の分圧回路の出力信号を利用 することを特徴とする請求項 2に記載の高周波回路。
[6] 前記検出回路は、前記第 1および第 2の分圧回路の整流出力または電力値の比較 を行うものであることを特徴とする請求項 5に記載の高周波回路。
[7] 前記基準インピーダンス回路は、前記インピーダンス可変整合回路がインピーダンス 整合すべき前段回路の出力インピーダンスを再現する回路であることを特徴とする請 求項 2から 6のいずれかに記載の高周波回路。
[8] 前記基準インピーダンス回路は、印加される電圧の周波数に依存しないインピーダ ンスを有する回路であることを特徴とする請求項 2から 7のいずれかに記載の高周波 回路。
[9] 前記基準インピーダンス回路は、受動の抵抗素子若しくは能動素子を用いた抵抗 回路であることを特徴とする請求項 2から 8のいずれかに記載の高周波回路。
[10] 前記試験信号は、前記入力信号からベースバンド信号または中間周波数信号を得 るために用いられる局部発振器力も得られることを特徴とする請求項 3から 9の 、ず れかに記載の高周波回路。
[11] 前記インピーダンス可変整合回路および前記ダミー回路は、可変容量またはァクテ イブインダクタを含むことを特徴とする請求項 1から 10のいずれかに記載の高周波回 路。
[12] 前記検出回路は出力部に電圧比較回路を含むことを特徴とする請求項 1から 11の いずれかに記載の高周波回路。
[13] 前記検出回路は出力部に積分回路を有する電圧比較回路を含むことを特徴とする 請求項 1から 11のいずれかに記載の高周波回路。
[14] 前記積分回路の出力電位をリセットする回路が付設されていることを特徴とする請 求項 13に記載の高周波回路。
[15] 請求項 1から 14のいずれかに記載された高周波回路が、高周波増幅器の入力側 若しくは出力側に設置されていることを特徴とする通信装置。
[16] 通信規格が異なる複数の周波数帯の信号を受信することが可能であることを特徴と する請求項 15に記載の通信装置。
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