CZ20031536A3 - Způsob a zařízení k regulaci výkonu milimetrových vln vysílacího/přijímacího modulu pásma V - Google Patents

Způsob a zařízení k regulaci výkonu milimetrových vln vysílacího/přijímacího modulu pásma V Download PDF

Info

Publication number
CZ20031536A3
CZ20031536A3 CZ20031536A CZ20031536A CZ20031536A3 CZ 20031536 A3 CZ20031536 A3 CZ 20031536A3 CZ 20031536 A CZ20031536 A CZ 20031536A CZ 20031536 A CZ20031536 A CZ 20031536A CZ 20031536 A3 CZ20031536 A3 CZ 20031536A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
spdt
power
mmic
diode
damping member
Prior art date
Application number
CZ20031536A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ301316B6 (cs
Inventor
Marion Filleböck
Joerg Schroth
Original Assignee
Eads Deutschland Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eads Deutschland Gmbh filed Critical Eads Deutschland Gmbh
Publication of CZ20031536A3 publication Critical patent/CZ20031536A3/cs
Publication of CZ301316B6 publication Critical patent/CZ301316B6/cs

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers

Landscapes

  • Transmitters (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

Oblast techniky
Vynález se týká způsobu a zařízení k regulaci výkonu milimetrových vln vysílacího/přijímacího (TR) modulu pásma V podle základního nároku 1.
Dosavadní stav techniky
Výstupní výkon zvláště mobilních komunikačních přístrojů by měl být co možno konstantní a to nezávisle na individuálních vlastnostech stavebních prvků a přístrojů vyráběných ve velkých počtech kusů. Při frekvencích menších než 50 GHz se realizují regulovatelné tlumicí členy jako spínač MMIC s PIN-diodami nebo jako spínač MESFET. Podle současného stavu techniky jsou známé také jiné koncepce regulace výkonu pro nižší frekvence. Avšak vysílací/přijímací (TR) modul pásma V s regulovaným výstupním výkonem není dosud známý. Také regulovatelný tlumicí člen při 60 GHz jako MMIC není dosud na trhu k dostání.
Individuální nastavení hotových přístrojů je velmi nákladné, proto by bylo žádoucí, aby odpovídajícím uspořádáním došlo k vyhnutí se tomuto nastavení. Přitom má být požadováno pokud možno málo přídavných
444 44
4·· 4··· součástí, protože tyto součásti na jedné straně zase samy individuálně rozptylují a na druhé straně způsobují náklady.
Firma United Monolithic Semiconductors S.A.S, 91401 Orsay Cedex France nabízí pro komunikační systémy jednopólový spínač SPDT (Single Pole Double Throw) pro 50-60 GHz s typovým označením “CHS2190a”, který byl dosud použit jako vysílací/přijímací spínač ve vysílacích/přijímacích modulech. Cílem vynálezu je vytvořit při použití tohoto nebo odpovídajícího spínače regulaci výkonu se jmenovanými význaky.
Podstata vynálezu
Tento úkol se podle vynálezu řeší označenou částí nároku 1 případně 2 předložených význaků.
Použití SPDT MMIC jako regulovatelného tlumicího členu umožňuje nastavení žádaného vysílacího výkonu a kompenzaci rozptylů čipů. Tvoří základní součást regulace výkonu (akční člen). Dvojí funkcí čipu se dosáhne značné úspory nákladů.
Také použitím druhého SPDT MMIC jako detektoru výkonu se na základě dvojí funkce dosáhne úspory nákladů.
Celkově vede regulace výkonu celého vysílacího/přijímacího (TR) modulu ke zvětšení výtěžku modulu kompenzací rozptylů čipů a účinků teploty. Vícenásobné použití SPDT MMIC jako spínače, tlumicího členu a detektoru výkonu vede k řečeným výhodám.
• ·
Podrobnosti vynálezu plynou z podnároků a popisu, ve kterém je vysvětlen jeden příklad provedení pomocí výkresu.
Přehled obrázků na výkresech
Obr. 1 Blokové schéma regulace vysílacího výkonu podle vynálezu
Obr. 2 Uspořádání a označení připojovacích bodů známého SPDT MMIC
Obr. 3 Principiální schéma zapojení
Obr. 4 Vnější zapojení a stejnosměrné napájení
Obr. 5 Chování tlumení v závislosti na řídicím napětí
Obr. 6 Použití SPDT MMIC jako detektoru
Obr. 7 Maximální použitelný a regulovaný vysílací výkon
Příklady provedení vynálezu
Známý MMIC může být podle vynálezu provozován buď jako Schottkyho diodový jednopólový přepínač typu SPDT (Single Pole Double Throw) nebo podle volby jiných napájecích napětí jako regulovatelný tlumicí člen. Obr. 2 a 3 ukazují uspořádání SPDT MMIC a principiální schéma zapojení. Ve spínacím provozu je vstupní výkon na bráně IN propojen buď na bránu Ql nebo 02. Při provozu jako proměnný tlumicí člen je brána 02 bezodrazově uzavřena a větev zapojení IN-02 se provozuje v propustném směru. Mezi bránami IN a 01 se dá stejnosměrným napájecím napětím nastavit proměnné tlumení mezi 3,5 dB a 25 dB (viz obr. 4 a 5).
« · · · ·
000 00 ··· ·«··
Obr. 4 uvádí vnější zapojení a stejnosměrné napájení. Provozní způsoby jsou následující:
Spínací provoz:
Větev zapojení IN-O1 je zapnuta, větev IN-O2 je vypnuta:
Připojovací body Al, A2: - 2,5 V Připojovací body Bl, B2: 12 mA
Stav vypnuto: Větev zapojení blokována
Stav zapnuto: Větev zapojení propouští
Vnější připojovací napětí se dodává přes sériové odpory asi 250 Ω v sérií k připojovacím bodům Al, A2, Bl, B2.
Provoz jako detektor:
Větev zapojení IN-Olje jako detektor, větev zapojení IN-O2 je vypnuta: Připojovací body Al, A2: 0 V, (1 kQ v sérii k připojovacím bodům) Připojovací body Bl, B2: 12 mA
Provoz jako proměnný tlumicí člen:
Větev zapojení IN-Olje zapnuta (brána Ol bezodrazově uzavřena), větev zapojení IN-O2 je ve tlumicím provozu:
Připojovací body Al, A2: -2,5 V
Připojovací body Bl, B2: 0 - 12 mA (odpovídá 0 - 4 V za sériovým odporem 250 Ω)
000 00
0000
0*
Na SPDT MMIC jsou v každé větvi zapojení dva diodové páry 4, 5 případně 6, 7 mezi vysokofrekvenčním vedením a kostrou. Při provozu SPDT MMIC jako detektoru výkonu je jedna větev blokována (např. IN02), druhá větev je zapojena pro průchod s předpětím O V. Vysokofrekvenční výkon protékající zapnutou větví se na paralelně zapojených diodách usměrní. Měřitelné stejnosměrné napětí na připojovacích bodech Al případně A2 je měřítkem protékajícího výkonu, jak je to znázorněno na obr. 6. K měření výkonu se využije stejnosměrného napětí na připojovacím bodě A2. Detekce výkonu na SPDT MMIC je možná pro hladinu 3 dBm < P < 10 dBm.
Obr. 5 uvádí tlumící chování v závislosti na řídicím napětí. Přitom platí následující hodnoty:
Stejnosměrné zapojení a napěťové napájení:
Připojovací body Al, A2: - 2,5 V
Připojovací body Bl, B2: Řídicí napětí je přiloženo přes sériový odpor 250 Ω.
Vysokofrekvenční uspořádání:
Měření na čidlu destičky při 58 GHz.
Vstupní výkon na bráně IN, výstupní výkon na bráně 02, brána Ol byla uzavřena tlumicím členem 10 dB.
Obr. 6 uvádí použití SPDT MMIC jako detektoru. V diagramu je znázorněno napětí detektoru v závislosti na měřeném výstupním výkonu. Přitom platí:
Stejnosměrné zapojení a napěťové napájení:
• · * φ φ ·♦· • · · · « · φ ♦ · φφφφ φφ *·
Připojovací body Al, Α2: 0 V je přivedeno přes sériový odpor 1 kO řídicí napětí
Připojovací body B1, B2: 12 mA.
Vysokofrekvenční uspořádání:
Měření na čidlu destičky při 58 GHz.
Vstupní výkon na bráně Ol. výstupní výkon na bráně IN, brána 02 byla uzavřena tlumicím členem 10 dB.
Regulace vysílacího výkonu popsanými součástkami byla podle vynálezu vyvinuta pro vysílací a přijímací modul, jak je v provedení ukázána v blokovém schématu zapojení na obr. 1. V případě příjmu jsou oba SPDT MMIC (1 a 2) použity jako spínače. Výkon LO (Pin_L0) a přijímaný výkon (PINRX) jsou zapojeny na směšovač. V případě vysílání funguje SPDT MMIC1 jako regulovatelný tlumicí člen a SPDT MMIC2 jako detektor výkonu. Regulační obvod výkonu je uzavřen přes analogovou elektroniku. Požadovaná výstupní hladina se nastaví žádanou hodnotou na elektronice. Obr. 7 uvádí výstupní výkon měřený na spektrálním analyzátoru pro neregulovaný případ (maximální použitelný výkon) a pro regulovaný případ (Pout = 5 dBm = konst.).

Claims (9)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Způsob kregulaci výkonu milimetrových vln vysílacího/přijímacího (TR) modulu pásma V ve frekvenčním rozsahu 50 GHz a vyšším, při kterém je vysílací a přijímací cesta oddělena pomocí dvou jednopólových spínačů SPDT (Single Pole Double Throw) MMIC, vyznačující se tím, že v případě vysílání je první spínač SPDT MMIC použit jako regulovatelný tlumicí člen a druhý spínač SPDT MMIC jako detektor výstupního výkonu a že regulace výstupního výkonu na předem dané hladině se provede pomocí elektroniky.
  2. 2. Zařízení k regulaci výkonu milimetrových vln vysílacího/přijímacího (TR) modulu pásma V ve frekvenčním rozsahu 50 GHz a vyšším se dvěma jednopólovými spínači SPDT (Single Pole Double Throw) MMIC k oddělení vysílací a přijímací cesty, vyznačující se tím, že v případě vysílání je první spínač SPDT MMIC použit jako regulovatelný tlumicí člen a druhý spínač SPDT MMIC jako detektor výstupního výkonu a k provedení regulace je opatřeno elektronické zařízení.
  3. 3. Zařízení podle nároku 2 vyznačující se tím, že u jednopólového přepínače SPDT MMIC, který má dvě větve, ve spínaném provozu vstupní výkon na bráně (IN) se dá podle volby propojit na bránu (Ol) nebo (02) a že při provozu jako regulovatelný tlumicí člen je brána (02) bezodrazově uzavřena a mezi bránami (IN) a (Ol) se dá napájecím napětím nastavit proměnné tlumení.
  4. 4. Zařízení podle nároku 2 vyznačující se tím, že u jednopólového přepínače SPDT MMIC, který má dvě větve, jsou v každé větvi
    AAA
    AAA ·· AA·
    AAA A· ··· ···· ·* zapojení vždy dva paralelně zapojené diodové páry mezi vysokofrekvenčním vedením a kostrou a že při provozu jako výkonový detektor je jedna větev blokována a druhá větev je zapojena předpětím 0 V na průchod, že poslední větví protékající vysokofrekvenční výkon se diodami usměrní a měřitelné stejnosměrné napětí slouží jako měřítko protékajícího výkonu.
    1/4
    -- - r v * * ···· · ···· » ·*« ·· ····
    ... ,, ··» ···· ·· ··
    3 2
    Obr. 2
    1 Vf vstup
    2 Vf výstup 2
    3 Kostra
    4 Předpětí diody 1
  5. 5 Předpětí diody 2
  6. 6 Předpětí diody 3
  7. 7 Předpětí diody 4
  8. 8 Kostra
  9. 9 Vf výstup 1
    2/4
CZ20031536A 2000-12-04 2001-11-09 Zpusob regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/prijímacího modulu a vysílací/prijímací modul CZ301316B6 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10060332A DE10060332B4 (de) 2000-12-04 2000-12-04 Verfahren und Vorrichtung zur Millimeterwellen-Leistungsregelung bei einem V-Band-TR-Modul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ20031536A3 true CZ20031536A3 (cs) 2004-03-17
CZ301316B6 CZ301316B6 (cs) 2010-01-13

Family

ID=7665809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20031536A CZ301316B6 (cs) 2000-12-04 2001-11-09 Zpusob regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/prijímacího modulu a vysílací/prijímací modul

Country Status (18)

Country Link
US (1) US7012478B2 (cs)
EP (1) EP1342313B1 (cs)
JP (1) JP3822169B2 (cs)
KR (1) KR100779339B1 (cs)
CN (1) CN1227770C (cs)
AT (1) ATE458300T1 (cs)
AU (2) AU2002221554B2 (cs)
BR (1) BR0115869A (cs)
CA (1) CA2430326C (cs)
CZ (1) CZ301316B6 (cs)
DE (2) DE10060332B4 (cs)
ES (1) ES2338406T3 (cs)
HK (1) HK1060442A1 (cs)
HU (1) HUP0302941A2 (cs)
IL (2) IL156147A0 (cs)
NO (1) NO326707B1 (cs)
PL (1) PL205863B1 (cs)
WO (1) WO2002047245A2 (cs)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI338970B (en) * 2007-11-02 2011-03-11 Univ Nat Taiwan Single-pole-double-throw switch integrated with bandpass filtering function
KR101301816B1 (ko) * 2010-03-25 2013-08-29 한국전자통신연구원 증폭기 스위치로 동작하는 다기능 mmic
CN111835372B (zh) * 2019-04-18 2023-06-30 北京小米移动软件有限公司 一种射频电路及无线通信设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3678414A (en) * 1970-10-19 1972-07-18 Collins Radio Co Microstrip diode high isolation switch
US4837530A (en) * 1987-12-11 1989-06-06 Hewlett-Packard Company Wideband (DC-50 GHz) MMIC FET variable matched attenuator
US4843354A (en) * 1987-12-28 1989-06-27 Motorola, Inc. Broad band microwave biasing networks suitable for being provided in monolithic integrated circuit form
US5103195A (en) * 1989-10-13 1992-04-07 Hewlett-Packard Company Hybrid gaas mmic fet-pin diode switch
JPH05103195A (ja) * 1991-10-04 1993-04-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像入力装置
JP3362931B2 (ja) * 1993-09-30 2003-01-07 ソニー株式会社 アツテネータ回路
JP3198808B2 (ja) * 1994-06-30 2001-08-13 株式会社村田製作所 高周波スイッチ
JPH09200021A (ja) * 1996-01-22 1997-07-31 Mitsubishi Electric Corp 集積回路
US5777530A (en) * 1996-01-31 1998-07-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Switch attenuator
US5990580A (en) * 1998-03-05 1999-11-23 The Whitaker Corporation Single pole double throw switch
US6801108B2 (en) * 2001-12-14 2004-10-05 Taiwan University Millimeter-wave passive FET switch using impedance transformation networks

Also Published As

Publication number Publication date
NO20032468L (no) 2003-05-30
JP3822169B2 (ja) 2006-09-13
AU2002221554B2 (en) 2006-02-23
BR0115869A (pt) 2004-01-20
HUP0302941A2 (en) 2003-12-29
CA2430326A1 (en) 2002-06-13
US20040110476A1 (en) 2004-06-10
EP1342313A2 (de) 2003-09-10
PL205863B1 (pl) 2010-06-30
PL362025A1 (en) 2004-10-18
JP2004515185A (ja) 2004-05-20
CZ301316B6 (cs) 2010-01-13
KR20030061389A (ko) 2003-07-18
WO2002047245A3 (de) 2003-02-27
ES2338406T3 (es) 2010-05-07
AU2155402A (en) 2002-06-18
ATE458300T1 (de) 2010-03-15
CN1471745A (zh) 2004-01-28
CN1227770C (zh) 2005-11-16
WO2002047245A2 (de) 2002-06-13
IL156147A (en) 2008-06-05
EP1342313B1 (de) 2010-02-17
HK1060442A1 (en) 2004-08-06
NO326707B1 (no) 2009-02-02
DE10060332B4 (de) 2005-02-24
DE10060332A1 (de) 2002-07-11
CA2430326C (en) 2009-07-28
NO20032468D0 (no) 2003-05-30
US7012478B2 (en) 2006-03-14
KR100779339B1 (ko) 2007-11-23
DE50115353D1 (de) 2010-04-01
IL156147A0 (en) 2003-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5093667A (en) T/R module with error correction
US5392464A (en) Directional detector for power level control
CA2405143A1 (en) Transmit/receiver module for active phased array antenna
HUE029405T2 (en) Variable output performance for battery level gauges
Lohmiller et al. SiGe BiCMOS X-band transceiver-chip for phased-array systems
IL165380A (en) Accurate range calibration architecture for pulsed doppler radar systems
US7831214B1 (en) Low power linear transmit/receive (T/R) module
CZ20031536A3 (cs) Způsob a zařízení k regulaci výkonu milimetrových vln vysílacího/přijímacího modulu pásma V
Wagner et al. 0.5–9 GHz CMOS variable gain amplifier with control linearization, low phase variations and self-matching
JP3023172B2 (ja) 誤差補正を備えたtrモジュール
US5903192A (en) Arrangement for controlling the output amplitude of a high frequency power amplifier
Verma et al. Low error Ku-band 5-bit digital attenuator MMIC
Chen et al. DC-20 GHz Wideband Low Loss SPDT Switch MMIC
Bangar et al. Design of Monolithic 5–18 GHz Digital Attenuator with Low Attenuation and Phase Error
Willems et al. Multifunction small-signal chip set for transmit/receive modules
CN208028858U (zh) 一种微波射频系统的射频增益数字式补偿电路
Malmqvist et al. An RF-MEMS based SP4T switched LNA MMIC used in a 24 GHz beam-steering antenna module
Komiak et al. Broadband SDLVA, SGA, SDGVGA, and vector modulator elements for intelligent RF microsystems
Diciomma et al. 8W 2–8GHz solid state amplifier for phased array
Song et al. A DC-12GHz DPDT Switch Matrix MMIC in GaAs E/D-Mode PHEMT Technology
Goyal et al. Design and Development of an S-band 6 bit MMIC Attenuator with Low Insertion Loss
JPH088442B2 (ja) ステップ可変式高周波減衰器
KR19990080428A (ko) 디지털 제어 가변 감쇠기
JPH02152305A (ja) 送受信モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20131109