KR20030061389A - Ｖ-밴드-ｔｒ-모듈용 밀리미터파의 파워를 제어하기 위한방법 및 장치 - Google Patents
Ｖ-밴드-ｔｒ-모듈용 밀리미터파의 파워를 제어하기 위한방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030061389A KR20030061389A KR10-2003-7006052A KR20037006052A KR20030061389A KR 20030061389 A KR20030061389 A KR 20030061389A KR 20037006052 A KR20037006052 A KR 20037006052A KR 20030061389 A KR20030061389 A KR 20030061389A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power
- switch
- spdt
- mmic
- band
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 title description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
Landscapes
- Transmitters (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
Abstract
본 발명은 V-밴드 TR 모듈용 밀리미터파의 전력을 제어하기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법에 따르면, 파워 출력이 댐핑 부재를 이용하여 제어 전자 시스템으로 일정하게 감지되어 제어된다. 발명에 따라, 송신용으로 60GHz 범위 및 이보다 높은 주파수에서의 동작을 위해, 제 1 SPDT MMIC 스위치가 제어 댐핑 부재로 이용되고 송수신 체인지오버 스위치로 기능하는 제 2 SPDT MMIC 스위치가 파워 출력 감지기로 사용된다. 수신용으로, 두 SPDT 모두가 스위치로 사용된다. 전체적으로, 전체 TR 모듈에 대한 파워 제어로 인해 칩 누출 및 온도 효과를 상쇄시킴으로서 모듈 양품률이 증가한다. 여러개의 SPDT MMIC를 스위치로 이용함으로서, 댐핑 부재 및 파워 감지기의 비용이 절감된다.
Description
특히 이동 통신 기계에 있어서 파워는 가능한 한 영구적이어야만 하고 더욱이 높은 생산량으로 생산되는 부품과 기계의 개별적 특성에 좌우되지 않아야만 한다. 주파수 ＜ 50GHz에서 PIN-다이오드(Diode)를 가지는 MMIC 또는 MESFET 스위치의 제어될 수 있는 댐핑 멤버(damping member)가 실현된다. 또한 다른 저주파용 파워 제어 프로그램도 역시 기술의 현 상태에 의해 공지된 바 있다. 제어된 파워를 가지는 V-밴드-TR-모듈은 그러나 현재 공지된 바 없다. 또한 MMIC의 60GHz에서 제어될 수 있는 댐핑 멤버(damping member)도 현재 시장에서 살 수 없다.
만들어진 기계를 개별적으로 조정하는 것은 매우 비용이 많이 들기 때문에, 개별적 조정이 적절한 설치를 통해 방지될 수 있도록 바라게 된다. 이것은 한편으로는 스스로 다시 개별적으로 새고 다른 한편으로는 비용을 초래하기 때문에, 동시에 가능한 한 아주 적게 추가의 성분이 필요하게 되어야만 한다.
프랑스 91401 Orsay Cedex에 소재하는 회사 United Monolithic Semiconductors S.A.S의 측에서 등급표시 "CHS2190a" 하에 커뮤니케이션 시스템용 50-60 GHz SPDT(=Single Pole Double Throw)-스위치가 제공되었고, 상기 스위치는 이미 지금까지 송-수신변환기로서 송-수신 모듈에 삽입되었다. 이러한 상응하는 스위치의 사용 하에 언급된 장점들과 함께 파워조정이 창출되는 것이 본 발명의 목표이다.
본 발명은 특허 청구항 제 1항의 상위 개념에 따르는 V-밴드-TR-모듈용 밀리미터파의 파워를 제어하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
도 1 본 발명에 따른 송신파워조절의 블록 회로도
도 2 공지된 SPDT MMIC의 레이아웃 및 패드도면
도 3 주회로도
도 4 외부 회로설치 및 DC 공급
도 5 콘트롤전압에 의해 좌우되는 완화상태
도 6 디텍터로서 SPDT MMIC의 사용
도 7 최대 처리될 수 있는 그리고 조절된 송신 파워
상기는 본 발명에 따라 청구항 1항 또는 2항의 특징적인 부분에서 언급된 장점에 의해 해소된다.
조절될 수 있는 댐핑 멤버(damping member)로서 SPDT MMIC를 삽입하는 것은 바라는 칩(Chip) 누출량의 송신파워와 보정의 조정을 가능하게 한다. 상기는 파워조절을 위한 핵심성분을 형성한다.
파워 디텍터로서 제 2 SPDT MMIC를 사용하는 것은 이중 기능에 근거하여 비용절감을 제공한다. 모든 TR-모듈을 위한 파워조절은 칩(Chip) 누출량과 온도영향의 보정에 의해 모듈 산출의 증가에 이르게 된다. 스위치, 댐핑 멤버(damping member) 그리고 디텍터 파워로서 SPDT MMIC를 다중으로 이용하는 것은 언급된 이점에 이르게된다.
본 발명의 세밀함은 종속항과 명세서에서 나타나고, 명세서에서는 도면에 근거하여 실시예가 논의된다. 다음과 같다:
공지된 MMIC는 본 발명에 따라 SPDT(Single Pole Double Throw) 타입의 쇼트키(Schottky) 다이오드(Diode) 스위치로서 작동될 수 있거나 공급전압의 선택에 의해 제어될 수 있는 댐핑 멤버(damping member)로서 작동되어질 수 있게 된다. 도 2와 3은 SPDT MMIC의 레이아웃과 주회로도를 도시한다. 스위치 작동에 있어서 포트(Port) IN의 수신파워는 포트 O1 또는 O2로 전류가 통과된다. 가변의 댐핑 멤버(damping member)를 작동시키기 위하여 문 O2가 자유 반사로 잠기고 스위치 암(arm) IN-O2는 통로방향으로 작동된다. 문 IN과 O1 사이에서 DC 공급전압으로 3.5와 25dB 사이의 가변의 완화가 조정되어 질 수 있다(도 4 및 5도 참조).
도 4는 외부 회로설치와 DC-공급을 도시한다. 작동형태는 다음과 같다:
스위치 작동:
ON-상태의 스위치 암(arm) IN-O1, OFF-상태의 스위치 암(arm) IN-O2,
패드 A1, A2: -2.5V
패드 B1, B2: 12mA
OFF-상태: 스위치 암(arm) 차단
ON-상태: 스위치 암(arm) 통과 외부의 전압공급은 약 250 옴(Ohm)의 연속 저항으로 패드 A1, A2, B1, B2에 연속으로 이루어진다.
디텍터작동:
디텍터로서의 스위치 암(arm) IN-O1, OFF-상태의 스위치 암(arm) IN-O2
패드 A1, A2: 0V,(패드에 연속으로 1kOhm )
패드 B1, B2: 12mA
가변의 댐핑 멤버(damping member)의 작동:
ON-상태의 스위치 암(arm) IN-O1(문 O1 자유 반사로 폐쇄),
완화 부분의 스위치 암(arm) IN-O2
패드 A1, A2: -2.5V
패드 B1, B2: 0 -12mA(연속저항 250 Ohm에 따른 0-4V에 상응) SPDT MMIC에서 HF-파워와 매스(Mass) 사이의 두 개의 다이오드 쌍 4/5 또는 6/7 각각이 각각의 스위치 암(arm)에서 연결된다. 파워 디텍터로서 SPDT MMIC를 작동시킬 때 암(arm)은 폐쇄되고(예를 들어 IN-O2), 그 제 2 암(arm)은 0V의 바이어스로 통로에서 연결된다. ON-암(암)을 통과해 배출되는 HF-파워는 평행으로 연결된 다이오드에서 직류로 정류되어진다. 패드 A1 또는 A2에서 측정될 수 있는 표준전압은 도 6에서 도시된 바와 같이, 관류하는 파워에 대한 매스(Mass)이다. 파워를 측정하기위하여 패드 A2에서의 표준전압이 동원된다. SPDT MMIC의 파워 디텍터는 3dBM〈P〈10dBm의 레벨(level)을 위하여 가능해진다.
도 5는 콘트롤 전압에 의해 좌우되는 완화상태를 도시한다. 이때 다음의 값이 유효하다:
DC 회로설치 및 전압공급:
패드 A1, A1: -2.5V
패드 B1, B2: 콘트롤 전압이 250 옴(Ohm)의 연속저항으로 된다.
HF 배치:
58GHz에서의 웨이퍼 탐지기의 측정
문 IN의 수신파워, 문O2, 문 O1의 파워(Power) 아웃 풋(out put)은 10dB의 댐핑 멤버(damping member)로 차단됨
도 6은 디텍터로서의 SPDT MMIC의 사용을 도시한다. 다이아그램에서 디텍터전압은 측정된 파워(Power) 아웃 풋(out put)에 좌우되어 도시된다.
DC 회로설치 및 전압공급:
패드 A1, A2: 0V가 1k옴(Ohm)의 연속저항 이상으로 공급됨
콘트롤 전압
패드 B1, B2: 12mA
HF 배치:
58GHz에서의 웨이퍼 탐지기의 측정
문 O1의 수신파워, 문IN, 문 O2의 파워(Power) 아웃 풋(out put)은 10dB의댐핑 멤버(damping member)로 차단됨
기술된 성분으로 본 발명에 따른 송신 파워 조정이 블록 회로도 도 1에서 편성 도시된 바와 같이, 송수신 모듈을 위해 생겨난다. 수신 낙하에서 양 SPDT MMIC(1, 2)는 스위치로서 사용되어진다. LO 파워(Pin_LO)과 수신파워(Pin_RX)은 혼합기로 전기가 접속되어진다. 송신 낙하에서 SPDT MMIC 1은 조절될 수 있는 댐핑 멤버(damping member)로서 그리고 SPDT MMIC 2는 파워 디텍터로서 기능을 발휘한다. 파워 자동 조절 시스템은 아날로그 전자 기기로 차단된다. 전자 기기의 고정가로 바라는 아웃 풋(out put) 레벨(level)이 조정되어진다. 도 7은 조절되지 않은 낙하(최대한 자유 처리될 수 있는 파워)와 조절된 낙하(Pout=5dBm=const)를 위한 스펙트럼 분석기에서 측정된 파워(Power) 아웃 풋(out put)을 도시한다.
Claims (4)
- 송- 및 수신로드(Road)가 두 개의 SPDT(Single Pole Double Throw) MMIC 스위치의 도움으로 분리되어 지는, 50GHz의 영역 내 및 더 높은 주파수에 있어서 V-밴드-TR 모듈용 밀리미터파의 파워를 제어하기 위한 방법으로서, 송신낙하에 있어서 제 1 SPDT MMIC 스위치가 조절될 수 있는 댐핑 멤버(damping member)로서 그리고 제 2 SPDT MMIC 스위치가 디텍터로서 파워용으로서 사용되어지고 전자 설비 상에서 파워의 조절이 제공된 레벨(level) 상에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 V-밴드-TR 모듈용 밀리미터파의 파워를 제어하기 위한 방법.
- 50GHz의 영역 내 및 더 높은 주파수에 있어서 두 개의 SPDT(Single Pole Double Throw) MMIC 스위치의 도움으로 송- 및 수신로드(Road)로부터 분리되어 지는, V-밴드-TR 모듈용 밀리미터파의 파워를 제어하기 위한 장치로서, 송신낙하에 있어서 제 1 SPDT MMIC 스위치가 조절될 수 있는 댐핑 멤버(damping member)로서 그리고 제 2 SPDT MMIC 스위치가 디텍터로서 파워용으로 사용될 수 있고 전자 설비가 조절을 실행하기 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 V-밴드-TR 모듈용 밀리미터파의 파워를 제어하기 위한 장치.
- 제 2항에 있어서, 스위치 작동에서 스위치 암(arm)을 제시하는 SPDD MMIC에서 입력 파워가 선택에 따라 포트 O1 또는 O2로 접속될 수 있는 것과 작동시 제어될 수 있는 댐핑 멤버(damping member)로서 문 O2가 자유 반사로 차단되고 문 IN과 O1 사이에서 공급 전원으로 가변의 완화가 조절될 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 2항에 있어서, 스위치 암(arm)을 제시하는 SPDD MMIC에서 각각의 스위치 암(arm)에 HF-파워와 매스(Mass) 사이의 저마다 두 개의 평행하게 접속된 다이오드 쌍이 접속되어지는 것과 파워 디텍터의 작동시 제 1 암(arm)이 차단되고 0 V의 바이어스를 가지는 제 2 암은 통로에서 접속되는 것을 특징으로 하는 장치로서, 마지막 암을 통해 들어오는 HF-파워가 다이오드에서 정류되어지고 측정 가능한 표준전압이 관류하는 파워용 매스(Mass)로서 사용되는 것을 특징으로 하는 장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10060332.7 | 2000-12-04 | ||
| DE10060332A DE10060332B4 (de) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | Verfahren und Vorrichtung zur Millimeterwellen-Leistungsregelung bei einem V-Band-TR-Modul |
| PCT/DE2001/004215 WO2002047245A2 (de) | 2000-12-04 | 2001-11-09 | Verfahren und vorrichtung zur millimeterwellen-leistungsregelung bei einem v-band-tr-modul |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030061389A true KR20030061389A (ko) | 2003-07-18 |
| KR100779339B1 KR100779339B1 (ko) | 2007-11-23 |
Family
ID=7665809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020037006052A KR100779339B1 (ko) | 2000-12-04 | 2001-11-09 | Ｖ-밴드-ｔｒ-모듈용 밀리미터파의 파워를 제어하기 위한방법 및 장치 |
Country Status (18)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7012478B2 (ko) |
| EP (1) | EP1342313B1 (ko) |
| JP (1) | JP3822169B2 (ko) |
| KR (1) | KR100779339B1 (ko) |
| CN (1) | CN1227770C (ko) |
| AT (1) | ATE458300T1 (ko) |
| AU (2) | AU2155402A (ko) |
| BR (1) | BR0115869A (ko) |
| CA (1) | CA2430326C (ko) |
| CZ (1) | CZ301316B6 (ko) |
| DE (2) | DE10060332B4 (ko) |
| ES (1) | ES2338406T3 (ko) |
| HK (1) | HK1060442A1 (ko) |
| HU (1) | HUP0302941A2 (ko) |
| IL (2) | IL156147A0 (ko) |
| NO (1) | NO326707B1 (ko) |
| PL (1) | PL205863B1 (ko) |
| WO (1) | WO2002047245A2 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI338970B (en) * | 2007-11-02 | 2011-03-11 | Univ Nat Taiwan | Single-pole-double-throw switch integrated with bandpass filtering function |
| KR101301816B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2013-08-29 | 한국전자통신연구원 | 증폭기 스위치로 동작하는 다기능 ｍｍｉｃ |
| CN111835372B (zh) * | 2019-04-18 | 2023-06-30 | 北京小米移动软件有限公司 | 一种射频电路及无线通信设备 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3678414A (en) * | 1970-10-19 | 1972-07-18 | Collins Radio Co | Microstrip diode high isolation switch |
| US4837530A (en) * | 1987-12-11 | 1989-06-06 | Hewlett-Packard Company | Wideband (DC-50 GHz) MMIC FET variable matched attenuator |
| US4843354A (en) * | 1987-12-28 | 1989-06-27 | Motorola, Inc. | Broad band microwave biasing networks suitable for being provided in monolithic integrated circuit form |
| US5103195A (en) * | 1989-10-13 | 1992-04-07 | Hewlett-Packard Company | Hybrid gaas mmic fet-pin diode switch |
| JPH05103195A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像入力装置 |
| JP3362931B2 (ja) * | 1993-09-30 | 2003-01-07 | ソニー株式会社 | アツテネータ回路 |
| JP3198808B2 (ja) * | 1994-06-30 | 2001-08-13 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
| JPH09200021A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路 |
| US5777530A (en) * | 1996-01-31 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Switch attenuator |
| US5990580A (en) * | 1998-03-05 | 1999-11-23 | The Whitaker Corporation | Single pole double throw switch |
| US6801108B2 (en) * | 2001-12-14 | 2004-10-05 | Taiwan University | Millimeter-wave passive FET switch using impedance transformation networks |
-
2000
- 2000-12-04 DE DE10060332A patent/DE10060332B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-09 WO PCT/DE2001/004215 patent/WO2002047245A2/de active IP Right Grant
- 2001-11-09 US US10/433,464 patent/US7012478B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-09 EP EP01270011A patent/EP1342313B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-09 PL PL362025A patent/PL205863B1/pl not_active IP Right Cessation
- 2001-11-09 HU HU0302941A patent/HUP0302941A2/hu unknown
- 2001-11-09 ES ES01270011T patent/ES2338406T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-09 AU AU2155402A patent/AU2155402A/xx active Pending
- 2001-11-09 CA CA002430326A patent/CA2430326C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-09 KR KR1020037006052A patent/KR100779339B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-11-09 JP JP2002548851A patent/JP3822169B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-09 AU AU2002221554A patent/AU2002221554B2/en not_active Ceased
- 2001-11-09 CZ CZ20031536A patent/CZ301316B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2001-11-09 BR BR0115869-4A patent/BR0115869A/pt not_active IP Right Cessation
- 2001-11-09 IL IL15614701A patent/IL156147A0/xx active IP Right Grant
- 2001-11-09 AT AT01270011T patent/ATE458300T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-11-09 CN CNB018181813A patent/CN1227770C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-09 DE DE50115353T patent/DE50115353D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-05-27 IL IL156147A patent/IL156147A/en not_active IP Right Cessation
- 2003-05-30 NO NO20032468A patent/NO326707B1/no not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-05-14 HK HK04103393A patent/HK1060442A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE50115353D1 (de) | 2010-04-01 |
| PL362025A1 (en) | 2004-10-18 |
| KR100779339B1 (ko) | 2007-11-23 |
| HK1060442A1 (en) | 2004-08-06 |
| CA2430326C (en) | 2009-07-28 |
| JP2004515185A (ja) | 2004-05-20 |
| PL205863B1 (pl) | 2010-06-30 |
| WO2002047245A2 (de) | 2002-06-13 |
| NO20032468L (no) | 2003-05-30 |
| US7012478B2 (en) | 2006-03-14 |
| EP1342313A2 (de) | 2003-09-10 |
| CA2430326A1 (en) | 2002-06-13 |
| AU2155402A (en) | 2002-06-18 |
| WO2002047245A3 (de) | 2003-02-27 |
| IL156147A0 (en) | 2003-12-23 |
| ES2338406T3 (es) | 2010-05-07 |
| CN1227770C (zh) | 2005-11-16 |
| HUP0302941A2 (en) | 2003-12-29 |
| US20040110476A1 (en) | 2004-06-10 |
| EP1342313B1 (de) | 2010-02-17 |
| AU2002221554B2 (en) | 2006-02-23 |
| CN1471745A (zh) | 2004-01-28 |
| CZ301316B6 (cs) | 2010-01-13 |
| ATE458300T1 (de) | 2010-03-15 |
| IL156147A (en) | 2008-06-05 |
| NO20032468D0 (no) | 2003-05-30 |
| NO326707B1 (no) | 2009-02-02 |
| CZ20031536A3 (cs) | 2004-03-17 |
| DE10060332B4 (de) | 2005-02-24 |
| JP3822169B2 (ja) | 2006-09-13 |
| DE10060332A1 (de) | 2002-07-11 |
| BR0115869A (pt) | 2004-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5911116A (en) | Transmitting-receiving switch-over device complete with semiconductors | |
| US5392464A (en) | Directional detector for power level control | |
| US6734729B1 (en) | Closed loop power amplifier control | |
| HUE029405T2 (en) | Variable output performance for battery level gauges | |
| KR20030061389A (ko) | Ｖ-밴드-ｔｒ-모듈용 밀리미터파의 파워를 제어하기 위한방법 및 장치 | |
| US20040253936A1 (en) | Power-controlled transmitter arrangement | |
| JP4246149B2 (ja) | 光受信機回路 | |
| EP0456921A1 (en) | Attenuator | |
| US4092617A (en) | Wide power range microwave feedback controller | |
| US4319182A (en) | Alternating polarity power supply control apparatus | |
| KR102329394B1 (ko) | 5g 밀리미터파 대역의 tdd 입출력신호를 이중으로 검출하기 위한 송수신 감지시스템 | |
| KR20000062876A (ko) | 안테나 장치 | |
| Hao et al. | A 8-12GHz 4-Element SiGe BiCMOS Multi-Function Chip for Phased Array Systems | |
| Boglione et al. | Temperature and process insensitive circuit design of a voltage variable attenuator IC for cellular band applications | |
| Fillebock et al. | Compensation of MMIC spread in 60 GHz telecommunication module by automatic output power control | |
| EP1365506A1 (en) | Up-converter for radio systems | |
| KR20000045622A (ko) | 소형 가변 감쇠기 | |
| Sechi et al. | 20W full octave amplifiers in S-and C-band | |
| KR20000045594A (ko) | 초단파 및 극초단파 대역용 소형 가변 감쇠기 | |
| KR19990059952A (ko) | 고주파 스위치의 자동 시험 장치 | |
| JPH11284458A (ja) | 電力調整回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20101116 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |