CZ301316B6 - Zpusob regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/prijímacího modulu a vysílací/prijímací modul - Google Patents

Zpusob regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/prijímacího modulu a vysílací/prijímací modul Download PDF

Info

Publication number
CZ301316B6
CZ301316B6 CZ20031536A CZ20031536A CZ301316B6 CZ 301316 B6 CZ301316 B6 CZ 301316B6 CZ 20031536 A CZ20031536 A CZ 20031536A CZ 20031536 A CZ20031536 A CZ 20031536A CZ 301316 B6 CZ301316 B6 CZ 301316B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
spdt
power
mmic2
transmit
mmic1
Prior art date
Application number
CZ20031536A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ20031536A3 (cs
Inventor
Filleböck@Marion
Schroth@Joerg
Original Assignee
Eads Deutschland Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eads Deutschland Gmbh filed Critical Eads Deutschland Gmbh
Publication of CZ20031536A3 publication Critical patent/CZ20031536A3/cs
Publication of CZ301316B6 publication Critical patent/CZ301316B6/cs

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers

Landscapes

  • Transmitters (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)

Abstract

Zpusob regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/prijímacího modulu pásma V pri frekvenci v rozsahu 50 GHz a vyšším, pri kterém se prepínání mezi vysílací a prijímací cestou provádí pomocí dvou jednopólových dvoupolohových vysílacích/prijímacích spínacu (SPDT MMIC1, SPDT MMIC2) a regulace výstupního výkonu na predem stanovené úrovni se provádí prostrednictvím elektroniky, se provádí tak, že vysílací/prijímací spínace (SPDT MMIC1, SPDT MMIC2) jsou diodové spínace a v prípade vysílání se první vysílací/prijímací spínac (SPDT MMIC1) použije pro regulování tlumení a druhý vysílací/prijímací spínac (SPDT MMIC2) se použije pro detekci výstupního výkonu. U vysílacího/prijímacího modulu pro provádení tohoto zpusobu jsou vysílací/prijímací spínace (SPDT MMIC1, SPDT MMIC2) diodové spínace a elektronické zarízení pro nastavení výstupního výkonu je spojeno s temito vysílacími/prijímacími spínaci (SPDT MMIC1, SPDT MMIC2), pricemž v prípade vysílání je první vysílací/prijímací spínac (SPDT MMIC1) použit pro regulování tlumení a druhý vysílací/prijímací spínac (SPDT MMIC2) je použit pro detekci výstupního výkonu.

Description

Způsob regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/ přijímacího modulu a vysílací/přijímací modul
Oblast techniky
Vynález se týká způsobu regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/přijhnacího modulu pásma V při frekvenci v rozsahu 50 GHz a vyšším, při kterém se přepínání mezi vysílací a přijímací cestou provádí pomocí dvou jednopólových dvoupolohových vysílacích/přijímacích spínalo čů a regulace výstupního výkonu na předem stanovené úrovni se provádí prostřednictvím elektroniky. Vynález se dále týká vysílačího/přijímacího modulu pro provádění tohoto způsobu.
Dosavadní stav techniky 15
Výstupní výkon zvláště mobilních komunikačních přístrojů by měl být co nejvíce konstantní, a to nezávisle na individuálních vlastnostech součástí a přístrojů vyráběných ve velkých počtech kusů. Při frekvencích menších než 50 GHz jsou regulovatelné tlumicí členy realizovány jako spínač MM1C (Microwave monolitic integrated circuit -mikrovlnný monolitický integrovaný obvod) s PlN-diodami nebo jako spínač MESFET (Metal semiconductor field eťfect transistor tranzistor MESFET - tranzistor řízený elektrickým polem vyrobený technologií MES. Podle současného stavu techniky jsou známé také jiné koncepce regulace výkonu pro nižší frekvence. Avšak vysílací/přijímací modul pásma V s regulovatelným výstupním výkonem není dosud známý. Také regulovatelný tlumicí člen při 60 GHz jako MMIC není dosud na trhu k dostání.
Individuální nastavování hotových přístrojů je velmi nákladné, proto by bylo žádoucí, zabránit odpovídajícím uspořádáním tomuto nastavování. Přitom má být zapotřebí co nejméně přídavných komponent, protože tyto komponenty na jedné straně zase samy individuálně rozptylují a na druhé straně způsobují náklady.
Firma United Monolithic Semiconductors S.A.S, 91401 Orsay Cedex France nabízí pro komunikační systémy jednopólový dvoupolohový spínač SPDT (Single Pole Double Throw) pro 50 60 GHz s typovým označením „CHS2190a“, který byl dosud použit jako vysílací/přijímací spínač ve vysílacích/přijímacích modulech.
Podstata vynálezu
Úkolem vynálezu je vytvořit při použití tohoto nebo odpovídajícího spínače regulaci výkonu s uvedenými znaky.
Uvedený úkol splňuje způsob regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/ přijímacího modulu pásma V při frekvenci v rozsahu 50 GHz a vyšším, při kterém se přepínání mezi vysílací a přijímací cestou provádí pomocí dvou jednopólových dvoupolohových vysílacích/přijímacích spínačů a regulace výstupního výkonu na předem stanovené úrovni se provádí prostřednictvím elektroniky, podle vynálezu, jehož podstatou je, že vysílací/přijímací spínače jsou diodové spínače a v případě vysílání se první vysílací/přijímací spínač použije pro regulování tlumení a druhý vysílací/přijímací spínač se použije pro detekci výstupního výkonu.
Uvedený úkol dále splňuje vysílací/přijímací modul pro regulací výkonu milimetrových vln pásma V při frekvenci v rozsahu 50 GHz a vyšším, obsahující vysílací cestu, přijímací cestu, dva jednopólové dvoupolohové vysílací/přijímací spínače, jakož i elektronické zařízení pro nastavení výstupního výkonu, pro provádění způsobu podle vynálezu, přičemž podstatou vynálezu je, že vysílací/přijímací spínače jsou diodové spínače a elektronické zařízení pro nastavení výstupního
-1 3U1J10 HO výkonu je spojeno s těmito vysílacími/přijímacímí spínači, přičemž v případě vysílání je první vysílací/přijímací spínač použit pro regulování tlumení a druhý vysílací/přijímací spínač je použit pro detekci výstupního výkonu,
Použitím prvního jednopólového dvoupolohového spínače jako regulovatelného tlumicího členu umožňuje nastavení požadovaného vysílacího výkonu s kompenzací rozptylů čipů. Tvoří základní součást regulace výkonu jako akční člen. Dvojí funkcí čipu se dosáhne značné úspory nákladů.
Také použitím druhého jednopólového dvoupolohového spínače jako detektoru výkonu se na základě dvojí funkce dosáhne úspory nákladů.
Celkově vede regulace výkonu celého vysílacího/přijímacího modulu ke zvýšení výtěžku kompenzací rozptylu Čipů a účinků teploty. Vícenásobné použití jednopólových dvoupolohových spínačů jako spínačů, tlumicího členu a detektoru výkonu vede ke zmíněným výhodám,
Podle výhodného provedení vysílací/přijímací spínač obsahuje dvě větve zapojení, přičemž pří spínacím provozuje vstupní výkon na vysokofrekvenčním vstupu volitelně přepínatelný na vysokofrekvenční výstup v odpovídající větvi zapojení, a že při provozu jako regulovatelný tlumicí člen je jeden vysokofrekvenční výstup bezodrazově uzavřen a mezi vysokofrekvenčním vstupem a druhým vysokofrekvenčním výstupem je prostřednictvím napájecího napětí nastavitelné proměnné tlumení.
U vysílacího/přijímacího spínače, obsahujícího dvě větve zapojení, jsou v každé větvi zapojení mezi vysokofrekvenčním vstupem a kostrou s výhodou zapojeny vždy dva paralelně zapojené páry diod, a že při provozu jako výkonový detektor je jedna větev zapojení zablokována a druhá větev zapojení je zapojena s předpětím 0 V pro průchod, že vysokofrekvenční výkon protékající druhou větví zapojení je na diodách usměrňován a měřitelné stejnosměrné napětí je měřítkem protékajícího výkonu.
Přehled obrázků na výkresech
Podrobnosti vynálezu vyplývají z vedlejších nároků a popisu, ve kterém je vysvětlen příklad provedení pomocí výkresů, na nichž znázorňují obr. 1 blokové schéma regulace vysílacího výkonu podle vynálezu, obr. 2 uspořádání a označení připojovacích bodů známého spínače SPDT MMIC, obr. 3 principiální schéma zapojení, obr, 4 vnější zapojení a stejnosměrné napájení, obr. 5 průběh tlumení v závislosti na řídicím napětí, obr. 6 použití spínače SPDT MMIC2 jako detektoru, a obr. 7 maximální použitelný a regulovaný vysílací výkon.
Příklady provedení vynálezu
Známý spínač MMIC může být podle vynálezu provozován buď jako Schottkyho diodový jednopólový dvoupolohový přepínač typu SPDT (Single Pole Double Throw), nebo podle volby jiných napájecích napětí jako regulovatelný tlumicí člen. Obr. 2 a 3 ukazují uspořádání spínačů
SPDT_MM1C1 a SPDT MMIC2 a principiální schéma zapojení. Ve spínacím provozu je vstupní výkon na vysokofrekvenčním vstupu 1, IN propojen buď na vysokofrekvenční výstup Ol (popřípadě PUTI, viz obr. 3), nebo na vysokofrekvenční výstup 2, 02 (popřípadě QUT2. viz
-2V.Z. JU1J1W DO obr. 3). Při provozu jako proměnný tlumící člen je vysokofrekvenční výstup 2, 02 bezodrazově uzavřen a větev IN-02 zapojení se provozuje v propustném směru. Mezi vysokofrekvenčním vstupem 1, IN a vysokofrekvenčním výstupem 9, 01 se dá stejnosměrným napájecím napětím nastavit proměnné tlumení mezi 3,5 dB a 25 dB (viz obr. 4 a 5).
Obr. 4 uvádí vnější zapojení a stejnosměrné napájení. Provozní způsoby jsou následující:
Spínací provoz:
i o Větev IN-01 zapojení je zapnuta, větev IN-02 zapojení je vypnuta:
Připojovací body AI, A2: Je na ně přivedeno napětí - 2,5 V Připojovací body Bl, B2: Je na ně přivedeno 12 mA
Stav vypnuto: Větev zapojení blokuje Stav zapnuto: Větev zapojení propouští
Vnější připojovací napětí se dodává přes sériové odpory o velikosti asi 250 Ω v sérii k připojova20 cím bodům AI, A2, Bl, B2.
Provoz jako detektor:
Větev IN-01 zapojení pracuje jako detektor, větev IN-02 zapojení je vypnuta:
Připojovací body AI, A2: Je na ně přivedeno napětí 0 V, (odpor 1 k£l v sérii k připojovacím bodům)
Připojovací body Bl, B2: Je na ně přivedeno : 12 mA.
Provoz jako proměnný tlumicí člen:
Větev IN-01 zapojení je zapnuta (vysokofrekvenční výstup 9, Ol. je bezodrazově uzavřen), větev IN-02 zapojení je v tlumicím provozu:
Připojovací body AI, A2: Je na ně přivedeno napětí - 2, 5 V
Připojovací body Bl, B2: Je na ně přivedeno 0 až 12 mA (odpovídá 0 až 4 V za sériovým odporem o velikosti 250 Ω)
Na spínači SPDT MMIC1 a SPDT MMIC2 jsou v každé větvi zapojení zapojeny dva páry diod 4, 5 a 6, 2 mezi vysokofrekvenčním vedením a kostrou. Při provozu spínače SPDT MM1C1 a SPDT MMIC2 jako detektoru výkonu je jedna větev zapojení blokována (například větev IN02 zapojení), druhá větev zapojení je zapojena pro průchod s predpětím 0 V. Vysokofrekvenční výkon protékající zapnutou větví zapojení se na paralelně zapojených diodách 4, 5 a 6, 2 usměrní. Měřitelné stejnosměrné napětí na připojovacích bodech Aí a A2 je měřítkem protékajícího výkonu, jak je znázorněno na obr. 6. K měření výkonu P se použije stejnosměrného napětí na připojovacím bodě A2. Detekce výkonu na spínači SPDT MM1C1 a SPDT MM1C2 je možná pro úroveň 3 dBm < P < 10 dBm.
Obr. 5 uvádí průběh tlumení v závislosti na řídicím napětí. Přitom platí následující hodnoty:
-3CL· JUU10 HO
Stejnosměrné zapojení a napájecí napětí:
Připojovací body Al, A2: Je na ně přivedeno napětí - 2,5 V
Připojovací body Bl, B2: Řídicí napětí je přiloženo přes sériový odpor o velikosti 250 Ω.
S
Vysokofrekvenční uspořádáni:
Měření na čidlu destičky při frekvenci 58 GHz.
ío Měřil se vstupní výkon na vysokofrekvenčním vstupu 1, IN, výstupní výkon na vysokofrekvenčním výstupu 2, 02. Vysokofrekvenční výstup 9, Q1 byl uzavřen tlumicím členem 10 dB.
Obr. 6 uvádí použití spínače SPDT MMIC2 jako detektoru, V diagramu je znázorněno napětí Vdet detektoru v závislosti na měřeném výstupním výkonu Pout. Přitom platí:
Stejnosměrné zapojení a napájení napětím:
Připojovací body Al, A2: Přes sériový odpor 1 kQ je na ně přivedeno řídicí napětí 0 V. Připojovací body Bl, B2: Je na ně přivedeno 12 mA.
Vysokofrekvenční uspořádání:
Měření na čidlu destičky při 58 GHz,
Měřil se vstupní výkon na vysokofrekvenčním výstupu 9, Ol, výstupní výkon na vysokofrekvenčním vstupu 1, IN· Vysokofrekvenční výstup 2, 02 byl uzavřen tlumicím členem 10 dB.
Regulace vysílacího výkonu popsanými komponentami byla podle vynálezu vyvinuta pro vysílací/přijímací modul, jak je souhrnně ukázáno v blokovém schématu zapojení na obr. 1. V případě přijmu jsou oba spínače SPDT MM1C1 a SPDT MMIC2 použity jako spínače. Výkon LO (P1N_LO) a přijímaný výkon (PIN_RX) jsou zapojeny na směšovaČ, V případě vysílání funguje spínač SPDT MM1C1 jako regulovatelný tlumicí člen a spínač SPDT MM1C2 jako detektor výkonu. Regulační okruh výkonu je uzavřen analogovou elektronikou. Požadovanou hodnotou na elektronice se nastaví požadovaná výstupní úroveň. Obr. 7 znázorňuje výstupní výkon Pout měřený na spektrálním analyzátoru pro neregulovaný případ (maximální použitelný výkon) a pro regulovaný případ (Pout - 5 dBm = konst.).

Claims (4)

PATENTOVÉ NÁROKY
1. Způsob regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/přijímacího modulu pásma V při frekvenci v rozsahu 50 GHz a vyšším, při kterém se přepínání mezi vysílací a přijímací cestou provádí pomocí dvou jednopólových dvoupolohových vysílacích/přijímacích spínačů (SPDT MMIC1, SPDT MMIC2) a regulace výstupního výkonu na předem stanovené úrovni se provádí prostřednictvím elektroniky, vyznačující se tím, že vysílací/přijímací spínače (SPDT to MMIC1, SPDT MMIC2) jsou diodové spínače a v případě vysílání se první vysílací/přijímací spínač (SPDT MMIC1) použije pro regulování tlumení a druhý vysílací/přijímací spínač (SPDT
MMIC2) se použije pro detekci výstupního výkonu.
2. Vysílací/přijímací modul pro regulaci výkonu milimetrových vln pásma V při frekvenci v rozsahu 50 GHz a vyšším, obsahující vysílací cestu, přijímací cestu, dva jednopólové dvoupolohové vysílací/přijímací spínače (SPDT MMIC1, SPDT MMIC2), jakož i elektronické zařízení pro nastavení výstupního výkonu, pro provádění způsobu podle nároku 1, vyznačující se tím, že vysílací/přijímací spínače (SPDTMMIC1, SPDT MMIC2) jsou diodové spínače a elektronické zařízení pro nastavení výstupního výkonu je spojeno s těmito vysílacími/přijímací20 mi spínači (SPDT MMIC1, SPDT MMIC2), přičemž v případě vysílání je první vysílací/prijhnací spínač (SPDT MMIC1) použit pro regulování tlumení a druhý vysílací/přijímací spínač (SPDT MMIC2) je použit pro detekci výstupního výkonu.
3. Vysílací/přijímací modul podle nároku 2, vyznačující se tím, že vysílací/prijí25 mací spínač (SPDT MMIC 1, SPDT MMIC2) obsahuje dvě větve (IN-O1, IN-O2) zapojení, přičemž při spínacím provozuje vstupní výkon na vysokofrekvenčním vstupu (1, IN) volitelně přepínatelný na vysokofrekvenční výstup (9, 2) v odpovídající větvi (ÍN-O1, IN-O2) zapojení, a že při provozu jako regulovatelný tlumicí člen je jeden vysokofrekvenční výstup (2, 9) bezodrazově uzavřen a mezi vysokofrekvenčním vstupem (1, IN) a druhým vysokofrekvenčním výstu30 pem (9, 2) je prostřednictvím napájecího napětí nastavitelné proměnné tlumení.
4. Vysílací/přijímací modul podle nároku 2, vyznačující se tím, žeu vysílacího/přijímacího spínače (SPDT MMIC1, SPDT MMIC2), obsahujícího dvě větve (IN-O1, IN-O2) zapojení, jsou v každé větvi (1N-O1, IN-O2) zapojení mezi vysokofrekvenčním vstupem (1, IN) a kostrou (8, 3) zapojeny vždy dva paralelně zapojené páry diod (6, 7, 4, 5), a že při provozu jako výkonový detektor je jedna větev (IN-O1, IN-O2) zapojení zablokována a druhá větev (ΓΝ-Ο2, ΓΝ-Ο1) zapojení je zapojena s předpětím 0 V pro průchod, že vysokofrekvenční výkon protékající druhou větví (IN-O1, IN-O2) zapojení je na diodách (4, 5, 6, 7) usměrňován a měřitelné stejnosměrné napětí je měřítkem protékajícího výkonu.
výkresy 45
-5L/. JUU10 BO
SPDTMMIC1 I SP3TMMIC2
Žádaná hodnota
CZ20031536A 2000-12-04 2001-11-09 Zpusob regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/prijímacího modulu a vysílací/prijímací modul CZ301316B6 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10060332A DE10060332B4 (de) 2000-12-04 2000-12-04 Verfahren und Vorrichtung zur Millimeterwellen-Leistungsregelung bei einem V-Band-TR-Modul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ20031536A3 CZ20031536A3 (cs) 2004-03-17
CZ301316B6 true CZ301316B6 (cs) 2010-01-13

Family

ID=7665809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20031536A CZ301316B6 (cs) 2000-12-04 2001-11-09 Zpusob regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/prijímacího modulu a vysílací/prijímací modul

Country Status (18)

Country Link
US (1) US7012478B2 (cs)
EP (1) EP1342313B1 (cs)
JP (1) JP3822169B2 (cs)
KR (1) KR100779339B1 (cs)
CN (1) CN1227770C (cs)
AT (1) ATE458300T1 (cs)
AU (2) AU2155402A (cs)
BR (1) BR0115869A (cs)
CA (1) CA2430326C (cs)
CZ (1) CZ301316B6 (cs)
DE (2) DE10060332B4 (cs)
ES (1) ES2338406T3 (cs)
HK (1) HK1060442A1 (cs)
HU (1) HUP0302941A2 (cs)
IL (2) IL156147A0 (cs)
NO (1) NO326707B1 (cs)
PL (1) PL205863B1 (cs)
WO (1) WO2002047245A2 (cs)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI338970B (en) * 2007-11-02 2011-03-11 Univ Nat Taiwan Single-pole-double-throw switch integrated with bandpass filtering function
KR101301816B1 (ko) * 2010-03-25 2013-08-29 한국전자통신연구원 증폭기 스위치로 동작하는 다기능 mmic
CN111835372B (zh) * 2019-04-18 2023-06-30 北京小米移动软件有限公司 一种射频电路及无线通信设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4837530A (en) * 1987-12-11 1989-06-06 Hewlett-Packard Company Wideband (DC-50 GHz) MMIC FET variable matched attenuator
US4843354A (en) * 1987-12-28 1989-06-27 Motorola, Inc. Broad band microwave biasing networks suitable for being provided in monolithic integrated circuit form
US5878331A (en) * 1996-01-22 1999-03-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Integrated circuit

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3678414A (en) * 1970-10-19 1972-07-18 Collins Radio Co Microstrip diode high isolation switch
US5103195A (en) * 1989-10-13 1992-04-07 Hewlett-Packard Company Hybrid gaas mmic fet-pin diode switch
JPH05103195A (ja) * 1991-10-04 1993-04-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像入力装置
JP3362931B2 (ja) * 1993-09-30 2003-01-07 ソニー株式会社 アツテネータ回路
JP3198808B2 (ja) * 1994-06-30 2001-08-13 株式会社村田製作所 高周波スイッチ
US5777530A (en) * 1996-01-31 1998-07-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Switch attenuator
US5990580A (en) * 1998-03-05 1999-11-23 The Whitaker Corporation Single pole double throw switch
US6801108B2 (en) * 2001-12-14 2004-10-05 Taiwan University Millimeter-wave passive FET switch using impedance transformation networks

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4837530A (en) * 1987-12-11 1989-06-06 Hewlett-Packard Company Wideband (DC-50 GHz) MMIC FET variable matched attenuator
US4843354A (en) * 1987-12-28 1989-06-27 Motorola, Inc. Broad band microwave biasing networks suitable for being provided in monolithic integrated circuit form
US5878331A (en) * 1996-01-22 1999-03-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Integrated circuit

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SCHINDLER M J; MORRIS A: DC-40 GHZ AND 20-40 GHZ MMIC SPDT SWITCHES; XP000048066 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004515185A (ja) 2004-05-20
ATE458300T1 (de) 2010-03-15
JP3822169B2 (ja) 2006-09-13
CZ20031536A3 (cs) 2004-03-17
WO2002047245A3 (de) 2003-02-27
DE10060332A1 (de) 2002-07-11
IL156147A0 (en) 2003-12-23
KR100779339B1 (ko) 2007-11-23
DE10060332B4 (de) 2005-02-24
CA2430326C (en) 2009-07-28
PL362025A1 (en) 2004-10-18
EP1342313A2 (de) 2003-09-10
CN1227770C (zh) 2005-11-16
ES2338406T3 (es) 2010-05-07
CN1471745A (zh) 2004-01-28
AU2002221554B2 (en) 2006-02-23
US20040110476A1 (en) 2004-06-10
US7012478B2 (en) 2006-03-14
HK1060442A1 (en) 2004-08-06
WO2002047245A2 (de) 2002-06-13
EP1342313B1 (de) 2010-02-17
NO20032468L (no) 2003-05-30
CA2430326A1 (en) 2002-06-13
IL156147A (en) 2008-06-05
BR0115869A (pt) 2004-01-20
DE50115353D1 (de) 2010-04-01
NO20032468D0 (no) 2003-05-30
PL205863B1 (pl) 2010-06-30
AU2155402A (en) 2002-06-18
NO326707B1 (no) 2009-02-02
KR20030061389A (ko) 2003-07-18
HUP0302941A2 (en) 2003-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ku et al. 6-bit CMOS digital attenuators with low phase variations for $ X $-band phased-array systems
US9866260B2 (en) System and method for a directional coupler module
US5392464A (en) Directional detector for power level control
US5911116A (en) Transmitting-receiving switch-over device complete with semiconductors
US7831219B2 (en) Matching network
US6734729B1 (en) Closed loop power amplifier control
US20130072134A1 (en) Attenuating antenna switch and communication device
HUE029405T2 (en) Variable output performance for battery level gauges
EP0925534B1 (en) Compensation network for pinch off sensitive circuits
CZ301316B6 (cs) Zpusob regulace výkonu milimetrových vln vysílacího/prijímacího modulu a vysílací/prijímací modul
JP6472225B2 (ja) 無線マイクのアンテナシステム
Seo et al. High-powered RF SOI switch with fast switching time for TDD mobile applications
Ingram et al. Q-band high isolation GaAs HEMT switches
EP1739827B1 (en) Radio frequency receiver including a limiter and related methods
US8086201B2 (en) Diversity receiving device
Bangar et al. Design of Monolithic 5–18 GHz Digital Attenuator with Low Attenuation and Phase Error
US5039960A (en) Wideband feedforward gallium arsenide AGC circuit
Suckling et al. The Performance of GaAs Lumped Element Phase Shifters at S and C Band
JPH10126176A (ja) 伝送回路装置
Diciomma et al. 8W 2–8GHz solid state amplifier for phased array
Goyal et al. Design and Development of an S-band 6 bit MMIC Attenuator with Low Insertion Loss
KR19990080428A (ko) 디지털 제어 가변 감쇠기
WO2002097983A1 (en) Power varying circuit, radio transmitter, radio terminal and method for varying the power of signals

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20131109