NO318404B1 - Vertikal-integrert sensor - Google Patents

Vertikal-integrert sensor Download PDF

Info

Publication number
NO318404B1
NO318404B1 NO19963100A NO963100A NO318404B1 NO 318404 B1 NO318404 B1 NO 318404B1 NO 19963100 A NO19963100 A NO 19963100A NO 963100 A NO963100 A NO 963100A NO 318404 B1 NO318404 B1 NO 318404B1
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
substrate
main surface
transducer
cavity
electronic device
Prior art date
Application number
NO19963100A
Other languages
English (en)
Other versions
NO963100D0 (no
NO963100L (no
Inventor
K Sooriakumar
David J Monk
Wendy K Chan
Kenneth G Goldman
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of NO963100D0 publication Critical patent/NO963100D0/no
Publication of NO963100L publication Critical patent/NO963100L/no
Publication of NO318404B1 publication Critical patent/NO318404B1/no

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061—Electrical connection means
    • G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/142—Multiple part housings
    • G01L19/143—Two part housings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13062—Junction field-effect transistor [JFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Description

Foreliggende oppfinnelse angår generelt halvledersensorer, og mer spesielt en vertikalt, integrert sensor, samt framgangsmåte for framstilling av samme, i samsvar med den innledende delen av de selvstendige krav.
Halvledersensorer, inkludert silisiumbaserte trykksensororganer, er godt kjent og er anvendt for eksempel i bil-, industri- og biomedisinske applikasjoner. En betydelig an-tall applikasjoner er viktig der trykksensororganer er utsatt for hardt miljø. Slike miljø inkluderer løsningsblandinger (f. eks. brennstoff), vann, saltvann, syrer og baser. Bruk-ere har funnet at standard trykksensororganer svikter i slike miljø. For eksempel kan løsninger medføre svelling og/eller oppløsning av polymeriske emballasjer; saltvann, syrer eller baser kan korrodere metallflater; og vann, syrer og baser kan etse silisiumflater.
Produsenter har anvendt flere metoder i forsøk på å oppnå forenlighet mellom media. I en metode er gel av fluorsilisium brukt for å beskytte sensoren, ledningstråd, deler av emballasjen og tilkoplinger. Gel av fluorsilisium har flere ulemper inkludert en uforenlighet med brennstoff (f. eks. svelling).
I andre tilnærmelser anvender produsentene organiske belegg (f. eks. parylen) for å beskytte de overflater av sensoren som er utsatt for agressive media. De organiske beleggene er anvendt enten alene eller sammen med gel av fluorsilisium. Organiske belegg har flere ulemper, inkludert dårlig prosessomsetning (dvs. lav enhet pr. time), negative effekter på elektriske parametre, og delaminering, som kan føre til korrosjons-feil. I tillegg er kompliserte teknikker for klebefremrning nødvendig for å forhindre de organiske beleggene fra å delamineres, noe som kommer i tillegg til prosessens syklustid og kostnad.
I en ytterligere metode er den bakre side, eller den siden som ikke inneholder noen elektroniske kretser, den eneste siden som er utsatt for de agressive media. Dette er passelig for differensielt-trykk sensorer med de agressive media bare på baksiden av membranen, men ikke for absolutt-trykk sensorer, hvis ikke en toppsidebegrensning er brukt. Med denne metoden blir et begrensningssubstrat tilkoplet sensoren for å gi et hermetisk lukket kammer der nedre side av sensoren er utsatt for agressive media. En ulempe ved denne framgangsmåten er at med en gang begrensningssubstratet er tilkoplet sensoren er lasertrimming av motstandene på sensoren ikke praktisk.
Patentpublikasjonen US 4.023.562 viser en sensoranordning for absolutt trykk, som anvender en dekselanordning som hermetisk tetter mot sensoranordningen for å fremskaffe en referanse for det absolutte trykket. Trykksensoranordningen omfatter en halvlederbasert strekkspenningsmåler i form av en vanlig piezomotstandsbro. Anordningen omfatter ikke signalprosessering.
Den europeiske patentpublikasjonen EP 0543430 viser en trykksensor som anvender en dobbeltsidig substrat og som har et sensorelement for kritisk trykk på den ene siden av substratet og motstander som kan lasertrimmes på den andre siden.
Det er derfor et formål med foreliggende oppfinnelse å framskaffe mediekompatible sensorstrukturer og framgangsmåter for å avhjelpe ulempene ved kjent teknikk. Det vil være en ytterligere fordel å ha kosteffektive strukturer som anvender utprøvde prosess-eringsteknikker.
I det følgende skal oppfinnelsen forklares nærmere ved hjelp av eksempel på utførelse og med referanse til vedlagte tegninger, der
fig. 1 viser et forstørret tverrsnitt av en struktur fra kjent teknikk,
fig. 2 viser et forstørret tverrsnitt av en annen struktur fra kjent teknikk,
fig. 3 viser et forstørret tverrsnitt av en vertikalt integrert sensorstruktur i samsvar med foreliggende oppfinnelse,
fig. 4 viser et forstørret tverrsnitt av et hettesubstrat i samsvar med foreliggende oppfinnelse, og
fig. 5 viser et forstørret tverrsnitt av en del av en annen vertikalt integrert sensorstruktur i samsvar med foreliggende oppfinnelse.
Generelt angår foreliggende oppfinnelse en media-kompatibel vertikalt integrert sensor. Spesielt omfatter den vertikalt integrerte sensoren et basesubstrat som har en transducer og en membran for måling av miljøtilstand og et hettesubstrat tilkoplet basesubstratet. Hettesubstratet har elektroniske organ (f. eks. passive organ og/eller aktive organ) formet på ei overflate og er koplet for å motta et utgangssignal fra transduceren. De elektroniske organene omfatter bl. a. signalforsterkning, signalbehandling, temperaturkompensasjon, spennviddekompensasjon, datalagring, dataprosessering, belastningskontroll, eller kombinasjoner av dette.
Fig. 1 viser et eksempel på en absolutt-trykk sensor fra kjent teknikk. En sensor 10 omfatter en emballasje 11 og et trykksensororgan 12 festet til emballasjen 11 ved et bindelag 13. Sensoren 10 omfatter videre tilkoplinger 16 integrert med emballasjen 11, en ledningstråd 17 kopler trykksensororganet 12 til en av tilkoplingene 16, lokk 18 tilknyttet emballasjen 11 og beskyttende belegg 19 (f. eks. gel av fluorsilisium) dekker trykksensororganet 12, ledningstråd 17 og en del av tilkoplingene 16. Lokket 18 inkluderer et hull eller åpning 21 som gir en åpning som utsetter trykksensororganet 12 for omgivelsestilstanden (generelt representert ved pil 22).
Trykksensororgan 12 omfatter et halvlederstykke 26 og et begrensningsstykke 27. Halvlederstykket 26 omfatter et hulrom 28 og er tilkoplet under vakuumforhold til begrensningsstykket ved bruk f. eks. av et glasslag 14 for å framskaffe en nulltrykk-referanse. Halvlederstykket 26 omfatter videre en membran 29, en transducer 31 og et elektronisk organ 32. Transduceren 31 omfatter for eksempel et piezoelektrisk element som gir et utgangssignal når trykk tilføres til øvre overflate av membranen 29. Transduceren 31 er koplet til elektronisk organ 32 for å framskaffe for eksempel signalbehandling og/eller signalforsterkning. Elektronisk organ 32 inkluderer typisk justerbare motstandselementer (f.eks. trimbare motstander) som er justert ved pakningsstadiet (f.eks. ved bruk av lasertrimming) for å framskaffe et trykksensororgan som har elektriske parametre med en ønsket spesifikasjon.
Trykksensorstrukturen 10 har flere ulemper når den utsettes for røffe omgivelser, så som brennstoff. For eksempel er beskyttende lag 19 typisk inkompatibel med brennstoff (dvs. beskyttende lag 19 tenderer til å svelle i nærvær av brennstoff). Når det beskyttende laget 19 senere trekker seg sammen vil det tendere mot å trekke seg sammen mer enn sitt initielle volum og dermed blottlegge ledningtråder 17 og/eller trykksensororganet 12. Når de ubehagelige substansene når ledningtrådene 17 og trykksensororganet 12, vil bl.a. korrosjon finne sted og medføre pålitelighetsproblemer.
Fig. 2 viser et forstørret tverrsnitt av en annen kjent absolutt-trykk-sensor. Sensorstrukturen 40 omfatter et trykksensororgan 41 tilkoplet en pakning 42. Pakningen 42 har en åpning 43 for å utsette trykksensororgan 41 for en trykktilstand som skal måles som generelt representert ved pil 44. Trykksensororgan 41 inkluderer en membran 46 og en transducer 47 som gir et utgangssignal når trykksensorstrukturen 40 er utsatt for trykktilstanden. Ledningstråder 52 kopler trykksensororganet 41 til tilkoplinger 53.
Et begrensningsstykke 49 er tilkoplet under vakuumtilstand til den øvre overflata av trykksensororganet 41 til dannelse av et vakuumhulrom 51, som gir en nulltrykk-referanse. Begrensningsstykket 49 er tilkoplet trykksensororganet 41 ved bruk av bindelag 57, som typisk omfatter et glass (f.eks. borsilikat-glass).
Sensorstrukturen 40 har en fordel over sensorstrukturen 10 ved at transduceren 47 og ledningstråder 52 er isolert fra aggressive media (dvs. bare den nedre siden av trykksensororganet 41 er utsatt for aggressive gjennom åpningen 43). Imidlertid har sensorstrukturen 40 en ulempe, da begrensningsstykket 49 kompliserer integreringen av signalprosessering- og/eller forsterkningskretser på trykksensororganet 41.
Begrensningsstykket 49 forhindrer en produsent fra å kalibrere organer ved bruk av integrerte trimbare motstander som følger pakkingen av trykksensororganet 41. Dette skyldes at motstandene ikke kan trimmes gjennom begrensningsstykke 49. Begrensningsstykket 49 er tilkoplet trykksensororganet 41 mens begge er i skiveform på grunn av framstillingsbegrensninger. Motstandstrimming finner sted på pakningsstadiet mens trykksensororganet er utsatt for forskjellige temperaturer og trykktilstander for å kalibrere for variasjoner både ved fabrikasjon og montasje. Med andre ord er trimming ikke så effektivt for komplett organkalibrering dersom den finner sted på skivestadiet før begrensningsstykket 49 er tilkoplet trykksensororgan 41.
Produsenter kommer forbi dette problemet ved å kople en andre integrert krets enten eksternt til sensorstrukturen 40 eller i nærheten av trykksensororganet 41 (dvs. i en side-ved-side konfigurasjon) i en større pakke for å framskaffe ønsket signalbehandling og/eller signalforsterkning. Disse framgangsmåtene har flere ulemper som omfatter et større totalt organ forspor (som gjør pakningen for stor for mange anvendelser), et tillagt substrat (dvs. en absolutt-trykk-sensoranordning krever et tredje substrat), ytterligere monstasjekostnad, og et avvik fra en industritrend med integrasjon.
Fig. 3 viser et forstørret tverrsnitt av en utførelse av en mediakompatibel vertikalt integrert trykksensorstruktur i samsvar med foreliggende oppfinnelse. Utførelsen vist i fig. 3 er en utførelse av en absolutt-trykk-sensor. Tyrkksensorstrukturer eller sensorstruktur 60 omfatter en pakning eller brikkebærerstruktur 61, sensororgan 62, et lokk eller deksel 63, ledende tilkoplinger 66 (bare én tilkopling er vist), og ledningstråder 67 og 68. Sensororganet 62 omfatter et basesubstrat eller del 71 og et hettesubstrat eller del 72 koplet til hovedflate 73 av basesubstratet 71.
Basesubstratet 71 omfatter et halvledermateriale (f.eks. sillisium, galliumarsenid, eller liknende) og inkluderer et hulrom 76 som strekker seg fra ei hovedflate 74. Hulromrnet 76 avsluttes til dannelse av en membran 77. Teknikker for dannelse av hulrom 76 er godt kjent. Hulromrnet 76 er vist med skrå sidevegger. Hulromrnet 76 har eventuelt rette sidevegger, som muliggjør et mindre basesubstrat 71. Teknikker for dannelse av rette sidevegger er godt kjent.
Basesubstratet 71 inkluderer videre en transducer 78 (f.eks. et piezo-resistivt element) som er dannet på og strekker seg fra hovedflata 73. Ledende lag 79 (bare ett ledende lag er vist) kopler transduceren 78 til ledningsputer 81 (bare én ledningspute er vist). Ledende lag 79 omfatter et metall, en metallnitrid, tungt dopet silisium, en silisiumforbindelse, et dopet polykrystallinsk halvledermateriale (f.eks. dopet poly-silisium), kombinasjoner av dette eller liknende.
Hettesubstrat 72 omfatter et halvledermateriale (silisium, galliumarsenid eller liknende), en halvleder-på-isolator (SOI), eller liknende og inkluderer ei hovedflate 83 og ei hovedflate 84. Hettesubstrat 72 kan eventuelt inkludere en forsenkning 91 (vist i fig. 4) som strekker seg fra hovedflata 83. Forsenkningen 91 strekker seg fra hovedflata 83 til en avstand på omtrent 10 til 200 mikron. Forsenkningen 91 er formet ved bruk av godt kjente teknikker. Fortrinnsvis er forsenknigen 91 dannet ved slutten av skivebehandlingen (dvs. etter at elektroniske organer har blitt fonnet på hettesubstrat 72) med et beskyttende lag formet over hovedflata 84 til beskyttelse av de elektroniske organene mens forsenkningen 91 er formet. Lavtemperatur uorganiske filmer så som plasma-avstatte filmer av silisiumnitrid er anvendelige. Eventuelt har hettesubstrat 72 ikke en forsenkning (denne alternative utførelsen er vist i fig. 5).
Hettesubstrat 72 omfatter videre elektroniske organer eller integrerte kretsorganer 92 som er formet på og/eller strekker seg fra hovedflata 84. Elektroniske organ 92 inkluderer passive og aktive komponenter integrert for å framskaffe bl.a. signalbehandling, temperaturkompensering, spermviddekompensering, signalforsterkning, datalagring, dataprosessering, belastningskontroll, og/eller kombinasjoner av dette. For eksempel inkluderer elektroniske organ 92 kondensatorer, tynnfilm-motstander (f.eks. justerbare kondensatorer eller resistive elementer), diffunderte motstander, dioder, CMOS og bipolære logiske organ eller kombinasjoner av dette, isolert gate felteffekt transistorer (IGFET) forsterkere og/eller bryterorgan, bipolare transistorforsterkere og/eller bryterorgan, JFET-organ, og/eller liknende.
Kretskonstruksjoner for integrerte sensorer som inkorporerer de ovenfor nevnte organ er godt kjent i teknikken. Eksempler er vist i L. Ristic, red. "Sensor Technology and Devices", Artech House (1994), "Sensor Device Data", Motorola Inc., tredje utgave, 1995, US-patentskrift 5 132 559, "MOS Integrated Silicon Pressure Sensor", IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-32, no. 7, side 1191-1195, Juli 1985. Teknikker for dannelse av elektroniske organ 92 er godt kjent og inkluderer oksidasjon, avsetning, ioneimpantering, diffusjon, fotolitografi, etsing og metalliseringsteknikker.
En del av hovedflata 83 er tilkoplet hovedflata 73 ved bruk av et forbindelseslag 87. Forbindelseslaget 87 omfatter en anodisk forbindelseslag, et eutektisk forbindelseslag (f.eks. gull/tinn), et glassmasse forbindelseslag, eller liknende. Fortrinnsvis omfatter forbindelseslaget 87 et glassmassemateriale så som et lavt smeltepunkt (omtrent 450 °C til 550 °C) uorganisk oksidglass (f.eks. en blanding av bly borsilikat, bly tintanat og/eller bly vanatat). Slike glass er tilgjengelig fra Ferro, Santa Barbara, California (f.eks. FerroFXll-10).
For å forbinde hovedflate 83 til hovedflate 73 er glassmassen tilført for eksempel til hovedflate 83 i form av en pasta som omfatter en blanding av glassmasse og et organisk bindemiddel. Denne glasspastaen avsettes ved bruk av en konvensjonell silketrykk-prosess. Eventuelt blir glasspastaen avstått på hovedflata 73. En glasstykkelse på omtrent 20 mikron er passelig. Etter silketrykktrinnet tillates hettesubstratet 72 å tørke, deretter brennes det ved høy temperatur for å brenne av det organiske bindemidlet og sintrere pulverglasset.
Deretter blir hovedflata 83 og hovedflata 73 tilpasset og plassert i tett kontakt med hverandre. Montasjen blir så oppvarmet under vakuum til en temperatur som over-skrider mykningspunktet til glasset, noe som forbinder hovedflata 83 til hovedflata 73. Utstyr så som en glassmasse-binder er passelig for å føye hettesubstrat 72 til basesubstrat 71. Slikt utstyr er tilgjengelig fra Electronic Visions Co., St. Florian, Østerrike.
Typisk, med et lav emaljering pulverglass, har prosesstemperaturer under omtrent 490 °C blitt brukt for å unngå aluminium/silisium aksdannelse og/eller ødeleggelse av transducer 78 og elektronisk organ 92. Når sammenbindingen er ferdig er et hermetisk tett hulrom eller kammer 96 anordnet, som fungerer som nulltrykk-referanse når mem branen 77 er utsatt for en miljøpåvirkning som generelt er representert ved pil 97 gjennom åpning eller trykkport 98.
Fortrinnsvis er hettesubstratet 72 bundet til basesubstratet 71 når begge er i skiveform. Dvs. ei skive som inneholder mange hettesubstrater 72 er bundet til ei skive som inneholder mange basesubstrater 71 før hver av skivene splittes opp i individuelle brikker. Eventuelt kan skiva som inneholder mange hettesubstrater 71 og skiva som inneholder mange basesubstrater 72 først deles opp og så blir individuelle hettesubstrater 72 bundet til individuelle basesubstrater 71.
Fortrinnsvis inkluderer hettesubstratet 72 en faset kant 101 for bedre å gi plass for ledningstråder 68, som elektrisk kopler basesubstratet 71 til hettesubstratet 72. Ledningstråder 67 og 68 er fortrinnsvis av gull eller aluminium. Selv om bare en hver av ledningstrådene 67 og 68 er vist i fig. 3, skal det forstås at flere ledningstråder er brukt for å kople sammen hettesubstrat 72 til basesubstrat 71, basesubstrat 71 til tilkoplinger 66 og/eller hettesubstrat 72 til tilkoplinger 66. Andre teknikker kan brukes for å kople elektrisk basesubstratet 71 til hettesubstratet 72, inkludert skjult kontakt, diffunderte kontakter, ledende klips og/eller kombinasjoner av disse.
Hovedflata 84 inkluderer ledningsputer 102 (bare en er vist) for kopling av ledningstråder 68 til hettesubstrat 72. Elektroniske organ 92 er koplet til ledningsputer 102 ved bruk av konvensjonelle ledende linjer (ikke vist). Ytterligere ledningsputer 102 og ledningstråder 68 (ikke vist) er brukt for elektrisk kopling av utgangssignaler fra elektroniske organ 92 til tilkoplinger 66.
Fig. 4 viser et forstørret tverrsnitt av et hettesubstrat 72 som illustrerer en foretrukket framgangsmåte for dannelse av en avfaset kant 101. Først, mens hettesubstratet 72 er i skiveform og ennå ikke forbundet til basesubstratet 71, blir et beskyttende lag 103 dannet på hovedflata 84 av hettesubstratet 72 og på skivedelen 104, som er i nærheten av hettesubstratet 72 mens hettesubstratet 72 er i skiveform. Typisk omfatter det beskyttende laget 103 et materiale som ikke etser mens materialet mellom skivedelen 104 og hettesubstratet 72 etses. Fortrinnsvis omfatter beskyttende lag 103 et dielektrisk lag så som silisiumnitrid eller en silisiumoksid. Etter at beskyttende lag 103 er formet blir åpningen 106 etset. Når hettesubstratet 72 omfatter silisium blir åpningen 106 etset ved bruk av konvensjonelle etseteknikker (f.eks. kaliumhydroksid (KOH), tetrametyl ammoniumhydroksid (TMAH) eller tørr-etseteknikker (f.eks. dypreaktive ione-etsings-teknikker)). Slike teknikker er godt kjent.
Med referanse tilbake til fig. 3, er sensororganet 62 tilkoplet brikkebærer 61 ved bruk av et forbindelseslag 107 slik at hovedflata 74 er over eller i avstand i forhold til åpninger 98. Forbindelseslaget 107 omfatter for eksempel et blyglass, eutektisk gull/ silisium, et bly/tinn loddemiddel, en epoksy, et elastomerisk festemiddel (f.eks. dimetyl-silisium eller fluorsilisium), eller liknende. Når sensororganet 62 er forbundet med brikkebæreren 61, blir justerbare motstander som befinner seg på hettesubstratet 72 justert ved bruk av for eksempel godt kjente lasertrimmeteknikker, mens sensorstrukturen 60 utsettes for forskjellige temperatur og trykktilstander.
Eventuelt kan sensorstrukturen 60 inkludere et lag av beskyttende gel 108 (f.eks. fluorsilisium eller liknende) for å beskytte organet fra for eksempel fuktighet. Beskyttende gel 108 er ikke utsatt for aggressive media som i sensorstrukturen 10, da utsettelse for media skjer gjennom åpninger 98 med bare hovedflata eksponert mot media. Dermed er svelling og korrosjonsproblemene som er diskutert ovenfor unngått. I en alternativ utførelse blir hovedflata 74 belagt med en diffusjonsfilm så som silisiumnitrid, silisiumoksid, parylen eller liknende for ytterligere å forsterke mediekompatibiliteten.
Fig. 5 viser et forstørret tverrsnitt av en del av en annen utførelse av en mediekompatibel vertikalt integrert trykksensorstruktur i samsvar med foreliggende oppfinnelse. Sensorstrukturen 160 er lik sensorstrukturen 60, bortsett fra at hettesubstratet 172 ikke har et hulrom. Videre har hettesubstratet 172 flere avfasete kanter 201 og 202, som for eksempel er formet ved etsing fra begge sider av hettesubstrat 172 i stedet fra en side som vist i fig. 4.1 tillegg inkluderer sensorstruktur 160 et beskyttende lag 11 på en av de ledende lagene 79.
I sensorstrukturen 160 virker forbindelseslaget 87 som en avvisning for å beskytte et vakuumhulrom eller kammer 196. Fortrinnsvis er forbindelseslaget 87 anordnet en avstand 112 fra kanten 113 av membranen 77 som er større enn omtrent 50 mikron til omtrent 250 mikron, slik at forbindelseslaget 87 ikke påvirker funksjonalliteten til membranen 77 og transduceren 78.
Sensorstrukturer 60 og 160 har flere vesentlige fordeler over den kjente teknikken. For det første er forbedret mediekompabilitet framskaffet på grunn av at bare nedre overflate (dvs. hovedflata 74) eller ikke-aktive side av basesubstratet 71 er utsatt for røffe omgivelser. Dvs. transduceren, de elektroniske komponentene, ledningstilkop-linger og ledere er isolert fra de røffe omgivelsene. Videre, ved å plassere de elektroniske komponentene på hettesubstrat 72, justerbare resistive elementer kan trimmes ved et pakningsstadium for å framskaffe, blant annet, nøyaktig spennvidde og temperaturkompensering. I tillegg, ved å plassere de elektroniske komponeneten på hettesubstrat 72, vil den totale formstørrelsen og pakningsfotavtrykket bli redusert på grunn av ytre integrering og side-ved-side integrering er unngått. Dette gir et svært høyt nivå av integrering i en meget liten pakning. Videre er foreliggende oppfinnelse kostnads-effektiv på grunn av at den anvender eksisterende (dvs. vist seg pålitelig) prosesser-ingsteknikker.
Det skulle nå være åpenbart at mediekompatibel vertikalt integrert sensororgan har blitt framskaffet som har betydelige fordeler over kjent teknikk. Forskjellige andre like utførelser og modifikasjoner kan gjøres ved fagfolk på området uten å skille seg fra ånden og rekkevidden i oppfinnelsen som den er definert i vedlagte krav.

Claims (10)

1. Vertikalt integrert sensororgan,karakterisert vedå omfatte: et basesubstrat (71) som har en første hovedflate og en andre hovedflate motsatt første hovedflate, et hulrom (76) som strekker seg fra den andre hovedflata til dannelse av en membran, en transducer (78) formet på membranen, et hettesubstrat (72) som har ei tredje hovedflate og en fjerde hovedflate motsatt tredje hovedflate, idet tredje hovedflate er koplet til første hovedflate for å framskaffe et hermetisk forseglet kammer over transduceren, og et elektronisk organ (92) formet på fjerde hovedflate, idet det elektroniske organet er koplet til transduceren.
2. Anordning i samsvar med krav 1,karakterisert vedat det elektroniske organet (92) omfatter et aktivt organ.
3. Anordning i samsvar med krav 1,karakterisert vedat det elektroniske organet (92) omfatter et passivt organ.
4. Mediekompatibelt, vertikalt integrert sensororgan,karakterisert vedå omfatte: et første substrat (71) som har et første hulrom (76) som strekker seg fra ei første flate til dannelse av en membran, en transducer (78) fonnet på ei andre flate av første substrat, transduceren gir et utgangssignal når det første hulromrnet er utsatt for en miljøtilstand, et andre substrat (72) som har ei tredje flate og en fjerde flate motsatt tredje flate, idet tredje flate er koplet til andre flate slik at et forseglet kammer er dannet over membranen, et integrert kretsorgan (92) formet på den fjerde flata, idet den integrerte kretsen er koplet til første substrat for å motta utgangssignalet fra transduceren, og en brikkebærer (61) som har en trykkport (98), der første substrat er koplet til brikkebæreren slik at første hulrom er i avstand fra trykkporten.
5. Anordning i samsvar med krav 4,karakterisert vedvidere å omfatte et andre hulrom (91) formet i det andre substratet, idet det andre hulromrnet strekker seg fra den tredje overflata.
6. Anordning i samsvar med krav 4,karakterisert vedat det andre substratet (72) inkluderer en skråkant.
7. Framgangsmåte for forming av et vertikalt integrert sensororgan,karakterisert vedå omfatte følgende trinn: forme et første hulrom i et basesubstrat (71), idet basesubstratet (71) omfatter ei første hovedflate og ei andre hovedflate, der hulromrnet (76) strekker seg fra den andre hovedflata til dannelse av en membran, forme en transducer (78) på membranen, forme et elektronisk organ (92) på et hettesubstrat (72), der hettesubstratet (72) inkluderer ei tredje hovedflate og ei fjerde hovedflate, idet det elektroniske organet (92) er formet på fjerde hovedflate, kople hettesubstratet (72) til basesubstratet (71) for å framskaffe et hermetisk forseglet kammer over transduceren (78), kople basesubstratet (71) til en brikkebærer (61), idet brikkebæreren (61) inkluderer en åpning (98), og der det første hulromrnet er i avstand til åpningen (98), og kople transduceren (78) til det elektroniske organet (92).
8. Framgangsmåte i samsvar med krav 7,karakterisert vedat det elektroniske organet (92) som inkluderer forming av en justerbar motstand.
9. Framgangsmåte i samsvar med krav 8,karakterisert vedvidere å omfatte et trinn med justering av den justerbare motstanden etter trinnet med tilkopling av basesubstratet (71) til brikkebæreren (61).
10. Framgangsmåte i samsvar med krav 7,karakterisert vedå omfatte følgende trinn: dannelse av et andre hulrom (91) i hettesubstratet (72), og dannelse av en skråkant (101,201,202) på hettesubstratet (72) etter trinnet med forming av det elektroniske organet (92) og før trinnet med tilkopling av hettesubstratet (72) til basesubstratet (71).
NO19963100A 1995-09-05 1996-07-25 Vertikal-integrert sensor NO318404B1 (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US52342295A 1995-09-05 1995-09-05

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO963100D0 NO963100D0 (no) 1996-07-25
NO963100L NO963100L (no) 1997-03-06
NO318404B1 true NO318404B1 (no) 2005-03-14

Family

ID=24084933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO19963100A NO318404B1 (no) 1995-09-05 1996-07-25 Vertikal-integrert sensor

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5600071A (no)
EP (1) EP0762096B1 (no)
JP (1) JP3881409B2 (no)
DE (1) DE69605876T2 (no)
NO (1) NO318404B1 (no)

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998001731A1 (en) * 1996-07-10 1998-01-15 Honeywell Data Instruments, Inc. Pressure transducer with error compensation
US6140144A (en) * 1996-08-08 2000-10-31 Integrated Sensing Systems, Inc. Method for packaging microsensors
JPH10148591A (ja) * 1996-09-19 1998-06-02 Fuji Koki Corp 圧力検出装置
US5994161A (en) * 1997-09-03 1999-11-30 Motorola, Inc. Temperature coefficient of offset adjusted semiconductor device and method thereof
US6076409A (en) * 1997-12-22 2000-06-20 Rosemount Aerospace, Inc. Media compatible packages for pressure sensing devices
US6311561B1 (en) 1997-12-22 2001-11-06 Rosemount Aerospace Inc. Media compatible pressure sensor
US6331163B1 (en) 1998-01-08 2001-12-18 Microsense Cardiovascular Systems (1196) Ltd. Protective coating for bodily sensor
US6171972B1 (en) 1998-03-17 2001-01-09 Rosemount Aerospace Inc. Fracture-resistant micromachined devices
US20020003274A1 (en) * 1998-08-27 2002-01-10 Janusz Bryzek Piezoresistive sensor with epi-pocket isolation
US6006607A (en) * 1998-08-31 1999-12-28 Maxim Integrated Products, Inc. Piezoresistive pressure sensor with sculpted diaphragm
US6351996B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Maxim Integrated Products, Inc. Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
US6346742B1 (en) * 1998-11-12 2002-02-12 Maxim Integrated Products, Inc. Chip-scale packaged pressure sensor
US6229190B1 (en) * 1998-12-18 2001-05-08 Maxim Integrated Products, Inc. Compensated semiconductor pressure sensor
US6255728B1 (en) * 1999-01-15 2001-07-03 Maxim Integrated Products, Inc. Rigid encapsulation package for semiconductor devices
DE19929028A1 (de) * 1999-06-25 2000-12-28 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors
JP2001041838A (ja) * 1999-08-03 2001-02-16 Yamatake Corp 圧力センサおよびその製造方法
US6853067B1 (en) 1999-10-12 2005-02-08 Microassembly Technologies, Inc. Microelectromechanical systems using thermocompression bonding
US6453749B1 (en) * 1999-10-28 2002-09-24 Motorola, Inc. Physical sensor component
WO2001060736A2 (en) * 2000-02-18 2001-08-23 Motorola, Inc. Methods and apparatus for a vertically-integrated sensor structure
US6335224B1 (en) * 2000-05-16 2002-01-01 Sandia Corporation Protection of microelectronic devices during packaging
US20020096421A1 (en) * 2000-11-29 2002-07-25 Cohn Michael B. MEMS device with integral packaging
US6769319B2 (en) 2001-07-09 2004-08-03 Freescale Semiconductor, Inc. Component having a filter
EP1470405A1 (en) * 2002-01-30 2004-10-27 Honeywell International Inc. An absolute micromachined silicon pressure sensor with backside hermetic cover and method of making the same
JP3915586B2 (ja) * 2002-04-24 2007-05-16 株式会社デンソー 力学量検出装置の製造方法
EP1567302B8 (en) * 2002-11-21 2013-05-15 Hadco Santa Clara, Inc. Laser trimming of resistors
US7297896B2 (en) * 2002-11-21 2007-11-20 Hadco Santa Clara, Inc. Laser trimming of resistors
US6972391B2 (en) * 2002-11-21 2005-12-06 Hadco Santa Clara, Inc. Laser trimming of annular passive components
JP2004309212A (ja) 2003-04-03 2004-11-04 Denso Corp 圧力センサ及び吸気系圧力測定装置
JP4405208B2 (ja) * 2003-08-25 2010-01-27 株式会社ルネサステクノロジ 固体撮像装置の製造方法
US7026645B2 (en) * 2003-10-15 2006-04-11 Delphi Technologies, Inc. Leak detection method and micro-machined device assembly
US7255286B2 (en) * 2004-03-19 2007-08-14 Carleton Technologies, Inc. Temperature compensation valve
DE102004045854B4 (de) * 2004-09-20 2017-08-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung mehrerer Halbleitersensoren mit Halbleitersensorchips in Hohlraumgehäusen
WO2006061035A1 (de) * 2004-12-08 2006-06-15 Abb Patent Gmbh Differenzdruckmessumformereinheit
FR2881224B1 (fr) * 2005-01-21 2007-11-23 Auxitrol Sa Sa Ensemble de detection de la pression absolue d'un fluide
US7107854B1 (en) * 2005-03-10 2006-09-19 Motorola, Inc. Media isolated absolute pressure sensor
US7538401B2 (en) * 2005-05-03 2009-05-26 Rosemount Aerospace Inc. Transducer for use in harsh environments
US20070013014A1 (en) * 2005-05-03 2007-01-18 Shuwen Guo High temperature resistant solid state pressure sensor
US7628309B1 (en) * 2005-05-03 2009-12-08 Rosemount Aerospace Inc. Transient liquid phase eutectic bonding
US7692521B1 (en) 2005-05-12 2010-04-06 Microassembly Technologies, Inc. High force MEMS device
US7622782B2 (en) * 2005-08-24 2009-11-24 General Electric Company Pressure sensors and methods of making the same
US7671478B2 (en) * 2005-09-02 2010-03-02 Honeywell International Inc. Low height vertical sensor packaging
FR2897937B1 (fr) * 2006-02-24 2008-05-23 Commissariat Energie Atomique Capteur de pression a jauges resistives
DE102006043323A1 (de) * 2006-09-15 2008-03-27 Robert Bosch Gmbh Drucksensor für eine Seitenaufprallsensierung und Verfahren zur Ausbildung einer Oberfläche eines Schutzmaterials für einen Drucksensor
US8214007B2 (en) * 2006-11-01 2012-07-03 Welch Allyn, Inc. Body worn physiological sensor device having a disposable electrode module
US9205969B2 (en) * 2007-12-11 2015-12-08 Tokitae Llc Temperature-stabilized storage systems
US8887944B2 (en) 2007-12-11 2014-11-18 Tokitae Llc Temperature-stabilized storage systems configured for storage and stabilization of modular units
US8069680B2 (en) 2007-12-11 2011-12-06 Tokitae Llc Methods of manufacturing temperature-stabilized storage containers
US9174791B2 (en) * 2007-12-11 2015-11-03 Tokitae Llc Temperature-stabilized storage systems
US8215835B2 (en) 2007-12-11 2012-07-10 Tokitae Llc Temperature-stabilized medicinal storage systems
US9140476B2 (en) 2007-12-11 2015-09-22 Tokitae Llc Temperature-controlled storage systems
US8377030B2 (en) * 2007-12-11 2013-02-19 Tokitae Llc Temperature-stabilized storage containers for medicinals
US20090145912A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-11 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Temperature-stabilized storage containers
US9139351B2 (en) * 2007-12-11 2015-09-22 Tokitae Llc Temperature-stabilized storage systems with flexible connectors
US8215518B2 (en) * 2007-12-11 2012-07-10 Tokitae Llc Temperature-stabilized storage containers with directed access
US8297125B2 (en) * 2008-05-23 2012-10-30 Honeywell International Inc. Media isolated differential pressure sensor with cap
US8230745B2 (en) * 2008-11-19 2012-07-31 Honeywell International Inc. Wet/wet differential pressure sensor based on microelectronic packaging process
DE102009000058A1 (de) * 2009-01-07 2010-07-08 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
US8124953B2 (en) * 2009-03-12 2012-02-28 Infineon Technologies Ag Sensor device having a porous structure element
US9447995B2 (en) 2010-02-08 2016-09-20 Tokitac LLC Temperature-stabilized storage systems with integral regulated cooling
US9372016B2 (en) 2013-05-31 2016-06-21 Tokitae Llc Temperature-stabilized storage systems with regulated cooling
CN102870230B (zh) * 2010-04-27 2016-04-20 费罗公司 用于气密密封导电馈通的方法
US8384168B2 (en) * 2011-04-21 2013-02-26 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor device with sealing structure
US9700222B2 (en) 2011-12-02 2017-07-11 Lumiradx Uk Ltd Health-monitor patch
US9734304B2 (en) 2011-12-02 2017-08-15 Lumiradx Uk Ltd Versatile sensors with data fusion functionality
DE102012102021A1 (de) 2012-03-09 2013-09-12 Epcos Ag Mikromechanisches Messelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Messelements
ITTO20120542A1 (it) 2012-06-20 2013-12-21 St Microelectronics Srl Dispositivo microelettromeccanico con instradamento dei segnali attraverso un cappuccio protettivo e metodo per controllare un dispositivo microelettromeccanico
US9146170B2 (en) * 2012-07-31 2015-09-29 Freescale Semiconductor, Inc. Capacitive pressure sensor in an overmolded package
DE102013200242A1 (de) 2013-01-10 2014-07-10 Robert Bosch Gmbh Piezoelektrisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Bauteils
US9170053B2 (en) 2013-03-29 2015-10-27 Tokitae Llc Temperature-controlled portable cooling units
US9657982B2 (en) 2013-03-29 2017-05-23 Tokitae Llc Temperature-controlled medicinal storage devices
US11105556B2 (en) 2013-03-29 2021-08-31 Tokitae, LLC Temperature-controlled portable cooling units
US10941971B2 (en) 2013-03-29 2021-03-09 Tokitae Llc Temperature-controlled portable cooling units
FR3007520A1 (fr) 2013-06-25 2014-12-26 St Microelectronics Crolles 2 Procede de determination d'un champ de contraintes tridimensionnelles d'un objet, en particulier une structure integree, et systeme correspondant
US9645023B2 (en) * 2014-08-26 2017-05-09 Shenzhen New Degree Technology Co., Ltd. Discrete pressure sensor with cantilevered force centralizers
GB2539630A (en) * 2015-04-09 2016-12-28 Continental automotive systems inc 3D stacked piezoresistive pressure sensor
GB2542332A (en) * 2015-06-29 2017-03-22 Continental automotive systems inc Pressure sensor device with a MEMS piezoresistive element attached to an in-circuit ceramic board
DE102015226642A1 (de) * 2015-12-23 2017-06-29 Robert Bosch Gmbh Sensor zur Erfassung eines Drucks eines fluiden Mediums
US11047756B2 (en) 2016-03-09 2021-06-29 Flo Technologies, Inc. Electronic pressure sensor for measurement of pressure in a fluid media
US10458872B2 (en) * 2016-03-09 2019-10-29 Flo Technologies, Inc. Electronic pressure sensor for measurement of pressure in a fluid media
CN106124117B (zh) * 2016-06-14 2019-04-23 中国科学院地质与地球物理研究所 一种双空腔压力计芯片及其制造工艺
US10247629B2 (en) * 2017-04-27 2019-04-02 Continental Automotive Systems, Inc. Stacked or unstacked MEMS pressure sensor with through-hole cap and plurality of chip capacitors
JP7107051B2 (ja) * 2017-09-08 2022-07-27 富士電機株式会社 圧力センサ装置
US10890502B2 (en) 2017-09-08 2021-01-12 Fuji Electric Co., Ltd. Pressure sensor device
US10781094B2 (en) * 2017-10-23 2020-09-22 Te Connectivity Corporation Pressure sensor assembly mounted to a ceramic substrate
KR102052540B1 (ko) * 2018-04-10 2020-01-07 주식회사 멤스팩 압력 센서 조립체
WO2020198318A1 (en) 2019-03-25 2020-10-01 Flo Technologies, Inc. Thin film thermal mass flow sensors in fluid applications
US11624636B2 (en) 2019-05-07 2023-04-11 Fortune Brands Water Innovations LLC Turbine design for flow meter
DE102020108242A1 (de) 2020-03-25 2021-09-30 Viimagic Gesellschaft mit beschränkter Haftung Montageträger für MEMS Baugruppen

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3204463A (en) * 1962-09-18 1965-09-07 Taber Instr Corp Force operated instrument
US4023562A (en) * 1975-09-02 1977-05-17 Case Western Reserve University Miniature pressure transducer for medical use and assembly method
JPS5544786A (en) * 1978-09-27 1980-03-29 Hitachi Ltd Pressure sensor
US4222277A (en) * 1979-08-13 1980-09-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Media compatible pressure transducer
US4322980A (en) * 1979-11-08 1982-04-06 Hitachi, Ltd. Semiconductor pressure sensor having plural pressure sensitive diaphragms and method
JPS597234A (ja) * 1982-07-05 1984-01-14 Aisin Seiki Co Ltd 圧力センサ
JPS63165725A (ja) * 1986-12-26 1988-07-09 Aisin Seiki Co Ltd 圧力センサ−用歪ゲ−ジ
JPH0810170B2 (ja) * 1987-03-06 1996-01-31 株式会社日立製作所 半導体絶対圧力センサの製造方法
US4823605A (en) * 1987-03-18 1989-04-25 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor pressure sensor with casing and method for its manufacture
US4841777A (en) * 1988-03-22 1989-06-27 Honeywell Inc. Pressure transmitter assembly
US5029479A (en) * 1988-08-15 1991-07-09 Imo Industries, Inc. Differential pressure transducers
US4939497A (en) * 1989-04-18 1990-07-03 Nippon Soken, Inc. Pressure sensor
US5295395A (en) * 1991-02-07 1994-03-22 Hocker G Benjamin Diaphragm-based-sensors
US5132559A (en) * 1991-05-03 1992-07-21 Motorola, Inc. Circuit for trimming input offset voltage utilizing variable resistors
US5209122A (en) * 1991-11-20 1993-05-11 Delco Electronics Corporation Pressurer sensor and method for assembly of same
JPH07110277A (ja) * 1993-10-08 1995-04-25 Oki Electric Ind Co Ltd シリコン圧力センサ

Also Published As

Publication number Publication date
DE69605876T2 (de) 2000-07-20
DE69605876D1 (de) 2000-02-03
JPH09126927A (ja) 1997-05-16
NO963100D0 (no) 1996-07-25
JP3881409B2 (ja) 2007-02-14
EP0762096B1 (en) 1999-12-29
NO963100L (no) 1997-03-06
US5600071A (en) 1997-02-04
EP0762096A1 (en) 1997-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO318404B1 (no) Vertikal-integrert sensor
EP1860417B1 (en) A pressure sensor having a chamber and a method for fabricating the same
US6210989B1 (en) Ultra thin surface mount wafer sensor structures and methods for fabricating same
US6255728B1 (en) Rigid encapsulation package for semiconductor devices
US6450039B1 (en) Pressure sensor and method of manufacturing the same
US7436037B2 (en) Moisture resistant pressure sensors
US5945605A (en) Sensor assembly with sensor boss mounted on substrate
US6351996B1 (en) Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
US20070275495A1 (en) Method for fabricating a pressure sensor using SOI wafers
US20030002238A1 (en) Capacitive moisture sensor
GB2194344A (en) Pressure transducer and method of fabricating same
US6550339B1 (en) Pressure sensor for detecting differential pressure between two spaces
US8196476B2 (en) Flat planar pressure transducer
US20170113924A1 (en) Sensor component having two sensor functions
JP2772111B2 (ja) 容量型圧力センサ
US4881056A (en) Facedown-type semiconductor pressure sensor with spacer
JPH09116173A (ja) 半導体センサおよびその製造方法
JPS61120958A (ja) ガラス応答膜を有するイオンセンサ
TW500914B (en) Low thermal stress high sensitivity silicon base micro pressure sensor structure
JPH0544616B2 (no)
JPH06112510A (ja) 半導体圧力センサ
JPH11201845A (ja) 半導体式圧力センサ
JPS5836998Y2 (ja) 半導体圧力センサ
JP2018124128A (ja) 圧力センサ
JPS581551B2 (ja) 半導体圧力変換器

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Lapsed by not paying the annual fees