NO175799B - Innkapslet fotoelektrisk element og fremstilling av dette - Google Patents
Innkapslet fotoelektrisk element og fremstilling av dette Download PDFInfo
- Publication number
- NO175799B NO175799B NO883361A NO883361A NO175799B NO 175799 B NO175799 B NO 175799B NO 883361 A NO883361 A NO 883361A NO 883361 A NO883361 A NO 883361A NO 175799 B NO175799 B NO 175799B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- layer
- photoelectric element
- silicon compound
- carbon
- solar cell
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- -1 ethylene, propylene, cyclohexane Chemical class 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001221 xylan Polymers 0.000 description 1
- 150000004823 xylans Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Ved en innkapsling for et. fotoelektrisk element (10) er minst dets frie ytterflate forsynt med et sjikt (12) av en dielektrisk silisiuraforbindelse og med et sjikt (14) av carbon.Ved en innkapslinsprosess for et fotoelektrisk element blir en dielektrisk silisiumforbindelse ved plasma- hhv. mikrobølgeunderstøttet utskilling fra gassfase påført pa det fotoelektriske element i form av silisiumnitrid- eller. -oxynitridsjikt ved maksimalt 500° C for det fotoelektriske element og et amorft carbonsjikt påført ved maksimalt 200° C for det fotoelektriske element.
Description
Denne oppfinnelse angår en innkapsling av et fotoelektrisk element så som solcelle eller solcellemodul, hvorved i det minste dets frie ytterflate er dekket med et transparent beskyttelsessjikt som består av en dielektrisk silisiumforbindelse, så vel som en fremgangsmåte for gjennomføring av en
slik innkapsling.
Solceller eller moduler som består av slike eller paneler for fotoelektrisk strømfremstilling blir brukt såvel utendørs som innendørs. Hovedanvendelsesområdet er imidlertid benyttelse i det fri, f.eks. til energifremstilling for ene-boliger, pumper, kjøleaggregater, båter og lignende. Betinget av dette er de utsatt for mange forstyrrelser på grunn av f.eks. vær, støv, smuss og lignende. På grunn av dette må de strømfremstillende og -avledende deler og koblinger mellom de enkelte celler være beskyttet mot slike påvirkninger. Det er kjent at solceller innkapsles ved påklebing av spesialglass-eller kvartsglasskiver, transparent kunststoff eller med kunststoffbesjiktede metallfolier på baksiden av cellen. Disse tildekningsplater hvorimellom solcellene ligger, innfåttes i en ramme og tettes. Mellom tildekningsplatene og cellene kan det i tillegg bringes inn transparente organiske materialer. Materialutvalget må derved foretas under følgende synspunkter: - gode optiske egenskaper (permeabilitet, brytningsindeks), som ikke må bli dårligere på grunn av bestråling med sollys, - mekaniske og termiske egenskaper (bruddfasthet, slagfasthet, temperaturbestandighet, termisk utvidelse, tetthet), - motstandsevne mot mekaniske og kjemiske påvirkninger (erosjon, korrosjon, forurensning),
- motstandsevne mot alle værbetingelser.
Slike innkapslingsteknikker oppviser betydelige ulem-per som oppstår såvel på grunn av det høye antall av de benyt-tede forskjellige materialer som kommer i berøring med hverandre, som også på grunn av den kompliserte og omstendelige fremstillingsteknologi. Derved dukker tilleggsproblemer opp når størrelsen på de flater som skal kapsles inn henholdsvis forsegles, øker. Ettersom kompromisser må inngås ved material-utvelgelsen, opptrer dessuten en bruddfare for glasset eller en ubestandighet hos det organiske materiale mot lys- og om-givelsesinnflytelser gjennom lengre tid. De forskjellige termiske egenskaper til de materialer som grenser mot hverandre kan også føre til brudd og skader på de fotoelektriske celler og moduler hvis de ved bruk utsettes for sterke temperatur-forandringer .
Det er den foreliggende oppfinnelses oppgave å stille til disposisjon en innkapsling av et fotoelektrisk element av den type som beskrevet innledningsvis, som viser høy motstandsevne mot mekaniske og kjemiske påvirkninger og mot vær-påvirkninger, hvorved samtidig gode optiske, mekaniske og termiske egenskaper skal være sikret. Fremstillingsteknikken for innkapslingene skal også være enkel og rimelig.
Oppgaven løses ifølge oppfinnelsen derved at det fotoelektriske elements ytterflate er dekket med to sjikt som er anordnet over hverandre, hvorav det ene sjikt består av den dielektriske silisiumforbindelse og det andre sjikt består av karbon.
Sjiktene er blitt anbrakt i det minste på den frie ytterflate av det fotoelektriske element ved temperaturer under 500°C. Det ytre sjikt består fortrinnsvis av karbon og det innenforliggende av den dielektriske silisiumforbindelse, fortrinnsvis av silisiumnitrid eller silisiumoksynitrid. Ifølge en utførelsesform er tykkelsen av hvert enkelt av sjiktene mindre enn 10 pm, hvorved summen av begge sjikt bør være mindre enn 15 um. En optimal innkapsling oppnås spesielt når tykkelsen av karbonsjiktet er mindre enn 1 pm og tykkelsen av sjiktet av silisiumforbindelsen er mindre enn 5 pm.
En fremgangsmåte for innkapsling av et fotoelektrisk element så som solcelle eller solcellemodul, hvorved i det minste dets frie ytterflate dekkes med et transparent beskyttelsessjikt av en dielektrisk silisiumforbindelse, utmerker seg ved at gjennom plasmastøttet utskillelse henholdsvis mik-robølgestøttet utskillelse fra en gassfase (CVD) blir den dielektriske silisiumforbindelse påført det fotoelektriske element i form av silisiumnitrid- eller silisiumoksynitridsjikt mens det fotoelektriske element holdes på en temperatur på maksimalt 500°C, og et amorft karbonsjikt blir påført det fotoelektriske element mens dette holdes på en temperatur på
maksimalt 200°C.
Derved skjer fortrinnsvis ved dannelsen av sjiktet av amorft karbon en utskillelse i en plasmaglødeutladning ved en temperatur Tx med T1<<> 200°C, fortrinnsvis 60°C <<> Tx 100 °C. Det krystallinske karbon blir utskilt i et mikrobølgeplasma-CVD-anlegg ved temperaturer T2 med T2 < 1000°C, fortrinnsvis 750°C <<> T2 < 950°C. Dersom sjiktet består av en dielektrisk silisiumforbindelse, finner det sted en utskilling fra et silan-ammoniakk-plasma ved en elementtemperatur T3 med 230°C < T3 < 450°C, fortrinnsvis 260°C < T3<<> 280°C.
Ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen finner det sted en innkapsling henholdsvis forsegling av fotoelektriske elementer så som solceller eller solcellemoduler, som gir såvel korrosiv som abrasiv beskyttelse, og som eventuelt kan påføres flater av ønsket størrelse i en kontinuerlig prosess. På en måte som ikke var forutsebar opptrer det også en adhesjon såvel som kompatibilitet som uten innflytelse på transparensen viser en høy motstandsevne mot værpåvirkning, mekaniske og kjemiske påvirkninger, såvel som termiske påvirkninger. Produksjonsmessig oppnås den fordel at en økonomisk fremstilling av moduler med store flater blir mulig, hvorved det nesten ikke finnes grenser når det gjelder de flater som skal forsegles henholdsvis innkapsles.
På grunnlag av den følgende beskrivelse av et ut-førelseseksempel som kan tas fra tegningen, fremgår videre enkeltheter, fordeler og andre særtrekk ved oppfinnelsen.
I den eneste figur er et fotoelektrisk element (10) vist rent skjematisk. Ved det fotoelektriske element (10) kan det dreie seg om en tynnsjiktcelle på basis av amorft silisium eller andre fysikalsk sett direkte absorberende halvledermaterialer, henholdsvis tykksjiktceller på basis av mono-eller polykrystallinsk silisium eller andre på fysikalsk måte indirekte absorberende halvledermaterialer. Det fotoelektriske element er her bygd opp på kjent måte, som det for eksempel på grunnlag av flere eksempler er beskrevet i
"Lipold/Trogisch/Friedrich, Soltechnik, Ernst, Verlag fiir Ar-chitektur und technisches Wissen, 1974".
Ifølge oppfinnelsen er solcellen (10) innkapslet over hele flaten, ifølge femstillingseksemplet ved beskyttelses-sjiktene (12) og (14). Sjiktene (12) og (14) består ifølge oppfinnelsen av amorft karbon (a-C:H), krystallinsk karbon (c-C), amorft silisiumoksynitrid (a-SiNx:H) eller krystallinsk silisiumnitrid, som utskilles fra gassfasen på ytterflaten av det fotoelektriske element (10).
Utskillingen av sjiktene (12) henholdsvis .(14) skal forklares nærmere med grunnlag i de følgende eksempler. Eksempel A: Den ferdige solcelle (10) - denne kan også erstattes av en solcellemodul - plasseres i et reaksjonsrom for å besjiktes med amorft karbon i en plasmaglødeutladning. For dette kobles høyfrekvens kapasitivt inn i området 2,3 til 13,56 MHz. Solcellen befinner seg på en ikkejordet elektrode og antar en forspenning Ve i området fra -10 V til -900 V. Parametrene innstilles fortrinnsvis slik at forspenningen Ve blir liggende i området - 100 V. Reaksjonsbeholderen tilslut-tes en hydrokarbonkilde som f.eks. metan, etan, butan, propan, acetylen, etylen, propylen, sykloheksan, oktan, dekan, xylan, naftalen eller lignende, hvorved trykket i reaksjonsrommet innstilles på omtrent 5 Pa (= 5 x IO"<5> bar). Utskillingsraten bør ligge i området fra 0,15 til 3 nm/s avhengig av den benyt-tede hydrokarbonkilde. Ved de gjennomførte forsøk var elektro-deavstanden 3 cm og høyfrekvensytelsen 1 W/cm<2> ved en flates-tørrelse på solcellen på 100 cm<2>. Ved disse betingelser ble det oppnådd sjikt med tykkelse i området 0,5 til 10 pm, fortrinnsvis 1 til 2 pm, hvorved substrattemperaturen lå ved 80°C. Som resultat kunne det fastslås at det oppsto en tilstrekkelig skrapefasthet og hardhet i sjiktet (1000 Hv) ved samtidig tilstrekkelig høy båndavstand (1,8 eV) for å minimere de optiske tap. Videre utmerker de valgte arbeidsparametre seg derved at de fremstilte sjikt med en brytningsindeks på
n = 2 tjener som antirefleksjonssjikt.
På karbonsjiktet anbringes så et sjikt av en dielektrisk silisiumforbindelse, som eksempelvis ved følgende fremgangsmåte.
Eksempel B:
I stedet for et beskyttelsessjikt av amorft karbon ble en uinnkapslet solcelle for beskyttelse mot påvirkninger først besjiktet på alle sider med amorft silisiumoksynitrid. For dette ble solcellen i et med pyrogen grafitt bekledd grafittskip, som befinner seg inne i et kvartsrør, utsatt for et silan-ammoniakkplasma. Gassgjennomstrømningsmengdene ble valgt til 230 cm<2>/min for silan og 1750 cm<2>/min for ammoniakk. Trykket i reaksjonsbeholderen var under utskillelsen ca. 100 Pa (=0,8 torr). Solcellens temperatur (substrattemperatur) ble stilt inn mellom 200°C og 450°C, fortrinnsvis mellom 260°C og 280°C. Høyfrekvensytelsen i området mellom 50 og 500 kHz ligger mellom 50 og 1000 W/m<2>. Typisk resulterte 80 W/m<2> ved en frekvens på 400 kHz. Ved disse parametre resulterte silisiumnitridsjikt med tykkelser mellom 100 og 10000 nm. Fortrinnsvis bør sjikttykkelsene ligge mellom 1000 og 1500 nm. Bryt-ningsindeksen var 1,95, slik at resultatet ikke bare var en diffusjonssperre mot skadelige innflytelser fra omgivelsene, men også et antirefleksjonssjikt.
Det påfølgende karbonsjikt kan påbringes som i eksempel A.
Eksempel C:
Ifølge et ytterligere utførelseseksempel påbringes solcellen direkte silisiumnitridsjiktet med en tykkelse på mellom 1000 og 5000 nm. For å forhøye skrapefastheten og hard-hetsegenskapene ble deretter et 300 til 800 nm tykt amorft karbonsjikt påbrakt. Påbringelsen av de enkelte sjikt fulgte derved i samsvar med utføringseksemplene A og B.
Eksempel D:
I stedet for det eksempelvis hver gang nevnte amorfe sjikt kan det også anvendes et tilsvarende krystallinsk sjikt. Den tilsvarende krystallinske sjikttykkelse må da forhøyes med faktoren 2-10, fortrinnsvis 4-6. (Sjikttykkelse for det krystallinske silisiumnitridsjikt i området 2 og 50 um og for det krystallinske karbonsjikt i området 0,6 og 8 pm).
Claims (6)
1. Innkapsling av et fotoelektrisk element (10) så som solcelle eller solcellemodul, hvorved i det minste :dets frie ytterflate er dekket med et transparent beskyttelsessjikt som består av en dielektrisk silisiumforbindelse (12), karakterisert ved at ytterflaten av det fotoelektriske element (10) er dekket med to sjikt (12, 14) som er anordnet over hverandre, hvorav det ene sjikt (12) består av den dielektriske silisiumforbindelse og det andre sjikt (14) består av karbon.
2. Innkapsling ifølge krav 1, karakterisert ved at det ytre sjikt (14) består av karbon og det innenforliggende sjikt (12) består av den dielektriske silisiumforbindelse, fortrinnsvis av silisiumnitrid eller silisiumoksynitrid.
3. Innkapsling ifølge krav 1, karakterisert ved at sjiktet som består av karbon (14) er dannet amorft eller krystallinsk.
4. Innkapsling ifølge krav 1, karakterisert ved at tykkelsen av hvert enkelt av sjiktene (12, 14) er mindre enn 10 um, og summen av de to sjiktene er mindre enn 15 pm.
5. Innkapsling ifølge krav 3, karakterisert ved at tykkelsen av sjiktet (14) av amorft karbon er mindre enn 1 pm og tykkelsen av sjiktet av silisiumforbindelsen er mindre enn 5 pm.
6. Fremgangsmåte for innkapsling av et fotoelektrisk element så som solcelle eller solcellemodul, hvorved i det minste dets frie ytterflate dekkes med et transparent beskyttelsessjikt av en dielektrisk silisiumforbindelse, karakterisert ved at gjennom plasmastøttet utskillelse henholdsvis mikrobølgestøttet utskillelse fra en gassfase (CVD) blir den dielektriske silisiumforbindelse på-ført det fotoelektriske element i form av silisiumnitrid-eller silisiumoksynitridsjikt mens det fotoelektriske element holdes på en temperatur på maksimalt 500°C, og et amorft karbonsjikt blir påført det fotoelektriske element mens dette holdes på en temperatur på maksimalt 200°C.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873725338 DE3725338A1 (de) | 1987-07-30 | 1987-07-30 | Verkapselung von einem photovoltaischem element |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO883361D0 NO883361D0 (no) | 1988-07-29 |
| NO883361L NO883361L (no) | 1989-01-31 |
| NO175799B true NO175799B (no) | 1994-08-29 |
| NO175799C NO175799C (no) | 1994-12-07 |
Family
ID=6332751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO883361A NO175799C (no) | 1987-07-30 | 1988-07-29 | Innkapslet fotoelektrisk element og fremstilling av dette |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4869755A (no) |
| EP (1) | EP0301470B1 (no) |
| JP (1) | JPS6444072A (no) |
| DE (2) | DE3725338A1 (no) |
| ES (1) | ES2035185T3 (no) |
| IN (1) | IN170014B (no) |
| NO (1) | NO175799C (no) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5978347A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Dainippon Printing Co Ltd | ビデオ画像の製版システム |
| EP0327336B1 (en) * | 1988-02-01 | 1997-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic devices incorporating carbon films |
| US6224952B1 (en) * | 1988-03-07 | 2001-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same |
| US6756670B1 (en) | 1988-08-26 | 2004-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and its manufacturing method |
| US5147822A (en) * | 1988-08-26 | 1992-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method for improving a package of a semiconductor device |
| JP2530056B2 (ja) * | 1989-09-14 | 1996-09-04 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| US5268217A (en) * | 1990-09-27 | 1993-12-07 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5320684A (en) * | 1992-05-27 | 1994-06-14 | Mobil Solar Energy Corporation | Solar cell and method of making same |
| JP3283973B2 (ja) * | 1993-08-24 | 2002-05-20 | 株式会社リコー | 有機光起電力素子 |
| US5439849A (en) * | 1994-02-02 | 1995-08-08 | At&T Corp. | Encapsulation techniques which include forming a thin glass layer onto a polymer layer |
| DE19707280A1 (de) * | 1997-02-24 | 1998-08-27 | Siemens Ag | Klima- und korrosionsstabiler Schichtaufbau |
| WO1997036334A1 (de) * | 1996-03-22 | 1997-10-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Klima- und korrosionsstabiler schichtaufbau |
| US6927826B2 (en) * | 1997-03-26 | 2005-08-09 | Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. | Display device |
| JPH10268360A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US6150719A (en) | 1997-07-28 | 2000-11-21 | General Electric Company | Amorphous hydrogenated carbon hermetic structure and fabrication method |
| US6259937B1 (en) | 1997-09-12 | 2001-07-10 | Alfred E. Mann Foundation | Implantable substrate sensor |
| JPH11307782A (ja) | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US6475836B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2001094136A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Canon Inc | 半導体素子モジュールの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 |
| US20060076047A1 (en) * | 2001-04-23 | 2006-04-13 | Green David R | Potted domed solar panel capsule and traffic warning lamps incorporating same |
| US20040045596A1 (en) * | 2001-05-29 | 2004-03-11 | Paul Lawheed | Flat plate panel solar electrical generators and methods |
| DE10152707B4 (de) * | 2001-10-19 | 2004-08-26 | Rwe Schott Solar Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle |
| DE10259472B4 (de) * | 2002-12-19 | 2006-04-20 | Solarion Gmbh | Flexible Dünnschichtsolarzelle mit flexibler Schutzschicht |
| US8722160B2 (en) * | 2003-10-31 | 2014-05-13 | Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. | Inorganic/organic hybrid nanolaminate barrier film |
| US8642455B2 (en) * | 2004-02-19 | 2014-02-04 | Matthew R. Robinson | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles |
| US20090032108A1 (en) * | 2007-03-30 | 2009-02-05 | Craig Leidholm | Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates |
| US8158450B1 (en) | 2006-05-05 | 2012-04-17 | Nanosolar, Inc. | Barrier films and high throughput manufacturing processes for photovoltaic devices |
| US20110277821A1 (en) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | Du Pont Apollo Limited | Back-sheet material for photovoltaic module |
| FR2990060B1 (fr) * | 2012-04-25 | 2015-02-27 | Commissariat Energie Atomique | Module solaire photovoltaique a architecture specifique |
| JP6491602B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2019-03-27 | 株式会社カネカ | 太陽電池の製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1136218A (en) * | 1965-12-14 | 1968-12-11 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to the manufacture of semiconductor optical devices |
| BE876681A (fr) * | 1978-06-14 | 1979-11-30 | Bfg Glassgroup | Procede de fabrication d'un panneau comprenant au moins une cellule photovoltaique et panneau comprenant au moins une telle cellule |
| DE7836651U1 (de) * | 1978-12-11 | 1986-08-07 | Hezel, Rudolf, Dipl.-Phys. Dr., 8521 Spardorf | Solarzelle aus Halbleitermaterial |
| US4383129A (en) * | 1980-06-11 | 1983-05-10 | California Institute Of Technology | Solar cell encapsulation |
| DE3125622A1 (de) * | 1981-06-30 | 1983-01-13 | Imchemie Kunststoff Gmbh, 5632 Wermelskirchen | Platte als fassadenverkleidung oder dachziegel |
| JPS59112660A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池およびその製造方法 |
| JPS60170980A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 太陽電池 |
-
1987
- 1987-07-30 DE DE19873725338 patent/DE3725338A1/de active Granted
-
1988
- 1988-07-14 US US07/218,854 patent/US4869755A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-15 IN IN596/CAL/88A patent/IN170014B/en unknown
- 1988-07-26 DE DE8888112007T patent/DE3875299D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-26 EP EP88112007A patent/EP0301470B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-26 ES ES198888112007T patent/ES2035185T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-29 JP JP63190506A patent/JPS6444072A/ja active Pending
- 1988-07-29 NO NO883361A patent/NO175799C/no unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO175799C (no) | 1994-12-07 |
| ES2035185T3 (es) | 1993-04-16 |
| EP0301470A2 (de) | 1989-02-01 |
| EP0301470B1 (de) | 1992-10-14 |
| EP0301470A3 (en) | 1990-03-21 |
| NO883361L (no) | 1989-01-31 |
| IN170014B (no) | 1992-01-25 |
| JPS6444072A (en) | 1989-02-16 |
| DE3725338A1 (de) | 1989-02-09 |
| DE3725338C2 (no) | 1990-10-11 |
| NO883361D0 (no) | 1988-07-29 |
| US4869755A (en) | 1989-09-26 |
| DE3875299D1 (de) | 1992-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NO175799B (no) | Innkapslet fotoelektrisk element og fremstilling av dette | |
| Meier et al. | Potential of amorphous and microcrystalline silicon solar cells | |
| Fischer et al. | The" micromorph" solar cell: extending a-Si: H technology towards thin film crystalline silicon | |
| US5397401A (en) | Semiconductor apparatus covered with a sealing resin composition | |
| Matsui et al. | High‐efficiency thin‐film silicon solar cells with improved light‐soaking stability | |
| JP5480897B2 (ja) | 太陽電池 | |
| Zeman | Advanced amorphous silicon solar cell technologies | |
| Kessels et al. | High-rate deposition of a-SiN x: H for photovoltaic applications by the expanding thermal plasma | |
| JP2012094861A (ja) | 太陽電池の薄膜蒸着装置、方法及びシステム | |
| Hong et al. | Bulk passivation of multicrystalline silicon solar cells induced by high‐rate‐deposited (> 1 nm/s) silicon nitride films | |
| CN109324362B (zh) | 一种聚光反射镜及制备方法 | |
| CN103928553A (zh) | 一种柔性晶硅太阳能电池组件 | |
| Lu et al. | Preparation and thermal stability of a novel mid-temperature air-stable solar selective coating | |
| Wronski et al. | Amorphous silicon solar cells | |
| Iida et al. | High efficiency a-Si: H pin solar cell using a SnO 2/glass substrate | |
| Boccard et al. | Properties of hydrogenated indium oxide prepared by reactive sputtering with hydrogen gas | |
| Yang | Large Area a-Si/µc-Si Thin Film Solar Cells | |
| EP0017415A1 (en) | Solar heating panels | |
| Tsuda et al. | Recent progress in a-Si solar cells | |
| Pernet et al. | Optimization of amorphous silicon solar cells on polymer film substrates | |
| JP3027672B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2004146735A (ja) | シリコン光起電力素子及びその製造方法 | |
| JPH0319374A (ja) | 光起電力素子 | |
| Giménez et al. | Controlled Atmosphere PV Concentrator | |
| Dubey et al. | Electrical and optical properties of µc-SiH films |