NO163214B - Fremgangsmaate til fremstilling av flavonrike kamilleekstrakter. - Google Patents
Fremgangsmaate til fremstilling av flavonrike kamilleekstrakter. Download PDFInfo
- Publication number
- NO163214B NO163214B NO851043A NO851043A NO163214B NO 163214 B NO163214 B NO 163214B NO 851043 A NO851043 A NO 851043A NO 851043 A NO851043 A NO 851043A NO 163214 B NO163214 B NO 163214B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- melting
- alloy
- melt
- extracts
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000000284 extract Substances 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 25
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- 241000020115 Heterosperma pinnatum Species 0.000 abstract 1
- GAMYVSCDDLXAQW-AOIWZFSPSA-N Thermopsosid Natural products O(C)c1c(O)ccc(C=2Oc3c(c(O)cc(O[C@H]4[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](CO)O4)c3)C(=O)C=2)c1 GAMYVSCDDLXAQW-AOIWZFSPSA-N 0.000 abstract 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 abstract 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 abstract 1
- 229930003944 flavone Natural products 0.000 abstract 1
- 150000002212 flavone derivatives Chemical class 0.000 abstract 1
- 235000011949 flavones Nutrition 0.000 abstract 1
- VHBFFQKBGNRLFZ-UHFFFAOYSA-N vitamin p Natural products O1C2=CC=CC=C2C(=O)C=C1C1=CC=CC=C1 VHBFFQKBGNRLFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
- A61K36/00—Medicinal preparations of undetermined constitution containing material from algae, lichens, fungi or plants, or derivatives thereof, e.g. traditional herbal medicines
- A61K36/18—Magnoliophyta (angiosperms)
- A61K36/185—Magnoliopsida (dicotyledons)
- A61K36/28—Asteraceae or Compositae (Aster or Sunflower family), e.g. chamomile, feverfew, yarrow or echinacea
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Natural Medicines & Medicinal Plants (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Pharmacology & Pharmacy (AREA)
- Alternative & Traditional Medicine (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Botany (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mycology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Medicines Containing Plant Substances (AREA)
- Pyrane Compounds (AREA)
- Cosmetics (AREA)
- Gears, Cams (AREA)
- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
- Paper (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Seasonings (AREA)
- Medicines Containing Material From Animals Or Micro-Organisms (AREA)
- Breeding Of Plants And Reproduction By Means Of Culturing (AREA)
- Compounds Of Unknown Constitution (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Fats And Perfumes (AREA)
- Pulleys (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
Fremgangsmåte til fremstilling av et homogent
legeme uten riss av en halvlederlegering.
a
Oppfinnelsen går ut på en fremgangsmåte til fremstilling av et homogent legeme uten riss av en halvlederlegering hvis utvidelseskoeffisient er negativ i området for smeltepunktet, ved smelting og stivning av legeringen i et vertikalt plasert, nedentil lukket smelteror som roterer om sin akse.
Man stoter her på særlige vanskeligheter fordi halvleder-legeringens utvidelseskoeffisient er negativ i området for smeltepunktet. Dette er f.eks. tilfellet ved en legering av germanium og silicium... Por fremstilling av slike legeringer har den horisontale "Zone-Leveling-metode" med argonspyling hittil vært ansett som best egnet, skjont den er beheftet med den tungtveiende ulempe at.der skjer en partiell utskillelse av legeringskomponentene fra blandingen. Ved denne såkalte "Zone-Leveling-metode" forstås en sonesmeltemetode hvor en smal smeltesone trekkes gjennem halvlederblokken i den ene og den annen retning skiftevis. Av tilstandsdiagrammet for germanium-silicium fremgår at der ved enkel stivning av smeiten skier en separering av legeringskomponentene. Separasjonseffekten kan reduseres ved hjé±p av diffusjonsprosesser ved grensen mellem fast og flytende materiale. Da nu diffusjonskoeffisienten for silicium i germanium-silicium-blande-krystallen er meget liten, må hastigheten av smeltesonens vandring være tilstrekkelig liten for at denne effekt skal gjore seg merkbart gjeldende. En god homogenitet blir ved den kjente metode forst oppnådd ved så lave vandringshastigheter som 3 - 5 mm pr. time, og 3 til 5 sonepasseringer. Til fremstilling av et legeme med en lengde av f.eks. 70 mm behover man altså med den kjente metode en tid av ca. 70 timer. Dessuten inntrer der ved denne fremstillingsmåte riss i halvlederlegemet så en betraktelig del av det ikke blir brukbar.
Hensikten med oppfinnelsen er å skaffe en fremgangsmåte
av den innledningsvis nevnte art, som lar seg gjennemfbre på vesentlig kortere tid og gir stykker uten riss, så en rasjonell fremstilling blir mulig. Dette mål blir ifblge oppfinnelsen nådd ved at der velges et omdreiningstall hvor der oppstår en forsenkning i smeiten.
Med denne metode er det mulig å fremstille homogene halv-lederlegemer med en.diameter av f.eks. 6 - 15 mm og en lengde av ca. 5 mm uten riss i lbpet av fem minutter. Ved rotasjonen oppstår der en god gjennemblanding av materialet og en forsenkning i smeiten. Herved blir det oppnådd at der langs smelterorets akse fremkommer en sone med lavere tetthet enn i det smeltegods som befinner seg ved veggen av smelterbret. På grunn av den negative utvidelseskoeffisient ved stivningen kan smeltegodset ikke vide seg ut inn i den nevnte sone med lavere tetthet, og der unngås en rissdannelse i det smeltede legeme forårsaket av den negative utvidelseskoeffisient. De nodvendige omdreiningstall avhenger av materialet i smeltegods og smeltebeholder og av smeltebeholderens diameter og overflatebeskaffenhet. Ved stbrre rbrdiametre og stbrre runet av overflaten av smeltebeholderen må f.eks. omdreiningstallet bkes.
Spesiell betydning får fremgangsmåten ifblge oppfinnelsen for fremstilling av dotert halvledermateriale, hvis doteringsstoffet består av en lett-flyktig komponent. Ved "Zone-Leveling-metoden" for-damper en stor del av doteringsmaterialet fra den relativt store overflate av smeiten på grunn av den langvarige fremstillingsprosess. Med denne metode er det bare vanskelig mulig å få noyaktig dotert materiale og homogen fordeling av doteringen. Ved fremstillingsmåten ifblge oppfinnelsen blir tapene av lettflyktig doteringsmåteriale derimot meget små på grunn av den korte varighet av prosessen og den i forhold til den smeltede materialmengde meget lille overflate.
Ytterligere fordeler ved fremgangsmåten ifolge oppfinnelsen består i at halvlederlegemene fås i en sylindrisk form som er gunstig for den videre bearbeidelse, så det bare blir nodvendig å fra-skille et lite hode- og fotstykke av emnene for kassering, .og enn-videre, på grunn av prosessens korte varighet, at der raskt står til rådighet prover av en produksjonsserie, som gjor det mulig efter måling av de elektriske egenskaper å modifisere doseringen.
For å få en p-ledende germanium-silicium-legering
doterer man grunnmaterialet fortrinnsvis med elementer fra tredje hovedgruppe i det periodiske system, f.eks. med bor, gallium eller indium. En n-ledende germanium-silicium-legering fås fortrinnsvis ved dotering med elementer fra femte hovedgruppe av det periodiske system, som f.eks. fosfor, arsen eller antimon. Hvert enkelt sentrifugalstop forberedes ved oppveining av den tilsvarende mengde utgangsmateriale,og på grunn av de lavere smeltepunkter av doteringsstoffer for materiale av n-ledende type blir disse herunder plasert på bunnen av kvartsroret. Ved påsmeltningen av legeringen blir doteringsstoffet dermed hindret i å unnvike ved fordampning.
For fremstillingen av halvlederlegeringen ved smeltning benyttes fortrinnsvis en hoyfrekvensspole. Avkjølingen skjer da enten ved minskning av hoyfrekvensenergien eller ved uttagning av smelteroret fra hbyfrekvensfeltet. I det siste tilfelle er det å anbefale å utfore hbyfrekvensspolen traktformet, altså med en sylindrisk og en konisk del for å få en mest mulig kontinuerlig overgang. Roret blir så beveget ut av induktorspolen i retning mot den konisk utvidede del.
Skal halvlederlegemene brukes for termoelektriske formål, må endene kontakteres. Kontaktering av en ende f.eks. med en liten wolframplate kan rett og slett oppnås på den måte at en slik plate leg-ges inn i smelteroret for chargen fores inn. På denne måte blir halv-ledermaterialet pålegert ved smelteprosessen.
I det folgende vil fremgangsmåten ifolge oppfinnelsen
bli belyst ved et utfbrelseseksempel.
Fig. la - lf er forklarende skisser som anskueliggjør forskjellige mulige tilstander av en roterende væske i et stående, nedentil lukket ror. Fig. 2 viser en innretning til gjennemforelse av fremgangsmåten, og
fig. 3 viser en modifikasjon av opphetningsdelen.
For fremstilling av et homogent halvlederlegeme av en dotert germanium-silicium-legering blir den nodvendige mengde av germanium, silicium og doteringsstoff veiet opp og bragt inn i et kvartsror. Man må da fylle på det mest lettflyktige materiale forst. Derpå blir kvartsroret innspent sentralt i en sentrifugeringsanordning og spylt med argongass. Under fortsatt spyling blir chargen i kvartsroret, fortrinnsvis ved hjelp av et hoyfrekvensfelt, oppvarmet inntil hele innholdet er smeltet. Ved smeltegods hvori der på grunn av liten ledningsevne i hoyfrekvensfeltet bare blir indusert en svak strbm, blir chargens egen ledningsevne ved fremmed-opphetning dket så meget til der i smeltegodset begynner' å gå en indusert strbm som er tilstrekkelig for den videre opphetning. Til hjelp ved starten kan der også benyttes en liten tilsetning av allerede dotert materiale, hvori der i hoyfrekvensfeltet direkte induseres en strbm som bringer tilsetningen til å smelte og derved også forårsaker strbm i det bvrige materiale og smeltning av dette. Ved en temperatur ovenfor smeltepunktet blir smeiten sentrifugert i ca. 2 minutter. Det nodvendige omdreiningstall retter seg efter den ved emnets stbrrelse betingede rbrdiameter og den spesifike vekt av materialet. Valget av det nodvendige omdreiningstall vil bli belyst under henvisning til fig. la - lf. Det er kjent at der ved rotasjon av et flytende materiale i en nedentil lukket beholder stiller seg inn fenomener som anskueliggjort på disse figurer. Fig. la viser en smelte ved omdreiningstall 0. På grunn av adhesjonskreftene mellem smeiten 9 og veggen av smeltebeholderen 3 er overflaten sfærisk hvelvet, f.eks. oppover. Ved et omdreiningstall 500 omdr./min. er hvelvningen allerede avflatet (fig. lb). Ved omdreiningstall på
1500 - 2000 omdr./min. oppstår der en forsenkning i smeiten 9 (fig. lc og ld). Ved hbyere omdreiningstall ( omtrent 2500 - 3000 omdr./min.) utformer forsenkningen i smeiten 9 seg stadig sterkere og når sluttelig bunnen av smeltebeholderen. De nevnte omdreiningstall refererer seg til en rbrdiameter på omtrent 9 mm, materialet i smeltebeholderen er kvarts, og som smeltegods ble der benyttet en germanium-silicium-legering. Ut fra de generelle lover for rotasjonsbevegelse, og spesielt formelen for sentrifugalkraften, er det kjent at de omdreiningstall hvor der fås billeder i henhold til fig. la - lf, avhenger av smeltebeholderens diameter, dens overflatebeskaffenhet og materialet i smeltebeholder og smeltegods. Det fremgår av figurene at omdreinings-
tall svarende til fig. la og lb ikke kommer i betraktning for smeltning av halvlederlegemet, hvis materiale har negativ utvidelseskoeffisient. Da der skal smeltes sylindriske legemer, bortfaller og-så omdreiningstall svarende til fig. le og lf, da der ved disse vilde inntre for stort materialtap eller det fremstilte legeme vilde bli et ror. I det foreliggende tilfelle skal der ved en diameter av chargen på 9 mm velges et omdreiningstall på 1500 - 2000 omdr./min. Efter ut-kobling av hoyfrekvensfeltet fortsettes sentrifugeringen inntil smeiten er stivnet. Det smeltede stykke blir sluttelig tatt ut av kvartsglasset. Por videre bearbeidelse blir endepartiene kappet av.
Den innretning til gjennemforelse av fremgangsmåten som er vist på fig. 2, består av to deler, hvorav den ene tjener til sentrifugering og den annen til oppvarmning av chargen. Sentrifuger-ings-innretningen inneholder et roterende innspenningsror 1 med en innspenningsdel 2 hvori kvartsroret 3 kan innfores og fa.stspennes i aksen. Innspenningsroret 1 har foring i kulelagre 4 montert i en metallboks 13 og drives av en motor 5 med regulerbart omdreiningstall. Sentrifugeringsrorets omdreiningstall kan måles med et tachometer 6 og dermed kontrolleres. I innspenningsroret befinner der seg dessuten et ror 7 hvorigjennem argongassen kan innfores. Oppvarrmingsdelen består av en hoyfrekvens-induksjonsspole 8 som mates fra en hbyfrekvens-generator. Induksjonsspolen er anordnet slik at den fullstendig om-slutter smeltechargen 9.
Mens hoyfrekvensspolen 8 på fig. 2 er vist sylindrisk, viser fig. 3 i stedet en traktformet hoyfrekvensspole 10. Denne spole har oventil en sylindrisk del 11 og nedentil en konisk del 12. Kvartsroret 3 blir fort langsomt gjennem spolen ovenfra. Herunder blir chargen i det sterke hoyfrekvensfelt fra den sylindriske del bragt til smeltning og kjolner i hoyfrekvensfeltet med avtagende styrke i den koniske del. Ved denne metode er det mulig å smelte charger av stbrre lengde enn spolen.
Som utgangsmateriale for fremstillingsmåten ifblge oppfinnelsen kan man benytte de enkelte komponenter av den briskede legering eller en allerede sammensmeltet legering, eventuelt i findelt til-stand. Det siste tilfelle kan være tilrådelig ved ekstreme krav til homogenitet. Dessuten kan man ved forhåndssmeltningen av stbrre stykker spare oppveiningsprosesser.
Claims (1)
- Fremgangsmåte til fremstilling av et homogent legeme uten riss av en halvlederlegering hvis utvidelseskoeffisient er negativ i området for smeltepunktet, ved smeltning og stivning av legeringen i et vertikalt plasert, nedentil lukket smelteror som roterer om sir akse, karakterisert ved at der velges et omdreiningstall hvor der oppstår en forsenkning i smeiten.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3409619 | 1984-03-16 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO851043L NO851043L (no) | 1985-09-17 |
NO163214B true NO163214B (no) | 1990-01-15 |
NO163214C NO163214C (no) | 1990-04-25 |
Family
ID=6230658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO851043A NO163214C (no) | 1984-03-16 | 1985-03-15 | Fremgangsm te til fremstilling av flavonrike kamillkter. |
Country Status (19)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4786498A (no) |
EP (1) | EP0154872B1 (no) |
KR (1) | KR920010389B1 (no) |
AT (1) | ATE58477T1 (no) |
CA (1) | CA1237080A (no) |
DE (2) | DE3580602D1 (no) |
DK (1) | DK160229C (no) |
ES (1) | ES541296A0 (no) |
FI (1) | FI79468C (no) |
GB (1) | GB2156674B (no) |
GR (1) | GR850656B (no) |
HK (1) | HK80591A (no) |
IN (1) | IN163594B (no) |
MA (1) | MA20376A1 (no) |
MT (1) | MTP961B (no) |
NL (1) | NL8500752A (no) |
NO (1) | NO163214C (no) |
PH (1) | PH24276A (no) |
PT (1) | PT80103B (no) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MX161477A (es) * | 1984-09-19 | 1990-09-28 | Degussa | Procedimiento para extraer los constituyentes de la manzanilla |
DE3542756C3 (de) * | 1984-12-19 | 1997-09-04 | Asta Medica Ag | Verfahren zur Herstellung einer neuen tetraploiden und bisabololreichen Kamille mit verbesserten Eigenschaften |
US5108750A (en) * | 1986-09-08 | 1992-04-28 | Yaguang Liu | Pharmaceutical compositions for reducing hyperlipidemia and platelet-aggregation |
US6300370B1 (en) | 1987-02-13 | 2001-10-09 | Asta Medica Aktiengesellschaft | Camomile oils having a high content of natural poly-ynes and process for their preparation |
DE3885137D1 (de) * | 1987-02-13 | 1993-12-02 | Asta Medica Ag | Kamillenöle mit hohem Gehalt an natürlichen Polyinen und Verfahren zu deren Herstellung. |
DE3806210A1 (de) * | 1988-02-26 | 1989-09-07 | Robugen Gmbh | Kamille |
DE4200555C2 (de) * | 1991-01-23 | 2003-02-27 | Viatris Gmbh | Herstellung eines Kamillenextraktes mit antimikrobiellen Eigenschaften |
US5064675A (en) * | 1991-03-01 | 1991-11-12 | Scandinavian Natural Resources Development Hb | Herbal extract composition |
EP1032361B1 (en) * | 1997-11-19 | 2002-04-03 | Flavone Sunproducts A/S | Composition comprising one or more flavonoids, method of obtaining such composition and use thereof as uv-absorbing agent |
WO2002045733A2 (fr) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | Kyowa Hakko Kogyo Kk | Preparations orales ayant une action de soulagement des demageaisons ou un effet antiprurigineux |
KR102066388B1 (ko) * | 2018-03-09 | 2020-01-15 | 코스맥스엔에스 주식회사 | 캐모마일 추출물을 포함하는 근기능 및 운동능 강화 기능성 식품 조성물 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1015120A (fr) * | 1947-08-13 | 1952-08-27 | Procédé de préparation d'extraits actifs renfermant de l'azulène à partir de camomille ou de plantes analogues | |
DE2331854A1 (de) * | 1973-06-22 | 1975-01-16 | Greither Salus Haus Dr Otto | Verfahren zur herstellung standardisierter arzneimittel aus kamillenblueten |
DE2402802C3 (de) * | 1974-01-22 | 1979-06-13 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler, 6000 Frankfurt | Gewinnung einer Kamillendroge mit hohem Chamazulen- und Bisabololgehalt |
GB1560371A (en) * | 1978-03-17 | 1980-02-06 | Degussa | Process for obtaining a camomile drug |
DE3105557A1 (de) * | 1981-02-16 | 1982-09-09 | Henkel Kgaa | "verfahren zur gewinnung von inhaltsstoffen der kamille durch extraktion mit kohlendioxid" |
IT1157945B (it) * | 1982-06-02 | 1987-02-18 | Bonomelli Spa | Composizione terapeutica ad attivita' antibatterica a base di una frazione estratta da fiori di camomilla e processo per la preparazione di detta frazione |
IT1177840B (it) * | 1983-06-29 | 1987-08-26 | Degussa | Procedimento per la produzione di una camomilla |
DE3423207C3 (de) * | 1983-06-29 | 1996-09-26 | Asta Medica Ag | Verfahren zur Herstellung einer neuen Kamillensorte (Bezeichnung Manzana) |
GB2167955B (en) * | 1983-06-29 | 1988-12-07 | Degussa | Preparation of camomile extracts and ethereal oils |
DE3423307A1 (de) * | 1984-06-23 | 1986-01-02 | Daimler-Benz Ag, 7000 Stuttgart | Reifenfuelleinrichtung |
MX161477A (es) * | 1984-09-19 | 1990-09-28 | Degussa | Procedimiento para extraer los constituyentes de la manzanilla |
-
1985
- 1985-02-22 IN IN128/CAL/85A patent/IN163594B/en unknown
- 1985-02-23 DE DE8585102014T patent/DE3580602D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-23 AT AT85102014T patent/ATE58477T1/de not_active IP Right Cessation
- 1985-02-23 EP EP85102014A patent/EP0154872B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-23 DE DE19853506467 patent/DE3506467A1/de not_active Withdrawn
- 1985-03-13 MA MA20600A patent/MA20376A1/fr unknown
- 1985-03-13 GB GB08506454A patent/GB2156674B/en not_active Expired
- 1985-03-14 PH PH31987A patent/PH24276A/en unknown
- 1985-03-14 PT PT80103A patent/PT80103B/pt unknown
- 1985-03-14 GR GR850656A patent/GR850656B/el not_active IP Right Cessation
- 1985-03-15 NO NO851043A patent/NO163214C/no not_active IP Right Cessation
- 1985-03-15 KR KR1019850001663A patent/KR920010389B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-03-15 ES ES541296A patent/ES541296A0/es active Granted
- 1985-03-15 NL NL8500752A patent/NL8500752A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-03-15 CA CA000476666A patent/CA1237080A/en not_active Expired
- 1985-03-15 MT MT961A patent/MTP961B/xx unknown
- 1985-03-15 FI FI851039A patent/FI79468C/fi not_active IP Right Cessation
- 1985-03-15 DK DK119985A patent/DK160229C/da not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-02-02 US US07/153,481 patent/US4786498A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-17 HK HK805/91A patent/HK80591A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR920010389B1 (ko) | 1992-11-27 |
GR850656B (no) | 1985-07-11 |
GB2156674B (en) | 1988-05-11 |
DK119985D0 (da) | 1985-03-15 |
DK119985A (da) | 1985-09-17 |
GB8506454D0 (en) | 1985-04-17 |
ES8602416A1 (es) | 1985-12-01 |
MA20376A1 (fr) | 1985-10-01 |
FI79468B (fi) | 1989-09-29 |
HK80591A (en) | 1991-10-25 |
NO163214C (no) | 1990-04-25 |
EP0154872B1 (de) | 1990-11-22 |
GB2156674A (en) | 1985-10-16 |
EP0154872A3 (en) | 1988-01-13 |
CA1237080A (en) | 1988-05-24 |
FI851039L (fi) | 1985-09-17 |
FI79468C (fi) | 1990-01-10 |
PH24276A (en) | 1990-05-29 |
DE3506467A1 (de) | 1985-09-19 |
KR850006138A (ko) | 1985-10-02 |
MTP961B (en) | 1985-11-25 |
PT80103B (pt) | 1987-10-20 |
DK160229B (da) | 1991-02-18 |
DE3580602D1 (de) | 1991-01-03 |
IN163594B (no) | 1988-10-15 |
NL8500752A (nl) | 1985-10-16 |
FI851039A0 (fi) | 1985-03-15 |
ES541296A0 (es) | 1985-12-01 |
NO851043L (no) | 1985-09-17 |
US4786498A (en) | 1988-11-22 |
DK160229C (da) | 1991-07-22 |
PT80103A (de) | 1985-04-01 |
ATE58477T1 (de) | 1990-12-15 |
EP0154872A2 (de) | 1985-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO163214B (no) | Fremgangsmaate til fremstilling av flavonrike kamilleekstrakter. | |
Park et al. | The effect of CaF 2 on the viscosities and structures of CaO-SiO 2 (-MgO)-CaF 2 slags | |
Ng | A study of the kinetics of nucleation in a palm oil melt | |
JPS6044380B2 (ja) | 金属の連続式還流精製方法及び装置 | |
US8091384B2 (en) | Method of manufacturing silica glass crucible for pulling silicon single crystals | |
US5057287A (en) | Liquid encapsulated zone melting crystal growth method and apparatus | |
US3367394A (en) | Process for manufacturing homogeneous bodies of germanium-silicon | |
US2851342A (en) | Preparation of single crystals of silicon | |
JPH029783A (ja) | 石英ガラスるつぼ | |
CN105502936B (zh) | 基于盐浴淬火方法制备大尺寸硫系红外玻璃的制备方法 | |
CN105239153A (zh) | 含辅助加料结构的单晶炉及其应用 | |
US4838988A (en) | Process for obtaining crystals of intermetallic compounds, in particular isolated monocrystals, by cooling alloys in the molten state | |
JPS58500757A (ja) | テルル化水銀カドミウム結晶の成長方法 | |
TWI301858B (no) | ||
US2990261A (en) | Processing of boron compact | |
Parfeniuk et al. | Growth of lithium triborate crystals. II. Experimental results | |
US5945384A (en) | Process for producing tubular moldings from high-temperature superconducting material | |
EP2548844A1 (en) | Method for purifying silicon | |
US3134700A (en) | Dislocation removal by a last pass starting at a location displaced from the original seed into the grown crystal | |
JPH1192284A (ja) | 一方向凝固多結晶組織を有するシリコンインゴットの製造方法 | |
US3678986A (en) | Method for manufacturing homogeneous bodies from semiconductor alloys | |
US4427052A (en) | Method of rotary refining and casting | |
US4072556A (en) | Device for crucible-free floating-zone melting of a crystalline rod and method of operating the same | |
US3672872A (en) | Method of separation of a substance in a solid or liquid phase from a matrix in the liquid phase | |
US3689242A (en) | Method of preparing electrically and optically active vitreous and polycrystalline materials |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK1K | Patent expired |