NO159198B - Bevegelseskompenserende innretning for plassering mellom en offshore-baerekonstruksjon og en relativt denne bevegbaroffshore-broennkonstruksjon. - Google Patents
Bevegelseskompenserende innretning for plassering mellom en offshore-baerekonstruksjon og en relativt denne bevegbaroffshore-broennkonstruksjon. Download PDFInfo
- Publication number
- NO159198B NO159198B NO821880A NO821880A NO159198B NO 159198 B NO159198 B NO 159198B NO 821880 A NO821880 A NO 821880A NO 821880 A NO821880 A NO 821880A NO 159198 B NO159198 B NO 159198B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- mask
- zones
- semiconductor
- construction
- oxide
- Prior art date
Links
- 238000010276 construction Methods 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 38
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 25
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
- E21B—EARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
- E21B19/00—Handling rods, casings, tubes or the like outside the borehole, e.g. in the derrick; Apparatus for feeding the rods or cables
- E21B19/002—Handling rods, casings, tubes or the like outside the borehole, e.g. in the derrick; Apparatus for feeding the rods or cables specially adapted for underwater drilling
- E21B19/004—Handling rods, casings, tubes or the like outside the borehole, e.g. in the derrick; Apparatus for feeding the rods or cables specially adapted for underwater drilling supporting a riser from a drilling or production platform
- E21B19/006—Handling rods, casings, tubes or the like outside the borehole, e.g. in the derrick; Apparatus for feeding the rods or cables specially adapted for underwater drilling supporting a riser from a drilling or production platform including heave compensators
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E21—EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
- E21B—EARTH OR ROCK DRILLING; OBTAINING OIL, GAS, WATER, SOLUBLE OR MELTABLE MATERIALS OR A SLURRY OF MINERALS FROM WELLS
- E21B19/00—Handling rods, casings, tubes or the like outside the borehole, e.g. in the derrick; Apparatus for feeding the rods or cables
- E21B19/08—Apparatus for feeding the rods or cables; Apparatus for increasing or decreasing the pressure on the drilling tool; Apparatus for counterbalancing the weight of the rods
- E21B19/09—Apparatus for feeding the rods or cables; Apparatus for increasing or decreasing the pressure on the drilling tool; Apparatus for counterbalancing the weight of the rods specially adapted for drilling underwater formations from a floating support using heave compensators supporting the drill string
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geology (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Earth Drilling (AREA)
- Actuator (AREA)
- Working Measures On Existing Buildindgs (AREA)
- Jib Cranes (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Measuring Arrangements Characterized By The Use Of Fluids (AREA)
Description
Fremgangsmåte og fotografisk maske for fremstilling av et flertall halvlederinnretninger på én enkelt halvlederskive.
Denne oppfinnelse angår halvlederteknikken, og er mer spesi°lt rettet mot fremstilling av halvlederinnretninger ved. anvendelse av fotografisk maskeringsteknikk.
PN-overgangene i silisium-transistorer med. diffunderte skikt blir vanligvis fremstilt ved. hjelp av selektiv fast-stoffdiffusjon ved. hvilken visse elementer, så som bor og fosfor, vanligvis betegnet som forurensning, blir diffundert inn i ut-valgte områder av en silisiumskive for å danne PN-overganger i denne. F.eks. bor og fosfor diffunderer meget langsomt gjennom visse materialer, så som silisiumdioksyd og visse sili-katglasstyper, slik at disse materialer kan anvendes som masker mot diffusjon av bor og fosfor inn i silisium slik at diffusjonen blir selektiv ved at den finner sted først og fremst i områder som ikke er maskert. Som det er velkjent ved fremstilling av slike transistorer, blir filmer av disse silisiumoksyder dan-
net over overflaten av en silisiumskive og åpninger blir etset i dette materiale forut for diffusjon av bor og fosfor. Under diffusjonstrinnet hvorunder silisium blir utsatt for eller behandlet med damper av fosfor- eller borholdig materiale, diffunderer disse forurensninger inn i silisiumet og danner PN-overganger i de områder hvor silisumoksydene er blitt etset bort, men praktisk talt ikke i det hele tatt der hvor silisiumet er dekket med oksydene, og i disse overdekkede områder forblir silisiumet i det vesentlige uendret.
I den diffunderte silisium-skikttransistor blir en eller flere selektivt diffunderte soner dannet innenfor det samme område som opptas av en selektivt diffundert sone som tidligere er dannet. De diffunerte soner må i de fleste tilfelle således være godt orientert eller plasert i forhold til hverandre.
" Under fremstilling av små diffunderte silisium-innretninger, f.eks. slike som er særlig konstruert for å arbeide ved høye frekvenser, er slik orientering spesielt viktig da de diffunderte soner er så små at meget små feilorienteringer er tilstrekkelige til å ødelegge innretningen. Disse transistorer blir vanligvis fremstilt i partier eller antall av hundre eller flere på en silisiumskive, og alle åpninger for et:t spesielt diffusjonstrinn blir etset samtidig, og så blir det efter re-formering eller gjendannelse av oksyd over disse soner etset nye åpninger innenfor grensene av disse.
For selektivt å etse bort oksydene og likevel bi-beholde enhøy grad av orientering er adet blitt nødvendig å anvende fotolitografiske etseprosesser. Skiven blir dekket med en emulsjon som er løsbar i visse løsningsmidler og blir eksponert med lys gjennom et eksponeringsmønster med. gjennomsiktige og ugjennomsiktige områder. Emulsjonen under de gjennomsiktige områder eller soner blir endret av lyset slik at den blir uopp-løselig, slik at de uoppløselige soner under fremkallingstrinnet blir bibeholdt på skiven, mens resten av emulsjonen fjernes. Skiven blir så neddyppet i et etsemateriale eller -stoff som etser bort oksydet der hvor emulsjonen ble fjernet under frem-kallingen. Med en spesiell behandling blir resten av emulsjonen eller dekkmidlet så renset eller tatt bort hvorefter skiven fore-ligger med det ønskede mønster av åpninger i silisiumoksydet.
I denne tidligere kjente fremgangsmåte for fremstilling av f.eks. et antall av ett hundre høyfrekvenstransistorer på en skive, har hvert eksponeringsmønster som anvendes, ett hundre ugjennomsiktige soner svarende til det oksyd som skal etses bort. Hvis det skulle anvendes fem separate etsetrinn i hvilke det skulle etses åpninger i hvert trinn for hver av de hundre transistorer, '«.ille det kreves fem forskjellige eks-poneringsmønstre. Eksponeringsmønstrene blir laget fotografisk,
og stillingen av de ugjennomsiktige soner på den ene maske til-svarer meget nøyaktig de på de øvrige mønstre. På grunn av fotografiske begrensninger og feil under oppsettelsen av master-mønstre fra hvilke eksponeringsmønstrene blir laget eller frem - stilt, vil det imidlertid være små posisjons- eller stillings-feil eller -forskjeller som opptrer i de relative stillinger av de ugjennomsiktige soner på den ene maske sammenlignet med en annen. For de fleste transistorer er disse posisjonsfeil så
små at de kan neglisjeres, da de normalt tillatelige posisjons-toleranser for de diffunderte og andre soner som krever etsning,
er mye større en disse forskjeller.
Da imidlertid de mindre transistorer for enda høyere frekvenser eller for meget lave strømnivåer ble konstruert,
måtte de diffunderte områder reduseres slik i størrelse at posisjonsfeilene fra maske til maske ble større og ikke kunne tillates. Under disse betingelser ble et stort antall transistorer av hvert parti utilfredsstillende som følge av at det ene diffunderte område på en transistor ikke ble riktig plasert i forhold til et annet da åpningene i oksydet som kreves for hver diffuejon, ikke alle kunne bli riktig plasert ved. anvendelse av disse mønstre.
Som resultat av denne begrensning ble prisen for slike transistorer med små dimensjoner nødvendigvis meget høy på grunn av det faktum at fremstillingsomkostningene for ikke brukbare transistorer nødvendigvis fikk betydning for salgsprisen for de gode eller brukbare transistorer av denne type.
Et formål med denne oppfinnelse er å forbedre fremgangsmåten for utførelse av de fotolitografiske etsetrinn som an- . vendes under fremstilling av diffunderte halvlederskiktinnretninger slik at denne blir mer velegnet for" fremstilling av halvlederinnretninger med små dimensjoner.
Nærmere bestemt angår således denne oppfinnelse i første rekke en fremgangsmåte for fremstilling av et flertall halvlederinnretninger på én enkelt halvlederskive ved anvendelse av fotografisk maskeringsteknikk for å reprodusere et flertall identiske strukturmønstre som hvert har forskjellige former i forutbestemte stillinger i forhold til hverandre. Det nye og særegne ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen er i hovedsaken at det anvendes en maske med grupper av transparente åpninger,
hver av hvilke grupper har hver av det nevnte flertall geometriske former i sine forutbestemte stillinger i forhold til hverandre slik at strukturmønsteret i halvlederinnretningen kan tilveiebringes med en eneste maske, og at masken plaseres på halvlederskiven i en gitt stilling for hvert av et flertall maskeringstrinn, hvilken maske blir forskjøvet i forhold til halvlederskiven under hvert suksessivt trinn for å anvende suksessivt forskjellige åpninger for den fotografiske maskeringsteknikk under hvert trinn, og at det sørges for en forutbestemt innbyrdes innretning av suksessive bilder med de tidligere utformede møn-stre på halvlederskiven for reprodusering av det nevnte fler-
tall geometriske former i hver enkelt halvlederinnretning.
Oppfinnelsen omfatter også en fotografisk maske
for utførelse av ovenstående fremgangsmåte, hvilken maske er karakterisert ved at individuelle felter eller områder for strukturmønstrene i hver halvlederinnretning er anordnet nær inntil hverandre på én enkelt maske.
Det henvises nå til tegningene, hvor:
Fig. 1 viser en utførelsesform for en transistor som omfatter en halvlederenhet fremstilt i henhold, til denne oppfinnelse ,
fig. IA er transistoren vist i naturlig størrelse, fig. 2 er et utsnitt av en halvlederenhet med den aktive transistordel vist 500 ganger forstørret,
fig. 3 er et tverrsnitt gjennom halvlederenheten på • fig. 2,
fig. 4 er et fotolitografisk maskeringsmønster eller en maske som brukes under fremstilling av halvlederenheten på
fig. 2, og som består av 100 bilder. Denne figur er vist 200 ganger forstørret,
fig. 5 er ett av bildene på fig. 2 vist 1.000 ganger forstørret,
fig. 6A - 6T viser trinn i fremstillingen av halvlederenheten på fig. 2,
fig. 7 er et billedparti av en maske som brukes
under fremstilling av en meget liten transistor,
fig. 8 viser trinn i fremstillingen av den aktive enhet av denne transistor.
Eksponeringsmønstre for fotolitografisk etsning, herefter betegnet som masker, har som tidligere nevnt i den form som vanligvis anvendt under fremstilling av transistorer med små dimensjoner, et flertall i det vesentlige identiske ugjennomsiktige og gjennomsiktige soner eller områder.
Maskene fremstilles ut fra et sett mastere hvor
hvert element i settet er en forstørrelse av det ønskede bilde som kreves for fotomaskeringen av én enkelt transistor, ved hjelp av en spesiell optisk prosess i hvilken det nødvendige antall bilder av sonen blir reprodusert på en fotografisk plate og så blir denne multippel-billedplate reprodusert i redusert størrelse for fremstilling av transistorer. Den vanlige frem-stillingsmåte for multippel-bildene er med. det velkjente trinnrepetisjons-kamera (step-and-repeat camera) eller med en multippel-nålihull-linse (multiple pinhole "lens"). Ideelt sett bør bildene reproduseres slik at hvis den ene maske legges over en annen i settet, vil billedsentrene i hver maske stemme overens helt identisk.
Under fremstilling av maskene vil uheldigvis små optiske feil og forskjellige andre feil gjøre det umulig i praksis å gjøre hvilke som helst to masker i et sett så nøy-aktige at billedsentrene nøyaktig stemmer overens. Feilene er imidlertid, ganske små og har bare større betydning når transistorkonstruksjonen er slik at selv disse feil ikke kan tolereres.
I den typiske halvlederskive eller -bit for en høy-frekvenstransistor opptar f.eks. den aktive del som tilveie-bringer transistorvirkningen, bare en meget liten del av overflaten av skiven og den resterende del tjener intet nyttig formål bortsett fra at størrelsen av denne gjør det lettere å håndtere skiven under fremstillingen. Fordi ekstraplass er til-gjengelig er det mulig å anvende én enkelt maske for alle etsetrinn istedenfor et sett av masker, for derved i vesentlig grad å eliminere problemet med maskenes overensstemmelse som følge av anvendelse av sett av masker med ikke-sammenfallende billed-sentre.
På fig. 1 er det vist en transistor 11 i sterkt for-størret målestokk, hvilken transistor er vist i naturlig stør-relse på fig. IA. På fig. 1 er metallkapslingen 13 oppskåret for å vise transistorens halvlederenhet. Halvlederenheten 12
som er vist ovenfra på fig. 2 og i tverrsnitt på fig. 3, ble fremstilt under anvendelse av flere fotolitografiske etseopera-sjoner og selektive diffusjonstrinn. Den aktive transistordel 14 i halvlederenheten er det sentrale område som er vist innenfor de strekede linjer. Områdene 15, 16, 17 og 18 utfører ingen nyttig funksjon, men er dannet som en del av den fotografiske etsning og de andre trinn under fremstillingen av innretningen.
Den aktive transistordel består av en emittersone
20, en basissone 21 og N- og N+-soner 23 og 24 som er innretningens kollektorsone. Metallelektrodene 25 og 26 danner kontakt med emitter- og basissonene 20 og 21 gjennom åpninger i en oksyd-
film som dekker og beskytter overflaten av skiven.
Fig. 4 viser et dekkmiddel-eksponeringsmønster eller en maske 30 i henhold til denne oppfinnelse. Med bare denne maske 30 kan alle de fotodekkmiddel-eksponeringer som kreves for etsning av alle nødvendige åpninger i oksydfilmene for selektiv diffusjon og andre formål, utføres. Denne spesielle maske 30 består av ett hundre bilder 34 som hvert består av flere ugjennomsiktige soner eller delbilder 36, 37 og 38 som fremgår mer tydelig av fig. 5 hvor bildene er ytterligere for-størret.^ Denne maske er spesielt beregnet for fremstilling av skiver, dvs. halvlederenheter 12 som vist på fig. 1, hvorunder hvert bilde blir brukt for å fremstille en skive eller bit på en større halvlederskive omfattende ett hundre av de mindre biter. Det er anordnet en ugjennomsiktig sone 37 for å danne åpningen i oksydet for å diffundere basissonen i transistoren,
en annen sone 36 for å danne åpningen for diffusjon av emitteren og to ugjennomsiktige soner 38 for å danne åpninger for metal-lisering.
Masken ~30 er laget ut fra en fotografisk master som har form av det ønskede bilde. Under anvendelse av en multippel-nålehull-linse med en rekke eller et arrangement av hundre nålehull, eller fortrinnsvis med et trinnrepetisjons-kamera, blir det tatt et fotografi som har ett hundre bilder. Dette fotografi blir så fotografisk reprodusert for å danne masken 30 som vist på fig. 4. Da hvert bilde er fullstendig, vil den innbyrdes senteravstand mellom en spesiell ugjennomsiktig sone på et bilde og en annen ugjennomsiktig sone på det samme bilde, være nesten identisk med den innbyrdes senteravstand mellom tilsvarende ugjennomsiktige soner på hvilket som helst annet bilde. Under disse betingelser kan den samme maske 30 anvendes for alle fotoetsetrinn med utmerket innbyrdes plasering eller innretning av hver sone på hver innretning som fremstilles ved hjelp av den etsning som derved tilsikres. Den forbedrede plasering som er resultatet, tillater ikke bare fremstilling av innretninger med mindre dimensjoner, men resulterer i en forbedring av utbyttet når det gjel-der fremstilling av større konstruksjoner, da de som kasseres som følge av at én sone er litt forskjøvet i forhold til den krevede stilling, blir eliminert.
På fig. 6 er vist de forskjellige trinn under fremstilling av ett hundre aktive enheter for NPN-transistorer under anvendelse av masken på fig. 4. For enkelhets skyld er det bare vist fremstillingen av én enkelt aktiv enhet. Maskerings- og etsetrinnene er også velegnet for fremstilling av PNP-transistorer med diffundert overgang såvel som forskjellige andre halvlederinnretninger med diffundert overgang i tillegg til transistorer.
En -skive 40 av silisium av N-typen med en NH—sone 41 blir belagt med en film av silisiumdioksyd 43 som vist på fig. 6A.
Oksydet blir forsynt med et jevnt belegg 45 av en fotoemulsjon eller et dekkmiddel som angitt på fig. 6B.
Så blir masken 30 anbragt i stilling på dekkmiddel-belegget 45 slik som angitt på fig. 6C. For tydelighets skyld er maskens tverrsnitt tegnet som om de ugjennomsiktige soner 49, 50, 51 og 52 strekker seg fra den nedre overflate av masken til den øvre overflate. I virkeligheten er de ugjennomsiktige soner anbragt bare på den nedre overflate av masken. Fotoemulsjonen eller dekkmiddelet blir eksponert ved å sende ultrafiolett lys mot masken. Dekkmiddelet under de gjennomsiktige deler 48 blir polymerisert av lyset mens sonene under de ugjennomsiktige soner 49, 50, 51 og 52 forblir upåvirket.
Skiven 40 blir så vasket i en fremkaller som er et løsningsmiddel som fjerner det ikke polymeriserte dekkmiddel, men ikke det polymeriserte dekkmiddel (fig. 6D) . Skiven 40 blir så renset og tørket.
Skiven blir så neddykket i et etsebad som angriper silisiumoksydet 43, men ikke dekkmiddelet eller silisiumet. Oksydet vil der hvor det ikke er dekket med dekkmiddel, bli etset bort og avdekker silisiumet ved åpningene 54, 55, 56 og 57 (fig = 6E). Oksydet 43" under det polymeriserte dekkmiddel er beskyttet mot syren.
Det gjenværende polymeriserte dekkmiddel 43 blir så renset fra overflaten av skiven (se fig. 6F) og oversiden av skiven fremtrer slik som på fig. 6G, og derefter blir skiven utsatt for damp som inneholder bor under høy temperatur. Boret diffunderer selektivt inn i silisiumet på de soner hvor oksydet er fjernet, for å danne sonene 59, 60, 61 og 62 av P-typen
(fig. 6H). Sonen 59 blir transistorens basis, mens sonene 60, 61 og 62 ikke har noen funksjon i innretningen.
Som en del av diffusjonstrinnet eller efterpå, blir en silisiumoksydfilm 64 reformert over de tidligere avdekkede overflater av silisiumet. Derefter blir skiven igjen belagt med dekkmiddel 66 (fig. 61) og masken blir igjen plasert over skiven 40, men denne gang med den ugjennomsiktige sone 49 for-skjøvet mot høyre slik at den er i stilling over den diffunderte basissone 59 (fig. 6J) . Dekkmiddelet blir eksponert og fremkalt som før for å efterlate det polymeriserte dekkmiddel 68 som det fremgår av fig. 6K, og så blir oksydet 64 over basissonen 59 etset bort for å danne emitterdiffusjonsåpningen 69 på fig. 6L, og de ekstra åpninger 70, 71 og 72. Dekkmiddelet 68 blir fjernet (fig.6M) og fosforforurensningen av N-typen blir diffundert for å danne emittersonen 75 (fig. 6N) og de uvedkommende soner 76, 77 og 78. Under emitterdiffusjonen blir det dannet en meget tynn film av fosforsilikatglass 80 (fig. 6N). Efter emitterdiffusjonen blir skiven neddykket i en svak etseoppløs-ning for å fjerne denne film 80, hvilket på ny åpner hullet 69 (fig. 60) i emittersonen.
Overflaten av skiven blir så renset og igjen gitt et belegg 85 (fig. 6P) med fotoemulsjonen eller dekkmiddelet og blir behandlet som tidligere som forberedelse for et efter-følgende eksponeringstrinn.
Masken 30 på fig. 6Q blir igjen plasert i stilling, men forskjøvet til venstre i forhold til den tidligere stilling slik at de to ugjennomsiktige soner 51 og 52 kommer i stilling over basissonen 59 med en åpning på hver side av emitteråpningen 69. Belegget 85 av dekkmiddelemulsjonen blir eksponert og fremkalt (fig. 6R), hvilket frembringer åpninger 87, 88, 89 og 90 over oksydfilmene, og derefter blir oksydet etset bort (fig. 6S) for å danne åpningene 95 og 96 i oksydet. Det gjenværende polymeriserte dekkmiddel 85' blir så fjernet (fig. 6T) og skiven renset. De to åpninger 89 og 90 over basissonen 59 som er dannet på denne måte tillater dannelse av forbindelser med silisiumet 1 basissonen i et efterfølgende metalliseringstrinn mens åpningen 69 som tidligere er dannet, tjener det samme formål for emittersonen, og så blir skiven oppkuttet til mindre biter, dvs. halvlederenheter 12, som har utseende som vist på fig. 1,
2 og 3.
I det ikke viste metalliseringstrinn, hvorunder emitter- og basiselektrodene 25 og 26 blir dannet på den oksyd-belagte overflate av skiven, blir en film av aluminium avsatt på overflaten av skiven og så etset under anvendelse av fotolitografiske metoder, til de former som er vist på fig. 2. Stillingen av fingrene 25' og 26' av metall på elektroden 25
og 26 er mindre kritisk da disse bare trenger å danne god kontakt med emitter- og basissonene gjennom åpningene 69, 89, 90
(se fig„ 6T) og følgelig kan det anvendes en annen maske for dette trinn uten å føre til vanskeligheter med hensyn til innretningen eller overensstemmelsen. Imidlertid kan de ugjennomsiktige og klare soner som er nødvendig for fotolitografisk etsing av aluminiumfilmene på emitter- og basiskontaktene, inn-befattes på den opprinnelige maske om det ønskes. Efter det ovenfor nevnte trinn, blir skivene oppkappet til halvlederenheter.
Den ovenfor beskrevne teknikk er meget anvendelig for fremstilling av en spesiell transistortype som skal be-skrives i det følgende. I dette tilfelle kan det brukes ett enkelt ugjennomsiktig område (for hvert bilde)- på masken for å fremstille alle åpninger som kreves under prosessen. Istedenfor et antall ugjennomsiktige soner på hvert billedområde slik som vist på fig. 5, består hvert billedområde som vist på fig. 7, av én enkelt ugjennomsiktig linje. I en utførelses-5 25
form er den ene billedlinje iqqq w™ (°»2 mil) lang og iqq<q> mm (1 mil) bred.
I de trinn som er vist på fig. 6A - fig. 6T vil det bli vist færre detaljer enn i forbindelse med den foregående metode. Da fotomaskerings- og etsetrinnene i prinsippet er de samme som tidligere beskrevet, blir bare resultatene av disse trinn vist.
Filmer av silisiumdioksyd 110 og 110' blir dannet på overflaten av en silisiumskive 111 av N-typen med en N+-sone 112 som vist på fig. 8A. Ved anvendelse av masken blir en første åpning 114 etset på det øvre oksyd 110 som vist på fig. 8B.
Ved anvendelse av den samme maske som forskyves litt fra sin første stilling før dekkmiddelet eksponeres, blir en annen åpning 115 etset rett til siden for den første åpning som vist på fig. 8C. Skiven blir så diffundert for å danne basissonen 117 for innretningen slik som vist på fig. 8D. Under diffusjonstrinnet blir det dannet oksydfilmer 119 og 120 over begge åpninger, og følgelig blir det under forberedelsen for den efter-følgende emitterdiffusjon nødvendig å fjerne oksydet for den ene av disse åpninger. Dekkmiddel blir plasert over overflaten av skiven og igjen ved anvendelse av samme maske blir denne slik plasert at når fotoemulsjonen eller dekkmiddelet eksponeres, ligger den ugjennomsiktige del av masken over en av de opprinnelige åpninger. Efter at dekkmiddelet er eksponert og fremkalt, blir så oksydet 120 etset bort fra den ene av de opprinnelige åpne soner 114 (fig. 8E). Skiven blir så utsatt for en emitterdiffusjon for å danne emittersonen 125 (fig. 8F). Under dannel-sen av emittersonen dannes det en glassfilm 126 på åpningen i området 114. Denne film blir lett fjernet ved å dyppe skiven i en etseoppløsning som angriper dette oksyd. Oksydet 119 på
den annen åpning (fig. 8G) består av en annen type glass som det er vanskeligere å fjerne, slik at det blir utført en fotolitografisk etseoperasjon for å fjerne dette oksyd 119. Igjen blir den samme ugjennomsiktige sone på masken brukt og blir plasert i stilling over stedet for den opprinnelige åpning 115. Efter eksponering og fremkalling av dekkmiddelet og etterfølgende ets-
ning av oksydet, blir det så dannet en skive som vist på fig.
8H og likeledes vist ovenfra på fig. 8K. Disse soner av metall blir etset til denne form under anvendelse av en separat maske. De ugjennomsiktige soner som er nødvendig for å gi disse metall-soner sin form, kan være innbefattet på den første maske om ønskelig. Da imidlertid deres stilling er mindre kritisk enn stillingen av åpningene for diffusjonen, er det ikke absolutt nødvendig at disse er anbragt på samme maske. Imidlertid er det ved de minste innretning som for tiden kan fremstilles med denne metode, ønskelig at alle ugjennomsiktige soner be-finner seg på samme maske.
De nettopp beskrevne metoder har anvendt masker med ugjennomsiktige soner svarende til konfigurasjonen av de områder som skal etses. Disse er kalt positive masker og blir brukt med såkalte positive fotoemulsjoner eller dekkmidler som blir uoppløselige i dekkmiddelfremkalleren efter eksponering med lys. Det finnes imidlertid fotoemulsjonsstoffer som er uoppløselige
i visse fremkallere og som blir oppløselige når de eksponeres med lys, og disse kalles negative emulsjoner eller dekkmidler. Disse blir brukt med negative masker på hvilke soner av masken svarende til områder som skal etses, er klare eller gjennomsiktige og ikke ugjennomsiktige. Negative masker og negative fotoemulsjoner kan i fellesskap erstatte positive masker og positive fotoemulsjoner i de nettopp beskrevne prosesser, og denne oppfinnelse omfatter således også anvendelse av slike negative masker og emulsjoner.
Ved anvendelse av foreliggende oppfinnelse kan det fremstilles et stort antall halvlederinnretninger på en skive av halvledermateriale, slik at mange av de kritiske soner på hver av innretningene blir plasert. nøyaktig i forhold til andre over skiven. Som følge av dette kan det fremstilles mindre transistor, og for en gitt dimensjon av slike innretninger kan det oppnås høyere utbytte av tilfredsstillende innretninger.
Claims (2)
1. Fremgangsmåte for fremstilling av et flertall halvlederinnretninger på én enkelt halvlederskive ved anvendelse av fotografisk maskeringsteknikk for å reprodusere et flertall identiske strukturmønstre som hvert har et flertall geometriske former i forutbestemte stillinger i forhold til hverandre, karakterisert ved at det anvendes en maske med grupper av transparente åpninger, hver av hvilke grupper har hver av det nevnte flertall geometriske former i sine forutbestemte stillinger i forhold til hverandre slik at strukturmønsteret i halvlederinnretningen kan tilveiebringes med en eneste maske, og at masken plaseres på halvlederskiven i en gitt stilling for hvert av et flertall maskeringstrinn, hvilken maske blir forskjø-vet i forhold til halvlederskiven under hvert suksessivt trinn for å anvende suksessivt forskjellige åpninger for den fotografiske maskeringsteknikk under hvert trinn, og at det sørges for en forutbestemt innbyrdes innretning av suksessive bilder med de tidligere utformede mønstre på halvlederskiven for reprodusering av det nevnte flertall geometriske former i hver enkelt halvlederinnretning.
2. Fotografisk maske for utførelse av fremgangsmåten ifølge krav 1, karakterisert ved at individuelle felter eller områder (36, 37, 38) for strukturmønstrene i hver halvlederinnretning er anordnet nær inntil hverandre på én enkelt maske.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/294,436 US4421173A (en) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | Motion compensator with improved position indicator |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO821880L NO821880L (no) | 1983-02-21 |
NO159198B true NO159198B (no) | 1988-08-29 |
NO159198C NO159198C (no) | 1988-12-07 |
Family
ID=23133413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO821880A NO159198C (no) | 1981-08-20 | 1982-06-04 | Bevegelseskompenserende innretning for plassering mellom en offshore-baerekonstruksjon og en relativt denne bevegbaroffshore-broennkonstruksjon. |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4421173A (no) |
JP (1) | JPS5837288A (no) |
BR (1) | BR8204587A (no) |
CA (1) | CA1170063A (no) |
DE (1) | DE3230881A1 (no) |
FR (1) | FR2511726B1 (no) |
GB (1) | GB2104128B (no) |
MX (1) | MX161185A (no) |
NL (1) | NL8203240A (no) |
NO (1) | NO159198C (no) |
SE (1) | SE451080B (no) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4612993A (en) * | 1984-09-19 | 1986-09-23 | Shell Oil Company | Riser position indication apparatus |
US5520369A (en) * | 1984-12-28 | 1996-05-28 | Institut Francais Du Petrole | Method and device for withdrawing an element fastened to a mobile installation from the influence of the movements of this installation |
US4867418A (en) * | 1986-03-03 | 1989-09-19 | N.L. Industries, Inc. | Apparatus for increasing the load handling capability of support and manipulating equipment |
US4787778A (en) * | 1986-12-01 | 1988-11-29 | Conoco Inc. | Method and apparatus for tensioning a riser |
US4883387A (en) * | 1987-04-24 | 1989-11-28 | Conoco, Inc. | Apparatus for tensioning a riser |
FR2638830B1 (fr) * | 1988-11-10 | 1993-01-29 | Inst Francais Du Petrole | Dispositif pour determiner la distance verticale entre deux elements a des hauteurs inegales |
NO309537B1 (no) * | 1999-03-03 | 2001-02-12 | Eng & Drilling Machinery As | Anordning ved et boredekk pa en boreplattform |
NO310986B1 (no) | 1999-09-09 | 2001-09-24 | Moss Maritime As | Anordning for overhaling av hydrokarbonbronner til havs |
US6343893B1 (en) | 1999-11-29 | 2002-02-05 | Mercur Slimhole Drilling And Intervention As | Arrangement for controlling floating drilling and intervention vessels |
US6688814B2 (en) * | 2001-09-14 | 2004-02-10 | Union Oil Company Of California | Adjustable rigid riser connector |
US6672410B2 (en) | 2001-09-25 | 2004-01-06 | Ingersoll-Rand Company | Drilling machine having a feed cable tensioner |
US6824330B2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-11-30 | Coflexip S.A. | Constant tension steel catenary riser system |
NO20025858D0 (no) * | 2002-12-06 | 2002-12-06 | Maritime Hydraulics As | Horisontalkraftutlignet stigerörstrekkanordning |
US7008340B2 (en) * | 2002-12-09 | 2006-03-07 | Control Flow Inc. | Ram-type tensioner assembly having integral hydraulic fluid accumulator |
US6968900B2 (en) * | 2002-12-09 | 2005-11-29 | Control Flow Inc. | Portable drill string compensator |
BRPI0400764A (pt) * | 2003-03-25 | 2004-11-30 | Sofitech Nv | Sistema de manejo de tubos flexìveis enrolados em carretéis |
US20060180314A1 (en) * | 2005-02-17 | 2006-08-17 | Control Flow Inc. | Co-linear tensioner and methods of installing and removing same |
US7225877B2 (en) * | 2005-04-05 | 2007-06-05 | Varco I/P, Inc. | Subsea intervention fluid transfer system |
GB0509993D0 (en) * | 2005-05-17 | 2005-06-22 | Bamford Antony S | Load sharing riser tensioning system |
US20070084606A1 (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-19 | Hydraulic Well Control, Llc | Rig assist compensation system |
US7404443B2 (en) * | 2005-10-21 | 2008-07-29 | Schlumberger Technology Corporation | Compensation system for a jacking frame |
US7357184B2 (en) * | 2005-10-21 | 2008-04-15 | Schlumberger Technology Corporation | Jacking frame having a wellhead centralizer and method of use |
US7784546B2 (en) * | 2005-10-21 | 2010-08-31 | Schlumberger Technology Corporation | Tension lift frame used as a jacking frame |
US7281585B2 (en) * | 2006-02-15 | 2007-10-16 | Schlumberger Technology Corp. | Offshore coiled tubing heave compensation control system |
US20090114894A1 (en) * | 2007-09-18 | 2009-05-07 | Alvin Rooks | Universal Sheave Wheel Adapter |
NO330288B1 (no) * | 2008-06-20 | 2011-03-21 | Norocean As | Slippforbindelse med justerbar forspenning |
NO341753B1 (no) * | 2013-07-03 | 2018-01-15 | Cameron Int Corp | Bevegelseskompensasjonssystem |
GB2561743B (en) | 2015-10-28 | 2021-08-11 | Maersk Drilling As | Offshore drilling rig comprising an anti-recoil system |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2826165A (en) * | 1955-10-31 | 1958-03-11 | Infilco Inc | Position indicator |
FR2159169B1 (no) * | 1971-11-08 | 1974-05-31 | Inst Francais Du Petrole | |
US3804183A (en) * | 1972-05-01 | 1974-04-16 | Rucker Co | Drill string compensator |
GB1397880A (en) * | 1973-10-09 | 1975-06-18 | Brown Brothers & Co Ltd | Heave compensating device for marine |
US4004532A (en) * | 1975-05-05 | 1977-01-25 | Western Gear Corporation | Riser tension system for floating platform |
FR2344490A1 (fr) * | 1976-03-18 | 1977-10-14 | Elf Aquitaine | Dispositif de compensation des variations de distance entre un objet flottant sur l'eau et le fond de celle-ci |
US4176722A (en) * | 1978-03-15 | 1979-12-04 | Global Marine, Inc. | Marine riser system with dual purpose lift and heave compensator mechanism |
-
1981
- 1981-08-20 US US06/294,436 patent/US4421173A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-05-18 GB GB08214422A patent/GB2104128B/en not_active Expired
- 1982-05-26 CA CA000403799A patent/CA1170063A/en not_active Expired
- 1982-06-04 NO NO821880A patent/NO159198C/no unknown
- 1982-06-29 FR FR8211413A patent/FR2511726B1/fr not_active Expired
- 1982-08-04 BR BR8204587A patent/BR8204587A/pt unknown
- 1982-08-18 JP JP57142204A patent/JPS5837288A/ja active Granted
- 1982-08-18 NL NL8203240A patent/NL8203240A/nl not_active Application Discontinuation
- 1982-08-18 SE SE8204752A patent/SE451080B/sv not_active IP Right Cessation
- 1982-08-19 DE DE3230881A patent/DE3230881A1/de not_active Withdrawn
- 1982-08-19 MX MX194072A patent/MX161185A/es unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4421173A (en) | 1983-12-20 |
JPS5837288A (ja) | 1983-03-04 |
NO821880L (no) | 1983-02-21 |
SE8204752D0 (sv) | 1982-08-18 |
SE451080B (sv) | 1987-08-31 |
MX161185A (es) | 1990-08-14 |
GB2104128A (en) | 1983-03-02 |
NL8203240A (nl) | 1983-03-16 |
NO159198C (no) | 1988-12-07 |
JPH0220797B2 (no) | 1990-05-10 |
DE3230881A1 (de) | 1983-03-03 |
FR2511726A1 (fr) | 1983-02-25 |
BR8204587A (pt) | 1983-07-26 |
SE8204752L (sv) | 1983-02-21 |
CA1170063A (en) | 1984-07-03 |
FR2511726B1 (fr) | 1985-07-12 |
GB2104128B (en) | 1984-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO159198B (no) | Bevegelseskompenserende innretning for plassering mellom en offshore-baerekonstruksjon og en relativt denne bevegbaroffshore-broennkonstruksjon. | |
US6300018B1 (en) | Photolithography mask having a subresolution alignment mark window | |
TW462073B (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
TW533492B (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
TW200401350A (en) | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device | |
CN107132724B (zh) | 一种掩膜版以及阵列基板的制备方法 | |
TWI235415B (en) | Method and device for improving uniformity of critical dimension between different patterns of semiconductor devices | |
JP2002202585A (ja) | フォトマスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2003257828A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN117133634A (zh) | 半导体器件的制造方法、半导体器件及光刻掩膜版 | |
US7566516B2 (en) | Photomask and method of manufacturing the same | |
NO119692B (no) | ||
US5432588A (en) | Semiconductor device and method of making the semiconductor device | |
US6893806B2 (en) | Multiple purpose reticle layout for selective printing of test circuits | |
US7656505B2 (en) | Apparatus to easily measure reticle blind positioning with an exposure apparatus | |
US7303844B2 (en) | Marking system for a semiconductor wafer to identify problems in mask layers | |
US5990540A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JPH0467613A (ja) | 微細コンタクトホールの形成方法 | |
TW516098B (en) | Light source generation apparatus and exposure method of contact hole | |
JP2715462B2 (ja) | レチクル及びこれを用いる半導体装置の製造方法 | |
KR20060086611A (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
KR200184214Y1 (ko) | 웨이퍼 정렬 및 크리티컬 디멘젼 측정용 마스크 패턴 | |
KR100510754B1 (ko) | 바이어스를 위한 마스크 내 테스트 패턴 구성 방법 | |
KR100505421B1 (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 | |
JPH03180017A (ja) | 半導体装置の製造方法 |