NO116568B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- NO116568B NO116568B NO164352A NO16435266A NO116568B NO 116568 B NO116568 B NO 116568B NO 164352 A NO164352 A NO 164352A NO 16435266 A NO16435266 A NO 16435266A NO 116568 B NO116568 B NO 116568B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- gas
- frequency
- winding
- pressure
- windings
- Prior art date
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 57
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N uranium Chemical compound [U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U] DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/354—Introduction of auxiliary energy into the plasma
- C23C14/355—Introduction of auxiliary energy into the plasma using electrons, e.g. triode sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Description
Fremgangsmåte og innretning til avleiring av tynne ledende eller
halvledende belegg.
Den foreliggende oppfinnelse angår en fremgangsmåte og en
innretning til forstCvning, som gj6r det mulig på overflater av vil-
kårlig art og form å avsette belegg av metaller eller legeringer (intermetalliske forbindelser), grafitt eller hvilken som helst form for ledere eller halvledere. Beleggene skal kunne dekke overflater av både metalliske, keramiske og plast-materialer, enten det nu er i form av korrosjonsbeskyttende belegg eller som diffusjonsbarriere, og det såvel på innsiden som på yttersiden av en vilkårlig gjenstand,
eller også utgjQre elektrisk eller termisk ledende overtrekk eller overtrekk med dekorative eller optiske virkninger.
De fysikalsk-kjemiske egenskaper som kreves av beleggene,
kan være folgende:
god vedheftning,
Jevn belegning,
homogen belegning,
meget liten porOsitet (barriere mot gjennemtrengning av gass eller væsker),
meget fin kornstruktur,
god. korrosjonsmotstand.
Blant de lfisninger som allerede har vært anvendt for å gjennemfOre belegning, kan passende nevnes elektrolytisk belegning, belegning ved termisk spaltning av kjemiske produkter, pådampning samt laminering eller påpresning.
Oppfinnelsesgjenstanden kan henregnes til kategorien avleiring ved elektriske utladninger, som på teknikkens nuværende stadium fremfor alt omfatter katodeforstBvning. En kort forklaring av denne metode kan gis som felger: I en vakuumbeholder, i almindelighet en glassklokke,tilveiebringes en atmosfære av argon eller annen gass (f.eks. helium) med lavt absolutt trykk på 1 mm ned til 10"^ mm Hg.
I denne beholder er der i almindelighet plasert to elektroder, nemlig katoden, som selv utgjBr materialet som skal avleires, og anoden, som i almindelighet utgjOres av beholderen (den kan også være en hjélpé-anode eller også en gjenstand som skal belegges)* Mellem disse to elektroder påtrykkes en hOy spenning av stOrrelsesordenen 2000 - 4000 volt. PrOven som skal belegges, plaseres rett overfor katoden.
Den nfiyaktige mekanisme av den konvensjonelle katodeforstOv-ning er ennu ikke særlig godt kjent eller forklart. Imidlertid kan man gi fSigende beskrivelse: Katoden sender ut elektroner som ved kollisjon ioniserer gassen (f.eks. argon). De således frigjorte argon-ioner akselereres
av hCyspenningsfeltet og bombarderer katoden slik at mikroskopiske partikler av denne blir revet 18s og sendt ut i hele beholderen, også mot overflaten av gjenstanden. For tiden foreligger der på markedet
apparater som arbeider efter dette prinsipp, og som til og med oppviser endel forbedringer fremfor metoden i henhold til den ovenstående elementære beskrivelse. I den forbindelse kan nevnes at apparat som i oppviser de følgende trekk: Katoden varmes opp indirekte, men utgjOree ikke av materialet som skal avsettes. I stedet anbringes en hjelpe-katode av stoffet som skal avsettes, overfor gjenstanden som skal belegges. Denne annen katode befinner seg likeledes på negativ spenning, men av mindre stiJrrelse enn spenningen på opphetningskatoden. De ioniserte gasser blir konsentrert i midten av klokken ved hjelp av et magnetfelt på 200 gausa.
Systemet med katodeforstøvning, som er tilfredsstillende for avleiring av ytterst tynne belegg, lider imidlertid av flere ulemper,
som f.eks.:
for lav virkningsgrad for avleiringer av en viss størrelse,
for liten hastighet av belegningen,
elektrodesystemet lar seg ikke lett tillempe for å arbeide effektivt i det indre av spesielt formede rør, f.eks. for innvendig belegning av røret,
som helhet blir innretningen meget lite mobil, og den egner seg meget dårlig for belegninger i industrielle apparater av €n viss størrelse.
Den fremgangsmåte som oppfinnelsen går ut på, og som gjør det
mulig å avhjelpe disse mangler og også å avsette stoffer med meget høyt smeltepunkt, er i første rekkekarakterisert vedat overflaten som skal belegges, anbringes i en gassatmosfære som til stadighet for-
nyes og holdes på et hovedsakelig konstant trykk av størrelsesordenen 10 —1 til 10 — J T mm Hg, og at denne gass får påtrykket et elektromag-
netisk felt med spenning 1500 - 3000 Volt og frekvens 2-30 MHz ved hjelp av påtrykningsorganer som er anbragt i gassatmosfæren og utført av materialet som skal avleires, eller en av dets bestanddeler, for å ionisere gassen og i det minste delvis omdanne den til plasma, hvis partikler under virkningen av den bevegelse som meddeles dem, rammer de nevnte påtrykningsorganer for det høyfrekvente hOyspenningsfelt.
Ved virkningen av anslaget vil disse partikler derved rive løs små stoffpartikler som alt efter arten av den benyttede gass (inert eller reaktiv) avsetter seg som sådanne eller efter forbindelse med gassen,
på de omgivende flater og spesielt på den flate som skal dekkes, og som fortrinnsvis anbringes i umiddelbar, nærhet av de nevnte påtryknings-midler for høyfrekvensfeltet0
For utførelse av fremgangsmåten gir oppfinnelsen også anvisning på en innretning til avleiring av tynne belegg av ledende eller halvledende materiale på overflaten av vilkårlige legemer. Denne inn-
retning er i første rekkekarakterisert vedat den omfatter et belegningskammer med kontinuerlig gasstilførsel gjennem en eller flere ledninger ogi tilsluttet et vaJcuumpumpesystem som vedlikeholder et hovedsakelig) konstant lavt trykk av 10~<*>j til 10~^ mm Hg i kammeret, tog
at der i dette er anbragt en eller flere) selvinduksjonaviklinger som er utført av materialet som skal avleires, og innrettet til å påtrykke gassatmoafasren i kammeret et høyspent og høyfrekvent elektromagnetisk
felt for å ionisere gassen, samtidig som gasstilforselsledningen eller -ledningene fortrinnsvis er plasert i aksen for selvinduksjonsviklingen eller -viklingene og munner ut ved inngangen til denne, resp. disse.
Oppfinnelsen vil forstås bedre på grunnlag av tegningen, hvor deler som er like eller over samme funksjoner, er forsynt med de samme henvisningstall på de forskjellige figurer.
Fig. 1 er et prinsippskjerna for innretningen.
Fig. 2 viser skjematisk snitt av forstøvningskammeret.
Fig. 3 a - h viser forskjellige utf5relsesformer av selv-induks jonsorganer til påtrykning av hoyfrekvensfeltet. Fig. 4 viser et utforelseseksempel på oppfinnelsen anvendt ved en innretning som muliggjør belegning av innerflaten av et ror, og
fig. 5 viser et utforelseseksempel på anvendelsen av oppfinnelsen ved en innretning til belegning av et kar.
Der henvises først til fig. 1 og 2. 1 betegner en høyfrekvens-generator hvis frekvens ved hjelp av en variabel kapasitet 2 kan regu-leres mellem 2 og minst 30 MHz. En spenningshoynende transformator 3 overforer den av generatoren leverte hoyfrekvensstrøm til en spole 5 som er utfort av materialet som skal avgis, og befinner seg i en beholder 4 med lavt absolutt trykk. Hoyfrekvensstrommen filtreres slik at alle parasittiske modulasjoner blir eliminert. En ledning 6 for tilførsel av gass under lavt trykk er fortrinnsvis plasert slik at den blåser inn gassen i det rom som omsluttes av vindingene av spolen 5»Et vakuumpumpeanlegg 9 gjor det mulig å holde det lave gasstrykk i det indre av beholderen 4 hovedsakelig konstant. Den eller de gjenstander 7 som skal belegges, plaseres rett overfor spolen i en avstand av 3-4 cm. I almindelighet (jfr. fig. 1) blir de ledende prøver som skal belegges, understøttet på og forbundet elektrisk med en elek-trode som går gjennem veggen av beholderen og er isolert fra denne, noe som forøvrig også gjelder tilførselslederne til spolen 5»En høy-spennings-likestromgenerator 8 blir dels med sin negative pol tilsluttet prøven som skal belegges, og dels med sin positive pol tilsluttet veggen av beholderen 4»Takket være denne anordning er det mulig, før belegningen på prøven foretas, å utføre en rensning av denne på stedet ved en prosess i likhet med den tidligere kjente katodeforstøvning. Under denne fase virker således stykket som skal renses, som katode hvorfra der rives løs materiale. Det sier seg selv at høyfrekvensgeneratoren 8 frakobles under avleiringsfasen.
Et viktig punkt skal understrekes når det gjelder innføringen
av gassen og trykket av den innforte gass: For å skape optimale be-
tingelser for forstovningen innforer man en liten gass-stråle direkte i spoleaksen.
Innretningens virkemåte er som folger:
Under virkningen av det høyfrekvente elektromagnetiske felt
blir gassen som innfores i det av spolen begrensede rom. sterkt ionisert i form av et plasma. Partiklene av dette plasma blir ved den sterke bevegelse som meddeles dem. slynget mot spolen og løsriver fra denne korpuskler av dens materiale. Disse korpuskler sprer seg i hele beholderen og vil bl. a. avsette seg på gjenstanden 7 som skal belegges. Den store fordel ved den metode og den innretning som er beskrevet, er at hastigheten av avleiringen blir meget større enn i tilfellet av "cathode sputtering". Ennvidere har man iakttatt eksperimentalt at det plasma som dannes av gassen, praktisk talt blir holdt innenfor spolen. Det gasstrykk som hersker utenfor spolen,
blir dermed nødvendigvis meget lavere og svarer noenlunde til det man
måler med vakuum-måleinstrumenter anbragt i beholderen
(10 -1 til 10 -3 J mm Hg). Dette lave trykk av gassen som omgir prøven,
er fordelaktig for beleggets struktur. Således får man takket være dette lave gasstrykk mindre inneslutning av gass i belegget. Den variable kapasitet 2 benyttes til å forandre frekvensen av det elektromagnetiske felt som frembringes av spolen. For til hver gass som benyttes, svarer en foretrukken frekvens for ionisasjonen, og det er således gunstig å tilpasse feltets frekvens efter arten av den an-
vendte gass.
I tilfelle av at den eller de prøver som skal belegges,
ikke er ledende, nøyer man seg med å plasere dem rundt omkretsen av spolen 5 uten noen form for elektrisk tilslutning (jfr. fig. 2).
Innretningen kan også omfatte et manometer 10 til måling av vakuet.
Sluttelig kan nevnes at beholderveggen kan være jordet.
Eksempelvis kan nevnes at man med en innretning utført på
denne måte bl. a. har foretatt følgende belegninger: Nikkel på
zircaloy, nikkel på keramikk, niob på kobber, niob på keramikk (AlgOo),
tantal på keramikk (AlgO^), jern på kobber, nikkel på kobber, niob på
messing, niob på zircaloy, wolfram på keramikk. En digel har vært belagt med wolfram og gjorde det derefter mulig å utfore smeltning av metallisk uran uten oksydasjon av metallet. Likeledes har der vært foretatt belegning med rustfritt stål. Materialet Fe-Ni-Cr har vært overført som sådant fra spolen til gjenstanden som skulde belegges.
Det sier seg selv at det her bare dreier seg om et lite antall av eksempler og den anførte liste på ingen måte blir å anse som begrensende. Generelt kan det sies at de tekniske driftsdata varierer litt fra en prøve til en annen.
Således er avleiringstiden avhengig av metallets art og av den effekt som uttas fra generatoren. Det er mulig å Øke belegnings-mengden pr. minutt og pr. cm ved å Øke antallet av viklinger og av innføringssteder for ioniserende gass. Imidlertid foreligger der også en annen mulighet for å Øke hastigheten av avleiringen. Den består i at man på den prosess som foregår i den beskrevne innretning, overlagrer en konvensjonell katodeforstøvning. Til dette formål er det tilstrekkelig mellem spolen 5°g beholderen 4 å frembringe et kraftig elektrisk likefelt som overlagrer seg på det elektromagnetiske felt. Forøvrig er det mulig å benytte alle forbedringer av denne teknikk.
De beskrevne eksempler gjelder avleiring av selve materialet av spolen 5P8- prøven under utnyttelse av lite reaktive edel-gasser i ren form eller i form av blandinger. Imidlertid skal det bemerkes at oppfinnelsen ikke er begrenset til denne anvendelsesmåte.
Således lar det seg uten videre gjøre, uten å avvike fra oppfinnelsens ramme, å foreta avleiringer av forbindelser som utgjøres dels av materialet i spolen 5 og dels av gassen, som isåfall er reaktiv, og som innføres i naboskapet av spolen. Således har man realisert avleiringer av aluminiumoksyd og av niobnitrid. Spolen 5 besto da av aluminium eller niob og gaasatmosfæren av henholdsvis oksygen eller nitrogen. Det sier seg selv at heller ikke denne oppregning når det gjelder avleiring av forbindelser, er uttømmende, men bare er anført eksempelvis. Således kan man også benytte en blanding av flere reaktive og/eller inerte gasser.
I det følgende vil der bli omtalt endel forskjellige mulige konstruksjonsvarianter av innretningen ifølge oppfinnelsen, spesielt når det gjelder selvinduksjonsviklingens utformning og anordningen av gasstilfØrseleno 1. Fig. 3a viser en spole 5 med flere vindinger som gjennem-flytes av høyfrekvensstrømmen. Dette er en utførelse { ^ . 7 som allerede blev beskrevet i forbindelse med forklaringen av opp-I' finnelsens prinsipp og er antydet mer skjematisk på fig. 1 og £.
i Skjønt der her er vist bare en enkelt spole, kan man Også tanke «ag j en kombinasjon av flere selvinduksjoner, f.eks» som antydet på fig«3b!aller 3°, for A Øke utbyttet av avleiringen»
Innretninger med selvinduksjonsvirkning som de vista^tear i meget vélskikket til gjennomførelse av fremgangsmåten ifølge opp- finnel8en. Således har de meget god virkningsgrad. De er meget lett håndterlige. Særlig fordelaktig, skjønt ikke utelukkende kan de benyttes til å belegge innsiden av rør, selv med stor diameter. Isåfall vil selve røret kunne utgjere vakuumbeholderen. Man behøver
da bare å stenge det, forbinde det med et vakuumpumpeanlegg og an-bringe spolen eller spolene i det. En innretning som virker efter dette prinsipp, er vist på fig. 4. På denne måte har man foretatt korrosjonsbekyttende belegning av innsiden av r6r til bruk i kjerne-reaktorer, og det på minimal tid.
Eksempelvis kan man anvende selvinduksjonsspoler av massiv tråd med en diameter av 2 - 3 mm»men det er ogfeå mulig, f.eks. i. tilfellet av metaller med lavt smeltepunkt, å benytte hule r6r som kjeles med en gass eller væske. Likeledes er det mulig å omkle et rOr med et annet metall, f.eks. omgi et kobberrør med et bånd av aluminium som dermed utgjer metallet som skal avsettes. En annen måte å utfOre spolen på vilde være å vikle et bånd i skruelinjeform. Dette kunde man gjOre for å 6ke sputtering-overflaten under bibehold av en god ionisasjon av gassen, i midten av spolen. For å forenkle matningen med gass som skal ioniseres, er det også mulig å utfere en spole som utgjøres av et r6r av materiale som skal avleires, og vikles i skruelinjeform samt forsynes med hull 17 (fig»3d) som har mikroskopiske dimensjoner og vender innover for å mate det av spolen omsluttede rom med ioniserende gass (fig. 3d). 2. En ionisasjonsvikling i form av en flat spiral. Spiralen kan være helt plan (fig. 3g og 3g<*>) eller svakt konisk (fig. 3e og 3e') med bredsiden vendende mot gjenstanden som skal belegges. Den ioniserende gass innfOres gjennem kjegleaksen, eller man benytter igjen et rør hvor gassen som skal ioniseres, strømmer ut gjennem mikroskopiske hull i spiralen (fig. 3f og 3f).
Denne utførelse er særlig interessant for belegning av
flate gjenstander i form av blikk eller av store sylindre eller store kar, f.eks. (fig. 5) et stålkar 18 som er bestemt for kjemiske pro-sesser, og som skal dekkes av et beskyttende skikt, f.eks. av nikkel. Isåfall lan man utføre flatspiralen av nikkel og la karet dreie seg, det hele selvsagt i et passende vakuum. Dette er ett eksempel blandt mange andre.
3*For metaller som har for lavt smeltepunkt eller også utilstrekkelig mekanisk fasthet, vil man kunne benytte systemet med flatspiraler, men denne gang av flytende metaller, selvsagt under-
støttet av et passende keramisk underlag (fig. 3n°g 3h') hvori der er uttatt en spiralformet renne inneholdende materialet som skal avgis. Argongassen blir selvsagt igjen innfort gjennem spoleaksen.
Dette er av særlig interesse for slike metaller som aluminium, sink, cadmium o.s.v. eller legeringer av disse med lavt smeltepunkt.
Som folge av ionebombardementet'som fremkalles av hoy-frekvensfeltét, blir viklingen eller spolen varmet opp og når tempera-turer som kan variere, men ikke overstige 1200° C, alt efter drifts-betingelsene. Man har gjentatte ganger kunnet iaktta en lokal opp-varmning, fremfor alt hvis gass-strålen kommer inn for nær en vikling eller rettes direkte mot denne. Dette kan til og med fore til en lokal smeltning av viklingen, noe som er ødeleggende for en tilfredsstillende drift. Hvis man stenger gass-tilførselen og lar vakuum-pumpen fortsette å arbeide og suge ut gass fra omslutningen, konstaterei man at spolen kjølner betydelig. Den blir da bare oppvarmet ved hoy-frekvensvirkningen. Dette viser at det virkelig er ionebombarde-mentet som bevirker oppvarmningen av elektroden.
I prinsippet kan alle ledende eller til og med halvledende materialer benyttes som hoyfrekvensvikling. Enda mer generelt kan organene for påtrykning av hoyfrekvensfeltet utfores av hvilket som helst materiale som kan få påtrykket et elektromagnetisk hoyfrekvens-felt. Som understøttelse kan man benytte praktisk talt hvilket som helst materiale, forutsatt at det ikke fordamper under de beskrevne arbeidsbetingelser. Som det fremgår av det foregående, byr den nye fremgangsmåte på tallrike fordeler.
Sammenholdt med den konvensjonelle forstovning blir hastigheten av avleiringen ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen større. Videre blir det mulig å realisere industrielle anlegg av store dimensjoner.
Fremgangsmåten behøver ikke noen komplisert apparatur, således er en Rootes-pumpe og en roterende pumpe istand til å skaffe det lave trykk av 1' 0 -1 til 10 J mm Hg som behøves for systemet. Man kan til og med tenke seg en hjelpesirkulasjon av gass i lukket krets.
I elektrisk henseende blir utførelsen meget enkel. Det er nok å ha j til rådighet en hoyfrekvensgenerator, som nu er blitt en meget ut-bredt apparattype. Takket være sin enkelhet og sin store smidighet når det gjelder tillempning i hvilken som helst vakuumbeholder, og også takket være det reduserte omfang av avleiringsapparaturen egner fremgangsmåten seg til mange industrielle anvendelser, såvel nukleære som halvnukleære. Det er mulig å belegge et rør innvendig med et beskyttelsesskikt uten komplikasjon eller modifikasjon av metoden.
Som vakuumbeholder kan man benytte selve roret, som lukkes ved den ene ende og forbindes med en pumpe, eller man innforer roret i en meget lang sylindrisk beholder. Med sikte på ensartet avleiring er det å foretrekke å la roret rotere.
Blant fordelene ved fremgangsmåten ifølge-oppfinnelsen er det ennvidere på sin plass å nevne at det er mulig å realisere en automatisk betjening av avleiringsapparaturen og dermed anvende et minimum av personale. Utbyttet er ypperlig, noe som gjor det mulig å benytte en minimal mengde av utgangsmaterialer. Enkelheten av metoden gjor det også mulig å unnvære diverse stoffer eller kjemiske reagenser. Ennvidere er det mulig, for belegningen foretas, å utfore en rensning av overflaten som skal belegges, og det i samme innretning, noe som forenkler arbeidet betydelig.
Fremgangsmåtens anvendelsesområde er ytterst utstrakt. Det dekker praktisk talt alle områder av industrien hvor der er spørsmål om beskyttende eller dekorativ ledende eller halvledende belegning. a) I den kjemiske industri: Belegg til beskyttelse mot syrer, mot korrosjon o.s.v. b) Innen den metallurgiske industri: Diffusjonsbarriere, dekorativt eller bekyttende belegg, overtrekk til beskyttelse mot
opptagelse av hydrogen, beskyttelse mot korroderende produkter.
c) I den keramiske industri: Metallisk belegning på keramiske gjenstander for dannelse av termisk eller elektrisk ledende skikt
eller for bunnskikt for sveising eller lodding.
d) I den elektroniske industri: Kondensatortråder på keramikk eller plast eller glass eller glimmer, trykte kretser, kretser i
halvledere, forbindelses-, sveise- eller beskyttelses-skikt.
e) I den kjernetekniske industri: Diffusjonsbarrierer på brensel eller kapsling, belegg til beskyttelse mot korrosjon fra
vann eller organiske produkter, diffusjonsbarrierer på reaktor-kanaler, beskyttelsesskikt på keramiske konstruksjoner, digel-foringer, f.eks. av wolfram på aluminiumoksyd for metallurgiske smelteprosesser, ledende tråder for spesielle laboratoriestudier, "coated particles", belegg på kuler av karbid eller oksyd, overtrekk på termioniske ledere, termioniske brenselelementer, metalliske overtrekk på UOg eller UC etc.
Det turde også være på sin plass å tilføye at den veksel-strøm aom går i hvilke som helst av- de benyttede former for organer til påtrykning av høyfrekvensfeltet, kan være av vilkårlig type: sinusformet, sagtakket, pulsformet o.s.v.
Claims (9)
1. Fremgangsmåte til avleiring av tynne belegg av ledende eller halvledende materiale på overflaten av materialer som metall, keramikk eller plast,karakterisert vedat overflaten som skal belegges, anbringes i en gassatmosfære som til stadighet fornyes og holdes på et hovedsakelig konstant trykk av størrelsesordenen 10 1 til 10 _ J Q mm Hg, og at denne gass får påtrykket et elektromagnetisk felt med spenning 1500 - 3000 Volt og frekvens 2-30 MHz ved hjelp av påtrykningsorganer som er anbragt i gassatmosfæren og utført av materialet som skal avleires, eller en av dets bestanddeler, for å ionisere gassen og i det minste delvis omdanne den til plasma, hvis partikler under virkningen av den bevegelse som meddeles dem, rammer de nevnte påtrykningsorganer for det høyfrekvente høy-spenningsfelt.
2. Fremgangsmåte som angitt i krav 1,karakterisertved at gassatmosfæren stadig fornyes ved hjelp av en gasstilførsels-ledning som munner ut i umiddelbar nærhet av påtrykningsorganene for høyfrekvensfeltet, samtidig som trykket holdes hovedsakelig konstant ved hjelp av et vakuumpumpesystem.
3. Fremgangsmåte som angitt i krav 1 eller 2, karakteri-ss r t ved at i tilfellet av at det ledende eller halvledende materiale som danner påtrykningsorganene for høyfrekvensfeltet, utgjør en bestanddel av stoffet som skal avleires, den eller de øvrige bestanddeler leveres av den nevnte gassatmosfære og det nevnte plasma, som utgjøres enten av en reaktiv gass eller av* en blanding av reaktive og/eller inerte gasser.;
4. Fremgangsmåte som angitt i et av kravene 1-3»karakterisert vedat der på det høyfrekvente elektromagnetiske felt overlagres et høyspent elektrisk likefelt mellem gjenstanden som skal belegges,'og som virker som anode eller er nøytral, i hvilket tilfelle omslutningen danner anode og befinner seg på
jordpotensial, og påtrykningsorganene for høyfrekvensfeltet, idet disse virker som katode.
5«Innretning til utførelse av en fremgangsmåte som angitt i et av kravene 1-4»karakterisert vedat den omfatter et belegningskammer med kontinuerlig gasstilførsel gjennem en eller flere ledninger og tilsluttet et vakuumpumpesystem (9) som vedlikeholder et hovedsakelig konstant lavt trykk av 10"^" til 10~^ mm Hg i kammeret, og at der i dette er anbragt en eller flere selvinduksjons-vikllnger (5) som er utført av materialet som skal avleires, og innrettet til å påtrykke gassatmosfæren i kammeret et høyspent og høy-frekvent elektromagnetisk felt for å ionisere gassen, samtidig som gasstilførselsledningen eller -ledningene (6) fortrinnsvis er plasert i aksen for selvinduksjonsviklingen eller -viklingene (5) og munner ut ved inngangen til denne, resp disse.
6. Innretning som angitt i krav 5»karakterisertved at matningen med gass skjer gjennem en kanal (6) uttatt i materialet som utgjør viklingens (5) vindinger, og gassen innblåses i det av viklingen omsluttede rom ved hjelp av mikroskopiske hull (17) i vindingene, rettet inn mot dette rom.
7«Innretning som angitt i krav 5»karakterisertved at selvinduksjonsviklingen (5) i tilfellet av at dens smelte-temperatur er lavere enn den temperatur den får under drifts-betingelsene, er dannet av en horisontal plate av ildfast materiale (fig. 3h, 3h<*>), som i overflaten har et spiralformet spor som inne-holder det forlangte viklingsmateriale, samtidig som gassinnløpet stadig skjer sentralt i viklingen.
8. Innretning som angitt i krav 5 eller 6,karakterisert vedat selvinduksjonsviklingen eller -viklingene kjøles ved hjelp av et varmetransporterende fluidum som sirkulerer i dens, resp. deres indre.
9. Innretning som angitt i krav 5 eller 6,karakterisert vedat selvinduksjonsviklingen eller -viklingene i tilfellet av at materialet som skal avgis, har for lavt smeltepunkt, dannes av en leder med høyt smeltepunkt, dekket med materialet som skal avgis.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO468968A NO119659B (no) | 1965-12-17 | 1968-11-25 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BE21744 | 1965-12-17 | ||
CH1750265A CH456294A (de) | 1965-12-17 | 1965-12-18 | Anordnung zur Zerstäubung von Stoffen mittels einer elektrischen Niederspannungsentladung |
DE19742459030 DE2459030B2 (de) | 1965-12-17 | 1974-12-13 | Sicherheitsverschluss fuer behaelter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO116568B true NO116568B (no) | 1969-04-14 |
Family
ID=27158372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO164352A NO116568B (no) | 1965-12-17 | 1966-08-18 |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US3540993A (no) |
JP (1) | JPS5184381A (no) |
AR (1) | AR207605A1 (no) |
BE (2) | BE673939A (no) |
CH (3) | CH456294A (no) |
DD (1) | DD122355A5 (no) |
DE (3) | DE1515296A1 (no) |
DK (2) | DK129950B (no) |
ES (1) | ES330812A1 (no) |
FR (3) | FR1505170A (no) |
GB (3) | GB1162832A (no) |
IT (1) | IT1051344B (no) |
LU (1) | LU51389A1 (no) |
NL (3) | NL6600953A (no) |
NO (1) | NO116568B (no) |
SE (3) | SE320247B (no) |
SU (1) | SU569277A3 (no) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1765850A1 (de) * | 1967-11-10 | 1971-10-28 | Euratom | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von duennen Schichten |
US3669871A (en) * | 1969-09-10 | 1972-06-13 | Ibm | Sputtering apparatus having a concave source cathode |
BE766345A (fr) * | 1971-04-27 | 1971-09-16 | Universitaire De L Etat A Mons | Dispositif pour fabriquer des couches minces de substances minerales. |
US3856654A (en) * | 1971-08-26 | 1974-12-24 | Western Electric Co | Apparatus for feeding and coating masses of workpieces in a controlled atmosphere |
CH551497A (de) * | 1971-10-06 | 1974-07-15 | Balzers Patent Beteilig Ag | Anordnung zur zerstaeubung von stoffen mittels einer elektrischen niederspannungsentladung. |
AU507748B2 (en) * | 1976-06-10 | 1980-02-28 | University Of Sydney, The | Reactive sputtering |
DE2735525A1 (de) * | 1977-08-06 | 1979-02-22 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Katodenanordnung mit target fuer zerstaeubungsanlagen zum aufstaeuben dielektrischer oder amagnetischer schichten auf substrate |
JPS57174467A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-27 | Inoue Japax Res Inc | Ion working device |
DE3206421A1 (de) * | 1982-02-23 | 1983-09-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von schichten aus hochschmelzenden metallen bzw. metallverbindungen durch abscheidung aus der dampfphase |
GB2138410B (en) * | 1983-04-22 | 1986-07-16 | Metal Closures Group Plc | Safety closure with click mechanism |
US4559121A (en) * | 1983-09-12 | 1985-12-17 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for evaporation arc stabilization for permeable targets |
US4559125A (en) * | 1983-09-12 | 1985-12-17 | Vac-Tec Systems, Inc. | Apparatus for evaporation arc stabilization during the initial clean-up of an arc target |
US4491509A (en) * | 1984-03-09 | 1985-01-01 | At&T Technologies, Inc. | Methods of and apparatus for sputtering material onto a substrate |
US4489834A (en) * | 1984-07-02 | 1984-12-25 | Thackrey James D | Counting cap for medicine bottles |
IT1181798B (it) * | 1984-12-13 | 1987-09-30 | Taplast Di Evans Santagiuliana | Tappo per bottiglie con sigillo e apertura di sicurezza realizzato preferibilmente in materia plastica |
DE3503398A1 (de) * | 1985-02-01 | 1986-08-07 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Sputteranlage zum reaktiven beschichten eines substrates mit hartstoffen |
US5020681A (en) * | 1990-02-01 | 1991-06-04 | Owens-Illinois Closure Inc. | Child resistant closure |
IN180767B (no) * | 1991-07-30 | 1998-03-14 | Wellcome Found | |
CH687111A5 (de) * | 1992-05-26 | 1996-09-13 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Erzeugen einer Niederspannungsentladung, Vakuumbehandlungsanlage hierfuer sowie Anwendung des Verfahrens. |
JPH07257425A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-09 | Honda Motor Co Ltd | 自動車用車体のサブフレーム取付け構造 |
DE19625577A1 (de) * | 1996-06-27 | 1998-01-02 | Vaw Motor Gmbh | Aluminium-Gußteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5917285A (en) * | 1996-07-24 | 1999-06-29 | Georgia Tech Research Corporation | Apparatus and method for reducing operating voltage in gas discharge devices |
US6217715B1 (en) * | 1997-02-06 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | Coating of vacuum chambers to reduce pump down time and base pressure |
IT1291620B1 (it) * | 1997-04-18 | 1999-01-11 | Phaba Srl | Chiusura antibambino per flaconi in genere ad azionamento facilitato e a sicurezza incrementata |
US6382444B1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-05-07 | Sentinel Packaging Systems, Inc. | Tamper-evident plastic closure system with snap-on band |
US6551471B1 (en) | 1999-11-30 | 2003-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Ionization film-forming method and apparatus |
FR2814724B1 (fr) * | 2000-10-04 | 2003-04-04 | Airsec Sa | Dispositif de fermeture de securite a l'epreuve d'enfants par vissage d'un conteneur muni d'une embouchure a filet de vis |
US7141145B2 (en) * | 2003-10-02 | 2006-11-28 | Seagate Technology Llc | Gas injection for uniform composition reactively sputter-deposited thin films |
US20050145086A1 (en) * | 2004-01-05 | 2005-07-07 | Mohr Monte D. | Combination pencil sharpener bottle cap |
IT1394229B1 (it) * | 2009-04-16 | 2012-06-01 | Tapi S R L | Tappo a vite per contenitori per liquidi |
WO2017220729A1 (en) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | Clariant Healthcare Packaging (France) Sas | Tamper-evident closure, container with such closure and its use |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2069835A (en) * | 1935-04-25 | 1937-02-09 | Bell Telephone Labor Inc | Coating apparatus |
BE417869A (no) * | 1935-10-12 | |||
NL50072C (no) * | 1935-12-28 | |||
DE672664C (de) * | 1936-06-17 | 1939-03-08 | Bernhard Berghaus | Verfahren zur Kathodenzerstaeubung mittels zusaetzlich geheizter Kathode |
US2920002A (en) * | 1952-06-25 | 1960-01-05 | Auwarter Max | Process for the manufacture of thin films |
US3021271A (en) * | 1959-04-27 | 1962-02-13 | Gen Mills Inc | Growth of solid layers on substrates which are kept under ion bombardment before and during deposition |
US3250694A (en) * | 1962-10-17 | 1966-05-10 | Ibm | Apparatus for coating articles by cathode sputtering |
US3305473A (en) * | 1964-08-20 | 1967-02-21 | Cons Vacuum Corp | Triode sputtering apparatus for depositing uniform coatings |
US3386909A (en) * | 1964-12-08 | 1968-06-04 | Air Force Usa | Apparatus for depositing material on a filament from ionized coating material |
US3369990A (en) * | 1964-12-31 | 1968-02-20 | Ibm | Cathodic sputtering apparatus including thermionic means for increasing sputtering efficiency |
US3287243A (en) * | 1965-03-29 | 1966-11-22 | Bell Telephone Labor Inc | Deposition of insulating films by cathode sputtering in an rf-supported discharge |
US3394829A (en) * | 1967-04-10 | 1968-07-30 | Harris M. Peterson | Safety cap |
US3857505A (en) * | 1973-10-01 | 1974-12-31 | Owens Illinois Inc | Safety closure |
-
0
- FR FR1502647D patent/FR1502647A/fr not_active Expired
- NL NL130959D patent/NL130959C/xx active
-
1965
- 1965-12-17 BE BE673939A patent/BE673939A/xx not_active Expired
- 1965-12-18 CH CH1750265A patent/CH456294A/de unknown
-
1966
- 1966-01-25 NL NL6600953A patent/NL6600953A/xx unknown
- 1966-06-22 LU LU51389A patent/LU51389A1/xx unknown
- 1966-07-20 SE SE9930/66A patent/SE320247B/xx unknown
- 1966-08-01 NL NL666610803A patent/NL149234B/xx not_active IP Right Cessation
- 1966-08-18 NO NO164352A patent/NO116568B/no unknown
- 1966-09-01 ES ES330812A patent/ES330812A1/es not_active Expired
- 1966-09-01 GB GB39140/66A patent/GB1162832A/en not_active Expired
- 1966-09-09 DE DE19661515296 patent/DE1515296A1/de active Pending
- 1966-09-16 US US579917A patent/US3540993A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-11-03 CH CH1587966A patent/CH478255A/fr not_active IP Right Cessation
- 1966-11-16 DE DE1515294A patent/DE1515294C3/de not_active Expired
- 1966-11-30 GB GB53527/66A patent/GB1113579A/en not_active Expired
- 1966-12-12 DK DK643766AA patent/DK129950B/da unknown
- 1966-12-12 BE BE691083D patent/BE691083A/xx unknown
- 1966-12-14 SE SE17139/66A patent/SE324684B/xx unknown
- 1966-12-16 US US602398A patent/US3516919A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-12-19 FR FR87909A patent/FR1505170A/fr not_active Expired
-
1974
- 1974-12-13 DE DE19742459030 patent/DE2459030B2/de active Granted
-
1975
- 1975-01-01 AR AR261531A patent/AR207605A1/es active
- 1975-11-12 CH CH1469375A patent/CH593836A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-11-28 GB GB48979/75A patent/GB1505170A/en not_active Expired
- 1975-12-02 US US05/637,082 patent/US3972436A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-12-05 IT IT69999/75A patent/IT1051344B/it active
- 1975-12-08 SU SU7502197001A patent/SU569277A3/ru active
- 1975-12-11 SE SE7513992A patent/SE423520B/xx unknown
- 1975-12-12 FR FR7538102A patent/FR2294100A1/fr active Granted
- 1975-12-12 DD DD190105A patent/DD122355A5/xx unknown
- 1975-12-12 DK DK565675A patent/DK136767C/da active
- 1975-12-12 JP JP50147478A patent/JPS5184381A/ja active Pending
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO116568B (no) | ||
US10752994B2 (en) | Apparatus and method for depositing a coating on a substrate at atmospheric pressure | |
Boxman et al. | Vacuum arc deposition devices | |
US5317235A (en) | Magnetically-filtered cathodic arc plasma apparatus | |
JP2004507617A (ja) | 金属被膜を連続冷プラズマ蒸着するための方法および装置 | |
JPH0633451B2 (ja) | 被加工物の表面処理方法 | |
US5298137A (en) | Method and apparatus for linear magnetron sputtering | |
CA2126731A1 (en) | Hollow cathode array and method of cleaning sheet stock therewith | |
JPS61295377A (ja) | 薄膜形成方法 | |
GB1570044A (en) | Method and apparatus for reactive sputtering | |
US5306408A (en) | Method and apparatus for direct ARC plasma deposition of ceramic coatings | |
NO120815B (no) | ||
CN107227445A (zh) | 一种沉积管内壁涂层的电弧离子镀设备 | |
US3491015A (en) | Method of depositing elemental material from a low pressure electrical discharge | |
US3056587A (en) | Methods of effecting a high rate of heat transfer from a heated surface to a liquid | |
US20050061251A1 (en) | Apparatus and method for metal plasma immersion ion implantation and metal plasma immersion ion deposition | |
US4565618A (en) | Apparatus for producing diamondlike carbon flakes | |
US5514229A (en) | Method of producing transparent and other electrically conductive materials | |
JP2013049885A (ja) | 炭素薄膜成膜方法 | |
US3024965A (en) | Apparatus for vacuum deposition of metals | |
Dugdale | The application of the glow discharge to material processing | |
US5591313A (en) | Apparatus and method for localized ion sputtering | |
US5262033A (en) | Apparatus for the continuous etchings and aluminum plating of stainless steel strips | |
US3595773A (en) | Process for depositing on surfaces | |
Ehrich et al. | Plasma deposition of thin films utilizing the anodic vacuum arc |