NL8702606A - Serie-parallel-serie-geheugen voorzien van redundante opslagkolommen en beeldgeheugen voorzien van zulke serie-parallel-serie-geheugens. - Google Patents

Description

4.

PHN 12.308 1 •Λ N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.

Serie-parallel-serie-geheugen voorzien van redundante opslagkolommen en beeldgeheugen voorzien van zulke serie-parallel-serie-geheugens.

ACHTERGROND VAN DE UITVINDING

De uitvinding betreft een serie-parallel-serie-geheugen voorzien van ten minste één redundante opslagkolom, en voorzien van een selektiemechanisme om zowel bij serieel invoeren als bij serieel 5 uitvoeren voor ten minste één bekende defekte opslagkolom een toegewezen funktionerende kolom te selekteren. Zo een geheugen is bekend uit het Amerikaanse Octrooischrift 4563752 (PHN 10.368) geassigneerd aan dezelfde aanvrager. Volgens het bekende geheugen zijn de redundante kolommen tenminste één opslagpositie korter dan de overige 10 opslagkolommen. De informaties van een redundante kolom worden aan het einde van een rij informaties gevormd en komen bij uitlezen een rij eerder beschikbaar. Daardoor kan een korrektie gemakkelijker georganiseerd worden, omdat bij uitlezen van een rij-informaties een vervangende informatie zeer vroeg beschikbaar is. Zo'n geheugen is 15 toepasbaar voor meerwaardige of voor tweewaardige informatie, maar eenvoudshalve zal hierna alleen het laatste geval worden beschouwd. Het selektiemechanisme kan op verschillende manieren worden geëffektueerd. Volgens de later te bespreken uitvoering wordt een defekte kolom overgeslagen en schuiven alle later arriverende bits 20 één plaats op. Na een tweede defekte kolom schuiven alle later arriverende bits twee plaatsen op, en zo verder. Het is anderzijds mogelijk om de voor een defekte kolom bestemde bit in één van de extra kolommen op te slaan. In dat geval is een opslagelement nodig voor de voor de defekte kolombestemde bit, welk opslagelement aan het eind 25 van de invoer van een rij bits weer wordt uitgelezen. In beide gevallen is een onthoudmechanisme nodig, dat de positie van de defekte kolommen onthoudt, bijvoorbeeld als een rangnummer. Invoer in en uitvoer uit zo'n geheugen kunnen veelal op bitbasis onafhankelijk plaatsvinden. Op rij-basis zijn de invoer en uitvoer niet onafhankelijk omdat de 30 parallelle opslagkolommen steeds synchroon door een enkele klokpuls worden aangestuurd. Het is dan noodzakelijk dat voor invoer en uitvoer onafhankelijk van elkaar de informatie van de defekte kolom(men) .8702606 £ * PHN 12.308 2 beschikbaar is.

SAMENVATTING VAN DE UITVINDING

Het is een doelstelling van de uitvinding om een 5 serie-parallel-serie-geheugen volgens de aanhef zo uit te rusten dat de informatie van defekte kolomnummers voor invoer en uitvoer onafhankelijk van elkaar beschikbaar is, en wel middels een geheugen van beperkte afmetingen doordat gebruik gemaakt wordt van een alleen-lees-geheugen dat per cel door één enkel doorbrandelement (fuse) programmeerbaar 10 is en een dubbele uitleesbaarheid per cel bezit waarbij het aldus beperkte aantal doorbrandelementen ook de programmeertijd beperkt.

Volgens een algemeen aspekt van de uitvinding heeft deze* het kenmerk, dat voor het opslaan van een uit meerdere bits opgebouwde identifikatie van enige defekte kolom een door het selektiemechanisme 15 aanspreekbaar en door middel van doorbrandelementen programmeerbaar alleen-lees-geheugen is voorzien, hetwelk per bitcel één enkel doorbrandelement bezit, waarvan de informatie middels twee onafhankelijke woordlijnen, namelijk een invoerafvraaglijn en een uitvoerafvraaglijn aanspreekbaar is om alsdan één'telkens bij de 20 respektievelijke woordlijn behorende bitlijn met de in de cel opgeslagen informatie te bekrachtigen om genoemd selektiemechanisme te aktiveren. Onder een doorbrandelement wordt verstaan een element, waarvan de doorlaatweerstand bij het fabrikageproces of later éénmalig gewijzigd kan worden. Het is bekend zo'n doorbrandelement een hoge 25 weerstand te geven middels laser-bestraling of middels een tijdelijk verhoogde stroom. Het is anderzijds ook bekend om de weerstand selektief laag te maken door een isolerende laag middels één van bovengenoemde technieken door te branden, waardoor daarna de weerstand sterk verlaagd is. De laser-bestraling wordt voor de respektievelijke 30 doorbrandelementen gewoonlijk sequentieel uitgevoerd, het doorbranden met verhoogde stroom kan vaak ook tenminste gedeeltelijk parallelgewijze plaats vinden.

VERDERE ASPEKTEN VAN DE UITVINDING 35 Volgens een voorkeursuitvoering is een aspekt, dat genoemd alleen-lees-geheugen bij aanwezigheid van meerdere redundante kolommen voorzien is van een invoerfoutkolomteller en een .67 026 0 6 * PHN 12.308 3 uitvoerfoutkolomteller om daardoor achtereenvolgende woordplaatsen van het alleen-lees-geheugen aan te spreken en een uitgelezen meerbitsinformatie aan een invoeradresvergelijker respektievelijk uitvoeradresvergelijker toe te voeren, waaraan ten andere een aktueel 5 invoeradres, respektievelijk uitvoeradres wordt toegevoerd om bij een gekonstateerde gelijkheid genoemd selektiemechanisme te aktiveren en de bijbehorende teller van invoeradresteller en uitvoeradresteller op een nieuw adres in te stellen. Dit levert een systematische en korrekt werkende organisatie die gemakkelijk aan de omvang van het geheugen en 10 het aantal voorziene defekte kolommen kan worden aangepast.

Het serie-parallel-serie-geheugen kan zijn onderverdeeld over meerdere matrices. Ook dan is bovengenoemde opzet goed toepasbaar.

Bij voorkeur is elke bitlijn aangesloten op een houdelement, waardoor een gering verbruik van stroom wordt gerealiseerd.

15 De uitvinding betreft mede een beeldgeheugen met tenminste twee parallelgeschakelde serie-parallel-serie-geheugens volgens het voorgaande. Juist voor zulke toepassingen zijn goedkope geheugens voordelig.

Verdere aspekten van de uitvinding worden gereciteerd in 20 de verdere onderconclusies.

KORTE BESCHRIJVING VAN DE FIGUREN

De uitvinding wordt nader uitgelegd aan de hand van enkele figuren.

25 Figuur 1 is een blokschema van een serie-parallel-serie- geheugen; figuur 2 geeft schakeling van een eerste selektiemechanisme; figuur 3 geeft een schakeling van een tweede 30 selektiemechanisme; figuur 4 geeft een alleen-lees-geheugen te gebruiken in een serie-parallel-serie-geheugen volgens de uitvinding; figuur 5 geeft daarvan een geheugencel; figuur 6 geeft een tijdsdiagram van besturingssignalen.

SYSTEEM BESCHRIJVING

Figuur 1 is een blokschema van een serie-parallel-serie- . »702606 35 * PHN 12.308 4 geheugen waarin de uitvinding toepasbaar is. Er is een eigenlijk geheugen met een invoerschuifregister 22, een aantal opslagkolommen of strings 20, en een uitvoerschuifregister 24. In dit voorbeeld bevatten de schuifregisters elk tien trappen en zijn er tien kolommen, elk voor 5 bijvoorbeeld acht bits. In de praktijk zullen deze opslagkapaciteiten veelal aanzienlijk groter zijn. De ingangsinformatie wordt ontvangen op aansluiting 32. Op ingang 30 verschijnt een synchroniserende klokpulstrein. Element 28 is een tijdelijk opslagmechnisme, waarin de informatie zo gepositioneerd wordt, dat voor elke defekte kolom een 10 redundante kolom wordt geaktiveerd. De besturing van de vervanging gebeurt door element 26, waarin bekend is wélke kolommen door wélke vervangen moeten worden. Tezamen vormen elementen 26, 28 dus het vervangingsmechnisme. Stel dat de kolommen A en B redundante kolommen zijn, en dat er twee kolommen als door een kruis aangegeven, niet te 15 gebruiken zijn. Eén mogelijke strategie is dan dan de eigenlijk voor die twee kolommen bestemde bits worden vastgehouden in element 28 (onder selekterende besturing door element 26) en achteraan de rij worden aangesloten, zodat ze in de kolommen A, B belanden.

Na het invoeren van een rij bits worden laatstgenoemde 20 bits door een niet getekende besturing in de respektievelijke kolommen A, B overgenomen. Nadat een aantal van deze rijen achtereenvolgens ontvangen is, komt de eerst gearriveerde rij in serie-uitvoerschuifregister 24. Daarin ontbreken de bits die met de twee defekte kolommen overeenkomen, dan wel is hun waarde onbetrouwbaar.

25 Volgens de geciteerde stand der techniek worden de daarvoor in de plaats komende bits één regel eerder uitgevoerd, zodat ze dan al in tijdelijk opslagmechanisme 34 zijn gearriveerd en tijdelijk worden vastgehouden. Bij het seriëel uitschuiven van register 24 worden ze dan op de plaats van de defekte kolommen gesubstitueerd onder besturing 30 van element 36. Samen vormen de elementen 34, 36 dus het vervangingsmechnisme. De uitgangsinformatie verschijnt dan op lijn 38, waarbij de uitgangsklokpulsen op lijn 40 ontvangen worden, bijvoorbeeld vanuit een gebruikersinrichting, zoals een afbeeldtoestel.

Het is duidelijk, dat de elementen 26, 36 dezelfde 35 informatie bevatten namelijk die welke de defekte kolommen aangeeft. Zoals getekend, bestaat het serie-parallel-serie-geheugen uit één enkele opslagmatrix. In bepaalde gevallen wordt voor een groter aantal .8702606 Λ ΡΗΝ 12.308 5 opslagmatrices gekozen. Deze kunnen enerzijds alle separaat van de elementen 26, 28, 34, 36 voorzien zijn. Anderzijds kunnen deze laatste ook gemeenschappelijk zijn, waartoe in figuur 1 aan de invoerzijde een demultiplexschakelaar 29 en aan de uitvoerzijde een multiplexschakelaar 5 35 is voorzien. Er zijn dan bijvoorbeeld 2, 4 of 8 matrices die elk de elementen 20, 22, 24 bevatten. Het voortschakelen van de schakelaars 29, 35 kan op bit-basis gebeuren, maar ook op basis van een groep van bijvoorbeeld 8 bits, of zelfs op basis van de gehele lengte van het registerpaar 22/24 (deze zal in de praktijk veel groter zijn dan 8 10 bits). De redundante kolommen kunnen in het laatste geval dus deel uitmaken van één enkele matrix.

NADERE BESCHRIJVING VAN TWEE SELEKTIEMECHANISMES

Figuur 2 geeft een schakeling om bij het invoeren voor 15 een defekte kolom een redundante kolom te aktiveren. In dit geval wordt de defekte kolom overgeslagen en worden alle volgende informatiebits ten opzichte van de defekte kolom één kolom opgeschoven. De schakeling bevat vijf flipflops (dataflipflops). Deze worden door lijn 52 van klokpulsen voorzien. De informatie verschijnt op lijn 50. In het 20 begin staat schakelaar 62 in de bovenste stand. Daardoor is de vertraging 2 klokperiodes. Als een kolom moet worden overgeslagen, wordt schakelaar 62 in de volgende stand gezet en wordt daarna de vertraging drie klokperiodes. In totaal zijn aldus drie kolommen met willekeurige rangnummers over te slaan. Andere aantallen zijn ook mogelijk. Aan het 25 begin van een volgende rij wordt schakelaar 62 weer in de bovenste stand gesteld. Op informatie niveau betekent dit dat de voor een defekte kolom bestemde informatie bit telkens éénmaal herhaald wordt; bij twee naburige defekte kolommen wordt deze bit zelfs tweemaal herhaald enzovoorts.

30 Figuur 3 geeft een schakeling om bij het uitlezen de van een defekte kolom afkomstige informatie door een korrekte informatie te vervangen. De schakeling bevat vijf data flipflops 70, 72, 74, 76, 78 en drie schakelaars 80, 82, 84. Bij het begin van het uitlezen staan alle schakelaars in de onderste stand, en bedraagt de vertragingstijd vijf 35 perioden van de klokpulsen op lijn 68; de databits verschijnen op ingang 66. Als een van een defekte kolom afkomstige bit moet worden overgeslagèn, wordt schakelaar 80 in de bovenste stand gezet, zoals .8702606 Η ΡΗΝ 12.308 6 getekend, waardoor de vertraging met één klokpulsperiode wordt verminderd. Als een tweede kolom moet worden overgeslagen, wordt schakelaar 82 in de bovenste stand gesteld, en bij een eventuele derde kolom schakelaar 84, zodat als dan de vertraging nog slechts twee 5 klokpulsperioden bedraagt. Het is mogelijk om meerdere naast elkaar gelegen kolommen over te slaan. Figuren 2, 3 leveren daarmee een implementatiemogelijkheid voor de elementen 28, respektievelijk 34 in figuur 1.

10 DE BESTURING VAN DE SELEKTIE

Figuur 4 geeft een alleen-lees-geheugen te gebruiken bij een serie-parallel-serie-geheugen volgens het bovenstaande, samen met de bijbehorende besturing. Eerst wordt de gang van zaken bij het invoeren van een rij bits beschreven. De schakeling van figuur 4 bevat een 15 invoerkolomteller 100, die voor elke aan het invoerschuifregister toegevoerde klokpuls (klem 102) een stand verder telt. De inhoud van deze teller wordt toegevoerd aan vergelijker 104. Voorts is er een invoerfoutkolomteller 106 die bij het begin van het invoeren van een rij bits op de nulstand staat respektievelijk gezet wordt. De stand 20 van deze teller wordt gedekodeerd in dekodeur 108, die als dan één rij van een geheugenmatrix 110 adresseert, bijvoorbeeld de onderste. De inhoud van deze rij geheugencellen (112, 114, 116, 118) wordt dan toegevoerd aan uitgangsschakelingen 120 die samen met de respektievelijke geheugencellen een houdende funktie bezitten. De 25 informatie van deze schakelingen 120 geeft nu een defekte kolom aan die bij invoeren moet worden overgeslagen, doordat alsdan de schakelaar 62 in figuur 2 een stand verder wordt geschakeld. Dit wordt geëffektueerd als de kolomteller 100 deze stand bereikt en dus de vergelijker 104 een gelijkheid detekteert en een treffer (bit) signaal afgeeft op uitgang 30 122. Eenvoudshalve is de besturing van de schakelaar 62 door dit laatste signaal niet in detail weergegeven. Het signaal op uitgang 122 wordt nog toegevoerd aan invoerfoutkolomteller 106, via een element 124, dat bijvoorbeeld een kleine vertraging implementeert, zodat invoerfoutkolomteller 106 een stand verder telt en daarna de volgende kolom van 35 geheugenmatrix 110 adresseert, bijvoorbeeld die welke de cellen 126, 128, 130, 132 bevat. Daarna herhaalt zich de procedure. Voor het begin van het invoeren van een nieuwe rij bits moeten tellers 100, 106 op de .8702606 «

A

PHN 12.308 7 nülstand worden teruggesteld; hier toe zijn de ingangen 126, 128 voorhanden.

Voor het uitvoeren is eenzelfde schakeling aanwezig als voor het invoeren, met kolomteller 131, foutkolomteller 133, dekodeur 5 134, houdschakeling 136, vergelijker 138, en vertragingselement 140. De cellen van matrix 110 zijn daarbij voorzien van een mogelijkheid voor dubbele en onafhankelijke aanspreekbaarheid, zodat de cellen zelf niet dubbel voorzien zijn. In de bovenstaande beschrijving is eventuele synchronisatie van de elementen 108, 104, 134, 138 eenvoudshalve niet 10 getoond. De funktie van de blokkeerelementen 200, 202 wordt nader besproken. Uiteraard zal in de praktijk de omvang van matrix 110 veelal groter zijn.

BESCHRIJVING VAN EEN GEHEUGENCEL

15 Figuur 5 geeft een voorkeursuitvoering van een in figuur 4 te gebruiken geheugencel met bijbehorend houdelement. De geheugencel bevat in de eerste plaats doorbrandelement 154. Op de geïntegreerde schakeling is dit gerealiseerd als een strook polysilicium die bijvoorbeeld met behulp van laserstraling onderbroken kan worden. In een 20 bepaald geval bleek het doorbranden van zo'n doorbrandelement een tijd van 10 msek te kosten. Op een bepaalde geïntegreerde schakeling waren dan 12 kolommen onwerkzaam te maken. Per kolom waren 14 bits kode aanwezig, zodat in totaal 168 geheugencellen waren voorzien. In principe zou het koderen dan een tijd van 1,7 sekonde kunnen vergen. In de 25 praktijk bleek dit minder omdat een deel van de kode niet binair was, maar volgens een 1-uit-4 kode gekodeerd. De reden hiervan was dat het serie-parallel-serie-geheugen in vier afzonderlijke deelgeheugens verdeeld was en de externe data-aansluitingen een breedte hadden van vier bits. Het alleen-leesgeheugen was voor de vier serie-parallel-serie-30 deelgeheugens gemeenschappelijk. De redundante kolommen, en ook de aechanismes volgens figuren 2, 3 waren voor elk der vier deelgeheugens separaat voorzien. De eerste vier bits van de 14-bits kode geven dan alleen aan wélke van de vier matrices een defekte kolom bezit, zodat alleen voor die matrix een kolom behoeft te worden overgeslagen. Binnen 35 de respektievelijke matrices gelden overigens dezelfde adressen. Bij een aantal tot 1024 adressen (kolommen) zijn tien adresbits voldoende. Een verdere reden dat in de praktijk gemiddeld minder doorbrandelementen ook .8702606 ··* PHN 12.308 8 werkelijk doorgebrand moeten worden, is dat voor het binair gekodeerde deel slechts gemiddeld de helft van het aantal doorbrandelementen ook werkelijk doorgebrand moest worden, en tenslotte dat de redundantiekapaciteit veelal slechts voor een deel, bijvoorbeeld voor 5 1/4 werd gebruikt. In dat geval moeten er gemiddeld slechts 3x(1+1/2x10)=18 doorbrandelementen ook werkelijk worden doorgebrand, wat dan 180 msek kost. De tijdsbesparing ten opzichte van een uitvoering met twee maal zoveel geheugencellen in het alleen-lees-geheugen, die dan echter slechts enkelvoudig uitleesbaar zouden zijn, bedraagt dan dus 10 gemiddeld ook 180 msek. Als de weerstand van de als doorbrandelementen aangeduide elementen door een parallelsgewijze uitgevoerde processtap wordt beïnvloed, is uiteraard het voordeel van de tijdsbesparing niet aanwezig en geldt slechts het voordeel van de ruimtebesparing die door de uitvinding wordt verkregen. De toestand van element 154 bepaalt de 15 informatie-inhoud van de cel. In geleidende toestand is de weerstand bijvoorbeeld 250 ohm, in onderbroken toestand bijvoorbeeld ten minste 100 k ohm en in theorie nog veel meer. Voor het uitlezen van de informatietoestand is er in de eerste plaats een woordlijn 162 en een daardoor aangestuurde n-MOS-transistor 152. Deze geleidt als de 20 stuurelektrode op een hoge potentiaal staat en spert als de stuurelektrode op nul-potentiaal staat. Lijn 164 staat op een lage potentiaal VSS. Als transistor 152 gesperd is, blijft bitlijn 158 op een hoge potentiaal. Als doorbrandelement 154 een lage weerstand heeft (dus niet is doorgebrand) en transistor 152 wordt in geleiding gebracht, dan 25 komt bitlijn 158 op een lage potentiaal omdat spaarladertransistor (bleeder) 168 zwakker is dan het element 152 (de spanningsval over element 168 is dan groot ten opzichte van die over element 152). Als doorbrandelement 154 een hoge weerstand heeft, blijft bitlijn 158 onafhankelijk van het signaal op de stuureleketrode van transistor 152 30 op een hoge potentiaal. Voorts is de geheugencel aangesloten op een tweede woordlijn 160 middels n-HOS-transistor 150, en op een bitlijn 156. Het daardoor gerealiseerd uitleesmechanisme kan geheel onafhankelijk ten opzichte van het eerdere uitleesmechanisme optreden doordat de veranderbaarheid van de weerstand van doorbrandelement 154 35 voldoende groot is. In principe zou de mogelijkheid bestaan om zelfs een derde uitleesmechanisme te voorzien.

De informatie van de geheugencel wordt toegevoerd aan een ,8702606 è PHN 12.308 9 externe schakeling. Deze bevat met name twee p-MOS-transistoren 166, 168, en een inverteur 170. Klem 172 staat op een hoge voedingsspanning VDD. De p-MOS-transistoren geleiden als hun stuurelektrode op een lage potentiaal staat en sperren als hun stuurelektrode op een hoge 5 potentiaal staat. De stuurelektrode van transistor 166 ontvangt een voorlaadpuls aan het begin van een cyclus waarin het houdelement opnieuw moet worden geladen. Deze voorlaadpuls kan dus geaktiveerd worden onder besturing van een uitgangssignaal van één der elementen 124, 140 in figuur 4. Daardoor wordt de lijn 158 dus gedurende korte tijd op een 10 hoge potentiaal gebracht waardoor een DC-verbinding naar aarde zou kunnen ontstaan via transistor 152 in het geval doorbrandelement 154 een lage weerstand heeft. Om dit te vermijden zijn in figuur 4 de blokkeerelementen 200, 202 aangebracht. In dit verband wordt gerefereerd aan figuur 6, dat een tijdsdiagram van enkele besturingssignalen geeft.

15 Kurve 204 geeft een eerste woordlijnselektiesignaal, zoals dit door dekodeur 108 gegenereerd zou kunnen worden. Hierdoor wordt bijvoorbeeld de onderste rij geheugencellen in matrix 110 van figuur 4 aangesproken.

Als de stand van teller 126 met 1 wordt opgehoogd, zou dekodeur 108 een tweede woordlijnselektiesignaal genereren, bijvoorbeeld voor de 20 naasthogere rij geheugencellen. Er is nu een voorziening getroffen dat tussen de aanwezigheid van de beide woordlijnselektiesignalen een zeker interval aanwezig is, waarin geen enkele woordlijn wordt geselekteerd.

Dit is in figuur 6 aangegeven, waar tussen de dalende flank van kurve 204 en de stijgende flank van het tweede woordlijnselektiesignaal op 25 kurve 206 een interval aanwezig is. Het voorlaadsignaal voor transistor 166 als aangegeven in kurve 208 vindt gedurende dit interval plaats, zodat alsdan transistor 152 in elk geval gesperd is, wat ook geldt voor de andere transistoren 150 etcetera. Dit vormen van een interval kan op verschillende manieren gebeuren: 30 - blokkeerelement 200 is geschakeld tussen dekodeur 108 en de respektievelijke woordeselektielijnen en wordt aangestuurd door een signaal van element 124 (dat de juiste tijdsrelatie vertoont) en een signaal dat in een klokcyklus de voorlaadpuls aktiveert. Als deze samen aanwezig zijn, worden alle uitgangen van dekodeur 108 laag; 35 - in een voorkeursuitvoering zijn er 12 woordlijnen en is element 126 een vierbitsteller. Als getekend is blokkeerelement 200 dan geschakeld tussen teller 126 en dekodeur 108. Voor het aansturen van .8702606 ΡΗΝ 12.308 10 'Λ de woordlijnen zijn dan slechts 12 van de 16 tellerstanden gebruikt.

Het blokkeerelement wordt nu op dezelfde manier aangestuurd als bij de eerstgemelde mogelijkheid en emuleert dan een niet gebruikte tellerstand, zodat alsdan geen der woordlijnen effektief wordt 5 aangestuurd. De vorming van het stuursignaal voor blokkeerelement 200 is eenvoudshalve niet getoond. Tussen elementen 133 en 134 is op analoge wijze blokkeerelement 202 opgesteld. In het geval een deel van de rijen door een 1-uit-n-kodering wordt gevormd welke door de stand van de multiplex/demultiplexschakelaars 29/35 uit figuur 1 wordt geaktiveerd, 10 kan op overeenkomstige manier een blokkerende aktie worden geëffektueerd voor de woordlijnen in kwestie.

Als nu, na het voorladen middels transistor 166, bij het aanspreken van de geheugencel door een hoog signaal op lijn 162, transistor 152 in geleiding wordt gebracht, wordt lijn 158 laag, de 15 uitgang van inverteur 170 hoog, waardoor transistor 168 van de geleidende naar de sperrende toestand gaat. Als transistor 152 in serie staat met een hoogohmig doorbrandelement 154, dan blijft lijn 158 hoog en wordt de uitgang van inverteur 170 laag, waardoor transistor 168 geleidend blijft om lijn 158 op een hoge potentiaal te houden; uitgang 20 174 wordt aan de vergelijker toegevoerd. In het uitvoeringsvoorbeeld blijven de woordlijnselektiesignalen voortdurend, met uitzondering van het kleine interval getoond in figuur 6, aktief. Het is ook mogelijk om bijvoorbeeld een extern register te voorzien, zodat de aktivering slechts kort hoeft te duren.

25 In een voorkeursuitvoering bedroeg het aantal kolommen 720, verdeeld over 8 deelmatrices. Er waren 4 van deze deelgeheugens voor een 4-bits breed signaal. Het aantal cellen per kolom was 320, zodat het totaal aantal cellen ongeveer 922 000 bedroeg. Door de gebruikte schuiftechniek in de kolommen (met zogenoemde rimpel-30 overdrachtssignalen) was de informatie opslagkapaciteit in feite ongeveer 10% kleiner. Drie van zulke geheugens parallel bieden dan plaats aan 12 bits per pixel voor een televisiebeeld, bijvoorbeeld 8 bits helderheid en 4 bits kleur. De kleurinformatie wordt dan over een aantal opvolgende pixels samengenomen middels filtering.

.8702606

Claims (9)

1. Serie-parallel-serie-geheugen voorzien van ten minste één redundante opslagkolom, en voorzien van een selektiemechanisme om zowel bij serieel invoeren als bij serieel uitvoeren voor ten minste één bekende defekte opslagkolom een 5 toegewezen funktionerende kolom te selekteren, met het kenmerk, dat voor het opslaan van een uit meerdere bits opgebouwde identifikatie van enige defekte kolom een door het selektiemechanisme aanspreekbaar en door middel van doorbrandelementen programmeerbaar alleen-lees-geheugen is voorzien, hetwelk per bitcel één enkel doorbrandelement bezit, 10 waarvan de informatie middels twee onafhankelijke woordlijnen, namelijk een invoerafvraaglijn en een uitvoerafvraaglijn aanspreekbaar is om alsdan één telkens bij de respektievelijke woordlijn behorende bitlijn met de in de cel opgeslagen informatie te bekrachtigen om genoemd selektiemechanisme te aktiveren.

2. Serie-parallel-serie-geheugen volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat genoemd alleen-lees-geheugen bij aanwezigheid van meerdere redundante kolommen voorzien is van een invoerfoutkolomteller en een uitvoerfoutkolomteller om daardoor achtereenvolgende woordplaatsen van het alleen-lees-geheugen aan te spreken en een 20 uitgelezen meerbitsinformatie aan een invoeradresvergelijker respektievelijk uitvoeradresvergelijker toe te voeren, waaraan ten andere een aktueel invoeradres, respektievelijk uitvoeradres wordt toegevoerd om bij een gekonstateerde gelijkheid genoemd selektiemechanisme te aktiveren en de bijbehorende teller van 25 invoerfoutkolomteller en uitvoerfoutkolomteller op een nieuw adres in te stellen.

3. Serie-parallel-serie-geheugen volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het aktiveren van het selektiemechanisme bestaat in het vormen van een sprongbesturingssignaal (skip) voor een serie-30 invoerregister, respektievelijk serie-uitvoerregister om alsdan een defekte kolom over te slaan.

4. Serie-parallel-serie-geheugen volgens conclusie 2 of 3, met het kenmerk, dat het is onderverdeeld over meerdere, in een demultiplex/aultiplexorganisatie tussen een generale data-ingang en een 35 generale data-uitgang geschakelde serie-parallel-serie-matrices is verdeeld, en dat elk van genoemde matrices van tenminste één redundante kolom is voorzien. .8702606 PHN 12.308 12

5. Serie-parallel-serie-geheugen volgens conclusie 2, 3 of 4, met het kenmerk, dat externe data-aansluitingen een breedte van meerdere bits bezitten om de desbetreffende bits in even zovele deelgeheugens op te slaan, en dat genoemd alleen-lees-geheugen tussen de 5 deelgeheugens gemeenschappelijk is doordat een deel van genoemde meerdere bits een respektievelijk deelgeheugen in een 1-uit-n-kodering aanwijst.

6. Serie-parallel-serie-geheugen volgens één der conclusies 1 tot en met 5, met het kenmerk, dat genoemde bitcel twee 10 middels een respektievelijke eerste elektrode in serie met genoemd doorbandelement en onderling parallel geschakelde transistorelementen bezit, waarvan de respektievelijke stuurelektroden op een respektievelijke woordlijn en de derde elektrode op een respektievelijke bitlijn zijn aangesloten.

7. Serie-parallel-serie-geheugen volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat aan een uitgangszijde van elke bitlijn een teruggekoppeld houdelement gevormd is doordat aldaar via een inverteur de desbetreffende bitlijn gekoppeld is met een stuurelektrode van een spaarlader transistor (bleeder), die ten opzichte van eerder genoemde 20 transistorelementen van tegengesteld geleidingstype is en die een sperweerstand heeft die groot is ten opzichte van de serieweerstand van transistorelement en doorbrandelement in geleidende toestand.

8. Serie-parallel-serie-geheugen volgens één der conclusies 1 tot en met 7, waarbij het alleen-lees-geheugen van meerdere 25 woordlijnen is voorzien die selektief geaktiveerd worden om de daarin opgeslagen informatie met een in/uitvoeradrestellerstand te vergelijken ter identifikatie van een defekte opslagkolom, met het kenmerk, dat een blokkeermechanisme (200, 202) aanwezig is om tussen opvolgende aktiveringen van twee verschillende woordlijnen gedurende een interval 30 elke aktivering van enige woordlijn te blokkeren.

9. Beelgeheugen voorzien van tenminste twee parallelgeschakelde serie-parallel-serie-geheugens volgens één der conclusies 1 tot en met 8 tot een capaciteit die voldoende is voor een beeld met de omvang van een televisiebeeld. .8702606