NL8500769A - Versterkerschakeling. - Google Patents

Versterkerschakeling. Download PDF

Info

Publication number
NL8500769A
NL8500769A NL8500769A NL8500769A NL8500769A NL 8500769 A NL8500769 A NL 8500769A NL 8500769 A NL8500769 A NL 8500769A NL 8500769 A NL8500769 A NL 8500769A NL 8500769 A NL8500769 A NL 8500769A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
transistor
emitter
point
current source
base
Prior art date
Application number
NL8500769A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8500769A priority Critical patent/NL8500769A/nl
Priority to US06/838,966 priority patent/US4688001A/en
Priority to DE8686200397T priority patent/DE3667578D1/de
Priority to EP86200397A priority patent/EP0196703B1/en
Priority to CA000504178A priority patent/CA1236890A/en
Priority to JP61056107A priority patent/JPS61214807A/ja
Priority to KR1019860001905A priority patent/KR950000162B1/ko
Publication of NL8500769A publication Critical patent/NL8500769A/nl
Priority to HK885/91A priority patent/HK88591A/xx
Priority to SG1126/92A priority patent/SG112692G/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/26Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0244Stepped control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

I ................i * PHN 11.325 1 12-3-1985.
N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Versterkerschakeling.
De uitvinding heeft betrekking op een versterkerschakeling bevattende tenminste - een eerste transistor met een emitter, welke gekoppeld is met een eerste punt voor het aansluiten van een met een referentiepunt gekoppelde 5 belasting en met een kollektor, welke gekoppeld is met een tweede punt voor het door middel van een eerste halfgeleiderovergang aansluiten van een eerste voedingsspanning, - een tweede transistor met een kollektor-emitterweg welke in serie met de kollektor-emitterweg van de eerste transistor is geschakeld en met 10 een kollektor, welke gekoppeld is met een derde punt voor het aansluiten van een tweede voedingsspanning, welke groter is dan de eerste voedingsspanning, en - een derde als emittervolger geschakelde transistor met een basis voor het toevoeren van een ingangssignaal en met een emitter, welke gekoppeld 15 is met de basis van de eerste transistor. De uitvinding heeft tevens betrekking op een balansversterker voorzien van dergelijke versterker-schakelingen.
Een dergelijke verterkerschakeling van het zogenaamde klasse-G-type kan worden toegepast als vermogensversterker voor audiosignalen.
2° Onder een klasse-G versterker wordt een versterker verstaan, waarin de voedingsspanning in een aantal stappen afhankelijk van het ingangssignaal toeneemt. Hierdoor wordt een versterker met een hoog rendement verkregen.
Een dergelijke versterkerschakeling is bekend uit het Amerikaanse octrooischrift 3.961.280. Het ingangssignaal wordt daarbij aan 2® de basis van de eerste en de tweede transistor toegevoerd via een als emittervolger geschakelde derde transistor. Bij lage ingangsspanningen is de tweede transistor gesperd, zodat de eerste transistor met de eerste voedingsspanning is verbonden. Wordt de ingangsspanning groter dan de eerste voedingsspanning, dan wordt de tweede transistor geleidend, 2° waardoor de eerste voedingsspanning wordt afgeschakeld en de eerste transistor met de tweede voedingsspanning wordt gekoppeld.
Bij het niet-geleidend zijn van de tweede transistor is over 8500769 ‘ i PHN 11.325 2 12-3-1985.
de basis-emitterovergang daarvan maximaal de nagenoeg volledige eerste voedingsspanning aanwezig. Om doorslag van de basis-emitterovergang ten gevolge van deze spanning te voorkomen is in de basisleiding van de 5 tweede transistor een diode opgenomen. Om te voorkomen dat de eerste transistor in verzadiging wordt gestuurd en daardoor vervorming veroorzaakt bij het nog niet volledig in geleiding zijn van de tweede transistor, zijn in de basisleiding van de eerste transistor twee in serie geschakelde diodes opgenomen.
10 Een bezwaar van deze diodes is echter, dat deze het uitstuur- bereik van het uitgangssignaal en dientengevolge het rendement van deze versterkerschakeling beperken. De spanning op de basis van de derde transistor is bij maximale uitsturing namelijk genoeg gelijk aan de tweede voedingsspanning. De spanning op de uitgang is dan een bedrag gelijk 15 aan de som van de basis-emitterspanningen van de eerste en de derde transistor en de diodespanningen over de twee in de basisleiding van de eerste transistor opgenomen diodes lager dan de tweede voedingsspanning.
Het is dan ook het doel van de uitvinding om een versterkerschakeling van het klass-G type aan te geven, die een ten opzichte van 2Q de bekende schakeling verbeterd uitstuurbereik bezit. Een versterkerschakeling van een in de aanhef genoemde soort wordt volgens de uitvinding gekenmerkt, doordat - een stroomketen is aangebracht tussen het derde punt en het referentiepunt, welke stroomketen de serieschakeling bevat van tenminste een eerste 25 stroombrom, een tweede en een derde halfgeleiderovergang en een tweede stroombron, - de kollektor van de eerste transistor door middel van een vierde halfgeleiderovergang met een punt van de stroomketen tussen de eerste en de tweede stroombron is verbonden, 30 - de emitter van de derde transistor door middel van een vijfde halfgeleiderovergang met de tweede stroombron is verbonden, en - de basis van de tweede transistor met de eerste stroombron is verbonden. Met een dergelijke versterkerschakeling is het mogelijk de uitgang tot op één basis-emitterspanning en twee verzadigingsspanningen van de tweede 35 voedingsspanning uit te sturen, zodat een sterk verbeterd uitstuurbereik en daarmee sterk verbeterd rendement wordt verkregen. De schakeling heeft daarbij het voordeel, dat deze volledig kan worden geïntegreerd.
Bij een versterkerschakeling volgens de uitvinding worden de 850076$ PHN 11.325 3 12-3-1985 • l'-ww£^_·----- « ' ê * eerste en de tweede transistor elk bij voorkeur gevormd door een Darling-ton-transistor. Het maximale uitstuurbereik van de uitgang is dan één basis-emitterspanning lager dan in het geval van een enkelvoudige eerste 5 en tweede transistor. In dit geval kan het maximale uitstuurbereik weer één basis-emitterspanning worden vergroot indien bootstrapping wordt toegepast. De versterkerschakeling kan dan volgens een verdere uitvoeringsvorm worden gekenmerkt,doordat de eerste stroombron met het derde punt is verbonden door middel van een eerste weerstand en/dat het eerste 10 punt door middel van een condensator is verbonden met het van het derde punt afgekeerde uiteinde van de eerste weerstand. Deze uitvoeringsvorm kan nader worden gekenmerkt, doordat de eerste stroombron wordt gevormd door een tweede weerstand.
Een verdere uitvoeringsvorm van een versterkerschakeling vol-15 gens de uitvinding wordt gekenmerkt, doordat de vijfde halfgeleiderover-gang wordt gevormd door de basis-emitterovergang van een als emittervol-ger geschakelde vierde transistor. Hierdoor wordt voorkomen, dat vervorming optreedt bij het in geleiding komen van de tweede transistor ten gevolge van de daardoor plotseling optredende afname van de ingangsweer-20 stand van de schakeling.
Een versterkerschakeling volgens de uitvinding is bijzonder geschikt om te worden toegepast in een balansversterker, die dan is voorzien van twee complementair uitgevoerde versterkerschakelingen, waarbij de emitters van de complementaire eerste transistors zijn verbonden met 25 een gemeenschappelijk eerste punt voor het aansluiten van een gemeenschappelijke belasting.
De uitvinding wordt nader toegelicht aan de hand van bijgaande tekening, waarin: figuur 1 het principe-schema van een versterkerschakeling· volgens 30 de uitvinding toont, figuur 2 een van de schakeling uit fig. 1 afgeleide versterkerschakeling toont, figuur 3 een eerste uitvoeringsvorm van een balansversterker volgens de uitvinding toont, 35 figuur 4 een tweede uitvoeringsvorm van een balansversterker volgens de uitvinding toont, figuur 5 een derde uitvoeringsvorm van een balansversterker volgens de uitvinding toont,
8 5 0 0 7 5 S
* ♦ PHN 11.325 4 12-3-1985.
figuur 6 een vierde uitvoeringsvorm van een balansversterker volgens de uitvinding toont.
In figuur 1 is het principe-schema van een versterkerschakeling 5 volgens de uitvinding weergegeven. De schakeling bevat een eerste NPN-transistor T^, waarvan de emitter is verbonden met de uitgang 2, waarop een belasting is aangesloten. De kollektor van transistor is door middel van een diode verbonden met een aansluiting 4 voor het aanleggen van een eerste voedingsspanning My In serie met de kollektor-emit-ig terweg van transistor is de kollektor-emitterweg van een tweede NPN-transistor T^ geschakeld, waarvan de kollektor is verbonden met een aansluiting 10 voor het aanleggen van een tweede voedingsspanning My die hoger is dan de eerste voedingsspanning \Iy De basis van transistor is verbonden met de emittervolger geschakelde transistor T^, waarvan de 15 emitter door middel van een eerste stroombron 5 met het voor de eerste en tweede voedingsspanning en V^ gemeenschappelijke punt 11 is verbonden. De stroombron 5 met stroomsterkte 1^ wordt gevormd door een transistor T^, waarvan de basis een referentiespanning V^ voert. De kollektor van transistor is met de tweede voedingsspanning Vg verbon-2o den. Het ingangssignaal wordt toegevoerd aan de basis 6 van transistor Jy Tussen de aansluiting 10 voor de voedingsspanning en 9e“ meenschappelijke punt 11 is een stroomketen aangebracht, die wordt gevormd door de serieschakeling van een tweede stroombron 7 met stroomsterkte I2 j een tweede en een derde diode D2 en D^ en een derde stroom-2g bron 8 met een stroomsterkte Iy De tweede stroombron 7 wordt daarbij gevormd door een PNP-transistor T^, waarvan de basis een referentiespanning Vp2 voert. De stroomsterkte 1^ van stroombron 8 is groter dan de stroomsterkte ^ van de stroombron 7. Het verbindingspunt 3 van de kollektor van transistor en de emitter van transistor T2 is door mid-30 del van een diode D^ met de kathode 9 van diode D2 verbonden. De emitter van transistor is door een diode D^ met de kathode 12 van diode D^ verbonden.
De schakeling werkt als volgt. Bij lage ingangsspanningen V^ vloeit de stroom van de stroombron 7 via de diodes D2 en D^ naar de 35 stroombron 8. Het verschil van de stromen 1^ en 1^ wordt via de diodes D^ en D^ aan de eerste voeding V^ onttrokken. In deze situatie is diode D,. gesperd. De spanning tussen de basis en emitter van transistor T2 is nagenoeg gelijk aan 0 Volt, daar deze spanning gelijk is aan het verschil 35 0 0 7 6 & ΡΗΝ 11.325 5 12-3-1985.
V' * * van de spanningen over diodes en . Transistor T2 is dus niet-geleidend, zodat bij lage ingangsspanningen \Λ de kollektor van transistor via diode aan de voedingsspanning V^ is gelegd. Het in-5 gangssignaal wordt via emittervolger-transistor Tj aan de basis van transistor toegevoerd. Dit inganssignaal is dus ook aanwezig op de anode van diode D^. De spanning op de kathode 12 van diode D^ is drie diode-spanningen lager dan de voedingsspanning V^. Bij een zekere in-gangsspanning \T zal diode D^ dan ook in geleiding komen. Een gedeelte 10 van het ingangssignaal V^ verschijnt dan op de kathode van diode D^.
Bij verdere toename van de ingangsspanning zal diode D^ minder gaan geleiden, waardoor de stroom door diode D^ afneemt en door diode D^ toeneemt boven'een zekere ingangsspanning V^ spert diode D^. De spanning op de basis van transistor volgt via de diodes D2, D^ en D^ de ingangs-15 spanning V^. Bij verdere toename van deze ingansspanning komt daarom transistor T2 in geleiding waardoor ook de spanning op het verbindingspunt 3 toeneemt. Bij een zekere ingangsspanning spert dan de diode D^,zodat de kollektor van transistor via de kollektor-emitterweg van transistor T2 met de hoge voedingsspanning is verbonden.Bij verdere toename zal 2q transistor verzadigen, waardoor de spanning op de basis van transistor T2 niet verder kan toenemen. Vervolgens raakt transistor in verzadiging en worden diodes D2 en D^ gesperd. De stroom 1^ voor stroombron 8 wordt dan via diode D,. volledig door transistor geleverd. De spanning op de basis van transistor kan verder tot nagenoeg de twee-25 de voedingsspanning toenemen, waarbij transistor steeds verder in verzadiging wordt gestuurd. De maximale uitsturing is dan bereikt.
De spanning Vg op de uitgang 2 is dan gelijk aan: V0MX = V2 “ (VCEST4 + UBET2 + VCEST1) waarin = de kollektor-emitterspanning bij verzadiging van tran- 30 sistor T^, VCEsTi = de kollektor-emitterspanning bij verzadiging van transistor Tp en ^BET2 = bas^s_em^^^ersPann^n9 van transistor T2·
Daar de spanningen en ongeveer gelijk aan 35 IQQmV zijn volgt uit bovenstaande vergelijking, dat de uitgang 2 tot op nagenoeg één basis-emitterspanning 0.6 Volt) van de tweede voedingsspanning V2 kan worden uitgestuurd. Door dit grote uitstuurbereik bezit de versterkerschakeling een hoog rendement.
8500769 ' . 4 PHN 11.325 6 12-3-1985.
Het in figuur 1 met t\!/ee voedingsspanningen verklaarde principe kan tot een willekeurig aantal voedingsspanningen worden uitgebreid. In figuur 2 is een versterkerschakeling met drie voedingsspanningen 5 weergegeven, waarin gelijke onderdelen met dezelfde verwiizingscijfers als in figuur 1 zijn aangegeven. In serie met de kollektor-emitterweg van transistor T2 is de kollektor-emitterweg van een transistor T21 aangebracht, waarvan de kollektor met een derde voedingsspanning is verbonden. Hierbij is de kollektor van transistor T2 via een diode 10 met de tweede voedingsspanning V2 verbonden en is de stroombron 7 met de derde voedingsspanning verbonden. De aanstuurschakeling voor transistor T2^ is op dezelfde wijze opgebouwd als die voor transistor T2· Tussen de derde voedingsspanning Vj en de bais van de transistor is een stroombron 27 met stroomsterkte I2g aangebracht. Deze stroombron 27 15 wordt gevormd door een transistor T2^, waarvan de basis een referentie-spanning V^2 voert. De basis van transistor T2 is door middel van de serieschakeling van een diode D22 , een diode D^ en een stroombron 28 met het gemeenschappelijk punt 11 verbonden. Tussen het verbindingspunt 33 van de emitter van transistor T2^ en de kollektor van transistor L, 20 en het verbindingspunt 29 van diode D22 en diode D 2^ is een diode D^ aangebracht. De basis van transistor is door middel van een diode D^ verbonden met het verbindingspunt 22 van diode D^ en stroombron 28.
De werking van de schakeling is eenvoudig na te gaan met behulp van het aan de hand van figuur 1 verklaarde principe. Bij lage in-25 gangsspanningen is transistor T^ met de eerste voedingsspanning gekoppeld, De transistors T2 enT2^ zijn evenals de diodes D^ en D25 gesperd. De stroom I2g van stroombron 27 vloeit via diodes D22 en D^ naar stroombron 28. De overige stroom van stroombron 28 wordt via de diodes D^ en D^ aan de voedingsspanning V2 onttrokken. Bij toenemende 30 ingansspanningen wordt diode D^ en vervolgens transistor T2 in geleiding gestuurd en wordt de eerste voedingsspanning losgekoppeld en de kollektor van transistor T^ met de voedingsspanning V2 gekoppeld. Bij verdere toename van de ingangsspanning \Λ wordt diode D^ geleidend.
Als gevolg hiervan zal transistor T2^ in geleiding en diode D^ uit 35 geleiding worden gestuurd, zodat boven een zekere ingangsspanning de tweede voedingsspanning V2 wordt losgekoppeld en de kollektor van transistor T^ met de derde voedingsspanning wordt gekoppeld. Bij verdere toename van de ingangsspanning raakt transistor T2^ in verzadiging.
8500769 fc -i PHN 11.325 7 12-3-1985.
De spanning op de basis van transistor T21 kan dan niet verder toenemen. Neemt de ingangsspanning nog verder toe, dan wordt transistor T2 in verzadiging gestuurd en raken diodes D22 en 9esPerd· Vervolgens wordt 5 transistor in verzadiging gestuurd en raken diodes D2 en gesperd.
De spanning op de basis van transistor T-j kan verder tot nagenoeg de derde voedingsspanning V^ toenemen, waarbij transistor steeds verder in verzadiging geraakt. De maximale uitsturing is dan bereikt. De maximale spanning Vg op de uitgang 2 is dan geli.ik aan: 10 V0MAX = V3 " (VCEST24 + VBET21 + VCEST2 + ^CESTl^ waarin Vg^-^ = de kollektor-emitterspanning bij verzadiging van transistor 1^·
De versterkerschakeling volgens de uitvinding is bijzonder geschikt om te worden toegepast in een balansversterker, waarvan in fi-^ guur 3 een eerste uitvoeringsvorm is weergegeven. De balansversterker bevat een ingangstrap, die in dit voorbeeld op de eenvoudigste wijze is uitgevoerd met twee als versehilpaar geschakelde transistors T11 en 1^2» waarvan het gemeenschappelijke emitteraansluitpunt door middel van een stroombron, die gevormd wordt door een trareistor T^g waarvan de 2® basis een referentiespanning V^ voert, met de positieve tweede voedingsspanning +V2 is verbonden. Het ingangssignaal Vj- van de balansversterker wordt tussen de bases van de transistors Tj^ en T·^ aangelegd. De kollektor van transistor is rechtsstreeks en de kollektor van transistor Tjj is door middel van een stroomspiegel met transistors Tjj en 25 verbonden met de uitgang van de ingangstrap, die is aangesloten op de ingang van een Millertrap. Deze wordt in dit voorbeeld gevormd door een transistor T^,., waarvan de emitter met de negatieve voedingsspanning -V2 is verbonden. Tussen de kollektor en emitter is een frequentie-com-pensatie condensator aangebracht. De kollektor van transistor T15 30 is door middel van de serieschakeling van zes diodes D^, D^, Dg, D^, D^g en D^ en een stroombron, die gevormd wordt door transistor T^, waarvan de basis een referentiespanning \l^ voert, met de positieve voedingsspanning verbonden. De eindtrap bevat twee complementaire schakelingen, die elk op nagenoeg dezelfde wijze zijn opgebouwd als de 35 schakeling van figuur 1. Gelijke onderdelen zijn dan ook met dezelfde verwijzingscijfers als in figuur 1 weergegeven, waarbij de complementaire onderdelen van een accentteken zijn voorzien. De schakeling verschilt
3 5 0 0 7 5 S
, I
PHN 11.325 8 12-3-1985.
met die van figuur 1 in de volgende punten. Transistor T2 is samen met een transistor TQ als een Darlington-transistor geschakeld, waarbij tus-o sen de basis en de emitter van transistor een weerstand is gescha-5 keld om een snel afschakelen van de Darlington- transistor te bewerkstelligen. Opgemerkt wordt, dat tussen de basis en emitter van transistor Tg ter beveiliging een weerstand of een diode kan worden geschakeld waarbij in het geval van een diode de doorlaatrichting ervan tegengesteld is aan die van de basis-emitterovergang van transistor Tg. Even-10 zo is transistor T^ met een transistor T^ als een Darlington-transistor geschakeld. In serie met de diodes D^ en D^ is een extra diode D^ ge- . schakeld. Deze diode D^ bewerkstelligt, dat van de eerste naar de tweede voedingsspanning wordt overgeschakeld op het moment, dat Darlington-transistor Ty, T^ in verzadiging wordt gestuurd, zodat deze transistor 15 optimaal wordt uitgestuurd. Opgemerkt wordt, dat de kathode van de diode D^ ook met de anode van diode D2 kan worden verbonden. De emitters van de complementaire eindtransistors T^ en T^' zijn met de gemeenschappelijke uitgang 2 verbonden, waarop weer de belasting is aangesloten.
Tussen de emitters van de transistors T^ en T^' is een weerstand R2 aan-20 gebracht, die dezelfde functie heeft als de weerstand R^. De stroombron 8 is een voor beide complementaire schakelingen gemeenschappelijke stroombron.
De kollektors van 'de transistors T^ en T^‘ zijn met respectievelijk de negatieve en positieve voedingsspanning en +^2 v/er*3°nc1en.
25 Het uitgangssignaalvan de Hiller-trap wordt toegevoerd aan de bases van transistors T^ en T^'· De diodes D6’ D7’ D8’ °9’ D10 en D11 tussen de bases van transistors T^ en T^* dienen daarbij voor een klasse AB-in-stelling van de eindtrap. Het principe van de balanswerking is op zich bekend en behoeft hier niet nader te worden verklaard. Doordat transistor 30 T2 samen met transistor Tg als Darlington-transistor is geschakeld, wordt de maximale uitsturing nu gelijk aan: V0MAX = +V2 " ^VCEST4 + VBET8 + VBET2 + VCEST1)
De maximale uitsturing is hier dus één basis-emitterspanning lager dan bij figuur 1. Bij de minimale uitsturing ligt de uitgangsspanning een-35 zelfde bedrag boven de negatieve voedingsspanning -V2 sis bij de maximale uitsturing onder de positieve voedingsspanning
Een tweede uitvoeringsvorm van een balansversterker volgens 3500760 PHN 11.325 9 12-3-1985.
de uitvinding wordt toegelicht aan de hand van figuur 4. Voor de eenvoud is alleen de voor de uitvinding relevante eindtrap weergegeven, waarbij dezelfde onderdelen met dezelfde verwi.izingscijfers als in figuur 3 zijn 5 aangegeven. De emitter van de transistor is hierbij door middel van een weerstand met de aansluiting lü voor de voedingsspanning +V^ verbonden. Tussen de uitgang 2 en het van de aansluiting 10 afgekeerde uiteinde 15 van de weerstand is een condensator C2 aangebracht. Door deze condensator treedt bootstrapping van het uitgangssingnaal op, 10 waardoor de spanning op de kollektor van transistor boven de voedingsspanning +V2 kan worden uitgetild. Voor de werking van de schakeling heeft dit tot gevolg, dat bij het in geleiding zijn van transistors Tg en T2 ten gevolge van een toenemend ingangssignaal nu niet de transistor T, maar transistor TQ in verzadiging wordt gestuurd. De kollektor van
H O
15 transistor Tg is immers met de voedingsspanning +1^ verbonden, terwijl de basis van de transistor Tg ten gevolge van de bootstrapping tot boven deze voedingsspanning kan worden uitgestuurd. De maximale uitsturing wordt daardoor gelijk aan: U0MAX = V2 " ^CEST8 + VBET2 + VCEST1^ ^ 20 waarin = de kollektor-emitterspanning bij verzadiging van tran sistor Tg.
Door het toepassen van bootstrapping wordt het maximale uit-stuurbereik van de schakeling dus met één basis-emitterspanning vergroot. Opgemerkt wordt, dat bij deze uitvoeringsvorm de stroombron transistor 25 T^g van de ingangstrap ( zie pag. 3) rechtstreeks met de positieve tweede voedingsspanning +\^ is verbonden en de emitters van de transistors ^13* ^14* en T15 me^ ne9atieve tweede voedingsspanning zijn verbonden.
Een derde uitvoeringsvorm van een balansversterker wordt toe-30 gelicht aan de hand van figuur 5, waarin gelijke onderdelen met dezelfde verwijzingscijfers als in figuur 4 zijn aangegeven. De stroombron-transistor T^ is bij deze uitvoeringsvorm vervangen door een weerstand R^. Door de bootstrapping is op de basis van transistor Tg dezelfde signaalspanning aanwezig als op het punt 15. Over deze weerstand is dus 35 een konstante spanning aanwezig, zodat de weerstand R^ als stroombron functioneert.
In figuur 6 is een vierde uitvoeringsvorm van een balansver- 8500759 o * PHN 11.325 10 12-3-1985.
sterker volgens de uitvinding weergegeven, waarin gelijke onderdelen met dezelfde verwijzingsci.ifers als in figuur 5 zijn aangegeven. Deze uitvoeringsvorm verschilt met die van figuur 5 daarin, dat de diode 5 vervangen is door een emittervolger-transistor T^g, waarvan de emitter met de kathode 12 van diode D^, de kollektor met de positieve voedingsspanning +V2 en de basis met de emitter van transistor Ij is verbonden. Bij de uitvoeringsvorm van figuur 5 treedt bij het geleidend worden van transistors Tg, T2 een plotselinge afname van de weerstand op de emitter 10 van transistor op, omdat de weerstand die gezien wordt in de basis van transistor Tg parallel wordt geschakeld aan de weerstand die gezien wordt in de basis van transistor Ty Dit resulteert in een plotselinge afname van de ingangsweerstand van de schakeling, hetgeen tot vervorming van het ingangssignaal leidt. Door diode D^ te vervangen door transistor 15 T^£ wordt de weerstand die bij het in geleiding komen van transistors
Tg, T2 parallel wordt geschakeld aan de ingangsweerstand van de transistor Ty met een faktor gelijk aan de stroomversterkingsfaktor van transistor T^g vergroot. Hierdoor treedt bij het in geleiding komen van transistors Tg, T2 een veel kleinere afname van de ingangsweerstand van 20 transistor T^ op, zodat daardoor de optredende vervorming sterk wordt verkleind. Opgemerkt wordt, dat de emittervolger-transistor T,. natuur- yan -1° lijk ook bij de uitvoeringsvormen / figuur 1, 2, 3 en 4 kan worden toegepast.
De uitvinding is niet beperkt tot de getoonde uitvoerings-25 vormen. Binnen het kader van de uitvinding zijn voor de vakman veel variaties mogelijk. Zo kunnen bijvoorbeeld de in de uitvoeringsvormen getoonde diodes vervangen worden door als diodes geschakelde transistoren. De bipolaire transistors in de schakeling kunnen verder geheel of ge -deeltelijk vervangen worden door MOS-transistors, waarbij de bron, af-3Q voer- en stuurelektrode dan overeenkomen met de emitter, kollektor en basis. Verder kunnen de stroombronnen 5 en 5' ook vervangen worden door weerstanden. Tenslotte wordt opgemerkt,dat.cfein figuur 3, 4, 5 en 6 getoonde uitvoeringsvormen ook met de in figuur 2 getoonde versterkerscha-kelingen kunnen worden uitgevoerd.
35 8500769

Claims (7)

1. Versterkerschakeling bevattende tenminste - een eerste transistor met een emitter, welke gekoppeld is met een eerste punt voor het aansluiten van een met een referentiepunt gekoppel- 5 de belasting en met een kollektor, welke gekoppeld is met een tweede punt voor het door middel van een eerste haLigeleiderovergang aansluiten van een eerste voedingsspanning, - een tweede transistor met een kollektor-emitterweg welke in serie met de kollektor-emitterweg van de eerste transistor is geschakeld en met 1° een kollektor, welke gekoppeld is met een derde punt voor het aansluiten van een tweede voedingsspanning, welke groter is dan de eerste voedingsspanning, en - een derde als emittervolger geschakelde transistor met een basis voor het toevoeren van een ingangssignaal en met een emitter, welke gekoppeld 15 is met de basis van de eerste transistor, met het kenmerk, - dat een stroomketen is aangebracht tussen het derde punt en het referentiepunt, welke stroomketen de serieschakeling bevat van tenminste een eerste stroombron, een tweede en een derde halfgeleiderovergang en 20 een tweede stroombron, - dat de kollektor van de eerste transistor door middel van een vierde halfgeleiderovergang met een punt van de stroomketen tussen de eerste en de tweede stroombron is verbonden, - dat de emitter van de derde transistor door middel van een vijfde half-25 geleiderovergang met de tweede stroombron is verbonden, en - dat de basis van de tweede transistor met de eerste stroombron is verbonden.
2. Versterkerschakeling volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de eerste en de tweede transistor elk worden gevormd door een Dar- 30 lington-transistor.
3. Versterkerschakeling volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de eerste stroombron met het derde punt is verbonden door middel van een eerste weerstand en dat het eerste punt door middel van 85 0 0 7 69 PHN 11.325 12 12-3-1985 • * een condensator is verbonden met het van het derde punt afgekeerde uiteinde van de eerste weerstand.
4. Versterkerschakeling volgens conclusie 3, met het kenmerk, 5 dat de eerste stroombron wordt gevormd door een tweede weerstand.
5. Versterkerschakeling volgens conclusie 1, 2, 3 of 4, met het kenmerk, dat de vijfde halfgeleiderovergang wordt gevormd door de basis-emitterovergang van een als emittervolger geschakelde vierde transistor. 10
6. Balansversterker met het kenmerk, dat deze is voorzien van twee complementair uitgevoerde versterkerschakelingen volgens êén der voorgaande conclusies, waarbij de emitters van de complementaire eerste transistors zijn verbonden met een gemeenschappelijk eerste punt voor het aansluiten van een gemeenschappelijke belasting. 15
7. BaJans\ersterker volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de tweede stroombronnen van de twee complementaire schakelingen een gemeenschappelijke tweede stroombron vormen. 20 25 30 1 35 J- * .λ ( > .·. * ; J
NL8500769A 1985-03-18 1985-03-18 Versterkerschakeling. NL8500769A (nl)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8500769A NL8500769A (nl) 1985-03-18 1985-03-18 Versterkerschakeling.
US06/838,966 US4688001A (en) 1985-03-18 1986-03-11 High Efficiency, low distortion amplifier
DE8686200397T DE3667578D1 (de) 1985-03-18 1986-03-12 Verstaerkeranordnung.
EP86200397A EP0196703B1 (en) 1985-03-18 1986-03-12 Amplifier arrangement
CA000504178A CA1236890A (en) 1985-03-18 1986-03-14 Amplifier arrangement
JP61056107A JPS61214807A (ja) 1985-03-18 1986-03-15 増幅回路
KR1019860001905A KR950000162B1 (ko) 1985-03-18 1986-03-15 증폭기 장치 및 푸시풀 증폭기
HK885/91A HK88591A (en) 1985-03-18 1991-11-07 Amplifier arrangement
SG1126/92A SG112692G (en) 1985-03-18 1992-11-02 Amplifier arrangement

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8500769A NL8500769A (nl) 1985-03-18 1985-03-18 Versterkerschakeling.
NL8500769 1985-03-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8500769A true NL8500769A (nl) 1986-10-16

Family

ID=19845695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8500769A NL8500769A (nl) 1985-03-18 1985-03-18 Versterkerschakeling.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4688001A (nl)
EP (1) EP0196703B1 (nl)
JP (1) JPS61214807A (nl)
KR (1) KR950000162B1 (nl)
CA (1) CA1236890A (nl)
DE (1) DE3667578D1 (nl)
HK (1) HK88591A (nl)
NL (1) NL8500769A (nl)
SG (1) SG112692G (nl)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5387876A (en) * 1993-12-20 1995-02-07 Peavey Electronics Corporation High efficiency amplifier with reduced switching distortion
JP3191606B2 (ja) * 1995-02-28 2001-07-23 安藤電気株式会社 2値出力回路
DE19544368A1 (de) * 1995-11-29 1997-06-05 Thomson Brandt Gmbh Leistungsverstärker für eine induktive Last
US5825228A (en) * 1996-01-29 1998-10-20 Linear Technology Corp. Low quiescent power, high output power rail-to rail amplifier output stages and methods for using same
US5898342A (en) * 1998-01-20 1999-04-27 Advanced Micro Devices Power amplifier arrangement and method for data signal interface
DE69935198T2 (de) * 1999-01-29 2007-10-31 Alcatel Lucent Leistungsverstärkervorrichtung
US6236273B1 (en) * 1999-11-18 2001-05-22 Pairgain Technologies, Inc. High efficiency power amplifier
US6417736B1 (en) * 2000-11-01 2002-07-09 Lewyn Consulting, Inc. Multiple-voltage supply power amplifier with dynamic headroom control
KR100490445B1 (ko) * 2001-03-15 2005-05-17 블루텍 주식회사 오디오 전력 증폭 장치 및 방법
US6538514B2 (en) * 2001-05-22 2003-03-25 Elantec Semiconductor, Inc. Compensation method in a class-G amplifier output stage
US7782141B2 (en) * 2008-12-29 2010-08-24 Texas Instruments Incorporated Adaptive signal-feed-forward circuit and method for reducing amplifier power without signal distortion
JP5383426B2 (ja) * 2009-10-23 2014-01-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 異常検出時急速放電回路
FR3110660B1 (fr) 2020-05-19 2022-07-29 Fernbach Musy Franck Dispositif de raccordement entre deux conduits présentant deux zones de contact concentriques

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3872247A (en) * 1971-05-20 1975-03-18 Robert W Saville Low cost of high fidelity high power variable class a amplifier-speaker combination
JPS5045549A (nl) * 1973-08-25 1975-04-23
JPS58111507A (ja) * 1981-12-25 1983-07-02 Nippon Gakki Seizo Kk 電力増幅器

Also Published As

Publication number Publication date
CA1236890A (en) 1988-05-17
KR860007777A (ko) 1986-10-17
JPH0580163B2 (nl) 1993-11-08
JPS61214807A (ja) 1986-09-24
EP0196703A1 (en) 1986-10-08
DE3667578D1 (de) 1990-01-18
KR950000162B1 (ko) 1995-01-10
EP0196703B1 (en) 1989-12-13
SG112692G (en) 1993-01-29
US4688001A (en) 1987-08-18
HK88591A (en) 1991-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8500769A (nl) Versterkerschakeling.
US4567444A (en) Current mirror circuit with control means for establishing an input-output current ratio
US3887878A (en) Transistor series amplifier
EP0219937A2 (en) ECL slave reference generators
EP0199381B1 (en) Amplifier arrangement
NL8500768A (nl) Versterkerschakeling.
US4929883A (en) Circuit for sensing the transistor current waveform
US4041407A (en) Driver circuit for developing quiescent and dynamic operating signals for complementary transistors
US5343165A (en) Amplifier having a symmetrical output characteristic
US4418321A (en) Feedback amplifier or threshold value switch for a current feed differential stage
US4458162A (en) TTL Logic gate
EP0043257A1 (en) Operational amplifier with programmable gain
US4910425A (en) Input buffer circuit
EP0156410A1 (en) Amplifier arrangement
JPS61293022A (ja) Ecl−ttl変換出力回路
US4308469A (en) Unity gain emitter follower bridge circuit
US4345215A (en) Audio frequency power amplifier circuit
US4262244A (en) Circuit providing improved rejection to power supply variations to current sources driven therefrom
US4409560A (en) Output transient suppression circuit
US4829231A (en) Current mirror having a high output voltage
US4901191A (en) Monolithically integratable, low power dissipation control circuit for switching inductive loads
US4122362A (en) Stepped pulse generator circuit
JPH0918248A (ja) 高電圧演算増幅器
JP3704219B2 (ja) 出力クランプ回路
EP0750393A2 (en) A high voltage operational amplifier output stage

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed