NL8403227A - Clamping plate. - Google Patents
Clamping plate. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8403227A NL8403227A NL8403227A NL8403227A NL8403227A NL 8403227 A NL8403227 A NL 8403227A NL 8403227 A NL8403227 A NL 8403227A NL 8403227 A NL8403227 A NL 8403227A NL 8403227 A NL8403227 A NL 8403227A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- clamping plate
- assembly device
- pins
- plate
- workpiece
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
- G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Description
P & C - « iP & C - «i
Varian Associates, Ine.Varian Associates, Ine.
Korte aanduiding: OpspanplaatShort designation: Clamping plate
Bij de fotolithografische bewerking wordt een halfgeleider-plaatje bevestigd op een opspanplaat» teneinde een nauwkeurige positionering te verkrijgen. Voor een optimaal resultaat is het belangrijk, dat het plaatje vast bevestigd is aan de opspanplaat en dat de opspanplaat een vlak 5 montage-oppervlak aan het plaatje biedt.In the photolithographic processing, a semiconductor wafer is attached to a clamping plate to obtain accurate positioning. For optimal results, it is important that the plate is firmly attached to the clamping plate and that the clamping plate offers a flat mounting surface to the plate.
Een bekende opspanplaat wordt beschreven in het Amerikaanse octrooi-schrift 4.213.698. Zoals in fig. 1 en 2 getoond wordt, maakt een dergelijke bekende opspanplaat gebruik van een vacuumbron, om het plaatje neer te drukken op een aantal metalen ondersteuningsstiften. Dergelijke bekende opspan-10 platen zijn kostbaar om te fabriceren en het plaatje kan uitgerekt en vervormd worden, aangezien de metalen opspanplaat en het halfgeleiderplaatje verschillende thermische uitzettingscoefficienten hebben. Aangezien het montage-oppervlak voor het plaatje een metaal is, kan koude uitzetting en daaropvolgende diffusiekamerverontreiniging optreden.A known clamping plate is described in U.S. Patent 4,213,698. As shown in FIGS. 1 and 2, such a known clamping plate uses a vacuum source to press the plate down onto a number of metal support pins. Such known clamping plates are expensive to manufacture and the plate can be stretched and deformed since the metal clamping plate and the semiconductor plate have different thermal expansion coefficients. Since the mounting surface for the wafer is a metal, cold expansion and subsequent diffusion chamber contamination can occur.
13 Volgens de getoonde voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding wordt een vacuum-opspanplaat gefabriceerd uit een enkel stuk monolitisch silicium. Het oppervlak van de opspanplaat wordt vlak gepolijst en geëtst, zodat een ringvormig buitenafdichtingsoppervlak een binnengebied van afgevlakte pieken en dalen omringt. Door het binnengebied geboorde ga-20 ten staan de toepassing van een vacuum toe. Het te bewerken halfgeleiderplaatje komt alleen in contact met het ringvormige oppervlak en met de pieken van het binnengebied. Luchtstromingsbanen door de dalen zorgen ervoor, dat het vacuum het plaatje vast op de afgevlakte pieken en het ringvormige afdichtingsoppervlak drukt. Aangezien het montage-oppervlak (samengesteld 25 uit het ringvormige afdichtingsoppervlak en de toppen van de pieken) slechts ongeveer 4% van het totale oppervlak van de opspanplaat bedraagt, is de kans dat een korreltje zand e.d. tussen het plaatje en het montage-oppervlak kan komen, laag. Aangezien de opspanplaat en het plaatje gefabriceerd kunnen worden uit hetzelfde materiaal, zijn de thermische uitzettingscoëfficient 30 van het plaatje en de opspanplaat gelijk. Verder heeft koude uitzetting tussen de opspanplaat en het plaatje geen invloed op de vlakheid van de opspanplaat, aangezien een afgebroken piek breekt zonder bramen. Verder kan koude uitzetting tussen de opspanplaat en het plaatje geen verontreiniging van een in een latere bewerkingsstap gebruikte diffusiekamer veroorzaken, 35 aangezien het materiaal van de opspanplaat inert is.According to the preferred embodiment of the present invention shown, a vacuum clamping plate is fabricated from a single piece of monolithic silicon. The surface of the clamping plate is polished and etched flat, so that an outer annular sealing surface surrounds an inner region of smoothed peaks and valleys. Holes drilled through the inner region allow the use of a vacuum. The semiconductor wafer to be machined only contacts the annular surface and the peaks of the inner region. Airflow paths through the valleys ensure that the vacuum presses the plate firmly onto the flattened peaks and the annular sealing surface. Since the mounting surface (composed of the annular sealing surface and the tips of the peaks) is only about 4% of the total surface of the clamping plate, there is a chance that a grain of sand, etc., can get between the plate and the mounting surface , low. Since the clamping plate and the plate can be manufactured from the same material, the thermal expansion coefficient of the plate and the clamping plate are the same. Furthermore, cold expansion between the clamping plate and the plate does not affect the flatness of the clamping plate, since a broken peak breaks without burrs. Furthermore, cold expansion between the clamping plate and the wafer cannot cause contamination of a diffusion chamber used in a later processing step, since the material of the clamping plate is inert.
In een andere voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding wordt een elektrostatische kracht gebruikt om het plaatje stevig op de opspanplaat te drukken. Een diëlektrisch materiaal wordt toegevoegd 8403227 -2- " # ♦ aan het montage-oppervlak, het plaatje wordt geaard en een hoge spanning wordt toegevoerd aan de opspanplaat. De vacuumbron kan bij aanvang gebruikt worden om het plaatje op de bevestigingsplaat te drukken en de elektrostatische kracht zorgt voor het stevig vasthouden van het plaatje op de op-5 spanplaat, zodra de afstand tussen het plaatje en de opspanplaat klein is.In another preferred embodiment of the present invention, an electrostatic force is used to firmly press the wafer onto the clamping plate. A dielectric material is added 8403227 -2- "# ♦ to the mounting surface, the wafer is grounded and a high voltage is applied to the clamping plate. The vacuum source can be used initially to press the wafer onto the mounting plate and the electrostatic force ensures that the plate is firmly held on the clamping plate as soon as the distance between the plate and the clamping plate is small.
De onderhavige uitvinding wordt hierna nader beschreven, met verwijzing naar de tekening, waarin:The present invention is described in more detail below with reference to the drawing, in which:
Fig. 1 in perspektief een bekende, opspanplaat toont.Fig. 1 shows a known clamping plate in perspective.
Fig. 2 een zijaanzicht toont van de in fig. 1 getoonde bekende 10 opspanplaat.Fig. 2 shows a side view of the known clamping plate shown in FIG. 1.
Fig. 3 in perspectief een van pinnen voorziene opspanplaat toont, welke geconstrueerd is volgens de voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.Fig. 3 is a perspective view of a pegged clamping plate constructed in accordance with the preferred embodiment of the present invention.
Fig. 4 een bovenaanzicht van de in fig. 3 getoonde opspanplaat 15 toont.Fig. 4 shows a top view of the clamping plate 15 shown in FIG. 3.
Fig. 5 een zijaanzicht, langs lijn A-A, van de in fig. 4 getoonde opspanplaat toont.Fig. 5 shows a side view, along line A-A, of the clamping plate shown in FIG. 4.
Fig. 6 een vergroot aanzicht van het binnengebied van de in fig. 3 getoonde opspanplaat toont.Fig. 6 shows an enlarged view of the inner region of the clamping plate shown in FIG. 3.
20 ' Fig. 7 een andere voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uit vinding toont, waarin een elektrostatische kracht gebruikt wordt om een plaatje stevig vast te houden op de in fig. 5 getoonde opspanplaat.20 'FIG. 7 shows another preferred embodiment of the present invention, in which an electrostatic force is used to securely hold a wafer on the clamping plate shown in FIG.
Fig. 1 en 2 tonen een perspectief- en zijaanzicht van een bekende opspanplaat, waarbij afzonderlijke stiften, meestal van metaal, gebruikt 25 worden om het te bewerken plaatje te ondersteunen.Fig. 1 and 2 show a perspective and side view of a known clamping plate, in which separate pins, mostly of metal, are used to support the plate to be processed.
Fig. 3 toont een perspectief aanzicht van een monolitische vacuum-opspanplaat 1, welke gecontrueerd wordt volgens de getoonde voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. Opspanplaat 1 omvat een enkel stuk monolitisch silicium, welke 9 cm in diameter en 1,5 cm dik is. Het is 30 eveneens mogelijk om de opspanplaat 1 te fabriceren uit andere kristallijne materialen zoals bijvoorbeeld GaAs, kwarts of saffier en om andere dimensies voor de opspanplaat te gebruiken, afhankelijk van de grootte van het plaatje. Een vlak ringvormig afdichtingsoppervlak 3 ligt langs de buitenrand van het bovenoppervlak van de opspanplaat 1 en omringt een binnengebied 5.Fig. 3 shows a perspective view of a monolithic vacuum clamping plate 1, which is constructed according to the shown preferred embodiment of the present invention. Clamping plate 1 comprises a single piece of monolithic silicon, which is 9 cm in diameter and 1.5 cm thick. It is also possible to manufacture the clamping plate 1 from other crystalline materials such as, for example, GaAs, quartz or sapphire, and to use other dimensions for the clamping plate, depending on the size of the plate. A flat annular sealing surface 3 lies along the outer edge of the top surface of the clamping plate 1 and surrounds an inner region 5.
35 Een zestal luchtgaten 7 is door de opspanplaat 1 geboord, om voor een verbinding met een vacuumbron te zorgen.Six air holes 7 have been drilled through the clamping plate 1 to provide a connection to a vacuum source.
Fig. 4 toont een bovenaanzicht van de opspanplaat 1 en fig.5 toont een zijaanzicht langs de lijn A-A; het binnengebied 5 is in beide figuren op vergrote schaal weergegeven, om de nadruk te leggen op de pieken 11 en 8403227 * * -3- / dalen 13. Bij een hierboven genoemde opspanplaat 1 van 9 cm in diameter* is het ringvormige afdichtingsoppervlak 3 5 mm breed, de afgevlakte toppen van de pieken 11 zijn 200 micron bij 200 micron, de middelpunten van de pieken 11 liggen ongeveer 1000 micron uit elkaar en de afgevlakte toppen van de 5 pieken 11 bevinden zich 50 micron boven de bodem van de dalen 13. De gaten 7 zijn 0,9 mm in diameter en een verzamelkamer 15 kan in de onderkant van de opspanplaat 1 gefreesd worden, om te zorgen voor een aansluiting voor een vacuumbron 17. Verschillende opspanplaten 1 zijn geconstrueerd, waarin de hoogte van de pieken 11 boven de dalen 13 tot 100 micron toenamen.Fig. 4 shows a top view of the clamping plate 1 and FIG. 5 shows a side view along the line A-A; the inner area 5 is shown in an enlarged scale in both figures, to emphasize the peaks 11 and 8403227 * * -3- / valleys 13. With the above mentioned clamping plate 1 of 9 cm in diameter * the annular sealing surface 3 is 5 mm wide, the flattened tops of the peaks 11 are 200 microns by 200 microns, the centers of the peaks 11 are approximately 1000 microns apart and the flattened tops of the 5 peaks 11 are located 50 microns above the bottom of the valleys 13. The holes 7 are 0.9 mm in diameter and a collection chamber 15 can be milled in the bottom of the clamping plate 1 to provide a connection for a vacuum source 17. Various clamping plates 1 are constructed, in which the height of the peaks 11 above the valleys increased from 13 to 100 microns.
10 Fig. 6 toont een weergave van een gescande micro-elektronenopname van een deel van het binnengebied 5. De pieken 11 in deze figuur kunnen beschouwd worden als vlak-afgetopte pyramiden, hoewel andere configuraties, bijvoorbeeld vierkante pinnen, gebruikt kunnen worden. Opspanplaat 1 wordt gevormd uit een enkel stuk monolitisch silicium met een <.100> kristallijne 15 roosteroriëntatie. Silicium met andere kristallijne roosteroriëntaties kan ook gebruikt worden, om pieken 11 met verschillende andere geometrieën te vormen. Opspanplaat 1 wordt eerst in de gewenste vorm en grootte gesneden en de verzamelkamer 13 wordt gefreesd. Het bovenoppervlak (bestaande uit het ringvormige afdichtingsoppervlak 3 en het binnengebied 5) wordt gepo-20 lijst, totdat de gewenste graad van vlakheid verkregen is, hetgeen van een submicronniveau kan zijn, waarbij gebruik gemaakt wordt van bekende moderne technieken. Een spanning-compenserende oxidelaag wordt aangebracht op het bovenoppervlak en een nitridemasker, zodanig ontworpen om te zorgen voor de gewenste etsing van de pieken 11 en dalen 13, wordt aangebracht op de span-25 ning-compenserende oxidelaag. Een oriëntatieafhankelijk etsmiddel (bijvoorbeeld Κ0Η voor het hierboven genoemde <100> silicium) wordt toegepast voor het etsen van de pieken 11 en dalen 13. Uiteindelijk wordt het nitridemasker verwijderd en een slijtlaag van nitride wordt aangebracht op de spanning-compenserende oxidelaag.FIG. 6 shows a scanned microelectron micrograph of part of the inner region 5. The peaks 11 in this figure can be considered flat-topped pyramids, although other configurations, for example square pins, can be used. Clamping plate 1 is formed from a single piece of monolithic silicon with a <.100> crystalline grid orientation. Silicon with other crystalline lattice orientations can also be used to form peaks 11 with various other geometries. Clamping plate 1 is first cut into the desired shape and size and the collection chamber 13 is milled. The top surface (consisting of the annular sealing surface 3 and the inner area 5) is polished until the desired degree of flatness is obtained, which may be of a submicron level using known modern techniques. A stress-compensating oxide layer is applied to the top surface and a nitride mask, designed to provide the desired etching of peaks 11 and valleys 13, is applied to the stress-compensating oxide layer. An orientation dependent etchant (e.g., Κ0Η for the above-mentioned <100> silicon) is used to etch the peaks 11 and valleys 13. Finally, the nitride mask is removed and a nitride wear layer is applied to the stress-compensating oxide layer.
30 Een plaatje, met een diameter ongeveer gelijk aan de diameter van de opspanplaat 1, wordt op het bovenoppervlak van de opspanplaat 1 geplaatst. Het vlakke ringvormige afdichtingsoppervlak 3 verschaft een luchtafdichting langs de rand van het plaatje. Een door middel van een vacuumbron 17 via de verzamelkamer 13 en de gaten 17 verkregen vacuum, drukt het plaatje 35 tegen het ringvormige oppervlak 3 en de pieken 11 aan. De vele pieken 11 verschaffen een groot aantal vlakke ondersteuningspunten voor het- plaatje.A plate, with a diameter approximately equal to the diameter of the clamping plate 1, is placed on the top surface of the clamping plate 1. The flat annular sealing surface 3 provides an air seal along the edge of the wafer. A vacuum obtained by means of a vacuum source 17 via the collection chamber 13 and the holes 17 presses the wafer 35 against the annular surface 3 and the peaks 11. The many peaks 11 provide a large number of flat platelet support points.
Fig. 7 toont een andere voorkeursuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding, waarin zowel een vacuum als elektrostatische krachten toegepast worden, om een plaatje 21 op de fig. 5 getoonde opspanplaat 1 te 8403227 " è v -4- drukken. Een diëlektrische laag 23 wordt aangebracht op de pieken 11 en dalen 13 van de opspanplaat 1. De diëlektrische laag 23 kan bijvoorbeeld een 2-3 micron dikke siliciumdioxidelaag bevatten. Een hoge spanning, in de orde van 1000 Volt, wordt toegevoerd aan de opspanplaat 1 door een 5 voedingsbron 25 en het plaatje 21 is geaard. De vacuumbron wordt eerst gebruikt om het plaatje 21 dichtbij de opspanplaat 1 te brengen. Daarna wordt de voedingsbron 25 ingeschakeld en een elektrostatische kracht, evenredig met het kwadraat van de voedingsspanning 25 (en omgekeerd evenredig met het kwadraat van de afstand tussen de opspanplaat 1 en het plaatje 21), 10 wordt aangewend om het plaatje 21 tegen de pieken 11 van de opspanplaat 1 te drukken. Het oppervlak van de pieken 11 kan vergroot worden ten opzichte van het bovenoppervlak, om de elektrostatische kracht te laten toenemen en in dit geval kunnen de vacuumbron 17 en het ringvormige afdichtingsopper-vlak 3 overbodig zijn.Fig. 7 shows another preferred embodiment of the present invention, in which both a vacuum and electrostatic forces are applied, to press a plate 21 onto the clamping plate 1 shown in FIG. 5. A dielectric layer 23 is applied to the peaks 11 and valleys 13 of the clamping plate 1. The dielectric layer 23 may contain, for example, a 2-3 micron thick silicon dioxide layer A high voltage, on the order of 1000 volts, is supplied to the clamping plate 1 through a power supply 25 and the wafer 21. The vacuum source is first used to bring the wafer 21 close to the clamping plate 1. Then the power source 25 is turned on and an electrostatic force proportional to the square of the supply voltage 25 (and inversely proportional to the square of the distance between the clamping plate 1 and the plate 21), 10 are used to press the plate 21 against the peaks 11 of the clamping plate 1. The surface of the peaks 11 k Increased from the top surface to increase the electrostatic force and in this case the vacuum source 17 and the annular sealing surface 3 may be unnecessary.
15 Ή-ΗίΗΗ+Ι I I I 1 I I I I I I· 840322715 Ή-ΗίΗΗ + Ι I I I 1 I I I I I I8403227
Claims (15)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US54781183A | 1983-11-01 | 1983-11-01 | |
| US54781183 | 1983-11-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8403227A true NL8403227A (en) | 1985-06-03 |
Family
ID=24186226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8403227A NL8403227A (en) | 1983-11-01 | 1984-10-24 | Clamping plate. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6099538A (en) |
| DE (1) | DE3438980A1 (en) |
| FR (1) | FR2554250A1 (en) |
| GB (1) | GB2149697B (en) |
| NL (1) | NL8403227A (en) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4551192A (en) * | 1983-06-30 | 1985-11-05 | International Business Machines Corporation | Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography |
| DE3514741A1 (en) * | 1985-04-24 | 1986-10-30 | Supfina Maschinenfabrik Hentzen Kg, 5630 Remscheid | DEVICE FOR FINISHING LEVEL SURFACES OF DISK-SHAPED WORKPIECES WITH UNPROCESSED SUPPORT PAGE AND LOW WALL THICKNESS |
| JP2581066B2 (en) * | 1987-03-31 | 1997-02-12 | 富士通株式会社 | Wafer transfer method and apparatus |
| JP2748127B2 (en) * | 1988-09-02 | 1998-05-06 | キヤノン株式会社 | Wafer holding method |
| JPH02174116A (en) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Susceptor |
| JPH0488045U (en) * | 1990-12-18 | 1992-07-30 | ||
| JPH05251544A (en) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Fujitsu Ltd | Conveyor |
| US5600530A (en) | 1992-08-04 | 1997-02-04 | The Morgan Crucible Company Plc | Electrostatic chuck |
| EP0669640A1 (en) * | 1994-02-25 | 1995-08-30 | Applied Materials, Inc. | Susceptor for deposition apparatus |
| US5645646A (en) * | 1994-02-25 | 1997-07-08 | Applied Materials, Inc. | Susceptor for deposition apparatus |
| US5583736A (en) * | 1994-11-17 | 1996-12-10 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Micromachined silicon electrostatic chuck |
| US5588203A (en) * | 1995-02-28 | 1996-12-31 | Matsushita Communication Industrial Corporation Of America | Nozzle for a vacuum mounting head |
| US6399143B1 (en) * | 1996-04-09 | 2002-06-04 | Delsys Pharmaceutical Corporation | Method for clamping and electrostatically coating a substrate |
| DE19630932A1 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Carrier for a semiconductor wafer and use of the carrier |
| US6383890B2 (en) * | 1997-12-26 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer bonding method, apparatus and vacuum chuck |
| DE10027931C1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-01-10 | Infineon Technologies Ag | Method for rear-side electrical contacting of a semiconductor substrate during its processing |
| JP3577546B2 (en) * | 2001-02-08 | 2004-10-13 | 株式会社 日立インダストリイズ | Substrate assembling method and assembling apparatus |
| US6803780B2 (en) * | 2001-07-10 | 2004-10-12 | Solid State Measurements, Inc. | Sample chuck with compound construction |
| FR2835242A1 (en) * | 2002-01-28 | 2003-08-01 | Karl Suss France | Device for the support with holding of wafers, comprises a support face with suction provision and a screen |
| DE10235482B3 (en) * | 2002-08-02 | 2004-01-22 | Süss Microtec Lithography Gmbh | Device for fixing thin and flexible substrates |
| EP1431831B1 (en) * | 2002-12-20 | 2007-08-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and substrate holder |
| EP1431825A1 (en) | 2002-12-20 | 2004-06-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and substrate holder |
| DE10319272A1 (en) * | 2003-04-29 | 2004-11-25 | Infineon Technologies Ag | Multifunction carrier and associated docking station |
| JP3894562B2 (en) | 2003-10-01 | 2007-03-22 | キヤノン株式会社 | Substrate adsorption apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| CN102581976B (en) * | 2012-03-14 | 2015-04-29 | 浙江昀丰新能源科技有限公司 | Crystal processing orientation device |
| US11664264B2 (en) | 2016-02-08 | 2023-05-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method for unloading a substrate and method for loading a substrate |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US661840A (en) * | 1899-12-23 | 1900-11-13 | John G Baker | Photographic-print holder. |
| FR1504796A (en) * | 1966-10-28 | 1967-12-08 | Sud Aviation | Method and device for vacuum fastening of workpieces |
| US3652075A (en) * | 1969-11-10 | 1972-03-28 | Sheldon Thompson | Vacuum chuck and related apparatus and methods |
| US3740900A (en) * | 1970-07-01 | 1973-06-26 | Signetics Corp | Vacuum chuck assembly for semiconductor manufacture |
| GB1443215A (en) * | 1973-11-07 | 1976-07-21 | Mullard Ltd | Electrostatically clamping a semiconductor wafer during device manufacture |
| US4213698A (en) * | 1978-12-01 | 1980-07-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces |
| SE444526B (en) * | 1978-01-23 | 1986-04-21 | Western Electric Co | PUT IN PLACE AND PLAN TO PLACE A SUBSTRATE DISH |
| DD143131A1 (en) * | 1979-04-26 | 1980-07-30 | Ute Bergner | DEVICE FOR ELECTROSTATIC HOLDING OF WORKPIECES, PARTICULARLY SEMICONDUCTED DISCS |
| DK73681A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-20 | Carlsen Litho A S | PROCEDURE FOR APPLICATION OF THICKNESS AND RIGENT CARTON ORIGINALS ON A SCANNER CYLINDER, AND APPARATUS FOR USE IN EXERCISING THE PROCEDURE |
| US4433835A (en) * | 1981-11-30 | 1984-02-28 | Tencor Instruments | Wafer chuck with wafer cleaning feature |
| US4506184A (en) * | 1984-01-10 | 1985-03-19 | Varian Associates, Inc. | Deformable chuck driven by piezoelectric means |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP21744884A patent/JPS6099538A/en active Pending
- 1984-10-24 DE DE19843438980 patent/DE3438980A1/en not_active Withdrawn
- 1984-10-24 NL NL8403227A patent/NL8403227A/en not_active Application Discontinuation
- 1984-10-30 FR FR8416591A patent/FR2554250A1/en active Pending
- 1984-10-31 GB GB08427544A patent/GB2149697B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6099538A (en) | 1985-06-03 |
| FR2554250A1 (en) | 1985-05-03 |
| GB8427544D0 (en) | 1984-12-05 |
| GB2149697B (en) | 1987-04-23 |
| GB2149697A (en) | 1985-06-19 |
| DE3438980A1 (en) | 1985-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8403227A (en) | Clamping plate. | |
| US6563204B1 (en) | Microcircuit die-sawing protector | |
| US6429506B1 (en) | Semiconductor device produced by dicing | |
| US5703493A (en) | Wafer holder for semiconductor applications | |
| US8857805B2 (en) | Method, apparatus for holding and treatment of a substrate | |
| USRE31053E (en) | Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces | |
| KR101699717B1 (en) | Tool for picking a planar object from a supply station | |
| GB2130788A (en) | Semiconductor device with registration mark for electron beam exposure | |
| EP0362838A3 (en) | A method of fabricating semiconductor devices | |
| GB2109995A (en) | Semiconductor structures and methods of forming such structures | |
| US11854999B2 (en) | Patterning a transparent wafer to form an alignment mark in the transparent wafer | |
| US20200203227A1 (en) | Dicing A Wafer | |
| JP3250290B2 (en) | Wafer chuck | |
| MY125036A (en) | Techniques for dicing substrates during integrated circuit fabrication | |
| JPS6244825B2 (en) | ||
| US4433835A (en) | Wafer chuck with wafer cleaning feature | |
| JP2003229469A (en) | Semiconductor chip pickup device | |
| US4499659A (en) | Semiconductor structures and manufacturing methods | |
| JP2002353296A (en) | Equipment for peeling wafer protective tape and wafer mounting equipment | |
| EP1458021A2 (en) | Semiconductor device fabrication method | |
| US20060166462A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor wafer | |
| JPS61125709A (en) | Pin chuck | |
| US5707537A (en) | Bulk removal, transport and storage fixture for small batch-fabricated devices | |
| JPS6234444Y2 (en) | ||
| KR100462565B1 (en) | Vacuum Chuck of Semiconductor Manufacturing Equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| CNR | Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection) |
Free format text: HEWLETT-PACKARD COMPANY |
|
| BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |