NL8204240A - Halfgeleiderinrichting voor het emitteren van elektronen en inrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting voor het emitteren van elektronen en inrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting. Download PDF

Info

Publication number
NL8204240A
NL8204240A NL8204240A NL8204240A NL8204240A NL 8204240 A NL8204240 A NL 8204240A NL 8204240 A NL8204240 A NL 8204240A NL 8204240 A NL8204240 A NL 8204240A NL 8204240 A NL8204240 A NL 8204240A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
region
type
semiconductor device
surface area
electrons
Prior art date
Application number
NL8204240A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of NL8204240A publication Critical patent/NL8204240A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/308—Semiconductor cathodes, e.g. cathodes with PN junction layers

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
NL8204240A 1981-11-06 1982-11-02 Halfgeleiderinrichting voor het emitteren van elektronen en inrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting. NL8204240A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8133502 1981-11-06
GB08133502A GB2109160B (en) 1981-11-06 1981-11-06 Semiconductor electron source for display tubes and other equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8204240A true NL8204240A (nl) 1983-06-01

Family

ID=10525680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8204240A NL8204240A (nl) 1981-11-06 1982-11-02 Halfgeleiderinrichting voor het emitteren van elektronen en inrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting.

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4506284A (it)
JP (1) JPS5887733A (it)
CA (1) CA1201818A (it)
DE (1) DE3240441A1 (it)
ES (1) ES8402118A1 (it)
FR (1) FR2516307B1 (it)
GB (1) GB2109160B (it)
HK (1) HK19386A (it)
IT (1) IT1153005B (it)
NL (1) NL8204240A (it)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8403537A (nl) * 1984-11-21 1986-06-16 Philips Nv Kathodestraalbuis met ionenval.
DE3538175C2 (de) * 1984-11-21 1996-06-05 Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung zum Erzeugen eines Elektronenstromes und ihre Verwendung
NL8600675A (nl) * 1986-03-17 1987-10-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom.
DE3751781T2 (de) * 1986-08-12 1996-10-17 Canon Kk Festkörper-Elektronenstrahlerzeuger
JP2612572B2 (ja) * 1987-04-14 1997-05-21 キヤノン株式会社 電子放出素子
JPH0536369A (ja) * 1990-09-25 1993-02-12 Canon Inc 電子ビーム装置及びその駆動方法
JPH0512988A (ja) * 1990-10-13 1993-01-22 Canon Inc 半導体電子放出素子
US5359257A (en) * 1990-12-03 1994-10-25 Bunch Kyle J Ballistic electron, solid state cathode
US5266530A (en) * 1991-11-08 1993-11-30 Bell Communications Research, Inc. Self-aligned gated electron field emitter
US5670788A (en) * 1992-01-22 1997-09-23 Massachusetts Institute Of Technology Diamond cold cathode
US5463275A (en) * 1992-07-10 1995-10-31 Trw Inc. Heterojunction step doped barrier cathode emitter
EP0597537B1 (en) * 1992-11-12 1998-02-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electron tube comprising a semiconductor cathode
US5686789A (en) 1995-03-14 1997-11-11 Osram Sylvania Inc. Discharge device having cathode with micro hollow array
TW373210B (en) * 1997-02-24 1999-11-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electron tube having a semiconductor cathode
CN1202545C (zh) * 1998-06-11 2005-05-18 彼得·维斯科尔 平面电子发射器件、应用它的显示器以及发射电子的方法
US6351254B2 (en) * 1998-07-06 2002-02-26 The Regents Of The University Of California Junction-based field emission structure for field emission display
US6566692B2 (en) * 2000-08-11 2003-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron device and junction transistor

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL107624C (it) * 1955-09-01
US3422322A (en) * 1965-08-25 1969-01-14 Texas Instruments Inc Drift transistor
DE2345679A1 (de) * 1972-09-22 1974-04-04 Philips Nv Halbleiterkaltkathode
US4015284A (en) * 1974-03-27 1977-03-29 Hamamatsu Terebi Kabushiki Kaisha Semiconductor photoelectron emission device
US4000503A (en) * 1976-01-02 1976-12-28 International Audio Visual, Inc. Cold cathode for infrared image tube
NL184549C (nl) * 1978-01-27 1989-08-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom en weergeefinrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
NL184589C (nl) * 1979-07-13 1989-09-01 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenbundel en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
US4352117A (en) * 1980-06-02 1982-09-28 International Business Machines Corporation Electron source

Also Published As

Publication number Publication date
FR2516307B1 (fr) 1986-12-12
JPH0341931B2 (it) 1991-06-25
ES517118A0 (es) 1984-01-01
JPS5887733A (ja) 1983-05-25
GB2109160B (en) 1985-05-30
FR2516307A1 (fr) 1983-05-13
GB2109160A (en) 1983-05-25
HK19386A (en) 1986-03-27
IT1153005B (it) 1987-01-14
CA1201818A (en) 1986-03-11
IT8224056A0 (it) 1982-11-03
ES8402118A1 (es) 1984-01-01
US4506284A (en) 1985-03-19
DE3240441A1 (de) 1983-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4370797A (en) Method of semiconductor device for generating electron beams
NL8204240A (nl) Halfgeleiderinrichting voor het emitteren van elektronen en inrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
US4801994A (en) Semiconductor electron-current generating device having improved cathode efficiency
NL8400297A (nl) Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenbundel.
JP3226745B2 (ja) 半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置
JPS60241627A (ja) 電子流発生用半導体装置を具える撮像装置
US4516146A (en) Electron sources and equipment having electron sources
EP0395158B1 (en) Device for generating electrons, and display device
US7399987B1 (en) Planar electron emitter (PEE)
EP1383152A2 (en) Emitter with dielectric layer having implanted conducting centers
NL8403537A (nl) Kathodestraalbuis met ionenval.
JPS61131330A (ja) 半導体装置
CA1253260A (en) Semiconductor device for generating an electron beam
US3956025A (en) Semiconductor devices having surface state control and method of manufacture
JP3102783B2 (ja) 外部電界を利用して電子放出を活性化させた冷陰極電子放出素子
US3979629A (en) Semiconductor with surface insulator having immobile charges
EP0404246B1 (en) Semiconductor device for generating an electron current
JPH0567429A (ja) 電子放出素子
Deasley et al. Electron emission from forward biased PN junctions
Bates et al. Reliability improvements in electron bombarded semiconductor power devices
KR20050071121A (ko) 반도체 이온주입공정의 이온발생장치
JPH0567428A (ja) 電子放出素子
NL8403538A (nl) Halfgeleiderkathode met verhoogde stabiliteit.
JPH0567427A (ja) 電子放出素子

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed