NL8004006A - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8004006A NL8004006A NL8004006A NL8004006A NL8004006A NL 8004006 A NL8004006 A NL 8004006A NL 8004006 A NL8004006 A NL 8004006A NL 8004006 A NL8004006 A NL 8004006A NL 8004006 A NL8004006 A NL 8004006A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- etching
- plasma
- layer
- gas
- masking layer
- Prior art date
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 title claims description 42
- 238000005530 etching Methods 0.000 title abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 title abstract description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 title abstract description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 title 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 55
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 abstract description 34
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 21
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 241000479907 Devia <beetle> Species 0.000 abstract 1
- RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N bromotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Br RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910015656 MoOF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- HCUBBWLKCMNCRQ-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum;tetrahydrofluoride Chemical group F.F.F.F.[Mo]=O HCUBBWLKCMNCRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
- H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
* PHN 9791 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken»
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrich-ting.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij een op een substraat aanwezige laag die plaatselijk met een maskeringslaag is bedekt wordt geëtst, door de laag in kon-5 takt te brengen, met bestanddelen van een plasma dat wordt gevormd in een gasmengsel dat een halogeen- en een zuurstof-verbinding bevat. De laag kan hierbij - zoals bijvoorbeeld in gebruikelijke tunnelreaktoren -.alleen met elektrisch ongeladen bestanddelen van het plasma, maar ook - zoals bijvoor-10 beeld in gebruikelijke planaire reaktoren - met een mengsel van elektrisch geladen en ongeladen bestanddelen van het plasma in kontakt worden gebracht.
Een dergelijke werkwijze is bijvoorbeeld bijzonder geschikt voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen 15 waarbij voor het aanbrengen van elektrisch geleidende banen op een substraat het gehele substraat wordt bedekt met een geleidende laag van metaal of poly-Si waarvan delen worden bedekt met een maskeringslaag van bijvoorbeeld fotolak, SiC>2 of Si3N^. Niet bedekte delen kunnen daarna worden verwijderd 20 met behulp van de in de aanhef genoemde werkwijze, waarna de overblijvende delen van de geleidende laag de gewenste geleidende banen vormen. Om in de praktijk een fijn patroon van geleidende banen te kunnen realiseren is het onder andere van groot belang dat de geleidende laag gemeten over het sub-25 straat gelijkmatig wordt weggeëtst en dat daarbij dé maskeringslaag niet te sterk wordt aangetast.
Uit het Japanse Octrooigeschrift KOKAI 53-14571 is een werkwijze van de in de aanhef genoemde soort bekend, waarbij de op een substraat aanwezige laag die plaatselijk 30 bedekt is met een maskeringslaag wordt geëtst door de laag in kontakt te brengen met bestanddelen van een plasma dat wordt gevormd in een gasmengsel dat CF^ als halogeenverbin-......ding en CO2 als zuurstofverbinding bevat» Door de bestandde- 800 4006
* V
-· . ...........·Ι·Ι„ .................... ....... I , , ,, „ ---1. — ----.,, PHN 9791 2 ! delen van het plasma kan een laag van metaal of poly-Si ge-........
lijkmatig worden weggeëtst waarbij een de laag plaatselijk bedekkende maskeringslaag van organische lak maar weinig wordt aangetast. | 5 Een bezwaar van de bekende werkwijze is dat het etsproces relatief langzaam verloopt. Bovendien heeft de bekende werkwijze als bezwaar dat het plasma dat wordt gevormd ; in het CF./C0o gasmengsel erg inhomogeen wordt als aan het ! q 1 j gasmengsel kleine hoeveelheden lucht worden toegevoegd. Het · 10 mengsel van de bestanddelen van het plasma dat met de te et-i i sen laag in kontakt wordt gebracht wordt dan eveneens inhomogeen waardoor de geleidende laag niet meer gelijkmatig wordt weggeëtst. Het blijkt, dat al bij zeer geringe hoeveelheden lucht de snelheid waarmee de geleidende laag wordt wegge-15 etst plaatselijk in een etsreaktor grote verschillen kan vertonen. Om te voorkomen, dat dergelijke kleine hoeveelheden lucht in de praktijk in het gasmengsel kunnen komen moet omzichtig worden gewerkt met apparatuur die vrij van lekken is.
Met de uitvinding wordt onder meer beoogd aan ge-20 noemde bezwaren tegemoet te komen en daartoe heeft een werk-' wijze van de in de aanhef genoemde soort, volgens de uitvin- i ding als kenmerk, dat het gasmengsel waarin het etsplasma ; wordt gevormd als zuurstofverbinding NO bevat. Door toevoe- : ging van NO als zuurstofverbinding aan het gasmengsel kan . ' 25 met de bestanddelen van het plasma dat in dit mengsel wordt j gevormd metaal en poly-Si relatief snel en gelijkmatig worden | geëtst waarbij een als maskeringslaag gebruikte laklaag slechts weinig wordt aangetast. Bovendien blijft het plasma ook als grotere hoeveelheden lucht - tot circa 2,5 vol % -30 aan het gasmengsel worden toegevoegd homogeen, hetgeen tot j gevolg heeft dat de geleidende laag van metaal of poly-Si i over het gehele substraatoppervlak gezien gelijkmatig kan ! worden weggeëtst. Het. werken met dit gasmengsel is daarom relatief gemakkelijk. j 35 In een voorkeursuitvoering van de werkwijze vol- ; gens de uitvinding bevat het gasmengsel, waarin het etsplasma wordt gevormd naast NO als zuurstofverbinding CF^ als halo- 1 -geenverbinding. In een dergelijk plasma worden metaal_eii._po- 8TOTOT6---11 PHN 9791 3 » * --------ly-Si-lagen snel weggeëtst terwijl een als maskeringslaag gebruikte laklaag slechts in geringe mate wordt aangetast.
De uitvinding wordt in het navolgende, bij wijze van voorbeeld, nader toegelicht aan de hand van de tekening 5 en aan de hand van enige uitvoeringsvoorbeelden. In de tekening tonen: fig. 1 tot en met fig. 5 schematisch in dwarsdoorsnede enkele opeenvolgende stadia van vervaardiging van een deel van een halfgeleiderinrichting waarbij de werkwijze vol-, 10 gens de uitvinding wordt, toegepast, fig. 6 etssnelheden van poly-Si, fig. 7 over het substraat gemeten verschillen in etssnelheden van poly-Si en fig. 8 verhoudingen in etssnelheden van poly-Si en 15 fotolak bereikt bij etsen met bestanddelen van plasma's die zijn gevormd in CF^/NO en - ter vergelijking - in CE^/CO^ mengsels met variabele hoeveelheden NO respectievelijk CC^.
De figuren 1 tot en met 5 tonen schematisch opeenvolgende stadia van vervaardiging van een veldeffekttransis-: 20 tor waarbij wordt uitgegaan, van een N-type Si-substraat 1 dat op gebruikelijke wijze met behulp van SiC^-gebieden 2 met een dikte van circa 1000 nm - ook wel veldoxide genoemd - in on- . derling geïsoleerde velden is verdeeld (fig. 1). Duidelijkheidshalve is één zo'n veld getekend, maar in de praktijk zal 25 een Si-substraat zeer veel van zulke velden bevatten. Na het { ! j aanbrengen van de veldoxidegebieden 2 wordt het Si-substraat 1 voorzien van een dunne laag, zogenaamd gate-oxide 3 met een dikte van circa 10 nm en wordt het geheel voor het aanbrengen van een als gate-elektrode dienende geleidende baan j 30 op gebruikelijke wijze bedekt met een laag poly-Si 4 en een i maskeringslaag van fotolak 5. De maskeringslaag 5 dient hier-I bij tevens om de plaats van de gate van de veldeffekttransis- i tor te definiëren (fig. 2). Vervolgens worden de niet door de maskeringslaag 5 bedekte delen van de laag poly-Si 4 verwij-| 35 derd met behulp van een in het navolgende te beschrijven werkwijze. Nadat de nu vrijgekomen delen van de SiO^-laag 3 op gebruikelijke wijze eveneens verwijderd zijn worden in de |-aldus vrijgemaakte delen van het Si-substraat 1 op gebruiker,..
1 (ΓΟΟ^ΟΌδ-—-1 PHN 9791 4 --------lijke wijze door een B-ionenimplantatie P-type Si-gebieden........
6 en 7 gevormd die later als source en drain van de transistor dienen (fig. 3)u Nadat ook de maskeringslaag 5 verwijderd is wordt het geheel op gebruikelijke wijze overdekt met een 5 isolerende laag Si02 8, waarin op gebruikelijke wijze met behulp van een maskeringslaag van fotolak 9 vensters 10 voor aansluiting van de P-type gebieden 6 en 7 worden aangebracht (fig. 4) . Nadat de vensters 10 zijn aangebracht, wordt op gebruikelijke wijze maskeringslaag 9 verwijderd en het geheel 10 voor het aanbrengen van als source- en drainelektrode dienende geleidende banen weer overdekt met een geleidende laag van metaal (Mo) of poly-Si 11. Hiervan worden op gebruikelijke wijze delen afgedekt met een maskeringslaag van fotolak 12, waarna de niet afgedekte delen eveneens worden verwijderd met 15 behulp van de nader te beschrijven werkwijze.
Voor het aanbrengen van de elektrisch geleidende banen worden de op het Si-substraat 1 aanwezige geleidende lagen (4 en 11) die plaatselijk met een maskeringslaag (5 en 12) bedekt zijn weggeëtst door deze lagen (4 en 11) in kon-20 takt te brengen met bestanddelen van een plasma dat wordt gevormd in een gasmengsel dat een halogeen- en een zuurstof- | verbinding bevat. Volgens de uitvinding bevat het gasmengsel als zuurstofverbinding NO. Hierdoor kan met de bestanddelen van het erin gevormde plasma relatief snel worden geëtst t 25 waarbij de etssnelheid over het gehele substraat gezien geen · i j grote verschillen vertoont en waarbij een als maskeringslaag j gebruikte laklaag slechts weinig wordt aangetast. Bovendien blijft het plasma homogeen ook als grotere hoeveelheden lucht - tot circa .2,5 vol % - aan het gasmengsel worden toe-‘30 gevoegd. Het werken met dit gasmengsel is daarom in de prak- tijk erg gemakkelijk. j
Bij de in het navolgende te beschrijven uitvoe- j ringsvoorbeelden werden in een plasma etsreaktor Si-schijven; met een diameter van circa 100 mm die bedekt waren met op j 35 een onderlaag van Si02 aangebrachte lagen van Mo of van
poly-Si met een laag dikte van 250 a 500 nm geëtst. Niet te j etsen delen waren afgeschermd met een als maskeringslaag die-|-nende fotolak met een dikte van 1000 è. 1500 nm. De aldus_be=J
800 4T06-—---1 PHN 9791 5 -------werkte schijven werden bij een substraattemperatuur van circa 125°C in kontakt gebracht met een etsplasma opgewekt in de reaktor bij een frequentie van 13,56 MHz, een vermogen van circa 150 W en een gasstroom van 100 d 300 SCC/min.
5 VOORBEELD I
Fig. 6 toont de etssnelheid R in nm/min waarmee poly-Si wordt weggeëtst met ongeladen bestanddelen van een plasma gevormd in gasmengsels van CF^ en NO met een totaal-druk van circa 50 Pa en - ter vergelijking - in gasmengsels 10 van CF^ en C02 met een totaaldruk van circa 50 Pa als functie van de hoeveelheid (in vol %) NO respectievelijk C02 die wordt toegevoegd aan het gasmengsel. De metingen werden gedaan in de zogenaamde "nagloei" van genoemde plasma’s in een tunnel-reaktor.
15 Fig. 7 toont de maximale verschillen in etssnelheid gemeten over de Si-plak uitgedrukt in % van de maximale op.de Si-plak gemeten etssnelheid, de zogenaamde "inhomogeniteit” I bij etsen met ongeladen bestanddelen van plasma’s in gasmengsels van CF^ en NO en - ter vergelijking in gasmengsels 20 van CF4 en C02 als functie van de hoeveelheid (in vol %) NO respectievelijk C02 die wordt toegevoegd aan het gasmengsel.
Fig. 8 toont de verhouding in etssnelheden van poly-Si en fotolak, de zogenaamde "selectiviteit" S bij etsen met ongeladen bestanddelen van plasma's in gasmengsels van : 25 CF^ en NO en - ter vergelijking - in gasmengsels van CF4 en CO2 als functie van de hoeveelheid (in vol %J NO respectievelijk CO2 die wordt toegevoegd aan het gasmengsel.
De etssnelheid R is bij toepassing van mengsels met NO veel groter dan bij toepassing van vergelijkbare gasmeng--30 seis met C02 terwijl de selectiviteit S bij toepassing van ; ‘ gasmengsels met NO en C02 ongeveer even groot is. Dat bete- 1 kent dat door vervanging van C02 door NO in mengsels met CF4 bij een gelijkblijvende lakaantasting veel sneller gewerkt kan worden. Bevat het gasmengsel CF4/NO tussen 25 en 35 vol % 35 NO, dan is bovendien de inhomogeniteit I kleiner, dan 10 % hetgeen bij. de fabrikage van grote aantallen schakelelementen : op Si-substraten vaak gewenst is.
j-- Een extra en zeer belangrijk voordeel yan CF-^/NO— -800 40 06-—- PHN 9791 6
V V
..........mengsels boven CF^/CC^ mengsels is dat de homogeniteit van.......- het erin gevormde plasma minder gevoelig is voor toevoeging van lucht. Uit de volgende tabel blijkt, dat bij toevoegingen tot circa 2,5 vol % lucht aan CF4/C02 en CF^/NO gasmengsels 5 bij etsen in een tunnelreaktor met ongeladen bestanddelen van plasma's die worden gevormd in deze mengsels vooral de inho-mogeniteit I in in CF^/CC^ mengsels gevormde plasma's sterk verandert. Deze veranderingen zijn zeer hinderlijk en maken - het werken met CF4/C02 mengsels in de praktijk erg moeilijk 10 omdat dergelijke hoeveelheden lucht bijvoorbeeld al door kleine lekken in de reaktor in de gasmengsels kunnen komen.
gasmengsels toevoeging __ _ 15 lucht aan
gasmengsels CF4/25 vol % CC>2 CF4/25 vol % NO (vol %) I (%) S I (%) S
0 5 6 8 5: 20 1 10 6 10 4 2,5 25 4 10 4 25 VOORBEELD II j
Met bestanddelen van plasma's die worden gevormd in CF4/NO mengsels kan Mo eveneens goed worden geëtst. Bevat een CF4/NO mengsel circa 25 vol % NO, dan kan Mo met een snelheid van 1,75yUm/min worden verwijderd terwijl dan de se-30 lectiviteit circa 10 is. Bij te hoge NO concentraties in het! gasmengsel ontstaat op het substraat een deposiet van MoOF4 ; dat bij dooretsen echter weer gemakkelijk verdwijnt.
VOORBEELD III !
....... I
Met bestanddelen van plasma's die worden gevormd ; 35 in gasmengsels die als halogeenverbinding SFfi en als zuur- O j stofverbinding NO bevatten kan poly-Si eveneens goed worden ; geëtst. Is de concentratie NO in het gasmengsel circa 25 vol i-%—en de totaaldruk circa 40 Pa, dan wordt met behulp van het; “ 8TTO1 0 06----Ώ PHN 9791 7 ......-.....in dat mengsel gevormde plasma poly-Si het snelst weggeëtst... ..
Aantasting van een als maskeringslaag dienende laklaag treedt pas op als plasma's worden gevormd in gasmengsels met meer dan 30 vol % NO. Bevat het gasmengsels circa 35 vol % NO dan 5 zijn een selectiviteit van 10 en een inhomogeniteit kleiner dan 10 % te realiseren.
VOORBEELD IV
Met bestanddelen van een plasma gevormd in een gasmengsel van CFgBr en NO kan als dit mengsel circa 60 vol % NO . 10 bevat en de totaaldruk circa 40 Pa is poly-Si met een snelheid van circa 10 nm/min zonder meetbare aantasting van een als maskeringslaag dienende laklaag worden weggeëtst met een inhomogeniteit die kleiner is dan 10 %.
VOORBEELD V
15 Met bestanddelen van een plasma gevormd in een gas mengsel van CF2^2 en NO kan als dit mengsel circa 40 è. 50 vol % NO bevat en de totaaldruk circa 65 Pa is poly-Si met een snelheid van circa 45 nm/min worden weggeëtst waarbij de selectiviteit ten opzichte van lak 10 en de inhomogeniteit 20 kleiner dan 10 % is.
2s i ; i 30 ) { i : 5 j \ \ 35 i | —- 1 80UTF06 --—1‘
Claims (4)
- 2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het gasmengsel waarin het plasma wordt gevormd naast NO als zuurstofverbinding CF^ als halogeenverbinding bevat. !
- 3, Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het gasmengsel waarin het plasma wordt gevormd naast NO als zuurstofverbinding SFg als halogeenverbinding bevat. *5 4. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het gasmengsel waarin het plasma wordt gevormd naast NO als zuurstofverbinding CF^Br als halogeenverbinding bevat. i
- 20 I ; zo t ; 30 I i ; j ; i > I ‘ ) i
- 35 I i f ) i ' t ; j__ ^ _ 800 4 0 0 S----
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8004006A NL8004006A (nl) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8004006A NL8004006A (nl) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
| NL8004006 | 1980-07-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8004006A true NL8004006A (nl) | 1982-02-01 |
Family
ID=19835609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8004006A NL8004006A (nl) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL8004006A (nl) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545290A (en) * | 1987-07-09 | 1996-08-13 | Texas Instruments Incorporated | Etching method |
-
1980
- 1980-07-11 NL NL8004006A patent/NL8004006A/nl not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545290A (en) * | 1987-07-09 | 1996-08-13 | Texas Instruments Incorporated | Etching method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR870009449A (ko) | 유전체 에칭 중지 물질과의 비프례임식 바이어 상호 연결방법 | |
| US4618398A (en) | Dry etching method | |
| JPH03114226A (ja) | 微細構造デバイスにおけるＳｉエッチング残留物除去方法 | |
| JPS60105235A (ja) | アルミニウムおよびアルミニウム合金の反応性イオンエッチング法 | |
| NL8004008A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
| KR100209041B1 (ko) | 화학량론적으로 변환된 질화물 에치 정지층을 사용한 고밀도의 선택적 sio2:si3n4 에칭 | |
| KR940016874A (ko) | 실리콘 전계방출 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR940010217A (ko) | 플라즈마 에칭방법 | |
| NL8004007A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
| NL8004006A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| TW555885B (en) | Procedure for anisotropic dry etching of an organic anti-reflective layers | |
| US4426656A (en) | GaAs FETs Having long-term stability | |
| US3690966A (en) | Method of manufacturing microstructures | |
| Khare et al. | CH4/H2/Ar/Cl2 electron cyclotron resonance plasma etching of via holes for InP‐based microwave devices | |
| US3890178A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-thickness region | |
| JPH065384A (ja) | マイクロ波プラズマ発生トーチ管 | |
| KR19990082008A (ko) | 반도체장치의 제조장치 | |
| JPS6113627A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6148924A (ja) | 高融点金属のドライエツチング法 | |
| Leahy | Superfine IC geometries: Gas-plasma etching may supplant chemical etching in manufacturing high-performance integrated circuits | |
| JPS56103424A (en) | Plasma etching method | |
| JPH0346327A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS60115255A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61231720A (ja) | 基板のプラズマ・エツチング方法 | |
| JPS56124267A (en) | Manufacturing of semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BT | A document has been added to the application laid open to public inspection | ||
| BV | The patent application has lapsed |