NL7920069A - Vervaardiging van geintegreerde ketens onder toe- passing van dikke patronen met een groot oplossend vermogen. - Google Patents

Vervaardiging van geintegreerde ketens onder toe- passing van dikke patronen met een groot oplossend vermogen. Download PDF

Info

Publication number
NL7920069A
NL7920069A NL7920069A NL7920069A NL7920069A NL 7920069 A NL7920069 A NL 7920069A NL 7920069 A NL7920069 A NL 7920069A NL 7920069 A NL7920069 A NL 7920069A NL 7920069 A NL7920069 A NL 7920069A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
layer
pattern
thick
patterned
etching
Prior art date
Application number
NL7920069A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7920069A publication Critical patent/NL7920069A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0338—Process specially adapted to improve the resolution of the mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0277—Electrolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0278—Röntgenlithographic or X-ray lithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

79 20 0 6'S
VO 8607 'Titel : Vervaardiging van geïntegreerde ketens onder toepassing van dikke patronen met..een. groot, oplossend vermogen.
Deze uitvinding heeft betrekking op orgaan-lithografie, en meer in het bijzonder op de vervaardiging van geïntegreerde ketens onder toepassing van dikke patronen met een groot oplossend vermogen.
Het verschaffen van voldoende stapdekking in lithografische 5 werkwijzen, ontworpen voor het maken van geïntegreerde ketens met een groot oplossend vermogen, is een lastig vraagstuk. Een groot oplossend vermogen vereist zeer dunne lagen van lichtgevoelige bescherming voor het patroonaftekenen op het oppervlak van een orgaanschijfje, dat wordt bewerkt. Voor het bereiken van voldoende dekking over stappen op een 10 niet-vlak oppervlak van een dergelijk orgaan, moet als praktische maatregel de beschermingslaag echter dikker worden gemaakt dan wordt voor-geschreven door alleen overwegingen van oplossend vermogen. De bescher-mingslaagdikte, die wordt toegepast bij feitelijke vervaardigingswerk-wijzen, is dus gewoonlijk dikker dan zou worden voorgeschreven,indien 15 het oplossend vermogen de enige in overweging te nemen factor zou zijn, maar dunner dan deze zou zijn, indien een absoluut betrouwbare stapdekking de enige overweging zou zijn.
Bovendien vertoont een betrekkelijk dunne beschermingslaag, aangebracht op een niet-vlak oppervlak, gewoonlijk een veranderlijke dikte. 20 Op zijn beurt kan het vormen van een patroon in een dergelijke laag or-gaankenmerkgeometrieën tot gevolg hebben, waarvan de afmetingen veranderlijk zijn als een functie van de beschermingsdikte. Dergelijke kenmerk- of lijnbreedteveranderingen kunnen leiden tot geometrische veranderingen, die voldoende ernstig zijn voor het veroorzaken van fouten of 25 althans een minder dan optimale werking in het orgaan, dat wordt vervaardigd. Een goede regeling van het kenmerk of de lijnbreedte is dus duidelijk een belangrijke eis van een betrouwbare werkwijze voor het met een grote opbrengst vervaardigen van geïntegreerde ketens.
Aangezien de neiging naar grootschalige en zeer grootschalige, 30 geïntegreerde ketens is voortgeschreden, is heel wat inspanning gericht op het trachten te ontwerpen van verbeterde technieken voor het vormen van fijnlijnige patronen, welke technieken een groot oplossend vermogen ' geven, verder een goede stapdekking en een goede lijnbreedteregeling. Onderkend werd, dat, indien dergelijke technieken beschikbaar waren, 35 deze de resultaten zouden verbeteren, verkrijgbaar met beschikbare 792 0 0 69 2 lithografische stelsels, en zodoende de kosten zouden verlagen en de werking verbeteren van daarmede gemaakte geïntegreerde ketens.
Overeenkomstig de beginselen van de onderhavige uitvinding, is éen bijzonder vervaardigingsprogramma voor geïntegreerde ketens ver-5 schaft. Een betrekkelijk dikke op te offeren laag wordt afgezet op een niet-vlak oppervlak van een orgaanschijfje, waarin kenmerken van een groot oplossend vermogen moeten worden bepaald. De dikke laag heeft een aanpassend onderste oppervlak en een in hoofdzaak vlak bovenoppervlak, en de mogelijkheid om op een wijze voor het verschaffen van een groot 10 oplossend vermogen te worden voorzien van een patroon met een goede lijnbreedteregeling. Overeenkomstig een bepaald aspect van de uitvinding, worden een tussenliggende maskeerlaag en vervolgens een dunne en regelmatige beschermingslaag afgezet op het bovenoppervlak van de op te offeren laag, waarbij de dikte van de beschermingslaag op zichzelf onvoldoen-15 de is voor het verschaffen van voldoende stapdekking indien de beschermingslaag direkt op het niet-vlakke oppervlak zou zijn aangebracht. Een patroon met een groot oplossend vermogen,bepaald in de beschermingslaag, wordt overgebracht in de tussenliggende maskeerlaag. Vervolgens wordt een droge bewerkingstechniek gebruikt voor het maken van een kopie van 20 het patroon in de op te offeren laag. Een patroon met een groot oplossend vermogen en vrijwel vertikale zijwanden en een uitstekende lijnbreedteregeling wordt zodoende in de op te offeren laag geproduceerd.
Door middel van de van een patroon voorziene op te offeren laag, worden kenmerken van een groot oplossend vermogen dan in het onderliggende niet-25 vlakke oppervlak bepaald.
Meer in het bijzonder omvat de uitvinding van aanvraagster een werkwijze voor het vervaardigen van geïntegreerde ketens, voorzien van de stappen van (1) het op een orgaansehijfje, dat een niet-vlak oppervlak vertoont, aanbrengen van een betrekkelijk dikke op te offeren laag 30 met een aanpassend onderste oppervlak en een in hoofdzaak vlak bovenoppervlak, en de mogelijkheid van het op een manier voor het verschaffen van een groot oplossend vermogen kunnen worden voorzien van een patroon met een uitstekende lijnbreedteregeling, (2) het op het bovenoppervlak van de op te offeren laag aanbrengen van een tussenliggende 35 maskeerlaag, (3) het boven op de maskeerlaag aanbrengen van een betrekkelijk dunne beschermingslaag, (k) het bewerken van de beschermingslaag voor het daarin bepalen van een patroon met een groot oplossend vermo- 792 00 69 3 gen , (5) het bewerken van de tussenliggende maskeerlaag voor het daarop overbrengen van het patroon met het grote oplossende vermogen, (6) het bewerken van de op te offeren laag voor het daarop overbrengen van het patroon met het' grote oplossende vermogen en (7) het bewerken van 5 het niet-vlakke oppervlak van het orgaanschijfje onder toepassing van de van een patroon voorziene op te offeren laag als een masker daarvoor.
Overeenkomstig andere aspecten van de beginselen van de uitvinding van aanvraagster, wordt de tussenliggende maskeerlaag weggelaten. In dat geval wordt alleen een betrekkelijk dunne, van een patroon 10 te voorziene laag aangebracht op het bovenoppervlak van.de betrekkelijk dikke op te offeren laag. Voor het maken van de dunne laag wordt een materiaal gekozen, dat een goede weerstand vertoont tegen de etstechniek, gebruikt voor het aanbrengen van een patroon in de op te offeren laag.
15 Overeenkomstig nog een ander aspect' van de beginselen van deze uitvinding, wordt de dikke, van een patroon voorziene, op te offeren laag gebruikt als een maskeerlaag voor het elektrolytisch aanbrengen van een metaal op vrijliggende gebieden van een dunne, metalen laag.
Op deze wijze kan een betrekkelijk dik metalen patroon (bijvoorbeeld 20 nuttig als de röntgenstraal-absorberende elementen van een röntgenstraal-maskeerstruktuur) worden gevormd.
Overeenkomstig nog een verder aspect van de beginselen van deze uitvinding, wordt een dikke op te offeren laag op een vlak oppervlak op een wijze voor het verschaffen van een groot oplossend vermogen, voor-25 zien van een patroon, en dan gebruikt' als een maskeerlaag voor bijvoorbeeld ionenimplantdoeleinden.
Fig. 1 is een doorsnede in zij-aanzieht van een gedeelte van een normaal, geïntegreerd ketenorgaan, en is illustratief voor de wijze waarop het oppervlak van een dergelijk orgaan wordt voorzien van een 30 patroon onder gebruikmaking van gebruikelijke bekende technieken; fig. 2 is een doorsnede in zij-aanzicht van een gedeelte van een geïntegreerd ketenorgaan, waarvan het oppervlak moet worden bewerkt overeenkomstig de aspecten van de beginselen van de onderhavige uitvinding; en 35 fig. 3-5 opeenvolgende aanzichten tonen van de uitvoering van fig. 2, wanneer deze overeenkomstig de leer van deze uitvinding wordt bewerkt.
7920069 k
In fig. 1 is schematisch een gedeelte van een normaal, geïntegreerd keten-orgaan, weergegeven. Het illustratieve orgaan hevat twee geleidende elementen 10 en 12, aangebracht op een onderlaag 1^. Hierbij wordt uitsluitend ten behoeve van een bepaald voorbeeld aangenomen, 5 dat de elementen 10 en 12 zijn gemaakt van gestimuleerd polysilicium, en de onderlaag 1U van silicium. Op het bovenoppervlak van de onderlaag 1U en de elementen 10 en 12 bedekkende, is een gebruikelijke passive-.rende laag 16 afgezet van fosforglas.
Overeenkomstig de normale stappen van een bekend vervaardigings-10 programma voor het orgaan, worden openingen of vensters in lijn met de· geleidende elementen 10 en 12 gevormd in de laag 16 van fig. 1. Een geleidend materiaal, zoals aluminium, wordt dan afgezet op het bovenoppervlak van het orgaan en in de in lijn liggende vensters voor het tot stand brengen van elektrische verbindingen met de onderliggende elemen-15 ten 10 en 12.
Zoals op dit gebied algemeen bekend,' kunnen de genoemde vensters in de laag 16 worden gevormd door het op de laag 16 afzetten van een voor straling gevoelige beschermingslaag 18. Door normale technieken voor het aanbrengen van een patroon, worden openingen gemaakt in de 20 beschermingslaag 18' direkt boven de in de passiverende laag 16 te vormen vensters. Door het als een maskeerlaag gebruiken van de van een patroon voorziene bescherming, worden dan de gewenste vensters gevormd in de laag 16 door bijvoorbeeld normale etstechnieken.
Bij een feitelijke uitvoeringsvorm van het orgaan, hebben de 25 steil stapvormige elementen 10 en 12 van fig. 1 elk een vertikale hoogte h van ongeveer 1 ^um boven de bovenkant van de onderlaag ik. Als gevolg van de onregelmatige, door de elementen 10 en 12 geïntroduceerde topologie, vertoont de bovenliggende laag 16 gewoonlijk een niet-vlak bovenoppervlak en een veranderlijke dikte. De beschermingslaag 18 30 heeft eveneens een veranderlijke dikte. Zoals hiervoor besproken, moet de laag 18 als praktische maatregel bovendien dikker worden ontworpen dan gewenst voor het zodoende verzekeren van voldoende stapdekking over de profielen in het niet-vlakke bovenoppervlak van de passiverende laag 16. Dienovereenkomstig is in de praktijk gebleken, dat een microminia-35 tuurorgaan, gemaakt met de technieken van de in fig. 1 vertegenwoordigde soort, veelal niet voldoende oplossend vermogen en lijnbreedterege-ling bezit om te voldoen aan de strenge eisen, voorgeschreven voor be- 792 0 0 69 5 paalde klassen grootschalige en zeer grootschalige, geïntegreerde ketenorganen .
Ter verduidelijking van de toepasbaarheid van de inventieve beginselen van aanvraagster bij de vervaardiging van geïntegreerde keten-5 organen, wordt een bepaalde orgaanstruktuur van dezelfde soort als weergegeven in fig. 1,. aangenomen. Hetjzal echter duidelijk zijn, dat deze beginselen van: aard voor algemene doeleinden zijn en dus toepasbaar bij het maken van een grote verscheidenheid aan geïntegreerde keten-,alsmede losse organen. Hoewel de primaire nadruk in de aanvrage j 10 ligt op het vervaardigen van siliciumorganen, is het bovendien duidelijk, dat deze beginselen ook toepasbaar zijn bij verschillende bekende magnetische organen, geïntegreerde optische organen, enz.
Evenals in fig. 1, toont elk der fig. 2-5 een gedeelte van een bepaalde, illustratieve orgaanstruktuur, voorzien van een onderlaag 15 1^j verder van de geleidende elementen 10 en 12 en van de passiverende laag 16. Overeenkomstig de beginselen van de onderhavige uitvinding, is een betrekkelijk dikke, op te offeren laag aangebracht op het niet-vlakke bovenoppervlak van de laag 16. Zoals aangegeven in fig. 2, heeft deze dikke laag (aangeduid door het verwijzingscijfer 18) eén bo-20 demoppervlak, dat is aangepast aan de profielen van het bovenoppervlak van de laag 16. In de praktijk kan echter, overeenkomstig de bepaalde leer, die hierna gedetailleerd wordt uiteengezet, het bovenoppervlak van de dikke laag 18 nauwkeurig en herhaalbaar worden geregeld teneinde i in hoofdzaak vlak te zijn. Dienovereenkomstig is een basis verschaft 25 voor het afzetten van een uiterst dunne en regelmatige, van een patroon te voorziene laag, bovenop het in hoofdzaak platte oppervlak. Overwegingen van de stapdekking zijn hierbij als een factor bij het kiezen van de dikte van de van een patroon te voorziene laag, vrijwel opgeheven.
Op deze wijze wordt het voorzien van een patroon met een zeer groot op-30 lossend vermogen en een uitstekende lijnbreedteregeling, bereikt.
In fig. 2 is de genoemde dunne, van een patroon te voorziene laag, aangeduid door het verwijzingscijfer 20. Overeenkomstig een bepaald aspect van de beginselen van de onderhavige uitvinding, wordt een zogenoemde tussenliggende maskeerlaag 22 aangebracht tussen de la-35 gen 18 en 20. In passende omstandigheden echter, die hierna zullen worden beschreven, kan de laag 22 worden weggelaten. In dat geval wordt de laag 20 natuurlijk direkt aangebracht op het in hoofdzaak platte bo- 792 0 0 69 6 venoppervlak van de op te offeren laag 18. Voor alsnog wordt aangenomen, dat de laag 22 in de weergegeven struktuur is opgenomen.
Overeenkomstig de beginselen van de onderhavige uitvinding, omvat de in fig. 2 weergegeven dunne laag 20 een positief of negatief 5 beschermingsmateriaal, dat gekozen kan zijn voorzien, van een patroon door bijvoorbeeld het daarop richten van licht, elektronen, rönten-stralen of 'ionen. Een grote verscheidenheid van. dergelijke materialen is algemeen bekend op dit gebied. Vele normale technieken zijn beschikbaar voor het gekozen belichten en ontwikkelen van deze materialen 10 voor het vormen van een bepaald patroon met groot oplossend vermogen in de laag 20.
Overeenkomstig, de beginselen van deze uitvinding, omvat de in fig. 2 weergegeven, op te offeren laag18, een organisch.materiaal, dat zich kan aanpassen en hechten aan: het niet-vlakke bovenoppervlak van de 15 passiverende laag 16. Met voordeel wordt dit materiaal... door normale spintechnieken aangebracht boven op de laag 16. In de praktijk is gebleken, dat wanneer de dikte van een dergelijke gesponnen laag 18 wordt vergroot, de mate'van platheid van het bovenoppervlak daarvan toeneemt.
Bij een bepaalde illustratieve uitvoeringsvorm.van de beginse-20 len van de onderhavige uitvinding, waarbij elk der elementen 10 en 12 van fig. 2 een hoogte h heeft van 1 ^um, en de laag 16 een dikte m heeft van 1 ^um, vormde de lang 18 een opgesponnen laag van een uit novalac-hars bestaande, positieve fotobescherming met een. dikte n van ongeveer 2,6 ^um. Bij een dergelijk bepaald geval, werd het maximum verschil 25 tussen toppen en dalen in het bovenoppervlak van de laag 18 gemeten op slechts ongeveer 1000 Angstrom-eenheden (2). Een dergelijk oppervlak wordt hier in hoofdzaak plat genoemd. In tegenstelling hiermede, werd het overeenkomstige verschil p in het bovenste niet-vlakke oppervlak van de laag 16 gemeten op ongeveer 1 ^um.
30 Overeenkomstig de onderhavige uitvinding is een verscheidenheid van organische materialen, gekenmerkt door het gemakkelijk aanbrengen (spinnen, sproeien, enz.) en een goede hechting aan het onderliggende oppervlak, geschikt voor het vormen van de in fig. 2 weergegeven, op te offeren laag 18. Voor gebruik in een fotolithografisch vervaardigings-35 programma is het van voordeel, dat het materiaal van de laag 18 sterk absorberend is voor het licht, dat wordt gebruikt voor het gekozen belichten van de bovenliggende beschermingslaag 20. Bovendien is het in 792 0 0 69 τ een dergelijk programma veelal van voordeel, dat de laag 18 een brekingsindex heeft, die dicht in overeenstemming is met die van de lagen 20 en 22. Op deze wijze worden de gewone moeilijkheden van staande golven en het verstrooien in de fotolithografie, tot een minimum beperkt.
5 Voor het gebruik in elektronenbundel- en rontgenstraallithografie is het verder van voordeel, dat de lagen 18 en 20 bestaan uit materialen met een .lage verstrooiing van elektronen voor. het zodoende tot een minimum beperken van nabijheidsgevolgen in het bovenliggende bescherming smat er iaal .
10 Overeenkomstig de beginselen van de onderhavige uitvinding is een aantal beschikbare organische materialen geschikt voor het vormen van de op te offeren laag 18 van fig. 2. Dergelijke materialen bevatten een verscheidenheid van bekende positieve en negatieve beschermingen, zoals bijvoorbeeld : normale novalac-harsen, polymethyl methacrylaten, 15. poly (2,3-dichloor-1-propyl acrylaat), poly (glycidyl methacrylaat-co-ethyl acrylaat), combinaties van de twee laatstgenoemde materialen en andere poly-isoprenen, materialen van de soort, beschreven in het Amerikaanse octrooischrift 3.201.239 of het Amerikaanse octrooischrift 3.770.^33» en Hunt HPR-10^, dat in de handel verkrijgbaar is van 20 Phillip A. Hunt Chemical Corporation, Palisades Park, Hew Jersey, U.S.A. Bovendien is een verscheidenheid.van bekende polymiden, zoals Kapton (hetgeen een gedeponeerd handelsmerk is van E. I. duPont de Nemours and Co.) of pyraline, geschikt voor het vormen van de laag 18. Andere van dergelijke geschikte materialen bevatten normale epoxygroepen.
25 Bij een bepaalde illustratieve uitvoeringsvorm van de beginselen van de onderhavige uitvinding, omvat de in fig. 2 weergegeven struktuur een êên-^um-dikke laag 20, gemaakt van poly (2,3-diehloor-1-propylacry-laat) ( een negatieve röntgenstraalbescherming), een 1500*2-dikke laag 22 van silicium dioxyde en een 2,6 ^um dikke laag van een normale, uit 30 novalac-hars bestaande, positieve fotobescherming. Bij deze bepaalde uitvoeringsvorm, wordt de laag 18 gekenmerkt door een in hoofdzaak plat bovenoppervlak (maximum hoogte van top-tot dal van 1000 2. Het bovenoppervlak van de laag 22 is eveneens plat. Als gevolg, vertoont de bovenliggende dunne beschermingslaag 20 een in hoofdzaak regelmatige 35 dikte.
Het van een patroon voorzien van de laag 20 van fig. 2 wordt tot stand gebracht met gebruikelijke lithografische technieken. Voor 782 0 0 69 8 het geval, -waarbij de laag 20 is gemaakt van een röntgenstraalbescher-mingsmateriaal, wordt het aanbrengen van. een patroon uitgevoerd door middel van een bekend röntgenstraalbelichtingsgereedschap. Na het zijn belicht en ontwikkeld op normale manieren, vertoont de van een patroon 5 voorziene laag 20 gewoonlijk een verkleinde regelmatige dikte. De overige gedeelten van de laag 20, die een. bepaald patroon omvatten, zijn weergegeven in. fig. 3. Elk dezer gedeelten is aangeduid door het verwijzing scijf er 2k.
Onder het gebruikmaken van daggedeelten 2b van fig. 3 als 10 een masker, wordt vervolgens de laag 22 voorzien van een overeenkomstig patroon. Overeenkomstig een aspect van de beginselen van de onderhavige uitvinding, wordt dit van een patroon voorzien met voordeel (hoewel niet noodzakelijkerwijze) tot stand gebracht met êén van een aantal technieken, welke technieken elk vrijwel vertikale wanden en in hoofd— 15, zaak geen ondersnijding in de laag, die wordt voorzien van een patroon, bereiken. Dienovereenkomstig komt het daaruit voortvloeiende patroon in de laag 22 in hoofdzaak nauwkeurig overeen met het oorspronkelijk in de beschermingslaag 20 gevormde patroon. De overige aanpassende gedeelten van de laag 22 zijn weergegeven in fig. U, waarbij elk dezer 20 gedeelten is aangeduid door het verwijzingscijfer 26.
Het van een patroon voorzien van de laag 22 (fig. 3) kan bij voorbeeld worden uitgevoerd door een reactieve kathodeverstuivings-etswerkwijze van de soort, zoals beschreven in "Profile Control by Reae-;. - ° tive Sputter Etching" door H. W. Lehmann en R. Widmer, Journal of 25 . Vacuum ’Science'and'Technology, biz. 319 - 326, maart/april 1978. Ook kan het etsen worden uitgevoerd door het tot stand brengen van een plasma, dat zowel hercombinatiemiddelpunten als actieve etsmiddelvariê-teiten bevat. Op een gekozen te regelen manier, beëindigen hercombinatie-middelpunten op doeltreffende wijze de levensduur van etsmiddelvarié-30 teiten in de onmiddellijke nabijheid van geëtste wanden,.waardoor dus een middel is verschaft voor het nauwkeurig regelen van de etsaniso-tropie.
Andere bekende, droge bewerkingstechnieken, waarbij gebruik wordt gemaakt van een regelbare etsanisotropie, kunnen worden gebruikt 35 voor het aanbrengen van een patroon in de laag 22 van fig. 3. De betrokken etssnelheden van de laag 22 en van de bovenliggende maskeer-gebieden 2k is een belangrijke overweging bij het kiezen van een pas- 782 0 0 69 9 sende techniek voor het aanbrengen van een patroon.in een bepaalde combinatie van materialen.
Hoewel het in bepaalde gevallen van voordeel kan zijn een droge bewerkingstechniek toe te passen, gekenmerkt door anisotropie, voor 5 het aanbrengen van een patroon in de laag 22, moet bovendien worden onderkend, dat het ook mogelijk is isotropische technieken daarvoor te gebruiken, zoals normale natte bewerkingstechnieken.
Onder gebruikmaking van de in fig. 4 weergegeven, van een patroon voorziene gedeelten als een masker, wordt vervolgens de dikke, 10 op tó offeren laag 18 voorzien van een overeenkomstig patroon. 'Overeenkomstig aspecten van de beginselen van de onderhavige uitvinding, wordt het aanbrengen, van een patroon in de laag 18 met voordeel uitgevoerd door bijvoorbeeld het met ionen frezen, het kathodeverstuivingsetsen of het reactieve kathodeverstuivingsetsen, welke droge bewerkingen hier-'15 na gedetailleerd worden beschreven. Van belang is, dat .aanvraagster heeft gevonden, dat dergelijke bewerkingen dikke organische lagen van de hier beschreven soort, kunnen voorzien van een patroon voor het bereiken van vrijwel vertikale wanden onder, het in hoofdzaak voorkomen van het ondersnijden daarin.
20 Zoals hiervoor vermeld, kan de in fig. U weergegeven, op te offeren laag 18 met ionen worden gefreesd. -Dit kan worden uitgevoerd in een normale ionenfreesinrichting onder toepassing van.bijvoorbeeld een inerte of in hoofdzaak inerte atmosfeer van argon,, helium, krypton, neon, xenon of stikstof onder een druk in het bereik van 1 tot 100 ^um. 25 bij een werkspanning in het bereik van 50 tot 2000 volt. Ook kan de laag 18 met kathodeverstuiving worden geëtst onder toepassing van bijvoorbeeld een inerte of in hoofdzaak inerte atmosfeer van argon, helium, krypton, neon, xenon of stikstof onder een druk in het bereik van 1 tot 100 yiim in een inrichting, waarin een asymmetrische donkere ruimte 30 tot stand wordt gebracht. Deze laatstgenoemde eis beperkt verontreiniging in de kathodeverstuivingsetsinrichting gedurende de etsbewerking tot een minimum en verzeker^, dat een voldoende, ionenwersnellende spanning tot stand wordt gebracht in de inrichting tussen het plasma daarin en de kathode, waaraan de organen, die worden bewerkt, zijn ge-35 monteerd.
Bovendien kan de laag 18 van fig. !+ worden voorzien van een patroon door het reactief kathodeverstuivingsetsen in bijvoorbeeld een 792 0 0 69 10 atmosfeer, die een halogeenkoolstof bevat, zoals koolstoftetrafluoride en/of zuurstof onder een druk in het bereik van 1 tot 100 yum in een inrichting, waarin een asymmetrische donkere ruimte tot stand is gebracht.
5 Gedurende het verloop van het etsen of het frezen van de op te
Offeren laag 18'van fig. k, worden de van een patroon voorziene bescher-mingsgedeelten 2h verwijderd. In tegenstelling hiermede zijn de van een patroon voorziene gedeelten 26 zeer bestendig tegen.de genoemde droge bewerkingstechnieken, zodat zij dus in hoofdzaak onbeïnvloed op hun 10 plaats blijven. Bij êên bepaald illustratief geval, waarbij de tussenliggende maskeerlaag 22 oorspronkelijk een 1200-S-dikke laag van met plasma afgezet silicium dibxyde omvatte, was het dikteverlies van de van een patroon voorziene gedeelten 2b van de maskeerlaag gedurende het kathodeverstuivingsetsen van de op te offeren laag 18, minder dan 15 200 8.
Overeenkomstig de hiervoor beschreven technieken, wordt de gemaskeerde, op te offeren laag 18 van fig. h bewerkt voor het daarin vormen van een patroon, dat overeenkomt met het patroon, bepaald door de gedeelten 26 van de tussenliggende maskeerlaag. De overige van een 20 patroon voorziene gedeelten van de laag 18 zijn weergegeven in fig. 5 en aangeduid door het verwijzingscijfer 28. Het is kenmerkend, dat de in de op te offeren laag gevormde sleuven of groeven voor het tot stand brengen van het voorgeschreven patroon daarin, zijn gekenmerkt door vrijwel vertikale wanden en in hoofdzaak geen ondersnijden. Van belang 25 is, dat het in de dikke laag 18 gevormde patroon in hoofdzaak identiek overeenkomt met het patroon met een groot oplossend vermogen, zoals oorspronkelijk gevormd in de dunne laag 20.
Door het gebruiken van de van een patroon voorziene gedeelten 28 (fig. 5) als een masker, wordt de laag 16 van het geïntegreerde ke-30 tenorgaan, dat wordt vervaardigd, dan bewerkt voor het vormen van vensters daardoorheen in lijn met de geleidende elementen 10 en 12, zoals hiervoor beschreven. Dit wordt bijvoorbeeld uitgevoerd in een normale plasma-etsstap.
Het is duidelijk, dat het bepaalde, voorgaande, venstervormende 35 programma slechts illustratief is voor de toepasbaarheid van de beginselen van de onderhavige uitvinding bij het vervaardigen van geïntegreerde ketenorganen. Door middel van de dikke, van een patroon voor- 792 0 0 69 * 11 ziene gedeelten 28, weergegeven in fig. 5, is het natuurlijk ook mogelijk "belichte, onderliggende gebieden van een orgaanoppervlak te behandelen overeenkomstig een verscheidenheid van normale vervaardigingswerk-wijzen (zoals het afzetten, het diffunderen, het etsen,' het implanten, 5 enz.),
Nadat de van een patroon voorziene gedeelten 28 (fig. 5) zijn gebruikt als een masker op de hiervoor beschreven illustratieve manieren, is het gebruikelijk de gedeelten 28 te verwijderen vanaf het oppervlak van het orgaan, dat wordt vervaardigd. Dit wordt bijvoorbeeld 10. gedaan door het aanbrengen van een passend oplosmiddel op de.in fig. 5 weergegeven struktuur of door het behandelen van de struktuur in een plasma-etsstap in een zuurstofatmosfeer. In ieder geval worden de gedeelten 28 en de bovenliggende gedeelten 26 zodoende verwijderd. Het orgaan is dan klaar voor een volgende stap in het voorgeschreven ver-15. vaardigingsprograrama daarvan, hetgeen het verder bewerken kan bevatten door middel van een van een patroon voorziene, op te offeren laag, overeenkomstig de beginselen van de onderhavige uitvinding.
In bepaalde, van praktisch belang zijnde gevallen is waargenomen, dat de aanwezigheid van metalen in de kamer, waarin het droog 20 bewerken van de op te offeren laag .18 wordt uitgevoerd, het op het orgaanoppervlak optreden van z.g. weefselvorming, (metaaloxydevezels) veroorzaakt. De vorming van dergelijke vezels kan worden voorkomen door het vermijden van het gebruik van vrijliggende metalen oppervlakken in de bewerkingskamer. Dit schrijft bijvoorbeeld voor, dat een niet-metalen 25 materiaal (zoals het hiervoor bepaalde silicium dioxyde of borium nitride of silicium nitride of glas) wordt gebruikt voor de tussenliggende maskeerlaag 22.(de uitdrukking "glas", zoals hier gebruikt, bevat bijvoorbeeld een verscheidenheid van opgesponnen , vloeibare glassoorten, silicium dicsyde lagen, glasharsen en opgesponnen oxyden, die in hoofd-30 zaak bestaan uit Ta20<- of Ti02·)
Overeenkomstig de beginselen van de onderhavige uitvinding, kan de tussenliggende maskeerlaag 22 in bepaalde gevallen volledig worden weggelaten. Dit is mogelijk wanneer de materialen, gebruikt voor het vormen van de dunne beschermingslaag 20, en de dikke op te offeren 35 laag 18, respectievelijk een betrekkelijk grote en kleine weerstand vertonen tegen de bepaalde droge werkingstechniek, gebruikt voor het aanbrengen.van een patroon in de laag 18. Een 0,5 ^um-dikke laag 20 792 0 0 69 12 van een zilverhalogenide-emulsie kan dus 'bijvoorbeeld na bet aanbrengen van een patroon daarin dienen als een masker voor het ionenfrezen of • het kathodeverstuivingsetsen van een overeenkomstig patroon in de laag 18.
5 Tenslotte is het vanzelf sprekend, dat de hiervoor beschreven uitvoeringen en technieken slechts illustratief zijn voor de beginselen van de onderhavige uitvinding. Overeenkomstig deze. beginselen, kunnen zeer vele -wijzigingen en verandering® worden ontworpen door deskundigen op dit gebied, zonder de strekking en het kader van de uitvinding te 10 verlaten. Hoewel hier de nadruk is gelegd op het toepassen van de inventieve beginselen van aanvraagster voor het direkt vervaardigen van geïntegreerde ketenorganen, is het bijvoorbeeld vanzelf sprekend, dat deze beginselen ook toepasbaar zijn bij de vervaardiging van maskeer-strukturen met een groot oplossend vermogen, die op hun beurt worden 15 gebruikt voor het maken van geïntegreerde ketenorganen. Ter illustratie is het dus denkbaar van een patroon voorziene gebieden te vormen,(zoals de in fig. 5 met 26 en 28 aangeduide gebieden) op een in hoofdzaak platte 0,02 ^um-dikke goudlaag, die is afgezet bovenop een 0,01 ^um-dikke titaanlaag, gedragen door een vlakke polymidelaag. Door het als 20 een masker gebruiken van de van een patroon voorziene gebieden, kan dan een betrekkelijk dikke goudlaag elektrolytisch worden aangebracht op de vrijliggende gebieden van de goudlaag. Op deze wijze worden goudelemen-ten met een groot oplossend vermogen en bepalend voor een voorgeschreven maskeerstruktuur, gevormd voor gebruik in bijvoorbeeld een röntgen-25 straallithografisch stelsel.
Overeenkomstig de aspecten van de beginselen van de onderhavige uitvinding kan bovendien een dikke, van een patroon voorziene, op te offeren laag op een vlak oppervlak, worden gebruikt als een.maskeerlaag voor ionenimplantdoeleinden.
792 0 0 69

Claims (12)

1. Werkwijze voor het vormen van een patroon met een groot oplossend vermogen in een oppervlak van een lichaam (1H), voorzien van de stappen van het op het lichaam aanhrengen van een betrekkelijk dunne laag (20), verder het gekozen etsen van de dunne laag voor het vormen 5. van een patroon en het gebruiken, van de gekozen, geëtste laag als masker voor het vormen van het patroon in het oppervlak van het lichaam, gekenmerkt door het aanhrengen van een hetrekkelijk dikke laag (18) tussen het oppervlak, van het lichaam en de hetrekkelijk dunne laag, verder het gebruiken van de hetrekkelijk dunne laag als een masker voor het 10 vormen van het patroon in de dikke laag, zodat het patroon wordt bepaald door in hoofdzaak vertikale wanden, en het gebruiken van de hetrekkelijk dikke laag als êen masker voor het vormen van het patroon in het oppervlak van het lichaam.
2. Werkwijze, zoals in conclusie 1, met het kenmerk., dat de betrek-15 kelijk dunne laag is gemaakt van een voor straling gevoelig materiaal, dat hetrekkelijk bestendig is tegen dé bewerkingstechniek, gebruikt voor het aanbrengen van het patroon in de betrekkelijk dikke laag.
3. Werkwijze, zoals in conclusie 2, verder gekenmerkt door de stap van het verwijderen van de betrekkelijk dikke, van een patroon voor- 20 ziene laag, vanaf het oppervlak van de struktuur, nadat het oppervlak gekozen is bewerkt. k. Werkwijze, zoals in conclusie 3, met het kenmerk, dat de betrekke lijk dikke laag is gemaakt van een organisch materiaal, dat droog kan worden bewerkt voor het daarin bereiken van vrijwel vertikale wanden 25 met in hoofdzaak geen onder snij den.
5. Werkwijze, zoals in conclusie 4, met het kenmerk, dat de organische laag wordt voorzien van.een patroon door het ionenfrezen.
6. Werkwijze, zoals in conclusie 1+, met het kenmerk, dat de organische laag wordt voorzien van een patroon door het kathodeverstuivings- 30 etsen.
7. Werkwijze, zoals in conclusie b, met het kenmerk, dat de organische laag wordt voorzien van een patroon door het reactief kathode-verstuivingset sen.
8. Werkwijze, zoals in conclusie 5, 6 of 7> met het kenmerk, dat 35 het oppervlak van de struktuur te bedekken stappen bevat, waarbij de 792 0 0 69 t t 1fc dikte van de betrekkelijk dunne laag op zichzelf onvoldoende is voor het verschaffen van voldoende stapdekking, indien de betrekkelijk dunne laag direkt op het oppervlak zou zijn aangebracht.
9- Werkwijze, zoals in conclusie 8, met het kenmerk, dat de orga- 5 nische laag een aanpassend, onderste oppervlak vertoont., en voldoende dik is, zodat het bovenoppervlak daarvan in hoofdzaak vlak is. /
10. Werkwijze, zoals in conclusie 2, met het kenmerk, dat een tussenliggende laag (22) wordt gevormd tussen de betrekkelijk dikke laag en de betrekkelijk dunne laag, waarbij de stap van het vormen van het pa- 10. troon in de dikke laag de stap omvat van het.gebruiken van de dunne laag als een masker voor het etsen van het patroon in de tussenliggende laag.
11. Werkwijze, zoals in conclusie 10, met het kenmerk, dat de tussenliggende maskeerlaag is gemaakt van een materiaal, gekozen uit de groep, bestaande uit silicium diosyde, borium nitride, silicium nitride 15. en glas.
12. Werkwijze, zoals in conclusie 11 met het kenmerk, dat de tussenliggende maskeerlaag wordt voorzien van een patroon door het etsen in een plasma, dat is gekenmerkt door hercombinatiemiddelpunten, alsmede door actieve etsmidde-lvariêteiten..
13. Werkwijze, zoals in conclusie 11,'met het kenmerk, dat de tus senliggende maskeerlaag wordt voorzien van een patroon door het reactief kathodeverstuivingsetsen. lU. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het lichaam een halfgeleider is, waarbij het patroon althans 25 een deel bepaalt van een geïntegreerd- ketenpatroon. 792 0 0 69
NL7920069A 1978-09-11 1979-09-07 Vervaardiging van geintegreerde ketens onder toe- passing van dikke patronen met een groot oplossend vermogen. NL7920069A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US94136978 1978-09-11
US05/941,369 US4244799A (en) 1978-09-11 1978-09-11 Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7920069A true NL7920069A (nl) 1980-07-31

Family

ID=25476352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7920069A NL7920069A (nl) 1978-09-11 1979-09-07 Vervaardiging van geintegreerde ketens onder toe- passing van dikke patronen met een groot oplossend vermogen.

Country Status (13)

Country Link
US (1) US4244799A (nl)
JP (1) JPS55500646A (nl)
BE (1) BE878667A (nl)
CA (1) CA1123118A (nl)
DE (1) DE2953117A1 (nl)
ES (1) ES483987A1 (nl)
FR (1) FR2435819A1 (nl)
GB (1) GB2043345B (nl)
IE (1) IE48479B1 (nl)
IT (1) IT1122539B (nl)
NL (1) NL7920069A (nl)
SE (1) SE434896B (nl)
WO (1) WO1980000639A1 (nl)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2945854A1 (de) * 1979-11-13 1981-05-21 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Ionenimplantationsverfahren
DE3027941A1 (de) * 1980-07-23 1982-02-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von reliefstrukturen aus doppellackschichten fuer integrierte halbleiterschaltungen, wobei zur strukturierung hochenergetische strahlung verwendet wird
US4323638A (en) * 1980-08-18 1982-04-06 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Reducing charging effects in charged-particle-beam lithography
US4333793A (en) * 1980-10-20 1982-06-08 Bell Telephone Laboratories, Incorporated High-selectivity plasma-assisted etching of resist-masked layer
EP0050973B1 (en) * 1980-10-28 1986-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Masking process for semiconductor devices using a polymer film
US4362597A (en) * 1981-01-19 1982-12-07 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of fabricating high-conductivity silicide-on-polysilicon structures for MOS devices
US4343677A (en) * 1981-03-23 1982-08-10 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for patterning films using reactive ion etching thereof
US4377437A (en) * 1981-05-22 1983-03-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Device lithography by selective ion implantation
US4407933A (en) * 1981-06-11 1983-10-04 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Alignment marks for electron beam lithography
JPS58110038A (ja) * 1981-12-23 1983-06-30 Nec Corp パタ−ン形成方法
DE3275447D1 (en) * 1982-07-03 1987-03-19 Ibm Deutschland Process for the formation of grooves having essentially vertical lateral silicium walls by reactive ion etching
US4496419A (en) * 1983-02-28 1985-01-29 Cornell Research Foundation, Inc. Fine line patterning method for submicron devices
US4451349A (en) * 1983-04-20 1984-05-29 International Business Machines Corporation Electrode treatment for plasma patterning of polymers
US4510173A (en) * 1983-04-25 1985-04-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for forming flattened film
US4572765A (en) * 1983-05-02 1986-02-25 Fairchild Camera & Instrument Corporation Method of fabricating integrated circuit structures using replica patterning
US4482424A (en) * 1983-05-06 1984-11-13 At&T Bell Laboratories Method for monitoring etching of resists by monitoring the flouresence of the unetched material
DE3475856D1 (en) * 1983-08-12 1989-02-02 Commissariat Energie Atomique Method for aligning a connecting line above an electrical contact hole of an integrated circuit
US5215867A (en) * 1983-09-16 1993-06-01 At&T Bell Laboratories Method with gas functionalized plasma developed layer
US4534826A (en) * 1983-12-29 1985-08-13 Ibm Corporation Trench etch process for dielectric isolation
JPS60214532A (ja) * 1984-04-11 1985-10-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> パタ−ン形成方法
US4523372A (en) * 1984-05-07 1985-06-18 Motorola, Inc. Process for fabricating semiconductor device
US4532005A (en) * 1984-05-21 1985-07-30 At&T Bell Laboratories Device lithography using multi-level resist systems
US4557797A (en) * 1984-06-01 1985-12-10 Texas Instruments Incorporated Resist process using anti-reflective coating
JPS60262150A (ja) * 1984-06-11 1985-12-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 三層レジスト用中間層材料及びそれを用いた三層レジストパタン形成方法
US4683024A (en) * 1985-02-04 1987-07-28 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Device fabrication method using spin-on glass resins
US4693780A (en) * 1985-02-22 1987-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Electrical isolation and leveling of patterned surfaces
US4609614A (en) * 1985-06-24 1986-09-02 Rca Corporation Process of using absorptive layer in optical lithography with overlying photoresist layer to form relief pattern on substrate
KR880701400A (ko) * 1986-03-24 1988-07-26 엘리 와이스 집적 회로 장치의 제조방법
US4892635A (en) * 1986-06-26 1990-01-09 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Pattern transfer process utilizing multilevel resist structure for fabricating integrated-circuit devices
EP0251566B1 (en) * 1986-06-26 1994-02-02 AT&T Corp. Process for fabricating integrated-circuit devices utilizing multilevel resist structure
EP0313683A1 (en) * 1987-10-30 1989-05-03 International Business Machines Corporation Method for fabricating a semiconductor integrated circuit structure having a submicrometer length device element
GB8729652D0 (en) * 1987-12-19 1988-02-03 Plessey Co Plc Semi-conductive devices fabricated on soi wafers
DE3879186D1 (de) * 1988-04-19 1993-04-15 Ibm Verfahren zur herstellung von integrierten halbleiterstrukturen welche feldeffekttransistoren mit kanallaengen im submikrometerbereich enthalten.
DE3886751T2 (de) * 1988-09-12 1994-06-23 Ibm Methode zum Ätzen von Spiegelfacetten an III-V-Halbleiterstrukturen.
JPH088243B2 (ja) * 1989-12-13 1996-01-29 三菱電機株式会社 表面クリーニング装置及びその方法
US5126231A (en) * 1990-02-26 1992-06-30 Applied Materials, Inc. Process for multi-layer photoresist etching with minimal feature undercut and unchanging photoresist load during etch
JP3041972B2 (ja) * 1991-01-10 2000-05-15 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US5323047A (en) * 1992-01-31 1994-06-21 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Structure formed by a method of patterning a submicron semiconductor layer
US5264076A (en) * 1992-12-17 1993-11-23 At&T Bell Laboratories Integrated circuit process using a "hard mask"
US5326727A (en) * 1992-12-30 1994-07-05 At&T Bell Laboratories Method for integrated circuit fabrication including linewidth control during etching
US5950106A (en) * 1996-05-14 1999-09-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method of patterning a metal substrate using spin-on glass as a hard mask
US5874010A (en) * 1996-07-17 1999-02-23 Headway Technologies, Inc. Pole trimming technique for high data rate thin film heads
EP0895278A3 (de) * 1997-08-01 2000-08-23 Siemens Aktiengesellschaft Strukturierungsverfahren
US6087270A (en) * 1998-06-18 2000-07-11 Micron Technology, Inc. Method of patterning substrates
US6136511A (en) * 1999-01-20 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Method of patterning substrates using multilayer resist processing
KR100407542B1 (ko) * 1999-03-09 2003-11-28 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
GB2365984B (en) 2000-02-18 2002-08-14 Murata Manufacturing Co Resist pattern and method for forming wiring pattern
US6872506B2 (en) * 2002-06-25 2005-03-29 Brewer Science Inc. Wet-developable anti-reflective compositions
US6740469B2 (en) 2002-06-25 2004-05-25 Brewer Science Inc. Developer-soluble metal alkoxide coatings for microelectronic applications
US7507783B2 (en) * 2003-02-24 2009-03-24 Brewer Science Inc. Thermally curable middle layer comprising polyhedral oligomeric silsesouioxanes for 193-nm trilayer resist process
KR101189397B1 (ko) * 2003-10-15 2012-10-11 브레우어 사이언스 인코포레이션 비아-퍼스트 듀얼 다마신 적용예에서 사용되는 현상제에 용해성인 물질 및 상기 물질 사용 방법
US7320170B2 (en) * 2004-04-20 2008-01-22 Headway Technologies, Inc. Xenon ion beam to improve track width definition
US20050255410A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-17 Guerrero Douglas J Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers
US20070207406A1 (en) * 2004-04-29 2007-09-06 Guerrero Douglas J Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers
US7914974B2 (en) 2006-08-18 2011-03-29 Brewer Science Inc. Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process
US20090008430A1 (en) * 2007-07-06 2009-01-08 Lucent Technologies Inc. Solder-bonding process
EP2245512B1 (en) 2008-01-29 2019-09-11 Brewer Science, Inc. On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures
US9640396B2 (en) 2009-01-07 2017-05-02 Brewer Science Inc. Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography
CN103034047B (zh) * 2011-09-29 2014-10-29 上海微电子装备有限公司 一种提高分辨率的光刻工艺

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1230421A (nl) * 1967-09-15 1971-05-05
US3867216A (en) * 1972-05-12 1975-02-18 Adir Jacob Process and material for manufacturing semiconductor devices
US3873361A (en) * 1973-11-29 1975-03-25 Ibm Method of depositing thin film utilizing a lift-off mask
DE2547792C3 (de) * 1974-10-25 1978-08-31 Hitachi, Ltd., Tokio Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
US3962004A (en) * 1974-11-29 1976-06-08 Rca Corporation Pattern definition in an organic layer
US4024041A (en) * 1974-12-18 1977-05-17 Hitachi, Ltd. Method of forming deposition films for use in multi-layer metallization
US3985597A (en) * 1975-05-01 1976-10-12 International Business Machines Corporation Process for forming passivated metal interconnection system with a planar surface
US4004044A (en) * 1975-05-09 1977-01-18 International Business Machines Corporation Method for forming patterned films utilizing a transparent lift-off mask
JPS609342B2 (ja) * 1975-05-28 1985-03-09 株式会社日立製作所 パタ−ンの作製法
JPS5269270A (en) * 1975-12-05 1977-06-08 Matsushita Electronics Corp Coating method of photoresist
DE2629996A1 (de) * 1976-07-03 1978-01-05 Ibm Deutschland Verfahren zur passivierung und planarisierung eines metallisierungsmusters
US4070501A (en) * 1976-10-28 1978-01-24 Ibm Corporation Forming self-aligned via holes in thin film interconnection systems
US4092442A (en) * 1976-12-30 1978-05-30 International Business Machines Corporation Method of depositing thin films utilizing a polyimide mask

Also Published As

Publication number Publication date
BE878667A (fr) 1979-12-31
JPS55500646A (nl) 1980-09-11
SE434896B (sv) 1984-08-20
IE48479B1 (en) 1985-02-06
IT1122539B (it) 1986-04-23
GB2043345B (en) 1983-05-18
ES483987A1 (es) 1980-04-01
FR2435819A1 (fr) 1980-04-04
SE8003378L (sv) 1980-05-06
CA1123118A (en) 1982-05-04
GB2043345A (en) 1980-10-01
IT7925589A0 (it) 1979-09-10
DE2953117A1 (en) 1980-11-27
US4244799A (en) 1981-01-13
WO1980000639A1 (en) 1980-04-03
IE791715L (en) 1980-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7920069A (nl) Vervaardiging van geintegreerde ketens onder toe- passing van dikke patronen met een groot oplossend vermogen.
US5468595A (en) Method for three-dimensional control of solubility properties of resist layers
US5902704A (en) Process for forming photoresist mask over integrated circuit structures with critical dimension control
US4165395A (en) Process for forming a high aspect ratio structure by successive exposures with electron beam and actinic radiation
EP0154979B1 (en) Single development step, dual layer photoresist photolithographic process
US4202914A (en) Method of depositing thin films of small dimensions utilizing silicon nitride lift-off mask
US3867148A (en) Making of micro-miniature electronic components by selective oxidation
EP0697723A2 (en) A process for metallization of an insulator layer
US4806453A (en) Positive acting bilayer photoresist development
US4696878A (en) Additive process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography and the resulting mask
US20010044077A1 (en) Stabilization of chemically amplified resist coating
WO2003007081A1 (en) Methods using topcoat for photoresist
CA1165466A (en) Method of producing relief structures for integrated semiconductor circuits
EP1005066A2 (en) Resist pattern, process for the information of the same, and process for the formation of wiring pattern
KR100280137B1 (ko) 반도체기판상에배치된피가공체상에형성되는반사방지막재료및그것을사용하는반도체장치의제조방법
EP0390038A2 (en) Fine Pattern forming method
US4612274A (en) Electron beam/optical hybrid lithographic resist process in acoustic wave devices
WO1983003485A1 (en) Electron beam-optical hybrid lithographic resist process
JPH04276618A (ja) アスペクト比の高い吸収体パターンを含む解像力の高いｘ線マスク
JPS5857908B2 (ja) 薄膜構造体の形成方法
US6821693B2 (en) Method for adjusting a multilevel phase-shifting mask or reticle
KR100239434B1 (ko) 반도체 소자의 포토공정방법
KR930006133B1 (ko) 모스소자의 콘택트홀 형성방법
JPS6066432A (ja) 微細パタ−ン形成法
KR19990057333A (ko) 반도체소자의 금속배선 형성방법