NL7700962A - Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting van het mis-type. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting van het mis-type.

Info

Publication number
NL7700962A
NL7700962A NL7700962A NL7700962A NL7700962A NL 7700962 A NL7700962 A NL 7700962A NL 7700962 A NL7700962 A NL 7700962A NL 7700962 A NL7700962 A NL 7700962A NL 7700962 A NL7700962 A NL 7700962A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacture
conductor device
type semi
mis type
mis
Prior art date
Application number
NL7700962A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of NL7700962A publication Critical patent/NL7700962A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/32—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
NL7700962A 1976-01-30 1977-01-28 Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting van het mis-type. NL7700962A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP846176A JPS605065B2 (ja) 1976-01-30 1976-01-30 Ｍｉｓ形半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7700962A true NL7700962A (nl) 1977-08-02

Family

ID=11693758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7700962A NL7700962A (nl) 1976-01-30 1977-01-28 Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting van het mis-type.

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS605065B2 (nl)
NL (1) NL7700962A (nl)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4277881A (en) * 1978-05-26 1981-07-14 Rockwell International Corporation Process for fabrication of high density VLSI circuits, having self-aligned gates and contacts for FET devices and conducting lines
JPS6024004Y2 (ja) * 1979-05-16 1985-07-17 デイエツクスアンテナ株式会社 アンテナの水平・垂直共用取付具
JPS5718366A (en) * 1980-07-09 1982-01-30 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5758361A (en) * 1980-09-24 1982-04-08 Nec Corp Manufacture of mos type integrated circuit
US9341596B1 (en) 2014-12-22 2016-05-17 International Business Machines Corporation Annular gas ionization delta E-E detector
US11784339B2 (en) 2019-01-29 2023-10-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Battery cell, cell stack, and redox flow battery

Also Published As

Publication number Publication date
JPS605065B2 (ja) 1985-02-08
JPS5292486A (en) 1977-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL186984C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting.
NL7810373A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL187508C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
NL7510903A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL161302C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7604986A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd door toe- passing van de werkwijze.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7807983A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderin- richting.
NL176416C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting.
NL7610283A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor.
NL7812385A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL7414007A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7609420A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half-geleiderinrichting.
NL7713004A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgelei- derinrichtingen.
NL188668C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7413791A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7607558A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van soft-ice.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7509464A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed