NL7611929A - Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting alsmede aldus verkregen halfge- leiderinrichting. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting alsmede aldus verkregen halfge- leiderinrichting.

Info

Publication number
NL7611929A
NL7611929A NL7611929A NL7611929A NL7611929A NL 7611929 A NL7611929 A NL 7611929A NL 7611929 A NL7611929 A NL 7611929A NL 7611929 A NL7611929 A NL 7611929A NL 7611929 A NL7611929 A NL 7611929A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
halfge
leader device
procedure
manufacture
device obtained
Prior art date
Application number
NL7611929A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of NL7611929A publication Critical patent/NL7611929A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
NL7611929A 1975-10-29 1976-10-27 Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting alsmede aldus verkregen halfge- leiderinrichting. NL7611929A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50129208A JPS5253666A (en) 1975-10-29 1975-10-29 Method of preventing impurity diffusion from doped oxide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7611929A true NL7611929A (nl) 1977-05-03

Family

ID=15003796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7611929A NL7611929A (nl) 1975-10-29 1976-10-27 Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting alsmede aldus verkregen halfge- leiderinrichting.

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS5253666A (nl)
NL (1) NL7611929A (nl)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999033098A1 (en) * 1997-12-19 1999-07-01 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing method comprising the fabrication of a barrier layer

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5384572A (en) * 1976-12-29 1978-07-26 Fujitsu Ltd Manufacture for mis type semiconductor device
JPS53103380A (en) * 1977-02-22 1978-09-08 Oki Electric Ind Co Ltd Production of semiconductor device
JPS58168240A (ja) * 1982-03-30 1983-10-04 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS60183763A (ja) * 1984-03-02 1985-09-19 Rohm Co Ltd 半導体装置
JPS61214555A (ja) * 1985-03-20 1986-09-24 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6362380A (ja) * 1986-09-03 1988-03-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999033098A1 (en) * 1997-12-19 1999-07-01 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing method comprising the fabrication of a barrier layer

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5253666A (en) 1977-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL174608C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een zwenkspiegelinrichting en een zwenkspiegelinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7601438A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een rekbare film.
NL7610068A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een vinylideen- fluoridepolymeerhars.
NL7701739A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een polymeer.
NL7609420A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half-geleiderinrichting.
NL7610703A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo- elektrisch moduul en aldus verkregen moduul.
NL7713618A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een cosmetisch preparaat.
NL7603669A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een dichtingsmassa en een dergelijke dichtingsmassa.
NL179180B (nl) Werkwijze voor de bereiding van een knapperig hapje of een halfprodukt daarvoor.
NL7705844A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een radio-actief preparaat alsmede werkwijze voor de bereiding van een materiaal waaruit dit preparaat kan worden bereid.
NL7702171A (nl) Werkwijze ter bereiding van een preparaat voor de behandeling van brandwonden.
NL182476C (nl) Werkwijze voor de bereiding van een 4-halogeen-beta-pyron.
NL7611057A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7611928A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting.
NL7605091A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een electro- -mechanische omzetter.
NL7701399A (nl) Werkwijze voor de bereiding en toepassing van een chloralderivaat.
NL7614594A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en een halfgeleiderinrichting op deze wijze verkregen.
NL7708162A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een farmaceu- tisch preparaat.
NL7712996A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een farmaceu- tisch preparaat.
NL7608064A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een peptide.
NL7612069A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een commu- tator voor een electromotor, en onder toepassing van een dergelijke werkwijze vervaardigde com- mutator.
NL7712470A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een fluoresce- rend materiaal.
NL7801730A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een urethanelas- tomeer en een aldus verkregen urethanelastomeer.
NL7611929A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting alsmede aldus verkregen halfge- leiderinrichting.
NL7605557A (nl) Werkwijze voor de fluordehydroxylering van alcoholen.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed