NL7605712A - Werkwijze voor de selektieve oxydatie van een si- liciumsubstraat en verkregen voortbrengsel. - Google Patents

Werkwijze voor de selektieve oxydatie van een si- liciumsubstraat en verkregen voortbrengsel.

Info

Publication number
NL7605712A
NL7605712A NL7605712A NL7605712A NL7605712A NL 7605712 A NL7605712 A NL 7605712A NL 7605712 A NL7605712 A NL 7605712A NL 7605712 A NL7605712 A NL 7605712A NL 7605712 A NL7605712 A NL 7605712A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
procedure
selective oxidation
silicone substrate
obtained production
production
Prior art date
Application number
NL7605712A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of NL7605712A publication Critical patent/NL7605712A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H01L21/76205—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO in a region being recessed from the surface, e.g. in a recess, groove, tub or trench region
    • H01L21/7621—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO in a region being recessed from the surface, e.g. in a recess, groove, tub or trench region the recessed region having a shape other than rectangular, e.g. rounded or oblique shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/32—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers using masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Element Separation (AREA)
NL7605712A 1975-05-28 1976-05-26 Werkwijze voor de selektieve oxydatie van een si- liciumsubstraat en verkregen voortbrengsel. NL7605712A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6286075A JPS51139263A (en) 1975-05-28 1975-05-28 Method of selective oxidation of silicon substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7605712A true NL7605712A (nl) 1976-11-30

Family

ID=13212460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7605712A NL7605712A (nl) 1975-05-28 1976-05-26 Werkwijze voor de selektieve oxydatie van een si- liciumsubstraat en verkregen voortbrengsel.

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS51139263A (xx)
DE (1) DE2623419A1 (xx)
NL (1) NL7605712A (xx)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1089299B (it) * 1977-01-26 1985-06-18 Mostek Corp Procedimento per fabbricare un dispositivo semiconduttore
JPS5737849A (en) * 1980-08-20 1982-03-02 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
JP2626513B2 (ja) * 1993-10-07 1997-07-02 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH08306678A (ja) * 1995-05-08 1996-11-22 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置
EP0764980A1 (en) * 1995-09-20 1997-03-26 Lucent Technologies Inc. Improved local oxidation of silicon

Also Published As

Publication number Publication date
JPS51139263A (en) 1976-12-01
DE2623419A1 (de) 1976-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7601438A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een rekbare film.
NL7710341A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een infor- matie-ondersteuning en informatie-ondersteuning vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL174608C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een zwenkspiegelinrichting en een zwenkspiegelinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7606320A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een thermoplas- tisch filmvormend preparaat.
NL7513161A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7602960A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting.
NL7604632A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting en een halfgeleiderinrich- ting volgens deze werkwijze verkregen.
NL7609420A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half-geleiderinrichting.
NL7610703A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo- elektrisch moduul en aldus verkregen moduul.
NL179180B (nl) Werkwijze voor de bereiding van een knapperig hapje of een halfprodukt daarvoor.
NL7612338A (nl) Een tegen oxidatie gestabiliseerde olie en een werkwijze voor de bereiding van een dergelijke olie.
NL7504620A (nl) Werkwijze voor het fluoreren van een katalysa- tor.
NL7612006A (nl) Werkwijze voor het laten groeien van een monokris- tal van een halfgeleiderverbinding.
NL7604371A (nl) Werkwijze voor de bereiding van organosiloxanen.
NL182476C (nl) Werkwijze voor de bereiding van een 4-halogeen-beta-pyron.
NL7611057A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7601734A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een antiviraal preparaat.
NL7611928A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting.
NL7605091A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een electro- -mechanische omzetter.
NL7614594A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en een halfgeleiderinrichting op deze wijze verkregen.
NL7604652A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van halfgelei- ders.
NL7605712A (nl) Werkwijze voor de selektieve oxydatie van een si- liciumsubstraat en verkregen voortbrengsel.
NL7513111A (nl) Werkwijze en inrichting voor het doorlopend ver- vaardigen van een schuimstofstreng.
NL7611929A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting alsmede aldus verkregen halfge- leiderinrichting.
NL7609490A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een laminaat.