NL7510809A - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting voorzien van een patroon van gelei- ders en inrichting vervaardigd volgens deze werk- wijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting voorzien van een patroon van gelei- ders en inrichting vervaardigd volgens deze werk- wijze.

Info

Publication number
NL7510809A
NL7510809A NL7510809A NL7510809A NL7510809A NL 7510809 A NL7510809 A NL 7510809A NL 7510809 A NL7510809 A NL 7510809A NL 7510809 A NL7510809 A NL 7510809A NL 7510809 A NL7510809 A NL 7510809A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
guides
semi
pattern
manufacturing
manufactured according
Prior art date
Application number
NL7510809A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of NL7510809A publication Critical patent/NL7510809A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • H01L23/4855—Overhang structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
    • H01L21/31683—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of metallic layers, e.g. Al deposited on the body, e.g. formation of multi-layer insulating structures
    • H01L21/31687—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of metallic layers, e.g. Al deposited on the body, e.g. formation of multi-layer insulating structures by anodic oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02244—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of a metallic layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02258—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by anodic treatment, e.g. anodic oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
NL7510809A 1974-09-18 1975-09-15 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting voorzien van een patroon van gelei- ders en inrichting vervaardigd volgens deze werk- wijze. NL7510809A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7431521A FR2285716A1 (fr) 1974-09-18 1974-09-18 Procede pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur comportant une configuration de conducteurs et dispositif fabrique par ce procede

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7510809A true NL7510809A (nl) 1976-03-22

Family

ID=9143196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7510809A NL7510809A (nl) 1974-09-18 1975-09-15 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting voorzien van een patroon van gelei- ders en inrichting vervaardigd volgens deze werk- wijze.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4035206A (xx)
JP (1) JPS5823928B2 (xx)
DE (1) DE2540301C2 (xx)
FR (1) FR2285716A1 (xx)
GB (1) GB1520474A (xx)
NL (1) NL7510809A (xx)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52136590A (en) * 1976-05-11 1977-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production of semiconductor device
WO1981003240A1 (en) * 1980-05-08 1981-11-12 Rockwell International Corp Lift-off process
NL188432C (nl) * 1980-12-26 1992-06-16 Nippon Telegraph & Telephone Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet.
US4496419A (en) * 1983-02-28 1985-01-29 Cornell Research Foundation, Inc. Fine line patterning method for submicron devices
JP4746557B2 (ja) * 2004-10-25 2011-08-10 パイオニア株式会社 電子回路基板及びその製造方法
DE102013219342A1 (de) * 2013-09-26 2015-03-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Strukturierung von Schichten oxidierbarer Materialien mittels Oxidation sowie Substrat mit strukturierter Beschichtung

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1910736C3 (de) * 1969-03-03 1978-05-11 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von gegeneinander elektrisch isolierten, aus Aluminium bestehenden Leiterbahnen und Anwendung des Verfahrens
US3642548A (en) * 1969-08-20 1972-02-15 Siemens Ag Method of producing integrated circuits
US3825453A (en) * 1969-09-25 1974-07-23 Motorola Inc Method of preventing a chemical reaction between aluminum and silicon dioxide in a semiconductor device
US3741880A (en) * 1969-10-25 1973-06-26 Nippon Electric Co Method of forming electrical connections in a semiconductor integrated circuit
US3827949A (en) * 1972-03-29 1974-08-06 Ibm Anodic oxide passivated planar aluminum metallurgy system and method of producing
NL163370C (nl) * 1972-04-28 1980-08-15 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon.
US3778689A (en) * 1972-05-22 1973-12-11 Hewlett Packard Co Thin film capacitors and method for manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5156176A (xx) 1976-05-17
FR2285716B1 (xx) 1981-12-31
DE2540301A1 (de) 1976-04-08
FR2285716A1 (fr) 1976-04-16
GB1520474A (en) 1978-08-09
DE2540301C2 (de) 1985-02-14
JPS5823928B2 (ja) 1983-05-18
US4035206A (en) 1977-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7502998A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van vormlicha- men van polyalkenen.
NL7604632A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting en een halfgeleiderinrich- ting volgens deze werkwijze verkregen.
NL161302B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL7412383A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een in- richting met een geleiderpatroon.
NL7506519A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekt- transistor, en veldeffekttransistor vervaardigd vol- gens deze werkwijze.
NL7514703A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een wasverzor- gingsmiddel.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL167683C (nl) Werkwijze voor het bereiden of vervaardigen van een farmaceutisch n-acylfenylalanylamiden.
NL161409B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een houder.
NL167115C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van een vormstuk uit een brij.
NL7507970A (nl) Werkwijze voor het bedrijven van een inrichting voor het vervaardigen van een kunststofprofiel- streng en voor de werkwijze uitgevoerde inrich- ting.
NL7416779A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolai- re transistor en bipolaire transistor vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL158022B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7415706A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een scha- duwmasker en een volgens deze werkwijze ver- vaardigd schaduwmasker.
NL7504220A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een contact- lichaam.
NL7509107A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een druk- plaat voor diepdrukken en volgens deze werkwijze vervaardigde diepdrukplaat.
NL7509464A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7611057A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7614594A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en een halfgeleiderinrichting op deze wijze verkregen.
NL7510809A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting voorzien van een patroon van gelei- ders en inrichting vervaardigd volgens deze werk- wijze.
NL178986C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een gebreid tussenprodukt voor een kledingstuk alsmede een kledingstuk vervaardigd met behulp van een dergelijk tussenprodukt.
NL7506257A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samenge- steld voorwerp.
NL7503131A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een trans- portband.
NL7612257A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting alsmede een volgens deze werk- wijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL7504227A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een contact- lichaam.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed