NL7414007A - Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.Info
- Publication number
- NL7414007A NL7414007A NL7414007A NL7414007A NL7414007A NL 7414007 A NL7414007 A NL 7414007A NL 7414007 A NL7414007 A NL 7414007A NL 7414007 A NL7414007 A NL 7414007A NL 7414007 A NL7414007 A NL 7414007A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semi
- manufacturing
- conductor device
- conductor
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/085—Isolated-integrated
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Element Separation (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US409903A US3928081A (en) | 1973-10-26 | 1973-10-26 | Method for fabricating semiconductor devices using composite mask and ion implantation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7414007A true NL7414007A (nl) | 1975-04-29 |
Family
ID=23622431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7414007A NL7414007A (nl) | 1973-10-26 | 1974-10-25 | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3928081A (xx) |
JP (1) | JPS5342663B2 (xx) |
CA (1) | CA1087322A (xx) |
DE (1) | DE2450881A1 (xx) |
FR (1) | FR2249435B1 (xx) |
GB (1) | GB1457169A (xx) |
NL (1) | NL7414007A (xx) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2453134C3 (de) * | 1974-11-08 | 1983-02-10 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Planardiffusionsverfahren |
US4151019A (en) * | 1974-12-27 | 1979-04-24 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing integrated injection logic semiconductor devices utilizing self-aligned double-diffusion techniques |
US4153487A (en) * | 1974-12-27 | 1979-05-08 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing intergrated injection logic semiconductor devices utilizing self-aligned double-diffusion techniques |
JPS51127682A (en) * | 1975-04-30 | 1976-11-06 | Fujitsu Ltd | Manufacturing process of semiconductor device |
US4018627A (en) * | 1975-09-22 | 1977-04-19 | Signetics Corporation | Method for fabricating semiconductor devices utilizing oxide protective layer |
USRE30282E (en) * | 1976-06-28 | 1980-05-27 | Motorola, Inc. | Double master mask process for integrated circuit manufacture |
US4110126A (en) * | 1977-08-31 | 1978-08-29 | International Business Machines Corporation | NPN/PNP Fabrication process with improved alignment |
US4219369A (en) * | 1977-09-30 | 1980-08-26 | Hitachi, Ltd. | Method of making semiconductor integrated circuit device |
US4215418A (en) * | 1978-06-30 | 1980-07-29 | Trw Inc. | Integrated digital multiplier circuit using current mode logic |
US4244752A (en) * | 1979-03-06 | 1981-01-13 | Burroughs Corporation | Single mask method of fabricating complementary integrated circuits |
US4243435A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-06 | International Business Machines Corporation | Bipolar transistor fabrication process with an ion implanted emitter |
DE2945854A1 (de) * | 1979-11-13 | 1981-05-21 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Ionenimplantationsverfahren |
JPS56135121A (en) * | 1980-03-27 | 1981-10-22 | Nec Corp | Electronic integration-type flow meter with auxiliary pipe |
US4335504A (en) * | 1980-09-24 | 1982-06-22 | Rockwell International Corporation | Method of making CMOS devices |
JPS5786718A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-29 | Ricoh Co Ltd | Integrating flowmeter with electronic auxiliary pipe |
DE3115029A1 (de) * | 1981-04-14 | 1982-11-04 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | "verfahren zur herstellung eines integrierten bipolaren planartransistors" |
DE3165937D1 (en) * | 1981-04-14 | 1984-10-18 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Method of making an integrated planar transistor |
DE3136731A1 (de) * | 1981-09-16 | 1983-03-31 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung |
DE3137813A1 (de) * | 1981-09-23 | 1983-03-31 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung |
JPS58127374A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US4450021A (en) * | 1982-02-22 | 1984-05-22 | American Microsystems, Incorporated | Mask diffusion process for forming Zener diode or complementary field effect transistors |
JPS6353970A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07120631B2 (ja) * | 1988-09-06 | 1995-12-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
GB2237445B (en) * | 1989-10-04 | 1994-01-12 | Seagate Microelectron Ltd | A semiconductor device fabrication process |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1150834A (en) * | 1966-10-05 | 1969-05-07 | Rca Corp | Method of fabricating semiconductor devices |
DE2032838A1 (de) * | 1970-07-02 | 1972-01-13 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Halb leiterzone durch Diffusion |
US3756861A (en) * | 1972-03-13 | 1973-09-04 | Bell Telephone Labor Inc | Bipolar transistors and method of manufacture |
-
1973
- 1973-10-26 US US409903A patent/US3928081A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-10-01 GB GB4261074A patent/GB1457169A/en not_active Expired
- 1974-10-02 CA CA210,560A patent/CA1087322A/en not_active Expired
- 1974-10-25 JP JP12324874A patent/JPS5342663B2/ja not_active Expired
- 1974-10-25 FR FR7435903A patent/FR2249435B1/fr not_active Expired
- 1974-10-25 NL NL7414007A patent/NL7414007A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-10-25 DE DE19742450881 patent/DE2450881A1/de not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1087322A (en) | 1980-10-07 |
FR2249435A1 (xx) | 1975-05-23 |
GB1457169A (en) | 1976-12-01 |
JPS5075367A (xx) | 1975-06-20 |
JPS5342663B2 (xx) | 1978-11-14 |
DE2450881A1 (de) | 1975-04-30 |
FR2249435B1 (xx) | 1978-06-16 |
US3928081A (en) | 1975-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL161302C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL170901C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL161305C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL176818C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL7414007A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL163370C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon. | |
NL166583C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo- -elektrische eenheid. | |
NL177275C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geribde tijk. | |
NL186478C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL185882C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor. | |
NL176416C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting. | |
NL162789C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL7413791A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL184494C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een varistor. | |
NL161619B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL158022B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL163369C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL159824B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een lichtgevoelig half- geleiderelement. | |
NL7509464A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL176408C (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van een bedradingsboom. | |
NL163760B (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van een glasband. | |
NL7505134A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL165891C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleider- inrichting. | |
NL173507C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking. | |
NL161832B (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van vormlingen. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BV | The patent application has lapsed |