NL2000644C2

NL2000644C2 - Verbeterde lithografiescanner-doorvoercapaciteit.

Info

Publication number: NL2000644C2
Application number: NL2000644A
Authority: NL
Inventors: Jui-Chun Peng; Chien-Hsun Lin; Yao-Wen Guo; An-Kuo Yang
Original assignee: Taiwan Semiconductor Mfg
Priority date: 2007-02-21
Filing date: 2007-05-11
Publication date: 2008-08-25
Also published as: KR100889581B1; KR20080077891A; US9529275B2; CN101251717A; US20080198351A1; JP2008205423A; JP4901610B2; CN101251717B

Description

VERBETERDE LITHOGRAFIESCANNER-DOORVOERCAPACITEIT Achtergrond 5 [0001] Een lithografieapparaat is een machine die een gewenst patroon op een doelgedeelte van een substraat aanbrengt. Een lithografieapparaat kan bijvoorbeeld worden gebruikt bij de fabricage van geïntegreerde schakelingen (IC’s), platte beeldschermen en andere inrichtingen die fijne structuren omvatten. In een conventioneel lithografieapparaat kan een patroonvormingsmiddel, waarnaar alternatief wordt verwe-10 zen als een masker of een reticule, worden gebruikt om een schakelingspatroon te genereren dat correspondeert met een individuele laag van de IC (of andere inrichting), en dit patroon kan worden afgebeeld op een doelgedeelte (dat bijvoorbeeld een gedeelte van één of meerdere chips omvat) op een substraat (bijvoorbeeld een siliciumwafer of glazen plaat) dat een laag van stralingsgevoelig materiaal (afdeklak) heeft.

15 [0002] In het algemeen zal één enkel substraat een netwerk van aangrenzende doelgedeelten omvatten die achtereenvolgens worden belicht. Eén type lithografieapparaat is een scanner, waarin elk doelgedeelte wordt belicht door een patroon-reticule door middel van een projectiebundel in een gegeven richting (de “scan”-richting) te scannen, terwijl het wafersubstraat parallel of antiparallel aan deze richting synchroon 20 wordt gescand. Succesvol scannen vereist extreme precisiesynchronisatie tussen de bewegende reticule en wafertafels gedurende de belichting. De scansnelheid van een scanner is bijvoorbeeld een sleutelfactor die de kwaliteit en doorvoercapaciteit beïnvloedt.

[0003] Tijdens verwerking kunnen een aantal kritische lagen lithografïestappen 25 vereisen om een dummy-beeld nabij waferranden te belichten. De dummybeeld-belichtingen kunnen 20% of meer van de totale laagbelichtingstijd uitmaken. In het algemeen wordt er een maximum scansnelheid geselecteerd voor de belichting van één enkele laag. Bovendien wordt een maximum scansnelheid vaak geselecteerd voor gebruik met zowel kritische als niet-kritische lagen.

30

Korte beschrijving van de tekeningen 2

[0004] De onderhavige openbaring zal het best worden begrepen aan de hand van de volgende gedetailleerde beschrijving samen met de begeleidende figuren. Benadrukt wordt dat, overeenkomstig de standaardpraktijk in de industrie, diverse elementen niet op schaal zijn getekend. In feite kunnen de dimensies van de diverse elementen wille- 5 keurig worden vergroot of verkleind voor een duidelijkere uiteenzetting.

[0005] Figuren la-lc zijn schematische aanzichten van ten minste een gedeelte van een apparaat, die één of meerdere aspecten van de onderhavige openbaring demonstreren.

[0006] Figuur 2 is een bovenaanzicht van ten minste een gedeelte van een appa-10 raat, dat één of meerdere aspecten van de onderhavige openbaring demonstreert.

[0007] Figuur 3 is een bovenaanzicht van ten minste een gedeelte van een apparaat, dat één of meerdere aspecten van de onderhavige openbaring demonstreert.

[0008] Figuur 4 is een schematisch aanzicht van ten minste een gedeelte van een apparaat, dat één of meerdere aspecten van de onderhavige openbaring demonstreert.

15

Gedetailleerde beschrijving

[0009] De volgende openbaring verschaft veel verschillende uitvoeringsvormen, of voorbeelden, voor het implementeren van verschillende eigenschappen van diverse 20 uitvoeringsvormen. Specifieke voorbeelden van componenten en inrichtingen worden hieronder beschreven om de onderhavige openbaring te vereenvoudigen. Dit zijn natuurlijk slechts voorbeelden en zij zijn niet bedoeld om beperkend te zijn. Verder kan de onderhavige openbaring verwijzingscijfers en/of -letters in de diverse voorbeelden herhalen. Deze herhaling is ten behoeve van de eenvoud en duidelijkheid en schrijft op 25 zichzelf geen relatie voor tussen de diverse besproken uitvoeringsvormen en/of configuraties. Bovendien kan de vorming van een eerste element over of op een tweede element in de volgende beschrijving uitvoeringsvormen omvatten waarin de eerste en tweede elementen in direct contact zijn gevormd, en kan ook uitvoeringsvormen omvatten waarin aanvullende elementen gevormd kunnen worden die tussen de eerste en 30 tweede elementen zijn geplaatst, zodanig, dat de eerste en tweede elementen mogelijk niet in direct contact zijn.

[0010] Met collectieve verwijzing naar de figuren la-lc zijn schematische aanzichten geïllustreerd van ten minste een gedeelte van een apparaat 100, die één of meer 3 aspecten van de onderhavige openbaring demonstreren. Het apparaat 100 kan een li-thografïescanner zijn of omvatten, die is geconfigureerd om een patroon vanuit een reticule 110 over te dragen naar een belichtingsveld 122 op een substraat of wafer 120 (waarnaar hierna collectief wordt verwezen als een substraat 120). Licht 130 vanuit een 5 lichtbron of ander verlichtingsmiddel 140 loopt door een belichtingssleuf 150 alvorens de reticule 110 te passeren. De belichtingssleuf 150 kan ongeveer zo breed zijn als het beoogde belichtingsveld 122 op het substraat 120, maar zou slechts een fractie van zijn lengte kunnen hebben. Het licht 130 loopt dan door een reductieapparaat 160, dat is geconfigureerd om het beeld van de reticule met bijvoorbeeld 4X, 5X of anders te re-10 duceren. Het licht 130 valt dan op het belichtingsveld 122.

[0011] Gedurende het bovenstaande be licht ingsproces kunnen de reticule 110 en het substraat 120 ten opzichte van elkaar bewegen. Naar de relatieve snelheid van de reticule 110 en het substraat 120 kan hier worden verwezen als de scannersnelheid of de lithografiescanner-snelheid. Deze snelheid kan resulteren uit beweging van óf de 15 reticule 110 en het substraat 120 ten opzichte van elkaar, de qua positie gefixeerde belichtingssleuf 150, en/of het qua positie gefixeerde reductieapparaat 160. De reticule 110 kan bijvoorbeeld qua positie gefixeerd blijven ten opzichte van de belichtingssleuf 150 en het reductieapparaat 160 terwijl het substraat 120 ten opzichte van de belichtingssleuf 150 en het reductieapparaat 160 wordt getranslateerd, ofwel in de X-richting 20 (zijwaarts over de pagina in de figuren la-lc), de Y-richting (in of uit de pagina in de figuren la-lc), en/of de Z-richting (omhoog of omlaag over de pagina in de figuren la-lc). Alternatief kan het substraat 120 qua positie gefixeerd blijven ten opzichte van de belichtingssleuf 150 en het reductieapparaat 160, terwijl de reticule 110 ten opzichte van de belichtingssleuf 150 en het reductieapparaat 160 wordt getranslateerd, ofwel in 25 de X-, Y-, en/of Z-richtingen. Zoals echter is afgebeeld in de serie van figuren la-lc kunnen zowel de reticule 110 als het substraat 120 worden getranslateerd ten opzichte van de belichtingssleuf 150 en het reductie-apparaat 160, ofwel in X-, Y-, en/of Z-richtingen.

[0012] Zo zijn bijvoorbeeld in figuur la het linker einde van de reticule 110 en het 30 rechter einde van het belichtingsveld 122 aangebracht in het licht 130. Dan wordt, zoals getoond in figuur lb, een middengedeelte van de reticule 110 en een middengedeelte van het belichtingsveld 122 blootgesteld aan het licht 130, als het resultaat van translatie van de reticule 110 naar de linker zijde van de pagina (in de negatieve X-richting) 4 en translatie van het substraat 120 naar de rechter zijde van de pagina (in de positieve X-richting). Dan worden, zoals getoond in figuur lc, het rechter einde van de reticule 110 en het linker einde van het belichtingsveld 122 blootgesteld aan het licht 130, als het resultaat van verdere translatie van de reticule 110 naar de linker zijde van de pagi-5 na en verdere translatie van het substraat 130 naar de rechter zijde van de pagina.

[0013] Opgemerkt dient te worden dat het belichtingsveld 122 en het geïllustreerde gedeelte van de reticule 110 dat wordt gebruikt om het belichtingsveld 122 te belichten niet noodzakelijkerwijs dezelfde dimensie in de translatierichting hebben (dat wil zeggen in de X-richting, links en rechts over de pagina). Derhalve hoeft de snelheid waar- 10 mee de reticule 110 gedurende belichting van het belichtingsveld 122 wordt getransla-teerd niet noodzakelijkerwijs dezelfde snelheid te zijn als waarmee het substraat 120 wordt getranslateerd gedurende belichting van het belichtingsveld 122, zowel met betrekking tot de qua positie gefixeerde belichtingssleuf 150 als het reductieapparaat 160. Wat echter van groter belang kan zijn is de relatieve snelheid van de reticule 110 en het 15 substraat 120, zoals hieronder verder beschreven zal worden. Er wordt tevens opgemerkt dat de reticule 110 en het substraat 120 niet noodzakelijkerwijs getranslateerd worden in antiparallelle richtingen gedurende belichting van het belichtingsveld 122, zoals afgebeeld in de figuren la-lc. De reticule 110 en het substraat 120 kunnen bijvoorbeeld alternatief worden getranslateerd in in hoofdzaak parallelle richtingen gedu-20 rende belichting van het belichtingsveld 122.

[0014] In de bovenstaande beschrijving hebben de verwijzingen “linker” en “rechter” betrekking op de pagina waarop de figuren la-lc zijn gedrukt, en zij worden alleen gebruikt ten behoeve van het gemak en de duidelijkheid bij het beschrijven van aspecten van de onderhavige openbaring. Dergelijke verwijzingen zijn niet bedoeld om de 25 reikwijdte van de onderhavige openbaring te beperken.

[0015] Er kunnen veel factoren zijn die de bepaling van de scannersnelheid beïnvloeden. Zo kan bijvoorbeeld een hypothetische micro-elektronische inrichting de lithografische scantaken vereisen die in tabel 1 hieronder uiteen zijn gezet.

30 5

Scantaak Laag Beeld XY-spec. Z-spec. Energie-spec.

1 AÜ BI ΧΫΪ Tl El ~2 All B2 ΧΫ3 Z5 Ë3 1 AÏ2 BÏ ΧΫΊ Tl Ëï ~4 AÏ2 B2 ΧΫΪ Tl Ëï 1 AÏ2 B3 ΧΫ5 Z5 Ë5 ~6 AÏ2 B4 ΧΫ5 Z5 Ë5 1 AÏ3 BÏ ΧΫ5 Z5 Ë3

Tabel 1: Hypothetische scantaken

[0016] Zoals getoond in tabel 1 kan een scantaak veelvoudige specificaties hebben 5 waarvan de scannersnelheid afhankelijk kan zijn. In tabel 1 hierboven bijvoorbeeld omvat scantaak 6 belichten van beeld B4 op laag A12, wat correspondeert met elk van een XY5-specifïcatie, een Z5-specificatie, en een E5-specificatie. Elk van deze specificaties kan een corresponderende maximale, minimale of op andere wijze de voorkeur verdienende scannersnelheid hebben, zoals in de hypothetische voorbeelden die in de 10 tabellen 2-4 hieronder uiteen zijn gezet.

Specificatie Snelheids-gebied XY1 SËÏ XY2 S12 XY3 SË3 XY4 S14 XY5 S15 XY6 SÏ6

Tabel 2: XY-snelheidsgebieden 15 6

Specificatie Snelheids-gebied ~ZÏ S21 "Z2 S22 ~Z3 S23 ~Z4 S24 ~Z5 S25 ~Z6 S26

Tabel 3: Z-snelheidsgebieden 5

Specificatie Snelheids-gebied "Ëï S3Ï ~Ê2 S32 "Ë3 S33 ~Ë4 S34 ~Ë5 S35 ~Ë6 S36

Tabel 4:

Energie-snelheidsgebieden 10 [0017] Indien het gewenst is dat een specifieke scantaak zo snel mogelijk wordt uitgevoerd, zoals bijvoorbeeld om de productiedoorvoercapaciteit te verbeteren, kan de maximale scansnelheid die op bevredigende wijze de scantaak kan voltooien worden geselecteerd. Verdergaand met het voorbeeld van de hierboven besproken scantaak 6 moet het snelheidsgebied voor de scantaak worden geselecteerd uit SI5, het snelheids-15 gebied voor de XY5-specificatie, S25, het snelheidsgebied voor de Z5-specificatie, en S35, het snelheidsgebied voor de E5-specificatie. In dit voorbeeld is het S35-snelheidsgebied groter (in snelheid) dan het S25-snelheidsgebied, dat groter is dan het 7 S15-snelheidsgebied. Derhalve is, voor de scantaak 6, de grootste (snelste) scansnel-heid die voldoet aan de XY5-, Z5- en E5-specificaties het S15-snelheidsgebied.

[0018] Er kan echter één enkele scannersnelheid worden toegepast wanneer alle patronen van één enkele laag worden belicht. In tabel 1 hierboven kan het bijvoorbeeld 5 bij elk van de scantaken 3-6 nodig zijn om dezelfde scannersnelheid te gebruiken. Indien derhalve bijvoorbeeld de langzaamste scansnelheid voor scantaken 3 en 4 het SI 1-snelheidsgebied is, en de langzaamste scansnelheid voor scantaken 5 en 6 het SI 5-snelheidsgebied is, waarbij het SI 5-snelheidsgebied sneller is dan het Sll-snelheidsgebied, dan kan het Sll-snelheidsgebied worden gebruikt voor alle scantaken 10 3-6 omdat de taken elk het belichten van een deel van dezelfde fabricagelaag omvatten.

[0019] Om dit aspect verder te demonstreren is figuur 2 een bovenaanzicht van het substraat 120 dat in de figuren la-lc is getoond. Het substraat 120 is onderverdeeld in een veelheid belichtingsgebieden waarnaar hier collectief wordt verwezen als belich-tingsgebieden 122. De belichtingsgebieden 122 omvatten productiebelichtingsgebieden 15 122 a, die niet-gearceerd zijn in figuur 2, en dummy-belichtingsgebieden 122b, die de grens van het substraat 120 overlappen en in figuur 2 gearceerd zijn. Duidelijkheidshalve zijn slechts een paar van elk van de belichtingsgebieden 122a en 122b gelabeld in figuur 2. De productiebelichtingsgebieden 122a corresponderen met gebieden van het substraat 120 die bedoeld zijn om gebruikt te worden in productie-eenheden. De dum-20 my-belichtingsgebieden 122b zijn echter bedoeld om afgedankt te worden en om niet gebruikt te worden in productie-eenheden, en zijn enkel aanwezig om de opbrengst van de productie-eenheden te verbeteren.

[0020] Zoals hierboven beschreven kan één enkele scansnelheid worden geselecteerd voor belichten van alle belichtingsgebieden 122 van één enkele laag die op het 25 substraat 120 is gevormd. Indien echter de scannersnelheid die wordt gebruikt tijdens het belichten van de dummy-belichtingsgebieden 122b wordt verhoogd, dan kan de totale tijd die nodig is om de laag te belichten die de belichtingsgebieden omvat worden verminderd, waardoor de doorvoercapaciteit van de scanningsprocedure wordt vergroot. Dat wil zeggen, indien de scannersnelheid die wordt gebruikt om de dummy-30 belichtingsgebieden 122b te belichten aanzienlijk groter is dan de scannersnelheid die wordt gebruikt om de productie-belichtingsgebieden 122a te belichten, dan kan de totale scantijd voor de laag die de belichtingsgebieden 122 omvat worden verminderd. Zo kan bijvoorbeeld de scannersnelheid die wordt gebruikt om de dummy- 8 belichtingsgebieden 122b te belichten ten minste 50% groter zijn dan de scannersnel-heid die wordt gebruikt om de productiebelichtingsgebieden 122a te belichten.

[0021] Nu wordt het voorbeeld beschouwd waarbij er 58 dummy-belichtingsgebieden 122b zijn en er 142 productiebelichtingsgebieden 122a zijn, voor 5 een totaal van 200 belichtingsgebieden 122, zoals geïllustreerd in figuur 2. Indien de scannersnelheid die wordt gebruikt om de dummy-belichtingsgebieden 122b te belichten ten minste circa 100% groter is dan de scannersnelheid die wordt gebruikt om de productiebelichtingsgebieden 122a te belichten, dan kan de totale tijd die nodig is voor belichten van de laag die de belichtingsgebieden 122 omvat worden gereduceerd met 10 ten minste circa 9,5% vergeleken met verwerking van alle belichtingsgebieden 122 wanneer de scannersnelheid wordt gebruikt die wordt gebruikt om de productiebelichtingsgebieden 122a te scannen. De scannersnelheid die wordt gebruikt om de productiebelichtingsgebieden 122a te scannen kan bijvoorbeeld circa 360 mm/seconde zijn, terwijl de scannersnelheid die wordt gebruikt om de dummy-belichtingsgebieden 122b 15 te scannen ongeveer 720 mm/sec kan zijn. Indien het aantal dummy-belichtingsgebieden 122b een groter percentage van het totale aantal belichtingsgebieden 122 van één enkele laag is, dan kunnen nog grotere tijdsbesparingen worden bewerkstelligd door gebruik te maken van een snellere scannersnelheid wanneer de dummy-belichtingsgebieden 122b worden belicht ten opzichte van de scannersnelheid die 20 wordt gebruikt om de productiebelichtingsgebieden 122a te belichten.

[0022] Met verwijzing naar figuur 3 is een bovenaanzicht geïllustreerd van het substraat 120 dat in figuur 2 is getoond in een ander fabricagestadium waarin een andere laag lithografisch wordt belicht. De laag die in figuur 3 is belicht kan een niet-kritische laag zijn vergeleken met de laag die in figuur 2 is belicht. De overlay- en/of 25 dosisnauwkeurigheid van de laag die is belicht in figuur 3 kan bijvoorbeeld groter zijn dan 10%, terwijl de overlay- en/of dosisnauwkeurigheid van de laag die in figuur 2 is belicht kleiner dan 3% kan zijn.

[0023] Zoals hierboven beschreven kan één enkele scansnelheid worden geselecteerd voor het belichten van alle belichtingsgebieden 122 van één enkele laag die is 30 gevormd op het substraat 120. Indien echter de scannersnelheid die wordt gebruikt wanneer de belichtingsgebieden 122 van een niet-kritische laag worden belicht wordt verhoogd, ten opzichte van de scannersnelheid die wordt gebruikt wanneer de belichtingsgebieden 122 van een kritische laag worden belicht, dan kan de totale tijd die ver- 9 eist is voor het belichten van de niet-kritische lagen (en daarom cumulatief alle lagen) worden verminderd, waardoor de doorvoercapaciteit van de scanningprocedure wordt verhoogd. Dat wil zeggen, indien de scannersnelheid die wordt gebruikt voor het belichten van de belichtingsgebieden 122 van een niet-kritische laag aanzienlijk groter is 5 dan de gemiddelde scannersnelheid die wordt gebruikt voor het belichten van de belichtingsgebieden 122 van een kritische laag, dan kan de totale scantijd voor alle lagen worden verminderd. Zo kan bijvoorbeeld de scannersnelheid die wordt gebruikt om de belichtingsgebieden 122 van een niet-kritische laag te belichten ten minste circa 50% groter zijn dan de gemiddelde scannersnelheid die wordt gebruikt om de belichtingsge-10 bieden 122 van een kritische laag te belichten. Of, de scannersnelheid die wordt gebruikt om de belichtingsgebieden 122 van een niet-kritische laag te belichten kan ten minste circa 50% groter zijn dan de langzaamste scannersnelheid die wordt gebruikt om een willekeurig belichtingsgebied 122 van een kritische laag te belichten (zoals één van de belichtingsgebieden 122a van figuur 2).

15 [0024] Nu wordt het voorbeeld beschouwd waarbij er 200 belichtingsgebieden 122 van een niet-kritische laag zijn, zoals geïllustreerd in figuur 3. Indien de scannersnelheid die wordt gebruikt om de belichtingsgebieden 122 van de niet-kritische laag te belichten ten minste circa 100% groter is dan de langzaamste scannersnelheid die wordt gebruikt om een willekeurige van de belichtingsgebieden 122 van een kritische laag te 20 belichten, dan kan de totale tijd die nodig is om alle belichtingsgebieden 122 van de niet-kritische laag te belichten worden gereduceerd met ten minste circa 50% vergeleken met verwerking van alle belichtingsgebieden 122 van de niet-kritische laag wanneer de langzaamste scannersnelheid wordt gebruikt die wordt gebruikt om een willekeurige van de belichtingsgebieden 122 van een kritische laag te scannen. Zo kan bij-25 voorbeeld de langzaamste scannersnelheid die wordt gebruikt om een willekeurige van de belichtingsgebieden 122 van een kritische laag te scannen circa 360 mm/seconde zijn, terwijl de scannersnelheid die wordt gebruikt om de belichtingsgebieden 122 van een niet-kritische laag te scannen circa 720 mm/sec kan zijn.

[0025] Met verwijzing naar figuur 4 is een schematisch aanzicht geïllustreerd van 30 ten minste een gedeelte van een apparaat 400 dat één of meerdere aspecten van een omgeving demonstreert waarin één of meerdere aspecten van de onderhavige openbaring geïmplementeerd kunnen zijn. Het apparaat 400 kan een lithografiesysteem vol- 10 gens één of meerdere aspecten van de onderhavige openbaring zijn, omvatten of zich hierin bevinden.

[0026] Het apparaat 400 omvat een verlichtingssysteem 410, een reticuletafel 415 die is geconfigureerd om een reticule 420 vast te houden, een projectie-eenheid 425, en 5 een tafeleenheid 430. Naast andere mogelijke componenten kan het verlichtingssysteem 410 een lichtbron, een optisch illuminantie-uniformiteitssysteem (die een optische integrator of dergelijke kan omvatten), een bundelsplitser, een relaislens, een filter, en/of een reticule-scherm (waarvan er geen is getoond) omvatten. In het verlichtingssysteem 410 werpt een verlichtings- of belichtingslamp licht af door een belichtings-10 sleuf (zoals ingesteld kan zijn door het reticulescherm) heen en op de reticule 420, waarbij het schakelingspatroon of dergelijke wordt gefabriceerd met althans nagenoeg uniforme illuminantie. De verlichtings- of belichtingslamp kan onder andere omvatten: een ArF excimeerlaserbundel (bijvoorbeeld golflengte van 193 nm), een ver ultraviolet licht zoals de KrF excimeer-laserbundel (bijvoorbeeld golflengte van 248 nm), of hel-15 dere lijnen in het ultraviolette gebied die worden gegenereerd door een ultrahogedruk-kwikzilverlamp (zoals de g-lijn of de i-lijn). Het verlichtingssysteem 410 kan ook een facetlens, een staafintegrator (een integrator van interne reflectie-type), en/of een optisch brekingselement omvatten, dat een component van de optische integrator kan zijn.

[0027] De reticule 420 is bevestigd aan de reticuletafel 415 door middel van bij-20 voorbeeld vacuüm. De reticuletafel 415 kan aandrijfbaar zijn in een XY-vlak loodrecht ten opzichte van de optische as van het verlichtingssysteem 410 door een reticuletafel-aandrijfsectie, die een of meer lineaire motoren of andere bewegings-inducerende componenten kunnen omvatten. De reticuletafel 415 kan aandrijfbaar zijn in een vooraf bepaalde scanrichting, zoals langs de Y-as die in figuur 4 is getoond. Dergelijke scan-25 ning kan zijn zoals hierboven beschreven met betrekking tot de figuren la-lc, 2 en 3.

[0028] De positie van de reticuletafel 415 binnen zijn bewegingsvlak van de tafel kan periodiek of te allen tijde worden gedetecteerd via een reticule-laser-interferometer 435 via een beweegbare spiegel 440, mogelijkerwijs bij een resolutie die varieert tussen circa 0,5 nm en circa 1,0 nm. De reticuletafel 415 kan een beweegbare spiegel omvat- 30 ten die een reflectievlak heeft orthogonaal ten opzichte van de Y-as-richting en een andere beweegbare spiegel die een reflectieoppervlak heeft orthogonaal ten opzichte van een X-as-richting, alsmede een reticule-Y-interferometer en een reticule-X-interferometer die corresponderen met dergelijke spiegels. In figuur 4 zijn echter een 11 dergelijke uitvoeringsvorm en andere uitvoeringsvormen schematisch vertegenwoordigd door beweegbare spiegel 440 en reticule-interferometer 435.

[0029] Informatie die de positie van de reticule-tafel 415 beschrijft kan worden overgedragen vanuit de reticule-interferometer 435 naar een hoofdbesturingseenheid 5 445, zoals via een tafelbesturingseenheid 450. De tafelbesturingseenheid 450 kan zijn geconfigureerd om de reticule-tafel 415 via de reticuletafel-aandrijfsectie aan te drijven en/of te besturen, op basis van de positie-informatie van de reticule-tafel 415 en als reactie op instructies van de hoofdbesturingseenheid 445.

[0030] De optische as van de projectie-eenheid 425 kan samenvallen met de opti-10 sche as van het verlichtingssysteem 410. De projectie-eenheid 425 kan een vatvormige structuur omvatten die een optisch projectiesysteem huisvest dat een veelheid lenzen, lenselementen, en/of andere optische elementen omvat die dezelfde optische as in de Z-as-richting delen en die in een vooraf bepaalde positieverhouding binnen de behuizing worden vastgehouden. Zo kan bijvoorbeeld een tweezijdig telecentrisch dioptrisch sys-15 teem dat een vooraf bepaalde projectievergroting (bijvoorbeeld 1/4 X of 1/5 X) heeft worden gebruikt. Op overeenkomstige wijze kan, wanneer belichtingslicht vanuit het verlichtingssysteem 410 het verlichtingsgebied op de reticule 420 verlicht, het verlich-tingslicht dat door de reticule 420 loopt door de projectie-eenheid 425 lopen en kan een gereduceerd beeld van het schakelingspatroon binnen het verlichtingsgebied op de reti-20 cule 420 (een gedeeltelijk gereduceerd beeld van het schakelingspatroon) op de wafer of het substraat 455 vormen, waarvan het oppervlak bekleed kan zijn met een afdeklak en/of ander fotogevoelig materiaal.

[0031] Het apparaat 400 kan ook een vloeistof-toevoer/afvoer-eenheid 460 omvatten, zodat het apparaat 400 geconfigureerd kan worden voor gebruik in immersie- 25 lithografieverwerking. De vloeistof-toevoer/afvoer-eenheid 32 kan worden bevestigd aan de projectie-eenheid 425 zodat zij het onderste einde van de projectie-eenheid 425 omgeeft.

[0032] De tafeleenheid 430 kan een wafertafel 465 omvatten die kan dienen als een substraattafel, een waferhouder 470 die is voorzien op de wafertafel 465, en een 30 wafertafel-aandrijfsectie 475 die is geconfigureerd om de wafertafel 465 en waferhouder 470 aan te drijven. De wafertafel 465 omvat een XY-tafel 480, die kan worden aangedreven in de XY-richting door lineaire motoren en/of andere componenten. De wafertafel 465 omvat tevens een Z-tafel 485, die gemonteerd kan zijn op de XY-tafel 480 12 en die geconfigureerd kan zijn om beweging te verschaffen in de Z-as-richting en/of in een hellingsrichting met betrekking tot het XY-vlak (de draairichting rond de X-as (Ωχ) en de draairichting rond de Y-as (Ωγ)), zoals door een Z-kantelaandrijfmechanisme. De XY-tafel 480 kan tevens zijn geconfigureerd om beweegbaar te zijn, niet alleen in de 5 scanrichting (de richting van de Y-as) maar ook in een niet-scanrichting (de richting van de X-as) loodrecht aan de scanrichting.

[0033] Naar de XY-tafel 480 en de Z-tafel 485 kan gemeenschappelijk worden verwezen als een wafertafel. De positie van een wafertafel binnen het XY-vlak, mogelijk met inbegrip van rotatie rond de Z-as (Ωζ), wordt periodiek of te allen tijde gede- 10 tecteerd door een waferlaser-interferometer 490, zoals via een beweegbare spiegel 495 die is voorzien op het bovenvlak van de Z-kanteltafel 485, mogelijkerwijs bij een resolutie die varieert tussen bijvoorbeeld circa 0,5 nm en circa 1 nm. Een dergelijke configuratie kan ook een duale-spiegel-, duale-interferometer-configuratie omvatten zoals hierboven is beschreven met betrekking tot de reticule-tafel 415.

15 [0034] Positie- en/of snelheidsinformatie met betrekking tot de wafertafel kunnen worden overgedragen naar de tafelbesturingseenheid 450, en dan naar de hoofdbesturingseenheid 445. De tafelbesturingseenheid 450 kan zijn geconfigureerd voor het besturen van de wafertafel via de wafertafel-aandrijfsectie 475 op basis van de positie-en/of snelheidsinformatie van de wafertafel, zoals als reactie op instructies vanuit de 20 hoofdbesturingseenheid 445.

[0035] Derhalve introduceert de onderhavige openbaring een werkwijze voor gebruik bij de fabricage van een micro-elektronisch apparaat, waarbij de werkwijze omvat: belichten van een dummy-veld op een substraat door gebruik te maken van een lithografiescanner bij een eerste snelheid, en belichten van een productieveld op het 25 substraat door gebruik te maken van de lithografiescanner bij een tweede snelheid, waarbij de eerste snelheid aanzienlijker groter is dan de tweede snelheid.

[0036] Een andere werkwijze voor gebruik bij de fabricage van een micro-elektronisch apparaat die is geïntroduceerd in de onderhavige openbaring omvat belichten van een niet-kritische laag van het apparaat door gebruik te maken van een lithogra- 30 fiescanner bij een eerste snelheid, en belichten van een kritische laag van het apparaat door gebruik te maken van de lithografiescanner bij een tweede snelheid, waarbij de eerste snelheid aanzienlijk groter is dan de tweede snelheid.

13

[0037] De onderhavige openbaring introduceert tevens een apparaat dat een middel omvat voor belichten van een dummy-veld en een productieveld op een substraat door gebruik te maken van een lithografiescanner bij een eerste snelheid om het dummy-veld te belichten en bij een tweede snelheid om het productieveld te belichten, waarbij 5 de eerste snelheid aanzienlijk groter is dan de tweede snelheid.

[0038] Een ander apparaat dat is geïntroduceerd in de onderhavige openbaring omvat middelen voor belichten van een kritische laag en een niet-kritische laag op een substraat bij de fabricage van een micro-elektronische inrichting door gebruik te maken van een lithografiescanner bij een eerste snelheid om de niet-kritische laag te belichten 10 en bij een tweede snelheid om de kritische laag te belichten, waarbij de eerste snelheid aanzienlijk groter is dan de tweede snelheid.

[0039] Het bovenstaande schetst eigenschappen van diverse uitvoeringsvormen zodat de vakman de aspecten van de onderhavige openbaring beter kan begrijpen. De vakman zal begrijpen dat hij de onderhavige openbaring eenvoudig kan gebruiken als 15 een basis voor het ontwerpen of modificeren van andere processen en structuren voor het uitvoeren van dezelfde doeleinden en/of voor het bereiken van dezelfde voordelen van de hier geïntroduceerde uitvoeringsvormen. De vakman zal zich tevens realiseren dat dergelijke equivalente constructies niet afwijken van de geest en reikwijdte van de onderhavige openbaring en dat hij verscheidene veranderingen, substituties en wijzin- ' 20 gen hierin kan aanbrengen zonder af te wijken van de geest en reikwijdte van de onderhavige openbaring.

Claims

1. Werkwijze voor fabriceren van een micro-elektronisch apparaat, omvattend: belichten van een dummy-veld op een substraat door gebruik te maken van een 5 lithografiescanner bij een eerste snelheid; en belichten van een productieveld op het substraat door gebruik te maken van de lithografiescanner bij een tweede snelheid; waarbij de eerste snelheid aanzienlijker groter is dan de tweede snelheid.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de eerste snelheid en de tweede snelheid elk een snelheid van het substraat en ten minste een gedeelte van de lithografie-scanner ten opzichte van elkaar zijn.

3. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de eerste snelheid ten minste circa 15 50% groter is dan de tweede snelheid.

4. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de eerste snelheid ten minste circa 100% groter is dan de tweede snelheid.

5. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de eerste snelheid cira 720 mm/seconde en de tweede snelheid circa 360 mm/seconde is.

6. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij belichten van het dummy-veld op het substraat belichten van een laag op het substraat omvat, en waarbij belichten van het 25 productieveld op het substraat belichten van dezelfde laag omvat.

7. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij belichten van het dummy-veld belichten van een patroon in het dummy-veld omvat en waarbij belichten van het productieveld belichten van hetzelfde patroon in het productieveld omvat. 30

8. Werkwijze voor fabriceren van een micro-elektronisch apparaat, omvattende: belichten van een niet-kritische laag van het apparaat door gebruik te maken van een lithografiescanner bij een eerste snelheid; en 2000644 belichten van een kritische laag van het apparaat door gebruik te maken van de lithografïescanner bij een tweede snelheid; waarbij de eerste snelheid aanzienlijk groter is dan de tweede snelheid, en waarbij de eerste snelheid en de tweede snelheid elk een snelheid van het substraat en ten 5 minste een gedeelte van de lithografie-scanner ten opzichte van elkaar zijn.

9. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij de eerste snelheid ten minste circa 50% groter dan de tweede snelheid is.

10. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij de eerste snelheid ten minste circa 100% groter is dan de tweede snelheid.

11. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij de eerste snelheid circa 720 mm/seconde is en de tweede snelheid circa 360 mm/seconde is.

12. Apparaat, omvattend; middelen voor belichten van een dummy-veld en een productieveld op een substraat door gebruik te maken van een lithografïescanner bij een eerste snelheid om het dummy-veld te belichten en bij een tweede snelheid om het productieveld te 20 belichten, waarbij de eerste snelheid aanzienlijk groter is dan de tweede snelheid.

13. Apparaat volgens conclusie 12, waarbij de eerste snelheid en de tweede snelheid elk een snelheid van het substraat en ten minste een gedeelte van de lithografie-scanner ten opzichte van elkaar zijn. 25

14. Apparaat volgens conclusie 12, waarbij de eerste snelheid ten minste circa 50% groter is dan de tweede snelheid.

15. Apparaat volgens conclusie 12, waarbij de eerste snelheid ten minste circa 30 100% groter is dan de tweede snelheid.

16. Apparaat volgens conclusie 12, waarbij de eerste snelheid circa 720 mm/seconde is en de tweede snelheid circa 360 mm/seconde is.

17. Apparaat volgens conclusie 12, waarbij belichten van het dummy-veld op het substraat belichten van een laag op het substraat omvat, en waarbij belichten van het productieveld op het substraat belichten van dezelfde laag omvat. 5

18. Apparaat volgens conclusie 12, waarbij belichten van het dummy-veld belichten van een patroon in het dummy-veld omvat en waarbij belichten van het productieveld belichten van hetzelfde patroon in het productieveld omvat.

19. Apparaat, omvattend: middelen voor belichten van een kritische laag en een niet-kritische laag op een substraat bij de fabricage van een micro-elektronische inrichting door gebruik te maken van een lithografiescanner bij een eerste snelheid om de niet-kritische laag te belichten en bij een tweede snelheid om de kritische laag te belichten, waarbij de eerste snelheid 15 aanzienlijk groter is dan de tweede snelheid, en waarbij de eerste snelheid en de tweede snelheid elk een snelheid van het substraat en ten minste een gedeelte van de lithografie-scanner ten opzichte van elkaar zijn.

20. Apparaat volgens conclusie 19, waarbij de eerste snelheid ten minste circa 20 50% groter dan de tweede snelheid is.

21. Apparaat volgens conclusie 19, waarbij de eerste snelheid ten minste circa 100% groter is dan de tweede snelheid.

22. Apparaat volgens conclusie 19, waarbij de eerste snelheid circa 720 mm/seconde is en de tweede snelheid circa 360 mm/seconde is. 2000644