NL191587C - Werkwijze voor het vervaardigen van een geïntegreerde-keten-inrichting. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een geïntegreerde-keten-inrichting.

Info

Publication number
NL191587C
NL191587C NL8104741A NL8104741A NL191587C NL 191587 C NL191587 C NL 191587C NL 8104741 A NL8104741 A NL 8104741A NL 8104741 A NL8104741 A NL 8104741A NL 191587 C NL191587 C NL 191587C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
chain device
integrated chain
integrated
chain
Prior art date
Application number
NL8104741A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL8104741A (nl
NL191587B (nl
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL8104741A publication Critical patent/NL8104741A/nl
Publication of NL191587B publication Critical patent/NL191587B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL191587C publication Critical patent/NL191587C/xx

Links

Classifications

    • H10P50/287—
    • H10P50/283—
    • H10P50/73—
    • H10P14/683—
NL8104741A 1980-10-20 1981-10-19 Werkwijze voor het vervaardigen van een geïntegreerde-keten-inrichting. NL191587C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/199,023 US4333793A (en) 1980-10-20 1980-10-20 High-selectivity plasma-assisted etching of resist-masked layer
US19902380 1980-10-20

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8104741A NL8104741A (nl) 1982-05-17
NL191587B NL191587B (nl) 1995-06-01
NL191587C true NL191587C (nl) 1995-10-03

Family

ID=22735887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8104741A NL191587C (nl) 1980-10-20 1981-10-19 Werkwijze voor het vervaardigen van een geïntegreerde-keten-inrichting.

Country Status (13)

Country Link
US (1) US4333793A (oth)
JP (1) JPS5799745A (oth)
BE (1) BE890772A (oth)
CA (1) CA1160759A (oth)
DE (1) DE3140890C2 (oth)
ES (1) ES506354A0 (oth)
FR (1) FR2492591A1 (oth)
GB (1) GB2085809B (oth)
HK (1) HK6786A (oth)
IE (1) IE52530B1 (oth)
IT (1) IT1139988B (oth)
NL (1) NL191587C (oth)
SE (1) SE455743B (oth)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3173581D1 (en) * 1980-10-28 1986-03-06 Toshiba Kk Masking process for semiconductor devices using a polymer film
US4397724A (en) * 1981-08-24 1983-08-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers
US4372807A (en) * 1982-03-25 1983-02-08 Rca Corporation Plasma etching of aluminum
US4375385A (en) * 1982-03-25 1983-03-01 Rca Corporation Plasma etching of aluminum
JPS58204537A (ja) * 1982-05-24 1983-11-29 Hitachi Ltd プラズマエツチング方法
US4422897A (en) * 1982-05-25 1983-12-27 Massachusetts Institute Of Technology Process for selectively etching silicon
US4436584A (en) 1983-03-21 1984-03-13 Sperry Corporation Anisotropic plasma etching of semiconductors
US4451349A (en) * 1983-04-20 1984-05-29 International Business Machines Corporation Electrode treatment for plasma patterning of polymers
JPH0622212B2 (ja) * 1983-05-31 1994-03-23 株式会社東芝 ドライエッチング方法
US4430153A (en) 1983-06-30 1984-02-07 International Business Machines Corporation Method of forming an RIE etch barrier by in situ conversion of a silicon containing alkyl polyamide/polyimide
US4452665A (en) * 1983-10-12 1984-06-05 International Business Machines Corporation Polymeric halocarbons as plasma etch barriers
US4470871A (en) * 1983-12-27 1984-09-11 Rca Corporation Preparation of organic layers for oxygen etching
US4534826A (en) * 1983-12-29 1985-08-13 Ibm Corporation Trench etch process for dielectric isolation
US4601913A (en) * 1984-06-27 1986-07-22 International Business Machines Corporation Underlay surface modification to control resin glass polymerization
US4528066A (en) * 1984-07-06 1985-07-09 Ibm Corporation Selective anisotropic reactive ion etching process for polysilicide composite structures
US4613400A (en) * 1985-05-20 1986-09-23 Applied Materials, Inc. In-situ photoresist capping process for plasma etching
DE3615519A1 (de) * 1986-05-07 1987-11-12 Siemens Ag Verfahren zum erzeugen von kontaktloechern mit abgeschraegten flanken in zwischenoxidschichten
US5332653A (en) * 1992-07-01 1994-07-26 Motorola, Inc. Process for forming a conductive region without photoresist-related reflective notching damage
US5562801A (en) * 1994-04-28 1996-10-08 Cypress Semiconductor Corporation Method of etching an oxide layer
JP3073906B2 (ja) * 1995-03-27 2000-08-07 財団法人国際超電導産業技術研究センター 超電導デバイスの製造方法
KR100327346B1 (ko) * 1999-07-20 2002-03-06 윤종용 선택적 폴리머 증착을 이용한 플라즈마 식각방법 및 이를이용한 콘택홀 형성방법
US6699792B1 (en) * 2001-07-17 2004-03-02 Advanced Micro Devices, Inc. Polymer spacers for creating small geometry space and method of manufacture thereof
CN100451831C (zh) * 2001-10-29 2009-01-14 旺宏电子股份有限公司 减小图案间隙或开口尺寸的方法
US6573177B1 (en) * 2002-02-19 2003-06-03 Macronix International Co., Ltd. Protection layer to prevent under-layer damage during deposition
US9159561B2 (en) 2013-12-26 2015-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for overcoming broken line and photoresist scum issues in tri-layer photoresist patterning
CN115047728B (zh) * 2022-07-01 2025-04-08 中国科学院光电技术研究所 等离子体共振腔透镜光刻的成像结构保护方法及其结构

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3692655A (en) * 1971-04-05 1972-09-19 Rca Corp Method of radiofrequency sputter etching
US3816196A (en) * 1971-06-07 1974-06-11 Gen Electric Passivation of photoresist materials used in selective plasma etching
GB1417085A (en) * 1973-05-17 1975-12-10 Standard Telephones Cables Ltd Plasma etching
EP0001538B1 (fr) * 1977-10-06 1983-01-12 International Business Machines Corporation Procédé de décapage sélectif par ions réactifs d'un élément
JPS5454578A (en) * 1977-10-11 1979-04-28 Fujitsu Ltd Gas plasma etching method
JPS5470772A (en) * 1977-11-16 1979-06-06 Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Dry etching method
US4226896A (en) * 1977-12-23 1980-10-07 International Business Machines Corporation Plasma method for forming a metal containing polymer
US4244799A (en) * 1978-09-11 1981-01-13 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns
US4275286A (en) * 1978-12-04 1981-06-23 Hughes Aircraft Company Process and mask for ion beam etching of fine patterns

Also Published As

Publication number Publication date
HK6786A (en) 1986-02-07
DE3140890C2 (de) 1997-08-21
NL8104741A (nl) 1982-05-17
CA1160759A (en) 1984-01-17
US4333793A (en) 1982-06-08
ES8207386A1 (es) 1982-09-01
FR2492591A1 (fr) 1982-04-23
DE3140890A1 (de) 1982-06-16
SE455743B (sv) 1988-08-01
GB2085809B (en) 1984-06-20
IT1139988B (it) 1986-09-24
IE52530B1 (en) 1987-12-09
NL191587B (nl) 1995-06-01
IE812455L (en) 1982-04-20
GB2085809A (en) 1982-05-06
ES506354A0 (es) 1982-09-01
JPS5799745A (en) 1982-06-21
FR2492591B1 (oth) 1984-12-21
BE890772A (fr) 1982-02-15
IT8124559A0 (it) 1981-10-19
SE8105859L (sv) 1982-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL191587C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geïntegreerde-keten-inrichting.
NL190256C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een fotogevoelige inrichting.
NL191424C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL191621C (nl) Werkwijze voor het maken van een halfgeleiderinrichting.
NL7707424A (nl) Geintegreerd ketenpakket en werkwijze voor het vervaardigen van zulk een pakket.
NL186984C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting.
NL186796C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ultrasone verstuiverinrichting.
NL187328C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL187456C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een legitimatiekaart of dergelijke.
NL7708157A (nl) Werkwijze voor het monteren van een depper.
NL187373C (nl) Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7708875A (nl) Werkwijze voor het identificeren van een geinte- greerde keten.
NL186352C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188432C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet.
NL185429C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een plaatvormig lichaam.
NL188774C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde halfgeleiderinrichting.
NL186662C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188668C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7706337A (nl) Werkwijze voor het bepalen van h2o2.
NL190401C (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een eindloze gewapende tandriem.
NL7710635A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7804517A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde keten.
NL186372C (nl) Werkwijze voor het vormen van een band en een inrichting voor het ten uitvoer brengen van de werkwijze.
NL186207B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20010501