NL175535C - Werkwijze voor het vanuit de vloeistoffase aangroeien van ten minste een epitaxiale laag van samengesteld halfgeleidermateriaal op een dragerlichaam van samengesteld halfgeleidermateriaal. - Google Patents

Werkwijze voor het vanuit de vloeistoffase aangroeien van ten minste een epitaxiale laag van samengesteld halfgeleidermateriaal op een dragerlichaam van samengesteld halfgeleidermateriaal.

Info

Publication number
NL175535C
NL175535C NLAANVRAGE7111290,A NL7111290A NL175535C NL 175535 C NL175535 C NL 175535C NL 7111290 A NL7111290 A NL 7111290A NL 175535 C NL175535 C NL 175535C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
composite
growing
liquid phase
epitaxial layer
carrier body
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7111290,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7111290A (show.php
NL175535B (nl
Inventor
J Grandia
R M Potemski
J M Woodall
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Publication of NL7111290A publication Critical patent/NL7111290A/xx
Publication of NL175535B publication Critical patent/NL175535B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL175535C publication Critical patent/NL175535C/xx

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/064—Rotating sliding boat system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/062—Vertical dipping system
    • H10P14/263—
    • H10P14/265—
    • H10P14/2911—
    • H10P14/3421—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
NLAANVRAGE7111290,A 1970-08-17 1971-08-16 Werkwijze voor het vanuit de vloeistoffase aangroeien van ten minste een epitaxiale laag van samengesteld halfgeleidermateriaal op een dragerlichaam van samengesteld halfgeleidermateriaal. NL175535C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US6452370A 1970-08-17 1970-08-17

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7111290A NL7111290A (show.php) 1972-02-21
NL175535B NL175535B (nl) 1984-06-18
NL175535C true NL175535C (nl) 1984-11-16

Family

ID=22056562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7111290,A NL175535C (nl) 1970-08-17 1971-08-16 Werkwijze voor het vanuit de vloeistoffase aangroeien van ten minste een epitaxiale laag van samengesteld halfgeleidermateriaal op een dragerlichaam van samengesteld halfgeleidermateriaal.

Country Status (9)

Country Link
JP (1) JPS5134391B1 (show.php)
AU (1) AU459061B2 (show.php)
BE (1) BE771417A (show.php)
CA (1) CA955507A (show.php)
CH (1) CH548791A (show.php)
FR (1) FR2104258A5 (show.php)
GB (1) GB1300187A (show.php)
NL (1) NL175535C (show.php)
SE (1) SE377055B (show.php)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61126501U (show.php) * 1985-01-26 1986-08-08
JP3139329B2 (ja) * 1995-07-14 2001-02-26 株式会社村田製作所 液相エピタキシャル成長装置

Also Published As

Publication number Publication date
SE377055B (show.php) 1975-06-23
JPS5134391B1 (show.php) 1976-09-25
DE2140582A1 (de) 1972-02-24
CH548791A (de) 1974-05-15
AU3240971A (en) 1973-02-22
AU459061B2 (en) 1975-03-13
BE771417A (fr) 1971-12-31
NL7111290A (show.php) 1972-02-21
DE2140582B2 (de) 1975-06-19
FR2104258A5 (show.php) 1972-04-14
CA955507A (en) 1974-10-01
NL175535B (nl) 1984-06-18
GB1300187A (en) 1972-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL180467C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een op een halfgeleidersubstraat aangegroeide epitaxiale laag van halfgeleidermateriaal, die in afzonderlijke eilandzones is verdeeld door een door plaatselijke oxydatie van halfgeleidermateriaal van de laag in de laag gevormd patroon van isolerend materiaal.
NL171309C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL161302C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL142287B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7405317A (nl) Inrichting voor het aanbrengen van een epitaxiale laag op ondermaterialen.
NL7414007A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL160984C (nl) Werkwijze voor het elektrolytisch vormen van een oxyde- laag op het oppervlak van een lichaam van een gallium bevattende halfgeleidende verbinding.
CA968674A (en) Method of depositing an epitaxial semiconductor layer from the liquid phase
NL163372C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een monokristallijn halfgeleiderlichaam met een door aangroeien vanuit de dampfase verkregen halfgeleidende laag, die een gebied van monokristallijn materiaal en een gebied van polykristallijn materiaal omvat.
NL7413791A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL161619B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
BE814426A (nl) Werkwijze en inrichting voor het aangroeien van epitaxiale lagen vanuit de vloeistoffase
NL161920C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd.
NL172876C (nl) Werkwijze voor het epitaxiaal vanuit de vloeibare fase laten groeien van gaas of alxgaŸ1-xas op een substraat.
NL164157B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL175535C (nl) Werkwijze voor het vanuit de vloeistoffase aangroeien van ten minste een epitaxiale laag van samengesteld halfgeleidermateriaal op een dragerlichaam van samengesteld halfgeleidermateriaal.
NL173729C (nl) Machine voor het aanbrengen van een voorwerpdrager.
NL166074B (nl) Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat.
NL185375C (nl) Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal.
NL149860B (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een metaallaag van wolfraam of molybdeen op een halfgeleiderlichaam, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van schottkykeerlaag verkregen volgens deze werkwijze.
NL176413B (nl) Werkwijze voor het vormen van een drager voor een halfgeleiderelement.
NL181767B (nl) Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee