NL171397C - Veldeffekttransistor met een kort kanaalgebied en met geisoleerde stuurelektrode. - Google Patents

Veldeffekttransistor met een kort kanaalgebied en met geisoleerde stuurelektrode.

Info

Publication number
NL171397C
NL171397C NLAANVRAGE7609052,A NL7609052A NL171397C NL 171397 C NL171397 C NL 171397C NL 7609052 A NL7609052 A NL 7609052A NL 171397 C NL171397 C NL 171397C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
field
effect transistor
control electrode
short channel
channel area
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7609052,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7609052A (nl
NL171397B (nl
Original Assignee
Nippon Telegraph & Telephone
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph & Telephone filed Critical Nippon Telegraph & Telephone
Publication of NL7609052A publication Critical patent/NL7609052A/xx
Publication of NL171397B publication Critical patent/NL171397B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL171397C publication Critical patent/NL171397C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
    • H10D62/213—Channel regions of field-effect devices
    • H10D62/221—Channel regions of field-effect devices of FETs
    • H10D62/235—Channel regions of field-effect devices of FETs of IGFETs
    • H10D62/299—Channel regions of field-effect devices of FETs of IGFETs having lateral doping variations
    • H10D62/307—Channel regions of field-effect devices of FETs of IGFETs having lateral doping variations the doping variations being parallel to the channel lengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
NLAANVRAGE7609052,A 1975-08-14 1976-08-13 Veldeffekttransistor met een kort kanaalgebied en met geisoleerde stuurelektrode. NL171397C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50098092A JPS5222480A (en) 1975-08-14 1975-08-14 Insulating gate field effect transistor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7609052A NL7609052A (nl) 1977-02-16
NL171397B NL171397B (nl) 1982-10-18
NL171397C true NL171397C (nl) 1983-03-16

Family

ID=14210688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7609052,A NL171397C (nl) 1975-08-14 1976-08-13 Veldeffekttransistor met een kort kanaalgebied en met geisoleerde stuurelektrode.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4091405A (enExample)
JP (1) JPS5222480A (enExample)
CA (1) CA1054723A (enExample)
DE (1) DE2636369C2 (enExample)
FR (1) FR2321194A1 (enExample)
NL (1) NL171397C (enExample)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5448489A (en) * 1977-09-26 1979-04-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Mis type semiconductor device
US4217599A (en) * 1977-12-21 1980-08-12 Tektronix, Inc. Narrow channel MOS devices and method of manufacturing
DE2802838A1 (de) * 1978-01-23 1979-08-16 Siemens Ag Mis-feldeffekttransistor mit kurzer kanallaenge
JPS55105373A (en) * 1978-12-04 1980-08-12 Mostek Corp Metal oxide semiconductor transistor and method of fabricating same
US4274105A (en) * 1978-12-29 1981-06-16 International Business Machines Corporation MOSFET Substrate sensitivity control
DE2926416A1 (de) * 1979-06-29 1981-01-22 Siemens Ag Dynamische halbleiter-speicherzelle und verfahren zu ihrer herstellung
DE2926417A1 (de) * 1979-06-29 1981-01-22 Siemens Ag Dynamische halbleiterspeicherzelle und verfahren zu ihrer herstellung
JPS56501509A (enExample) * 1979-11-14 1981-10-15
US4937640A (en) * 1980-11-03 1990-06-26 International Business Machines Corporation Short channel MOSFET
JPS58115863A (ja) * 1981-12-28 1983-07-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 絶縁ゲ−ト型電界効果半導体装置およびその製造方法
JPS62217666A (ja) * 1986-03-18 1987-09-25 Nippon Denso Co Ltd Ｍｉｓトランジスタ
US4943537A (en) * 1988-06-23 1990-07-24 Dallas Semiconductor Corporation CMOS integrated circuit with reduced susceptibility to PMOS punchthrough
US5122474A (en) * 1988-06-23 1992-06-16 Dallas Semiconductor Corporation Method of fabricating a CMOS IC with reduced susceptibility to PMOS punchthrough
JPH0734475B2 (ja) * 1989-03-10 1995-04-12 株式会社東芝 半導体装置
JP3229012B2 (ja) * 1992-05-21 2001-11-12 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5372960A (en) * 1994-01-04 1994-12-13 Motorola, Inc. Method of fabricating an insulated gate semiconductor device
DE112018000797T5 (de) 2017-02-13 2019-12-05 Uacj Corporation Stranggepresste flache perforierte Aluminiumröhre mit hervorragenden Hartlöteigenschaften und Außenoberflächenkorrosionsbeständigkeit, und unter Verwendung davon erhaltener Aluminiumwärmetauscher
CN110290883A (zh) 2017-02-13 2019-09-27 株式会社Uacj 内外表面防腐蚀性优异的铝挤出扁平多孔管及使用其而成的铝制热交换器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3305708A (en) * 1964-11-25 1967-02-21 Rca Corp Insulated-gate field-effect semiconductor device
US3600647A (en) * 1970-03-02 1971-08-17 Gen Electric Field-effect transistor with reduced drain-to-substrate capacitance
JPS4931509U (enExample) * 1972-06-17 1974-03-19
US3891190A (en) * 1972-07-07 1975-06-24 Intel Corp Integrated circuit structure and method for making integrated circuit structure
US3868187A (en) * 1972-08-31 1975-02-25 Tokyo Shibaura Electric Co Avalanche injection type mos memory
JPS5636585B2 (enExample) * 1973-07-02 1981-08-25
JPS5024084A (enExample) * 1973-07-05 1975-03-14

Also Published As

Publication number Publication date
CA1054723A (en) 1979-05-15
US4091405A (en) 1978-05-23
NL7609052A (nl) 1977-02-16
FR2321194B1 (enExample) 1979-08-17
DE2636369C2 (de) 1981-09-24
DE2636369A1 (de) 1977-02-17
FR2321194A1 (fr) 1977-03-11
JPS5222480A (en) 1977-02-19
NL171397B (nl) 1982-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7903736A (nl) Hoogspanningsketen met een veldeffekttransistor met geisoleerde stuurelektrode.
NL171397C (nl) Veldeffekttransistor met een kort kanaalgebied en met geisoleerde stuurelektrode.
NL186887C (nl) Laterale veldeffekttransistor met geisoleerde stuurelektrode.
JPS5239381A (en) Insulated gate fet transistor
GB1556276A (en) Insulated gate field effect transistors
GB2004690B (en) Insulated gate field-effect transistor read-only memory cell
NL7704867A (nl) Veldeffecttransistor met een oppervlaktekanaal.
NL7602970A (nl) Bandvormige elektrode.
JPS5232281A (en) Mosfet transistor
NL7701776A (nl) Veldeffekttransistor met zeer korte kanaallengte.
NL184551C (nl) Veldeffekttransistor met geisoleerde stuurelektrode.
NL189273C (nl) Transistor met geisoleerde stuurelektrode.
NL156268B (nl) Veldeffecttransistor met een dielektrische laag onder de stuurelektrode.
NL141330B (nl) Veldeffecttransistor met een besturingspoortelektrode, aangebracht op een dielektrische oxydelaag.
NL172678B (nl) Elektrode-inrichting.
JPS5283181A (en) Insulated gate fet transistor device
NL7600828A (nl) Ionenselektieve elektrode.
NL7614222A (nl) Kanaalkiesinrichting.
NL7511081A (nl) Verzegelinrichting.
NL7613308A (nl) Kanaalkiesinrichting.
NL191525B (nl) Halfgeleiderinrichting omvattende een stroomkanaalgebied van een eerste geleidingstype dat wordt omsloten door een van een stuurelektrode voorzien stuurgebied van een tweede geleidingstype.
NL7613001A (nl) Kanaalkiesinrichting.
NL7506288A (nl) Complementair veldeffekttransistorstelsel met geisoleerde poortelektrode.
NL158324B (nl) Halfgeleiderinrichting met een tegen overspanningen te beschermen veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode.
NL7500823A (nl) Ion-selektieve elektrode.

Legal Events

Date Code Title Description
SNR Assignments of patents or rights arising from examined patent applications

Owner name: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION

V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Free format text: 960813