NL161304C - Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd.

Info

Publication number
NL161304C
NL161304C NL6910027.A NL6910027A NL161304C NL 161304 C NL161304 C NL 161304C NL 6910027 A NL6910027 A NL 6910027A NL 161304 C NL161304 C NL 161304C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
layered
layer
electrode
layered region
region
Prior art date
Application number
NL6910027.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL161304B (nl
NL6910027A (xx
Inventor
Theodorus Joannes Tulp
Johannes Arnoldus Appels
Else Dr Kooi
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL6910027.A priority Critical patent/NL161304C/xx
Priority to DE2030917A priority patent/DE2030917C3/de
Priority to US49403A priority patent/US3678347A/en
Priority to GB3112770A priority patent/GB1320778A/en
Priority to SE08986/70A priority patent/SE367513B/xx
Priority to CH983470A priority patent/CH511512A/de
Priority to JP45057231A priority patent/JPS4944793B1/ja
Priority to FR7024423A priority patent/FR2050427B1/fr
Publication of NL6910027A publication Critical patent/NL6910027A/xx
Publication of NL161304B publication Critical patent/NL161304B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL161304C publication Critical patent/NL161304C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
    • H01L21/76291—Lateral isolation by field effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thyristors (AREA)
NL6910027.A 1969-07-01 1969-07-01 Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd. NL161304C (nl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6910027.A NL161304C (nl) 1969-07-01 1969-07-01 Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd.
DE2030917A DE2030917C3 (de) 1969-07-01 1970-06-23 Halbleiteranordnung
US49403A US3678347A (en) 1969-07-01 1970-06-24 Deep depletion semiconductor device with surface inversion preventing means
GB3112770A GB1320778A (en) 1969-07-01 1970-06-26 Semiconductor devices
SE08986/70A SE367513B (xx) 1969-07-01 1970-06-29
CH983470A CH511512A (de) 1969-07-01 1970-06-29 Halbleitervorrichtung
JP45057231A JPS4944793B1 (xx) 1969-07-01 1970-07-01
FR7024423A FR2050427B1 (xx) 1969-07-01 1970-07-01

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6910027.A NL161304C (nl) 1969-07-01 1969-07-01 Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL6910027A NL6910027A (xx) 1971-01-05
NL161304B NL161304B (nl) 1979-08-15
NL161304C true NL161304C (nl) 1980-01-15

Family

ID=19807349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6910027.A NL161304C (nl) 1969-07-01 1969-07-01 Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3678347A (xx)
JP (1) JPS4944793B1 (xx)
CH (1) CH511512A (xx)
DE (1) DE2030917C3 (xx)
FR (1) FR2050427B1 (xx)
GB (1) GB1320778A (xx)
NL (1) NL161304C (xx)
SE (1) SE367513B (xx)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA948331A (en) * 1971-03-16 1974-05-28 Michael F. Tompsett Charge transfer imaging devices
JPS5214944B1 (xx) * 1971-06-04 1977-04-25
JPS573225B2 (xx) * 1974-08-19 1982-01-20
US4035829A (en) * 1975-01-13 1977-07-12 Rca Corporation Semiconductor device and method of electrically isolating circuit components thereon
US4611220A (en) * 1983-11-16 1986-09-09 General Motors Corporation Junction-MOS power field effect transistor
US4786952A (en) * 1986-07-24 1988-11-22 General Motors Corporation High voltage depletion mode MOS power field effect transistor
US4769685A (en) * 1986-10-27 1988-09-06 General Motors Corporation Recessed-gate junction-MOS field effect transistor
US7714352B2 (en) * 2006-02-09 2010-05-11 Nissan Motor Co., Ltd. Hetero junction semiconductor device
US10374070B2 (en) 2013-02-07 2019-08-06 John Wood Bidirectional bipolar-mode JFET driver circuitry
US10049884B2 (en) * 2013-02-07 2018-08-14 John Wood Anodic etching of substrates
US11101372B2 (en) 2013-02-07 2021-08-24 John Wood Double-sided vertical power transistor structure
US10700216B2 (en) 2013-02-07 2020-06-30 John Wood Bidirectional bipolar-mode JFET driver circuitry
US10084054B2 (en) 2016-06-03 2018-09-25 Alfred I. Grayzel Field effect transistor which can be biased to achieve a uniform depletion region

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1789084B2 (de) * 1961-08-17 1973-05-30 Rca Corp., New York, N.Y. (V.St.A.) Duennschicht-verknuepfungsglied und verfahren zu seiner herstellung
US3576392A (en) * 1968-06-26 1971-04-27 Rca Corp Semiconductor vidicon target having electronically alterable light response characteristics
US3560815A (en) * 1968-10-10 1971-02-02 Gen Electric Voltage-variable capacitor with extendible pn junction region
US3535600A (en) * 1968-10-10 1970-10-20 Gen Electric Mos varactor diode
US3566219A (en) * 1969-01-16 1971-02-23 Signetics Corp Pinched resistor semiconductor structure

Also Published As

Publication number Publication date
FR2050427B1 (xx) 1976-03-19
DE2030917A1 (de) 1971-01-14
FR2050427A1 (xx) 1971-04-02
NL161304B (nl) 1979-08-15
DE2030917B2 (de) 1980-11-20
GB1320778A (en) 1973-06-20
SE367513B (xx) 1974-05-27
DE2030917C3 (de) 1981-07-09
US3678347A (en) 1972-07-18
CH511512A (de) 1971-08-15
JPS4944793B1 (xx) 1974-11-30
NL6910027A (xx) 1971-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL175772C (nl) Veldeffectgeheugentransistor met geisoleerde stuurelektrode die door een samengestelde isolatielaag wordt gescheiden van de kanaalzone.
NL145087B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektrisch contactmateriaal, alsmede elektrisch contact vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL144641B (nl) Werkwijze voor het verbeteren van de bestandheid van gesegmenteerde polyurethanen tegen verkleuring.
NL154870C (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrich- tingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleider- inrichting.
NL161304C (nl) Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd.
NL140659B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde poort en een veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL144091B (nl) Halfgeleiderveldeffectinrichting van het type met een geisoleerde poortelektrode.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL161922B (nl) Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleider- lichaam met twee onderling gescheiden delen van een halfgeleiderschakelelement, die grenzen aan een opper- vlak van het halfgeleiderlichaam, en een door een isolerende laag van het oppervlak gescheiden elektrisch geleidende laag tegenover het halfgeleiderlichaam tussen de twee delen.
NL142337B (nl) Werkwijze en inrichting voor het bekleden van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerpen bekleed volgens deze werkwijze of met behulp van deze inrichting.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL141031B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met ten minste een elektrisch geisoleerd halfgeleidergebied, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL152234B (nl) Werkwijze voor het omzetten van een arylcarbinol in de overeenkomstige koolwaterstof.
NL154876B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektrisch werkzame inrichtingen met monokorrellagen met actieve korrels in een isolerende vulstof, alsmede volgens deze werkwijze verkregen elektrisch werkzame inrichting.
NL158325B (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een veelvoud van geleidende lagen, met een vooraf bepaald patroon van geleiders.
NL168654B (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleider- lichaam van een eerste geleidingstype met een door dif- fusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede gelei- dingstype.
NL177263C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag.
NL167627C (nl) Inrichting voor het continu vervaardigen van vlakke laminaten.
NL142391B (nl) Werkwijze voor het verminderen van de polymerisatie van butadieen.
NL154866B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL145730B (nl) Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor.
NL141030B (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een elektrode bij een halfgeleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL147884B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen met een vlak systeem van een of meer geleidende en isolerende lagen.
NL7413977A (nl) Aanbrengen van een geleiderlaagpatroon met op een geringe onderlinge afstand gelegen delen, in het bijzonder bij de vervaardiging van half- geleiderinrichtingen.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Information provided on patent owner name for an already discontinued patent

Owner name: PHILIPS