NL155399B - Werkwijze voor het vervaardigen van veldeffecttransistoren met geisoleerde stuurelektrode, alsmede aldus vervaardigde veldeffecttransistoren. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van veldeffecttransistoren met geisoleerde stuurelektrode, alsmede aldus vervaardigde veldeffecttransistoren.

Info

Publication number
NL155399B
NL155399B NL727203614A NL7203614A NL155399B NL 155399 B NL155399 B NL 155399B NL 727203614 A NL727203614 A NL 727203614A NL 7203614 A NL7203614 A NL 7203614A NL 155399 B NL155399 B NL 155399B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
field effect
effect transistors
manufactured
procedure
manufacture
Prior art date
Application number
NL727203614A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7203614A (fr
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7203614A publication Critical patent/NL7203614A/xx
Publication of NL155399B publication Critical patent/NL155399B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/2654—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/126—Power FETs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
NL727203614A 1971-03-18 1972-03-17 Werkwijze voor het vervaardigen van veldeffecttransistoren met geisoleerde stuurelektrode, alsmede aldus vervaardigde veldeffecttransistoren. NL155399B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12552871A 1971-03-18 1971-03-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7203614A NL7203614A (fr) 1972-09-20
NL155399B true NL155399B (nl) 1977-12-15

Family

ID=22420128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL727203614A NL155399B (nl) 1971-03-18 1972-03-17 Werkwijze voor het vervaardigen van veldeffecttransistoren met geisoleerde stuurelektrode, alsmede aldus vervaardigde veldeffecttransistoren.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3700978A (fr)
JP (1) JPS5225076B1 (fr)
BE (1) BE780695A (fr)
DE (1) DE2212489C3 (fr)
FR (1) FR2130424B1 (fr)
GB (1) GB1376492A (fr)
IT (1) IT953974B (fr)
NL (1) NL155399B (fr)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971057A (en) * 1973-08-21 1976-07-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Lateral photodetector of improved sensitivity
CA1049127A (fr) * 1974-03-05 1979-02-20 Kunio Itoh Dispositifs a semiconducteur avec rayonnement thermique et concentration de courant ameliores
US4194021A (en) * 1977-10-27 1980-03-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Microwave InP/SiO2 insulated gate field effect transistor
US4252580A (en) * 1977-10-27 1981-02-24 Messick Louis J Method of producing a microwave InP/SiO2 insulated gate field effect transistor
US4161739A (en) * 1977-10-27 1979-07-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Microwave InP/SiO2 insulated gate field effect transistor
US4160984A (en) * 1977-11-14 1979-07-10 Hughes Aircraft Company Schottky-gate field-effect transistor and fabrication process therefor
US4244097A (en) * 1979-03-15 1981-01-13 Hughes Aircraft Company Schottky-gate field-effect transistor and fabrication process therefor
NL8003336A (nl) * 1979-06-12 1980-12-16 Dearnaley G Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleider- inrichting.
US4567503A (en) * 1983-06-29 1986-01-28 Stauffer Chemical Company MIS Device employing elemental pnictide or polyphosphide insulating layers
US5247349A (en) * 1982-11-16 1993-09-21 Stauffer Chemical Company Passivation and insulation of III-V devices with pnictides, particularly amorphous pnictides having a layer-like structure
JPH07118484B2 (ja) * 1987-10-09 1995-12-18 沖電気工業株式会社 ショットキーゲート電界効果トランジスタの製造方法
JPH05299433A (ja) * 1992-04-24 1993-11-12 Toshiba Corp ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3484662A (en) * 1965-01-15 1969-12-16 North American Rockwell Thin film transistor on an insulating substrate
GB1140579A (en) * 1966-08-19 1969-01-22 Standard Telephones Cables Ltd Method of making semiconductor devices and devices made thereby
DE1564177A1 (de) * 1966-09-03 1969-12-18 Ibm Deutschland Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
NL6807053A (fr) * 1967-05-20 1968-11-21
GB1233545A (fr) * 1967-08-18 1971-05-26
US3483443A (en) * 1967-09-28 1969-12-09 Hughes Aircraft Co Diode having large capacitance change related to minimal applied voltage
US3563809A (en) * 1968-08-05 1971-02-16 Hughes Aircraft Co Method of making semiconductor devices with ion beams

Also Published As

Publication number Publication date
DE2212489A1 (de) 1972-10-05
DE2212489B2 (de) 1974-01-17
US3700978A (en) 1972-10-24
FR2130424B1 (fr) 1974-09-13
BE780695A (fr) 1972-07-03
NL7203614A (fr) 1972-09-20
IT953974B (it) 1973-08-10
JPS5225076B1 (fr) 1977-07-05
DE2212489C3 (de) 1974-08-15
FR2130424A1 (fr) 1972-11-03
GB1376492A (en) 1974-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL159815B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een van een geisoleer- de stuurelektrode voorziene veldeffecttransistor met n-type kanaal.
NL159820B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van veldeffect- transistoren met een geisoleerde stuurelektrode.
NL166452C (nl) Identificeerbaar gevormd springstofmengsel, alsmede werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL151839B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde stuurelektrode, alsmede aldus vervaardigde transistor.
NL7504410A (nl) Werkwijze voor het chloreren van een aromati- sche verbinding.
NL159534B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met van een geisoleerde stuurelektrode voorziene veldeffecttransistoren.
NL171808C (nl) Werkwijze voor het ozoniseren van alkenen.
NL161457B (nl) Werkwijze voor het isoleren van menselijk carcino- -embryonisch antigeenmateriaal, alsmede werkwijze voor het radiojoderen van het verkregen materiaal.
NL161306B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van veldeffecttransis- toren met geisoleerde stuurelektrode.
NL176364C (nl) Werkwijze voor het isoleren van etheenoxyde.
NL148261B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van met metaal gewapende rubbervoorwerpen.
NL155399B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van veldeffecttransistoren met geisoleerde stuurelektrode, alsmede aldus vervaardigde veldeffecttransistoren.
NL151329B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van betonnen voorwerpen, alsmede de aldus vervaardigde betonnen voorwerpen.
NL153475B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van schoeisel, alsmede schoeisel verkregen onder toepassing van deze werkwijze.
NL154683B (nl) Werkwijze voor het continu vervaardigen van laselektroden, alsmede door toepassing van deze werkwijze vervaardigde laselektroden.
NL159532B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een, van een geisoleerde stuurelektrode voorziene veldeffecttransistor van het verrijkingstype, alsmede veldeffecttransistor, vervaardigd met deze werkwijze.
NL151154B (nl) Isolatielichaam.
NL161817C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van elektrodes.
NL160988C (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
FI49827C (fi) Menetelmä terapeuttisesti vaikuttavien substituoitujen 3-hydroksimetyy li-isokinoliinien valmistamiseksi.
NL147121B (nl) Werkwijze voor het hydrateren van alkenen.
NL143462B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van schoeisel, en door toepassing van deze werkwijze vervaardigd schoeisel.
NL146206B (nl) Werkwijze voor het verhogen van het octaangetal van kraakbenzine.
NL152742B (nl) Werkwijze voor het behandelen van van de bodem afgescheiden grondmonsters.
NL149711B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van pillen, alsmede de aldus vervaardigde pillen.