NL155197B - Werkwijze voor het vervaardigen van siliciumcarbidekristallen, alsmede door toepassing van deze werkwijze verkregen siliciumcarbidekristallen. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van siliciumcarbidekristallen, alsmede door toepassing van deze werkwijze verkregen siliciumcarbidekristallen.

Info

Publication number
NL155197B
NL155197B NL676716070A NL6716070A NL155197B NL 155197 B NL155197 B NL 155197B NL 676716070 A NL676716070 A NL 676716070A NL 6716070 A NL6716070 A NL 6716070A NL 155197 B NL155197 B NL 155197B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
silicon carbide
carbide crystals
manufacture
well
crystals obtained
Prior art date
Application number
NL676716070A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL6716070A (de
Inventor
Wilhelmus Francisc Knippenberg
Gerrit Verspui
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL676716070A priority Critical patent/NL155197B/xx
Priority to AT1136268A priority patent/AT294010B/de
Priority to DE1810504A priority patent/DE1810504C3/de
Priority to GB55550/68A priority patent/GB1212748A/en
Priority to DK573668AA priority patent/DK123290B/da
Priority to CH1742768A priority patent/CH530936A/de
Priority to NO4656/68A priority patent/NO123882B/no
Priority to ES360606A priority patent/ES360606A1/es
Priority to BR204297/68A priority patent/BR6804297D0/pt
Priority to JP43086069A priority patent/JPS5017958B1/ja
Priority to SE16034/68A priority patent/SE345119B/xx
Priority to FR1594861D priority patent/FR1594861A/fr
Publication of NL6716070A publication Critical patent/NL6716070A/xx
Priority to US05/280,763 priority patent/US3962406A/en
Publication of NL155197B publication Critical patent/NL155197B/xx

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B66—HOISTING; LIFTING; HAULING
    • B66C—CRANES; LOAD-ENGAGING ELEMENTS OR DEVICES FOR CRANES, CAPSTANS, WINCHES, OR TACKLES
    • B66C23/00—Cranes comprising essentially a beam, boom, or triangular structure acting as a cantilever and mounted for translatory of swinging movements in vertical or horizontal planes or a combination of such movements, e.g. jib-cranes, derricks, tower cranes
    • B66C23/62—Constructional features or details
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B66—HOISTING; LIFTING; HAULING
    • B66F—HOISTING, LIFTING, HAULING OR PUSHING, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, e.g. DEVICES WHICH APPLY A LIFTING OR PUSHING FORCE DIRECTLY TO THE SURFACE OF A LOAD
    • B66F3/00—Devices, e.g. jacks, adapted for uninterrupted lifting of loads
    • B66F3/22—Lazy-tongs mechanisms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/97—Preparation from SiO or SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
    • C01P2002/54—Solid solutions containing elements as dopants one element only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12—Surface area

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
NL676716070A 1967-11-25 1967-11-25 Werkwijze voor het vervaardigen van siliciumcarbidekristallen, alsmede door toepassing van deze werkwijze verkregen siliciumcarbidekristallen. NL155197B (nl)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL676716070A NL155197B (nl) 1967-11-25 1967-11-25 Werkwijze voor het vervaardigen van siliciumcarbidekristallen, alsmede door toepassing van deze werkwijze verkregen siliciumcarbidekristallen.
AT1136268A AT294010B (de) 1967-11-25 1968-11-22 Verfahren zur Herstellung von Siliciumkarbidkristallen
DE1810504A DE1810504C3 (de) 1967-11-25 1968-11-22 Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbidkristallen
GB55550/68A GB1212748A (en) 1967-11-25 1968-11-22 Method of manufacturing silicon carbide crystals
DK573668AA DK123290B (da) 1967-11-25 1968-11-22 Fremgangsmåde til fremstilling af siliciumcarbidkrystraller.
CH1742768A CH530936A (de) 1967-11-25 1968-11-22 Verfahren zur Herstellung von Siliciumkarbidkristallen
NO4656/68A NO123882B (de) 1967-11-25 1968-11-22
ES360606A ES360606A1 (es) 1967-11-25 1968-11-23 Un metodo de fabricar cristales de carburo de silicio.
BR204297/68A BR6804297D0 (pt) 1967-11-25 1968-11-25 Processo para fabricar cristais de carboreto de silicio
JP43086069A JPS5017958B1 (de) 1967-11-25 1968-11-25
SE16034/68A SE345119B (de) 1967-11-25 1968-11-25
FR1594861D FR1594861A (de) 1967-11-25 1968-11-25
US05/280,763 US3962406A (en) 1967-11-25 1972-08-15 Method of manufacturing silicon carbide crystals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL676716070A NL155197B (nl) 1967-11-25 1967-11-25 Werkwijze voor het vervaardigen van siliciumcarbidekristallen, alsmede door toepassing van deze werkwijze verkregen siliciumcarbidekristallen.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6716070A NL6716070A (de) 1969-05-28
NL155197B true NL155197B (nl) 1977-12-15

Family

ID=19801820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL676716070A NL155197B (nl) 1967-11-25 1967-11-25 Werkwijze voor het vervaardigen van siliciumcarbidekristallen, alsmede door toepassing van deze werkwijze verkregen siliciumcarbidekristallen.

Country Status (12)

Country Link
JP (1) JPS5017958B1 (de)
AT (1) AT294010B (de)
BR (1) BR6804297D0 (de)
CH (1) CH530936A (de)
DE (1) DE1810504C3 (de)
DK (1) DK123290B (de)
ES (1) ES360606A1 (de)
FR (1) FR1594861A (de)
GB (1) GB1212748A (de)
NL (1) NL155197B (de)
NO (1) NO123882B (de)
SE (1) SE345119B (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3962406A (en) * 1967-11-25 1976-06-08 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing silicon carbide crystals
RU2163563C1 (ru) * 1999-08-18 2001-02-27 ЗАО НПП "Шунгитовые технологии" Способ получения карбида кремния

Also Published As

Publication number Publication date
ES360606A1 (es) 1970-07-16
DE1810504A1 (de) 1969-07-10
FR1594861A (de) 1970-06-08
DE1810504B2 (de) 1974-04-25
DK123290B (da) 1972-06-05
JPS5017958B1 (de) 1975-06-25
NO123882B (de) 1972-01-31
BR6804297D0 (pt) 1973-01-16
CH530936A (de) 1972-11-30
DE1810504C3 (de) 1974-12-05
AT294010B (de) 1971-11-10
NL6716070A (de) 1969-05-28
SE345119B (de) 1972-05-15
GB1212748A (en) 1970-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE755013A (nl) Werkwijze voor het fotopolymeriseren van epoxymonomeren,
NL153606B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van microcircuits, alsmede microcircuits, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL142287B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL162083C (nl) Werkwijze voor de bereiding van 17alfa-mono-esters van 11beta,17alfa,21-trihydroxy-20-oxosteroiden.
NL153475B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van schoeisel, alsmede schoeisel verkregen onder toepassing van deze werkwijze.
NL145237B (nl) Werkwijze voor het bereiden van epsilon-caprolactonen.
DK109088C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 1,2,4-oxadiazolderivater.
NL139843B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichtingen.
NL141839B (nl) Werkwijze voor de bereiding van titaancarbide.
NL147396B (nl) Werkwijze voor het bereiden van gezuiverde molybdeenverbindingen.
NL143546B (nl) Werkwijze voor het bereiden van jood-polyhydropolyfluoralkanen.
NL147724B (nl) Werkwijze voor het bereiden van alkylideen-bisacrylamide.
NL155808B (nl) Werkwijze voor het winnen van zuiver cyclopenteen door destillatie.
NL152227B (nl) Werkwijze en inrichting ter vervaardiging van dik drijfglas, alsmede het met de werkwijze verkregen dikke drijfglas.
NL157052B (nl) Werkwijze voor de bereiding van kiemdodende, niet-ionogene, jodiumhoudende reinigingsmiddelen.
NL144266B (nl) Werkwijze voor het bereiden van difenylcyclopropaanverbindingen.
NL155197B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van siliciumcarbidekristallen, alsmede door toepassing van deze werkwijze verkregen siliciumcarbidekristallen.
NL149472B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van boornitride-voorwerpen, alsmede de vervaardigde boornitridevoorwerpen.
NL139721B (nl) Werkwijze voor het bereiden van kristallijne boracieten.
NL144595B (nl) Werkwijze voor het bereiden van n-vinyl-n-alkylformamiden.
NL168222C (nl) Werkwijze voor het bereiden van 1,2-digesubstitueerde 4-pyrazolidinolen.
DK116595B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 2-mercapto-4,6-bis-amino-s-triazinderivater.
NL139006B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van siliciummonokristallen door middel van kroesloos zonesmelten.
NL149766B (nl) Werkwijze voor het bereiden van siliciumdioxydesolen door elektrolyse.
NL160306C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een stijve plaat, als- mede plaat vervaardigd door toepassing van de werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: PHILIPS