NL153606B - Werkwijze voor het vervaardigen van microcircuits, alsmede microcircuits, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van microcircuits, alsmede microcircuits, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.

Info

Publication number
NL153606B
NL153606B NL676712828A NL6712828A NL153606B NL 153606 B NL153606 B NL 153606B NL 676712828 A NL676712828 A NL 676712828A NL 6712828 A NL6712828 A NL 6712828A NL 153606 B NL153606 B NL 153606B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
microcircuits
procedure
manufacture
applying
well
Prior art date
Application number
NL676712828A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6712828A (nl
Original Assignee
Rca Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rca Corp filed Critical Rca Corp
Publication of NL6712828A publication Critical patent/NL6712828A/xx
Publication of NL153606B publication Critical patent/NL153606B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C23C16/0236—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a reactive gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
    • C23C16/14—Deposition of only one other metal element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
NL676712828A 1966-09-21 1967-09-20 Werkwijze voor het vervaardigen van microcircuits, alsmede microcircuits, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. NL153606B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US58093366A 1966-09-21 1966-09-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6712828A NL6712828A (nl) 1968-03-22
NL153606B true NL153606B (nl) 1977-06-15

Family

ID=24323189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL676712828A NL153606B (nl) 1966-09-21 1967-09-20 Werkwijze voor het vervaardigen van microcircuits, alsmede microcircuits, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3477872A (nl)
BE (1) BE704154A (nl)
DE (1) DE1621330B2 (nl)
GB (1) GB1132294A (nl)
NL (1) NL153606B (nl)
SE (1) SE317857B (nl)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2012063A1 (de) * 1970-03-13 1971-09-30 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von aus Alu minium Legierungen bestehenden Kontakt metallschichten an Halbleiterbauelementen
US3785862A (en) * 1970-12-14 1974-01-15 Rca Corp Method for depositing refractory metals
DE2151127C3 (de) * 1970-12-16 1981-04-16 International Business Machines Corp., 10504 Armonk, N.Y. Verfahren zum Abscheiden eines Metallisierungsmusters und seine Anwendung
US3900363A (en) * 1972-11-15 1975-08-19 Nippon Columbia Method of making crystal
US4404235A (en) * 1981-02-23 1983-09-13 Rca Corporation Method for improving adhesion of metal film on a dielectric surface
US4387962A (en) * 1981-10-06 1983-06-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Corrosion resistant laser mirror heat exchanger
DE3141567C2 (de) * 1981-10-20 1986-02-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Herstellen von aus Tantal, Wolfram oder Molybdän bestehenden Schichten bei niedrigen Temperaturen und Verwendung dieser Schichten
US4517225A (en) * 1983-05-02 1985-05-14 Signetics Corporation Method for manufacturing an electrical interconnection by selective tungsten deposition
JPS60115245A (ja) * 1983-11-28 1985-06-21 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS6177324A (ja) * 1984-09-21 1986-04-19 Toshiba Corp 金属薄膜の形成方法
US4595608A (en) * 1984-11-09 1986-06-17 Harris Corporation Method for selective deposition of tungsten on silicon
US5084414A (en) * 1985-03-15 1992-01-28 Hewlett-Packard Company Metal interconnection system with a planar surface
JPS61274345A (ja) * 1985-05-29 1986-12-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4808552A (en) * 1985-09-11 1989-02-28 Texas Instruments Incorporated Process for making vertically-oriented interconnections for VLSI devices
US4650696A (en) * 1985-10-01 1987-03-17 Harris Corporation Process using tungsten for multilevel metallization
GB2181456B (en) * 1985-10-07 1989-10-25 Gen Electric Depositing metal films on dielectric substrates
US4709655A (en) * 1985-12-03 1987-12-01 Varian Associates, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
US4796562A (en) * 1985-12-03 1989-01-10 Varian Associates, Inc. Rapid thermal cvd apparatus
US4741928A (en) * 1985-12-27 1988-05-03 General Electric Company Method for selective deposition of tungsten by chemical vapor deposition onto metal and semiconductor surfaces
US4732801A (en) * 1986-04-30 1988-03-22 International Business Machines Corporation Graded oxide/nitride via structure and method of fabrication therefor
JP2733244B2 (ja) * 1988-04-07 1998-03-30 株式会社日立製作所 配線形成方法
US5300322A (en) * 1992-03-10 1994-04-05 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Molybdenum enhanced low-temperature deposition of crystalline silicon nitride
DE102008035235B4 (de) * 2008-07-29 2014-05-22 Ivoclar Vivadent Ag Vorrichtung zur Erwärmung von Formteilen, insbesondere dentalkeramischen Formteilen

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3160798A (en) * 1959-12-07 1964-12-08 Gen Electric Semiconductor devices including means for securing the elements
US3147412A (en) * 1960-10-27 1964-09-01 Monsanto Co Junction rectifier of boron phosphide having boron-to-phosphorus atomic ratio of 6 to 100
US3232803A (en) * 1963-04-16 1966-02-01 North American Aviation Inc Chemical etching of tungsten
US3333984A (en) * 1963-08-30 1967-08-01 Minnesota Mining & Mfg Process for the formation of images on a substrate
US3325258A (en) * 1963-11-27 1967-06-13 Texas Instruments Inc Multilayer resistors for hybrid integrated circuits
US3364087A (en) * 1964-04-27 1968-01-16 Varian Associates Method of using laser to coat or etch substrate
US3290570A (en) * 1964-04-28 1966-12-06 Texas Instruments Inc Multilevel expanded metallic contacts for semiconductor devices
US3375418A (en) * 1964-09-15 1968-03-26 Sprague Electric Co S-m-s device with partial semiconducting layers
US3399331A (en) * 1964-12-24 1968-08-27 Ibm Electrical device and contacts

Also Published As

Publication number Publication date
SE317857B (nl) 1969-11-24
GB1132294A (en) 1968-10-30
DE1621330A1 (de) 1971-05-13
US3477872A (en) 1969-11-11
NL6712828A (nl) 1968-03-22
BE704154A (nl) 1968-02-01
DE1621330B2 (de) 1972-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL153606B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van microcircuits, alsmede microcircuits, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL162088B (nl) Werkwijze voor het bereiden van samenstellingen, die door bestralen met ultraviolet licht polymeriseerbare verbindingen of mengsels daarvan bevatten.
NL145087B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektrisch contactmateriaal, alsmede elektrisch contact vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL142419B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een voorwerp van elementair metaal, alsmede door toepassing van deze werkwijze verkregen voorwerp.
NL162083C (nl) Werkwijze voor de bereiding van 17alfa-mono-esters van 11beta,17alfa,21-trihydroxy-20-oxosteroiden.
NL153475B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van schoeisel, alsmede schoeisel verkregen onder toepassing van deze werkwijze.
NL144520B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gemetalliseerde foelies.
NL139725B (nl) Werkwijze en inrichting voor de vervaardiging van vlak glas en vlak glas, verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL148915B (nl) Werkwijze voor de bereiding van poly-epsilon-caprolactam.
NL143841B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van bouwplaten of bouwelementen, alsmede bouwplaten of bouwelementen, verkregen onder toepassing van deze werkwijze.
NL139724B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van vlak glas en vlak glas, verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL143879B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van glas en glas, verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL143462B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van schoeisel, en door toepassing van deze werkwijze vervaardigd schoeisel.
NL139531B (nl) Werkwijze voor de bereiding van aminoisoxazolen.
NL157052B (nl) Werkwijze voor de bereiding van kiemdodende, niet-ionogene, jodiumhoudende reinigingsmiddelen.
NL144253B (nl) Werkwijze voor het bereiden van 2,4,5-trimethylcumeen.
NL148314B (nl) Werkwijze voor de bereiding van gesubstitueerde 2-mercapto-4,6-dichloor-s-triazinen.
NL157894B (nl) Werkwijze voor de bereiding van azinen.
NL168222C (nl) Werkwijze voor het bereiden van 1,2-digesubstitueerde 4-pyrazolidinolen.
NL150158B (nl) Werkwijze voor het continu vervaardigen van vormcokes en vormcokes, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL148895B (nl) Werkwijze voor het bereiden van epsilon-caprolacton.
NL160306C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een stijve plaat, als- mede plaat vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL145211B (nl) Werkwijze voor de bereiding van 11-hydroxysteroiden.
NL153540B (nl) Werkwijze voor de bereiding van d-(-)-pantolacton.
NL149498B (nl) Werkwijze voor de bereiding van zeer zuiver 1,3,5-trioxan.