NL152029B - Werkwijze en inrichting voor het opstuiven van dunne lagen vast materiaal, in het bijzonder elektrische weerstandslagen voor geintegreerde schakelingen, alsmede dragerlichaam voorzien van een aldus aangebrachte laag. - Google Patents
Werkwijze en inrichting voor het opstuiven van dunne lagen vast materiaal, in het bijzonder elektrische weerstandslagen voor geintegreerde schakelingen, alsmede dragerlichaam voorzien van een aldus aangebrachte laag.Info
- Publication number
- NL152029B NL152029B NL666615992A NL6615992A NL152029B NL 152029 B NL152029 B NL 152029B NL 666615992 A NL666615992 A NL 666615992A NL 6615992 A NL6615992 A NL 6615992A NL 152029 B NL152029 B NL 152029B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- strokes
- well
- layer
- support body
- integrated circuits
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/36—Gas-filled discharge tubes for cleaning surfaces while plating with ions of materials introduced into the discharge, e.g. introduced by evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US507729A US3400066A (en) | 1965-11-15 | 1965-11-15 | Sputtering processes for depositing thin films of controlled thickness |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6615992A NL6615992A (nl) | 1967-05-16 |
NL152029B true NL152029B (nl) | 1977-01-17 |
Family
ID=24019872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL666615992A NL152029B (nl) | 1965-11-15 | 1966-11-14 | Werkwijze en inrichting voor het opstuiven van dunne lagen vast materiaal, in het bijzonder elektrische weerstandslagen voor geintegreerde schakelingen, alsmede dragerlichaam voorzien van een aldus aangebrachte laag. |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3400066A (nl) |
BE (1) | BE688958A (nl) |
CH (1) | CH455441A (nl) |
DE (1) | DE1515308B2 (nl) |
ES (1) | ES333127A1 (nl) |
FR (1) | FR1498863A (nl) |
GB (1) | GB1091267A (nl) |
NL (1) | NL152029B (nl) |
SE (1) | SE330302B (nl) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1474973A (fr) * | 1966-02-16 | 1967-03-31 | Radiotechnique Coprim Rtc | Procédé de fabrication d'une couche de contact pour dispositifs semi-conducteurs et produits obtenus |
US3506556A (en) * | 1968-02-28 | 1970-04-14 | Ppg Industries Inc | Sputtering of metal oxide films in the presence of hydrogen and oxygen |
DE2126887C3 (de) * | 1971-05-29 | 1981-11-19 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Niederschlagen magnetisierbarer Schichten durch Kathodenzerstäubung |
US3912612A (en) * | 1972-07-14 | 1975-10-14 | Westinghouse Electric Corp | Method for making thin film superconductors |
US4021277A (en) * | 1972-12-07 | 1977-05-03 | Sprague Electric Company | Method of forming thin film resistor |
US3856647A (en) * | 1973-05-15 | 1974-12-24 | Ibm | Multi-layer control or stress in thin films |
US4043888A (en) * | 1973-07-30 | 1977-08-23 | Westinghouse Electric Corporation | Superconductive thin films having transition temperature substantially above the bulk materials |
US3866041A (en) * | 1973-10-23 | 1975-02-11 | Allis Chalmers | Method and apparatus for evaluating the gas content of materials |
NL7401859A (nl) * | 1974-02-12 | 1975-08-14 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze. |
USRE29947E (en) * | 1974-02-12 | 1979-03-27 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor pattern delineation by sputter etching process |
US4129848A (en) * | 1975-09-03 | 1978-12-12 | Raytheon Company | Platinum film resistor device |
US4205299A (en) * | 1976-02-10 | 1980-05-27 | Jurgen Forster | Thin film resistor |
US4204935A (en) * | 1976-02-10 | 1980-05-27 | Resista Fabrik Elektrischer Widerstande G.M.B.H. | Thin-film resistor and process for the production thereof |
US4169032A (en) * | 1978-05-24 | 1979-09-25 | International Business Machines Corporation | Method of making a thin film thermal print head |
US4310380A (en) * | 1980-04-07 | 1982-01-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Plasma etching of silicon |
DE3107914A1 (de) * | 1981-03-02 | 1982-09-16 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von formteilen durch katodenzerstaeubung |
CA1155798A (en) * | 1981-03-30 | 1983-10-25 | Shmuel Maniv | Reactive deposition method and apparatus |
DE3426795A1 (de) * | 1984-07-20 | 1986-01-23 | Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von hochverschleissfesten titannitrid-schichten |
FR2569000B1 (fr) * | 1984-08-10 | 1989-01-27 | Centre Nat Rech Scient | Procede et appareils pour le controle in situ de l'epaisseur de couches ultraminces deposees par pulverisation ionique |
JPH02217467A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Pioneer Electron Corp | 対向ターゲット型スパッタリング装置 |
US5182420A (en) * | 1989-04-25 | 1993-01-26 | Cray Research, Inc. | Method of fabricating metallized chip carriers from wafer-shaped substrates |
US5122620A (en) * | 1989-06-15 | 1992-06-16 | Cray Research Inc. | Chip carrier with terminating resistive elements |
USRE34395E (en) * | 1989-06-15 | 1993-10-05 | Cray Research, Inc. | Method of making a chip carrier with terminating resistive elements |
US5258576A (en) * | 1989-06-15 | 1993-11-02 | Cray Research, Inc. | Integrated circuit chip carrier lid |
US4949453A (en) * | 1989-06-15 | 1990-08-21 | Cray Research, Inc. | Method of making a chip carrier with terminating resistive elements |
US5039570A (en) * | 1990-04-12 | 1991-08-13 | Planar Circuit Technologies, Inc. | Resistive laminate for printed circuit boards, method and apparatus for forming the same |
US6703666B1 (en) * | 1999-07-14 | 2004-03-09 | Agere Systems Inc. | Thin film resistor device and a method of manufacture therefor |
CN112259455B (zh) * | 2020-10-19 | 2024-01-26 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 | 一种改善带钝化层结构的Ag面产品金属残留的方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3336154A (en) * | 1963-12-20 | 1967-08-15 | Sperry Rand Corp | Testing apparatus and method |
-
1965
- 1965-11-15 US US507729A patent/US3400066A/en not_active Expired - Lifetime
-
1966
- 1966-10-17 GB GB46274/66A patent/GB1091267A/en not_active Expired
- 1966-10-27 BE BE688958D patent/BE688958A/xx unknown
- 1966-11-02 FR FR8112A patent/FR1498863A/fr not_active Expired
- 1966-11-07 ES ES0333127A patent/ES333127A1/es not_active Expired
- 1966-11-12 DE DE1515308A patent/DE1515308B2/de not_active Withdrawn
- 1966-11-14 NL NL666615992A patent/NL152029B/nl unknown
- 1966-11-15 CH CH1639666A patent/CH455441A/de unknown
- 1966-11-15 SE SE15633/66A patent/SE330302B/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1515308A1 (de) | 1969-09-11 |
GB1091267A (en) | 1967-11-15 |
NL6615992A (nl) | 1967-05-16 |
DE1515308B2 (de) | 1975-03-27 |
US3400066A (en) | 1968-09-03 |
FR1498863A (fr) | 1967-10-20 |
SE330302B (nl) | 1970-11-09 |
CH455441A (de) | 1968-07-15 |
BE688958A (nl) | 1967-03-31 |
ES333127A1 (es) | 1967-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL152029B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het opstuiven van dunne lagen vast materiaal, in het bijzonder elektrische weerstandslagen voor geintegreerde schakelingen, alsmede dragerlichaam voorzien van een aldus aangebrachte laag. | |
NL7412748A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van n in dunne, hechtende lagen op een kunst- rager. | |
NL150273B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een cryogene dunne lagenschakeling met ten minste een cryotron. | |
NL164481C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een selectief permeabel membraanelement en inrichting ten gebruike bij de vervaardiging daarvan. | |
NL186608C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinjectie-logicainrichting. | |
NL175801C (nl) | Vormlichaam, alsmede werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een dergelijk vormlichaam. | |
NL7713724A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektri- sche inrichting en elektrische inrichting ver- vaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL7611530A (nl) | Werkwijze voor het bekleden van een kopersubstraat, alsmede kopersubstraat bekleed volgens deze werkwijze. | |
NL176505C (nl) | Dunne, soepele, elektrische verbindingsdraad alsmede werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke draad. | |
NL148654B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL179434C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een door een dunne isolerende laag van het halfgeleiderlichaam gescheiden geleidende stuurelektrode. | |
NL170821C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een buisvormige film en ringvormige ondersteuning, bestemd voor toepassing bij die werkwijze. | |
NL162511B (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL169120B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch element en element verkregen volgens deze werkwijze. | |
NL7417049A (nl) | Werkwijze voor het bepalen van de specifieke deeltjesstroom in een inrichting voor het in vacuo aanbrengen van lagen, en een inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze. | |
NL151213B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire halfgeleiderinrichting, voorzien van een vrijwel uitsluitend uit palladium bestaande laag, alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL149714B (nl) | Werkwijze voor het door diffusie tot stand brengen van een gebied met gewijzigde elektrische eigenschappen in een halfgeleiderplaatje en aldus verkregen halfgeleiderplaatjes. | |
NL161304B (nl) | Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd. | |
NL7410116A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het samenlassen van metaallagen bevattende combinatiefolies tot holle lichamen. | |
NL164836C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een piezo-elektrisch keramisch materiaal, en daaruit vervaardigd lichaam. | |
NL153719B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL141030B (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een elektrode bij een halfgeleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL154057B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van in dezelfde richting gewikkelde schroeflijnvormige gloeilichamen, alsmede een inrichting voor het toepassen van deze werkwijze. | |
NL168942C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van platen en foelies voor chromatografie, in het bijzonder voor dunne laagchromatografie, alsmede werkwijze voor het bereiden van adsorbens geschikt voor toepassing bij deze werkwijze. | |
NL180466C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
VJC | Lapsed due to non-payment of the due maintenance fee for the patent or patent application | ||
NL80 | Information provided on patent owner name for an already discontinued patent |
Owner name: I B M |