NL149714B - Werkwijze voor het door diffusie tot stand brengen van een gebied met gewijzigde elektrische eigenschappen in een halfgeleiderplaatje en aldus verkregen halfgeleiderplaatjes. - Google Patents

Werkwijze voor het door diffusie tot stand brengen van een gebied met gewijzigde elektrische eigenschappen in een halfgeleiderplaatje en aldus verkregen halfgeleiderplaatjes.

Info

Publication number
NL149714B
NL149714B NL666606296A NL6606296A NL149714B NL 149714 B NL149714 B NL 149714B NL 666606296 A NL666606296 A NL 666606296A NL 6606296 A NL6606296 A NL 6606296A NL 149714 B NL149714 B NL 149714B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
diffusion
creating
procedure
area
Prior art date
Application number
NL666606296A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6606296A (nl
Original Assignee
Rca Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rca Corp filed Critical Rca Corp
Publication of NL6606296A publication Critical patent/NL6606296A/xx
Publication of NL149714B publication Critical patent/NL149714B/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
    • C30B31/165—Diffusion sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/08—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state the diffusion materials being a compound of the elements to be diffused
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S252/00—Compositions
    • Y10S252/95—Doping agent source material
    • Y10S252/951—Doping agent source material for vapor transport
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/909—Controlled atmosphere

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
NL666606296A 1965-05-10 1966-05-09 Werkwijze voor het door diffusie tot stand brengen van een gebied met gewijzigde elektrische eigenschappen in een halfgeleiderplaatje en aldus verkregen halfgeleiderplaatjes. NL149714B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US454474A US3374125A (en) 1965-05-10 1965-05-10 Method of forming a pn junction by vaporization

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6606296A NL6606296A (nl) 1966-11-11
NL149714B true NL149714B (nl) 1976-06-15

Family

ID=23804745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL666606296A NL149714B (nl) 1965-05-10 1966-05-09 Werkwijze voor het door diffusie tot stand brengen van een gebied met gewijzigde elektrische eigenschappen in een halfgeleiderplaatje en aldus verkregen halfgeleiderplaatjes.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3374125A (nl)
BR (1) BR6679397D0 (nl)
DE (1) DE1544245B2 (nl)
ES (1) ES326459A1 (nl)
GB (1) GB1136304A (nl)
NL (1) NL149714B (nl)
SE (1) SE334946B (nl)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3852128A (en) * 1969-02-22 1974-12-03 Licentia Gmbh Method of diffusing impurities into semiconductor wafers
JPS49108969A (nl) * 1973-02-07 1974-10-16
JPS49114355A (nl) * 1973-02-28 1974-10-31
US4129090A (en) * 1973-02-28 1978-12-12 Hitachi, Ltd. Apparatus for diffusion into semiconductor wafers
JPS6011457B2 (ja) * 1973-04-02 1985-03-26 株式会社日立製作所 デイポジシヨン法
US3923563A (en) * 1973-04-16 1975-12-02 Owens Illinois Inc Process for doping silicon semiconductors using an impregnated refractory dopant source
US3907618A (en) * 1974-01-07 1975-09-23 Owens Illinois Inc Process for doping semiconductor employing glass-ceramic dopant
US3928096A (en) * 1974-01-07 1975-12-23 Owens Illinois Inc Boron doping of semiconductors
US4235650A (en) * 1978-09-05 1980-11-25 General Electric Company Open tube aluminum diffusion
US4239560A (en) * 1979-05-21 1980-12-16 General Electric Company Open tube aluminum oxide disc diffusion
US4553318A (en) * 1983-05-02 1985-11-19 Rca Corporation Method of making integrated PNP and NPN bipolar transistors and junction field effect transistor
US4592793A (en) * 1985-03-15 1986-06-03 International Business Machines Corporation Process for diffusing impurities into a semiconductor body vapor phase diffusion of III-V semiconductor substrates
CA1244969A (en) * 1986-10-29 1988-11-15 Mitel Corporation Method for diffusing p-type material using boron disks
CN112117349B (zh) * 2020-09-09 2022-05-24 湖州奥博石英科技有限公司 一种太阳能电池硅片扩散插片工艺

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3070466A (en) * 1959-04-30 1962-12-25 Ibm Diffusion in semiconductor material
US3244567A (en) * 1962-09-10 1966-04-05 Trw Semiconductors Inc Impurity diffusion method
US3279964A (en) * 1965-06-03 1966-10-18 Btu Eng Corp Method for continuous gas diffusion

Also Published As

Publication number Publication date
ES326459A1 (es) 1967-07-01
DE1544245A1 (de) 1969-01-30
US3374125A (en) 1968-03-19
SE334946B (nl) 1971-05-10
NL6606296A (nl) 1966-11-11
DE1544245B2 (de) 1971-02-11
BR6679397D0 (pt) 1973-05-15
GB1136304A (en) 1968-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL149674B (nl) Werkwijze voor het tot stand brengen van elektrische verbindingen en elektrische verbindingen vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL145661B (nl) Inrichting voor het opwekken van een elektrisch veld in een vertrek.
NL145980B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde eletrische geleider, en elektrische geleider verkregen door toepassen van deze werkwijze.
NL144792B (nl) Afsluitorgaan met een gespleten krimpbaar buisvormig orgaan, in het bijzonder voor het omhullen van elektrische geleiders.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL149714B (nl) Werkwijze voor het door diffusie tot stand brengen van een gebied met gewijzigde elektrische eigenschappen in een halfgeleiderplaatje en aldus verkregen halfgeleiderplaatjes.
NL173907C (nl) Grondplaat met geleiderpatroon en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL153721B (nl) Werkwijze voor het vormen van elektrische verbindingen tussen een drager en een, in een uitsparing van de drager opgenomen halfgeleiderplaatje en voortbrengsel verkregen volgens deze werkwijze.
NL153709B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerp, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL152724B (nl) Elektrische keten voor het verschaffen van een gelijkspanning voor het tot stand brengen en onderhouden van het werkpunt van een halfgeleiderversterker.
NL7410236A (nl) Werkwijze voor het in werking stellen van in- jectormondstukken, alsmede inrichting voor het uitvoeren van die werkwijze.
NL140657B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL150901B (nl) Piezo-elektrische spanningsbron, in het bijzonder voor een aansteker.
NL156534B (nl) Elektrische schakelaar, in het bijzonder thermostaatschakelaar, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van een klinknagelverbinding daarvan.
NL150403B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een glasplaat, alsmede een hiermee vervaardigde glasplaat.
NL163048C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrische condensator.
NL156836B (nl) Regelstelsel voor een elektrische deken.
NL153729B (nl) Elektrochemisch element met een niet-waterhoudende elektrolyt en werkwijze voor het bereiden van een dergelijke elektrolyt.
FI46308C (fi) Sähkökytkentä sähkökloseteissa.
NL146466B (nl) Werkwijze voor het bereiden van katalytisch werkend titaantrichloride en werkwijze voor het polymeriseren van een alfa-alkeen.
NL7409054A (nl) Elektrische inrichting voor het meten van de dichtheid van mengsels, die in een pijpleiding worden vervoerd.
NL145718B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch circuitsamenstel, alsmede elektrisch circuitsamenstel, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL180359C (nl) Inrichting voor het in een detectiegebied opwekken van een electromagnetisch ondervragingsveld.
NL151558B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL151849B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van kristallijne, gesinterde lichamen en een inrichting voor het elektrochemisch opwekken van elektrische energie.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: RCA